KR100675277B1 - 반도체 제조장치의 샤워헤드 - Google Patents

Abstract

반도체 제조장치의 샤워헤드가 제공된다. 이 샤워헤드는 반응가스가 유입되도록 그 상측 중앙부에 가스공급홀이 마련된다. 그리고 그 하측 밑면에는 반응가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 마련된다. 이때, 가스분사홀은 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치되고, 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 더 커지도록 형성된다. 따라서, 이 샤워헤드를 통하여 웨이퍼의 상측으로 분사되는 반응가스들은 웨이퍼의 전면적에 걸쳐 두루 균일하게 분사된다. 이에, 반응가스들의 분사에 의해 형성되는 박막은 웨이퍼 상의 전면적에 걸쳐서 두루 균일하게 형성된다.

반도체, 샤워헤드

Description

반도체 제조장치의 샤워헤드{Shower head of semiconductor manufacturing apparatus}

도 1은 종래 반도체 제조장치에 구비되는 샤워헤드의 일예를 도시한 단면도,

도 2는 도 1에 도시한 샤워헤드의 밑면을 도시한 평면도,

도 3은 본 발명 샤워헤드가 적용된 반도체 제조장치의 구성도,

도 4는 본 발명에 따른 샤워헤드의 제1실시예를 도시한 사시도,

도 5는 도 4의 샤워헤드를 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 절개한 단면도,

도 6은 도 4에 도시한 샤워헤드의 밑면을 도시한 평면도,

도 7은 본 발명에 따른 샤워헤드의 제2실시예를 도시한 평면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 반도체 제조장치 110 : 공정챔버

120 : 웨이퍼 척 150 : 샤워헤드

151 : 제1가스공급라인 152 : 제2가스공급라인

153 : 제1가스공급홀 154 : 제2가스공급홀

157 : 제2가스분사홀 158 : 제1가스분사홀

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정챔버(Process chamber)에 장착되어 공정챔버로 공급되는 가스(Gas)를 챔버 내 각 부분으로 균일하게 분사해주는 반도체 제조장치의 샤워헤드에 관한 것이다.

통상, 반도체소자 제조공정에는 웨이퍼 상에 소정두께의 박막을 형성하는 성막공정이 필수적으로 포함된다.

이와 같은 성막공정을 수행하는 방법에는 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposion), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 등이 있는데, 최근에는 낮은 온도에서도 우수한 막질이 증착가능한 원자층 증착법이 많이 사용되고 있다.

구체적으로, 원자층 증착법은 밀폐된 공정챔버 내부에 웨이퍼(Wafer)를 안착시킨 다음 웨이퍼의 상측으로 제1반응가스→퍼지가스(Purge gas)→제2반응가스→퍼지가스 순으로 반응가스 및 퍼지가스를 소정시간동안 번갈아가며 공급함으로써 수행된다. 따라서, 웨이퍼 상에는 단원자층의 표면반응에 의한 화학적 흡착 및 탈착 등에 의해 소정두께의 박막이 형성되는 것이다.

한편, 원자층 증착법을 이용하여 웨이퍼 상의 전면적에서 균일한 두께의 막질을 얻으려면, 웨이퍼의 상측으로 공급되는 반응가스를 웨이퍼 상의 각 부분으로 두루 균일하게 분사시켜 주어야 한다.

따라서, 원자층 증착법이 실행되는 반도체 제조장치의 공정챔버에는 반응가스의 균일한 분사를 위한 샤워헤드가 구비되고 있다. 이에, 공정챔버로 공급되는 반응가스는 이 샤워헤드에 의해서 챔버 내부의 각 부분 곧, 웨이퍼 상의 각 부분으로 두루 균일하게 분사되는 것이다.

도 1과 도 2에는 종래 반도체 제조장치에 구비되는 샤워헤드의 일예가 도시되어 있다.

도면을 참조하면, 종래 샤워헤드(90)는 그 상측를 통해 가스를 공급받아 그 하측을 통해 가스를 분사하도록 형성되어 있다. 그리고, 그 상측 및 하측에는 서로다른 2종의 반응가스가 상호 분리된 채로 공급된 다음 상호 분리된 채로 분사되도록 각각 격리된 제1ㆍ제2가스공급홀(Hole;91,92) 및 제1ㆍ제2가스분사홀(95,93이 마련되어 있다.

구체적으로, 제1ㆍ제2가스공급홀(91,92)은 샤워헤드(90)의 상측 중앙부에 마련되어 있고, 제1ㆍ제2가스분사홀(95,93)은 샤워헤드(90)의 하측 밑면 전체에 걸쳐서 마련되어 있다. 그리고, 제1ㆍ제2가스분사홀(95,93)은 샤워헤드(90)의 밑면 중앙부로부터 주변부까지 상호 번갈아가며 위치하도록 배치되어 있되 그 직경의 크기는 모두 동일한 크기로 형성되어 있다. 또한, 제1ㆍ제2가스분사홀(95,93)은 전체적으로 바둑판 구조로 배치되어 있다. 즉, 각 가스분사홀(95,93) 간의 간격(도 1의 L)은 가로와 세로가 일정하도록 배치되어 있다.

따라서, 샤워헤드(90)의 상측으로 공급되는 소정 반응가스들은 샤워헤드(90)의 중앙부에 마련된 가스공급홀(91,92)들을 통해 샤워헤드(90)의 중앙부로 유입된 다음 샤워헤드(90)의 내부에 마련된 가스이동통로들(96,97)을 통해 샤워헤드(90)의 각 주변부로 플로우(Flow)됨으로써 샤워헤드(90)의 밑면 전체에 마련된 가스분사홀 (95,93)들을 통해 웨이퍼(90) 상의 각 부분으로 분사되는 것이다.

그러나, 종래 샤워헤드(90)는 그 가스분사홀들(95,93)의 구조가 바둑판 구조로 배치되어 있고, 그 가스분사홀들(95,93)의 직경은 모두 동일한 크기로 형성되어 있기 때문에 샤워헤드(90)의 밑면 중앙부 측에서 분사되는 반응가스 유량은 많지만, 샤워헤드(90)의 밑면 주변부 측에서 분사되는 반응가스 유량은 매우 적은 문제점이 발생된다.

즉, 종래 샤워헤드(90)의 밑면에 형성된 가스분사홀들(95,93)의 직경은 중앙부측과 주변부측 등이 모두 동일한 크기로 형성되기 때문에 샤워헤드(90)의 상측 중앙부로 유입된 반응가스들은 이 샤워헤드(90)의 밑면 중앙부측에 형성된 가스분사홀로 대부분 분사되어 그 주변부측으로 플로우(Flow)되는 반응가스의 유량은 그 주변부의 끝단부에 가까워질수록 점차 적어지게 되는 문제가 발생된다. 따라서, 샤워헤드(90)의 밑면 주변부 측에서 분사되는 반응가스의 유량은 매우 적어지게 되며, 이는 곧 웨이퍼 상의 전면적에 걸쳐서 부균일한 두께의 막질이 형성되어지는 결과를 초래한다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 상측으로 공급되는 반응가스를 웨이퍼의 전면적에 걸쳐 두루 균일하게 분사할 수 있는 반도체 제조장치의 샤워헤드를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 제1관점에 따르면, 반응가스가 유입되도록 그 상측 중앙부에 가스공급홀이 마련되고, 그 하측 밑면에는 상기 반응가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 마련된 반도체 제조장치의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드가 제공된다.

여기서, 상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부측에서 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 더 커지도록 형성될 수 있다.

그리고, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 모두 균일한 거리로 이격될 수 있다. 또한, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 긴 거리로 이격될 수 있다.

한편, 본 발명의 제2관점에 따르면, 서로다른 반응가스들이 각각 유입되도록 그 상측 중앙부에 제1ㆍ제2가스공급홀이 마련되고, 그 하측 밑면에는 상기 반응가스들이 각각 분사되도록 제1ㆍ제2가스분사홀이 다수 마련되며, 그 내부에는 상기 가스공급홀들로 유입된 반응가스들이 상호 분리된 채로 상기 가스분사홀들로 분사되도록 상호 격리된 제1ㆍ제2가스이동경로가 마련된 반도체 제조장치의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드가 제공된다.

이때, 상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 더 커지도록 형성될 수 있다.

그리고, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 모두 균일한 거리로 이격될 수 있다. 또, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변 부 측으로 갈수록 점점 더 긴 거리로 이격될 수 있다.

또한, 상기 제1ㆍ제2가스분사홀은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부로부터 주변부까지 상호 번갈아가며 위치하도록 배치될 수 있다.

이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 샤워헤드에 대한 바람직한 실시예들을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 샤워헤드가 적용된 반도체 제조장치의 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 샤워헤드의 제1실시예를 도시한 사시도이며, 도 5는 도 4의 샤워헤드를 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 절개한 단면도이다. 그리고, 도 6은 도 4에 도시한 샤워헤드의 밑면을 도시한 평면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 샤워헤드의 제2실시예를 도시한 평면도이다.

먼저, 도 3을 참조하면, 본 발명 샤워헤드가 구비된 반도체 제조장치(100)는 웨이퍼(80) 상에 소정 박막이 형성되도록 일정공정환경이 구현되는 공정챔버(110)를 구비한다.

공정챔버(110)의 하부에는 박막이 형성될 웨이퍼(80)가 안착되도록 웨이퍼 척(Chuck,120)이 마련되고, 공정챔버(110)의 상부에는 본 발명 샤워헤드(150)가 마련된다. 그리고, 샤워헤드(150)의 상측에는 소정 반응가스 또는 소정 퍼지가스 등이 공급되는 제1ㆍ제2가스공급라인(Line;151,152)이 연결된다. 따라서, 샤웨헤드(150)는 그 상측으로 공급되는 반응가스 등을 웨이퍼(80) 상의 각 부분으로 두루 균일하게 분사시켜주는 역할을 수행한다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 샤워헤드(150)의 제1실시예가 도시되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 샤워헤드(150)는 대략 그 상측 중앙부에 소정크기의 가스유입부(167)가 돌출된 중공의 원반타입(Type)으로 형성된다.

구체적으로, 샤워헤드(150)의 상측 중앙부 곧, 가스유입부(167)에는 서로다른 2종의 반응가스가 각각 유입되도록 상호 격리된 제1ㆍ제2가스공급홀(153,154)이 마련된다. 그리고, 샤워헤드(150)의 하측 밑면에는 각 가스공급홀(153,154)들로 유입된 반응가스들이 각각 분사되도록 상호 격리된 제1ㆍ제2가스분사홀(158,157)이 다수 마련된다. 또한, 샤워헤드(150)의 내부에는 각 가스공급홀(153,154)들로 유입된 반응가스들이 상호 분리된 채로 각 가스분사홀(158,157)들로 분사되도록 상호 격리된 제1ㆍ제2가스이동경로(161,162)가 마련된다.

보다 구체적으로 설명하면, 샤워헤드(150)의 하측 밑면에 형성된 제1ㆍ제2가스분사홀(158,157)은 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치되되, 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부로부터 샤워헤드의 주변부에까지 상호 번갈아가며 위치하도록 배치된다. 즉, 제1ㆍ제2가스분사홀(158,157)은 샤워헤드(150)의 하측 밑면에서 동심원 구조로 배치된다.

그리고, 샤워헤드(150)의 하측 밑면에 형성된 제1ㆍ제2가스분사홀(158,157)은 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부 측에서부터 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 커지도록 형성되며, 그 가스분사홀(158,157)들 간의 간격(도 6의 M)은 모두 균일한 거리로 이격된다.

한편, 샤워헤드(150)의 내부에는 2종의 반응가스가 상호 격리된 채로 유입 및 분사되도록 샤워헤드(150)의 내부 공간을 양분하는 소정두께의 격벽(156)이 마련되고, 이 격벽(156)에는 샤워헤드(150)의 밑면에 형성된 제2가스분사홀(157)에 대응되는 위치에 제2가스분사홀(157)과 동일한 크기의 홀 곧, 가스유입홀(166)이 형성된다. 그리고, 격벽(156)의 상측 중앙부에는 가스유입부(167)의 내부로 소정거리 연장형성되되 가스유입부(167)의 내경보다 그 외경이 다소 적은 크기로 형성된 중공의 제1가스공급배관(165)이 연결되며, 격벽(156)의 하측에는 가스유입홀(166)을 제2가스분사홀(157)과 연통시켜주는 제2가스공급배관(159)들이 연결된다. 따라서, 상술한 제1가스공급홀(153)은 제1가스공급배관(165)의 내경이 그 역할을 하는 것이며, 상술한 제2가스공급홀(154)은 가스유입부(167)의 내경과 제1가스공급배관(165)의 외경 사이가 그 역할을 하는 것이다.

이하, 본 발명 샤워헤드(150)가 적용된 반도체 제조장치(100)의 박막형성방법을 구체적으로 설명하면서, 본 발명에 따른 샤워헤드(150)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. (이때, 본 발명에서 일실시예로 설명하는 반도체 제조장치는 웨이퍼의 상측으로 제1반응가스→퍼지가스→제2반응가스→퍼지가스 순으로 반응가스 및 퍼지가스를 소정시간동안 번갈아가며 공급함으로써 웨이퍼 상에 소정박막을 형성하는 원자층 증착장치이다.)

먼저, 반도체 제조장치(100)의 공정챔버(110)에 구비된 웨이퍼 척(120) 상에 박막이 형성될 웨이퍼(80)가 로딩(Loading)되면, 반도체 제조장치(100)의 중앙제어유닛(미도시)은 제1가스공급라인(151)을 통하여 제1반응가스를 제1가스공급홀(153)로 소정시간 동안 공급하게 된다. 예를 들면, 중앙제어유닛은 제1반응가스로 Ar가 스를 캐리어(Carrier)로 하는 TMA(Tri Methyl Aluuminum)가스를 약 0.2초 동안 공급할 수 있다.

따라서, 제1가스공급홀(153)로 공급된 제1반응가스는 제1가스공급배관(165)에 마련된 제1가스이동경로(161)를 따라 격벽(156)의 하측으로 공급된 다음, 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부로부터 주변부까지 플로우되어 샤워헤드(150)의 밑면에 마련된 전체 제1가스분사홀(158)을 통해 샤워헤드(150)의 하측으로 분사된다. 이에, 웨이퍼(80) 상의 전면적에는 제1반응가스가 두루 균일하게 분사되는 것이다.

이후, 제1반응가스가 공급되면, 중앙제어유닛은 제1가스공급라인(151)을 통하여 소정 퍼지가스를 공급함으로 제1반응가스의 이동경로를 모두 퍼지하게 된다.

이후, 제1반응가스의 이동경로가 퍼지되면, 중앙제어유닛은 제2가스공급라인(152)을 통하여 제2반응가스를 제2가스공급홀(154)로 소정시간 동안 공급하게 된다. 예를 들면, 중앙제어유닛은 제2반응가스로 O₃가스를 약 0.5초 동안 공급할 수 있다.

따라서, 제2가스공급홀(154)로 공급된 제2반응가스는 가스유입부(167)의 내경과 제1가스공급배관(165)의 외경 사이에 마련된 제2가스이동경로(162)를 따라 격벽(156)의 상측으로 공급된 다음, 샤워헤드(150)의 격벽(156) 중앙부로부터 주변부까지 플로우되어 격벽(156)에 마련된 다수의 가스유입홀(166)로 유입된다. 계속해서, 가스유입홀(166)로 유입된 제2반응가스는 격벽(156)의 가스유입홀(166)과 샤워헤드(150) 밑면의 제2가스분사홀(157)을 상호간 연결해주는 제2가스공급배관(159) 을 따라 소정거리 이동된 다음 샤워헤드(150)의 밑면에 마련된 전체 제2가스분사홀(157)을 통해 샤워헤드(150)의 하측으로 분사된다. 이에, 웨이퍼(80) 상의 전면적에는 제2반응가스가 두루 균일하게 분사되는 것이다.

이후, 제2반응가스가 공급되면, 중앙제어유닛은 제2가스공급라인(152)을 통하여 소정 퍼지가스를 공급함으로 제2반응가스의 이동경로를 모두 퍼지하게 된다.

이후, 제2반응가스의 이동경로가 퍼지되면, 중앙제어유닛은 이와 같은 가스들의 공급을 약 50회 정도로 계속 반복하게 된다. 따라서, 웨이퍼(80) 상에는 단원자층의 표면반응에 의한 화학적 흡착 및 탈착 등에 의해 소정두께의 박막이 형성되는 것이다.

여기서, 본 발명에 따른 샤워헤드(150)는 반응가스들이 분사되는 가스분사홀(158,157)들이 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치될 뿐만 아니라 샤워헤드(150)의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 커지도록 형성되기 때문에 웨이퍼(80)의 상측으로 분사되는 반응가스들은 웨이퍼980)의 전면적에 걸쳐 두루 균일하게 분사된다.

구체적으로, 샤워헤드(150)로 공급되는 반응가스의 유량은 가스공급홀(153,154)들을 통해 바로 공급되는 샤워헤드(150)의 중앙부가 이 중앙부를 통해 주변부 측으로 플로우되는 주변부에 비해 상대적으로 많게 된다. 따라서, 종래에는 가스분사홀들(95,93)의 직경이 중앙부측과 주변부 측이 모두 동일한 크기로 형성되기 때문에 중앙부 측에는 많은 양의 가스가 분사되는 반면, 주변부측으로 갈수록 그 분사되는 가스의 유량은 점점 적어지게 되는 문제가 발생되었다. 그러나, 본 발 명에 따른 샤워헤드(150)에는 가스가 분사되는 가스분사홀(158,157)들의 직경이 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 커지도록 형성되기 때문에 중앙부로 공급되는 많은 양의 가스유량은 적은 직경의 가스분사홀들을 통해 웨이퍼(80)로 분사되고 주변부로 공급되는 적은 양의 가스유량은 다소 큰 직경의 가스분사홀들을 통해 웨이퍼(80)로 분사된다. 따라서, 본 발명에 따른 샤워헤드(150)를 이용하면, 웨이퍼(80)의 전면적에 걸쳐 반응가스의 균일한 분사를 구현하게 된다. 이에, 이러한 반응가스들의 분사에 의해 형성되는 박막은 웨이퍼(80) 상의 전면적에 걸쳐서 두루 균일하게 형성되는 것이다.

한편, 본 발명에 따른 샤워헤드(150')는 도 7에 도시한 바와 같이 제2실시예로도 구현가능하다. 구체적으로, 본 발명의 제2실시예인 샤워헤드(150')는 제1실시예의 샤워헤드(150)와 대부분이 동일하게 형성될 수 있다. 다만, 제2실시예의 샤워헤드(150')는 그 밑면에 마련된 제1가스분사홀(158)과 제2가스분사홀(157) 간의 간격이 샤워헤드9150)의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 긴 거리(도 7의 M')로 이격되게 형성될 수 있다. 따라서, 이 샤워헤드(150')를 통해 분사되는 반응가스는 웨이퍼(80) 상의 전면적에 걸쳐서 두루 균일하게 분사되는 것이다. 이 경우, 샤워헤드(150')의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 커지도록 형성된 가스분사홀(158,157)들의 직경은 보다 큰 차이로 커지도록 형성됨이 바람직하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 샤워헤드는 반응가스들이 분사 되는 가스분사홀들이 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치될 뿐만 아니라 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 그 직경이 점점 커지도록 형성되기 때문에 웨이퍼의 상측으로 분사되는 반응가스들은 웨이퍼의 전면적에 걸쳐 두루 균일하게 분사된다. 따라서, 이러한 반응가스들의 분사에 의해 형성되는 박막은 웨이퍼 상의 전면적에 걸쳐서 두루 균일하게 형성되는 효과가 있다.

본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (9)

1. 반응가스가 유입되도록 그 상측 중앙부에 가스공급홀이 마련되고, 그 하측 밑면에는 상기 반응가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 마련된 반도체 제조장치의 샤워헤드에 있어서,

   상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치되되, 그 직경은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 모두 균일한 거리로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
4. 제 1항에 있어서, 상기 가스분사홀들 간의 간격은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 긴 거리로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
5. 서로다른 반응가스들이 각각 유입되도록 그 상측 중앙부에 제1ㆍ제2가스공급홀이 마련되고, 그 하측 밑면에는 상기 반응가스들이 각각 분사되도록 제1ㆍ제2가스분사홀이 다수 마련되며, 그 내부에는 상기 가스공급홀들로 유입된 반응가스들이 상호 분리된 채로 상기 가스분사홀들로 분사되도록 상호 격리된 제1ㆍ제2가스이동경로가 마련된 반도체 제조장치의 샤워헤드에 있어서,

   상기 가스분사홀들은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부를 중심으로 방사상 구조로 배치되되, 그 직경은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
6. 삭제
7. 제 5항에 있어서,

   상기 가스분사홀들 간의 간격은 모두 균일한 거리로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
8. 제 5항에 있어서,

   상기 가스분사홀들 간의 간격은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부 측에서 주변부 측으로 갈수록 점점 더 긴 거리로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.
9. 제 5항에 있어서,

   상기 제1ㆍ제2가스분사홀은 상기 샤워헤드의 밑면 중앙부로부터 주변부까지 상호 번갈아가며 위치하도록 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 샤워헤드.

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