KR100674927B1 - Ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법 - Google Patents

Ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법 Download PDF

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Abstract

점도증가제를 함유하는 CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자와, 비이온성 수용성 고분자 또는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와, 음이온성 고분자 화합물로 이루어지는 계면활성제와, 순수를 포함한다. 상기 연마 입자로서 세리아 연마 입자를 사용할 때 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 가진다.
CMP, 슬러리 조성물, 점도증가제, 점도, 웨이퍼, 평탄도, 산화막

Description

ＣＭＰ용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법 {Slurry for CMP, methods for preparing the same, and methods for polishing substrate using the same}
도 1은 종래 기술에 따른 슬러리 조성물을 사용하여 산화막을 CMP한 후 웨이퍼상의 위치에 따른 연마 제거량을 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 슬러리 조성물에 첨가될 수 있는 점도증가제의 함량에 따른 점도 향상 효과를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 슬러리 조성물을 사용하여 산화막을 CMP한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 슬러리 조성물을 사용하여 질화막을 CMP한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 슬러리 조성물을 사용하여 산화막을 CMP한 결과를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 공정에 사용되는 CMP (chemical mechanical polishing)용 연마 재료 및 그 제조 방법과 기판 연마 방법에 관한 것으로, 특히 CMP 평탄도를 개선하기 위한 CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과, 이들을 이용한 기판 연마 방법에 관한 것이다.
실리콘 기판과 같은 배선 기판을 사용하여 반도체 집적 회로를 제조할 때 소정 막이 형성된 기판의 표면을 소정의 형상으로 가공하는 일이 필요하다. CMP는 기판상에 형성된 막의 표면을 평탄하게 가공하는 유력한 기술로서 폭넓게 사용되고 있다. 특히, 반도체 집적 회로의 가공에 있어서는, 표면 평탄화 방법으로서 CMP 공정을 주로 이용한다.
CMP 공정에 사용되는 슬러리는 웨이퍼 연마면의 평탄도에 중요한 영향을 미친다. 최근, 반도체 소자 제조에 필요한 층간절연막 형성 공정 또는 STI (shallow trench isolation) 공정시와 같이 고선택비 연마 특성이 요구되는 CMP 공정에 있어서 고선택비 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 새로운 CMP용 슬러리 조성물에 개발이 요구되고 있다. 이를 해결하기 위해 많은 CMP 공정에 있어서 세리아 입자가 포함된 슬러리 조성물이 사용되고 있다. 현재 사용되고 있는 세리아 슬러리 조성물은 고선택비를 얻을 수 있는 장점이 있다. 반면, 세리아 슬러리 조성물은 실리카 슬러리 조성물의 경우와 비교할 때 CMP 평탄도가 좋지 않으며, 웨이퍼의 센터(center) 영역에서의 연마량이 웨이퍼의 에지(edge) 영역에 비하여 높아지는 단점이 있다.
도 1은 통상의 세리아 슬러리 조성물을 사용하여 산화막을 CMP한 후 웨이퍼의 반경 방향에 따라 변화되는 연마 제거량 (RR: removal rate) 프로파일을 보여 주는 그래프이다. 도 1에는 웨이퍼의 직경을 X축으로 하고 웨이퍼의 센터를 O으로 하였을 때 웨이퍼의 반경 방향에 따른 산화막의 제거량을 나타내었다.
도 1에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 센터 영역에서의 RR이 웨이퍼의 에지 영역에서의 RR에 비해 커지는 연마 불균일 현상이 나타난다. 이와 같은 불균일 현상은 CMP 공정 후 웨이퍼 산포 불량을 초래하는 주요 원인으로 작용한다. 따라서, 이와 같은 현상을 방지할 수 있는 해결책이 요구된다.
본 발명은 상기한 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 본 발명의 목적은 산화막에 대한 연마 속도가 우수하면서 CMP 공정 후 우수한 평탄도를 가지는 연마면을 얻을 수 있는 CMP용 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 산화막에 대한 연마 속도가 우수하면서 CMP 공정 후 우수한 평탄도를 가지는 연마면을 얻을 수 있는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 이용하여 기판을 연마하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자와, 비이온성 수용성 고분자 또는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와, 음이온성 고분자 화합물로 이루어지는 계면활성제와, 순수를 포함한다.
상기 연마 입자로서 세리아 연마 입자를 사용할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도 를 가진다.
상기 점도증가제는 글리콜류 고분자, 검(gum)류 고분자, 에테르형 고분자, 에스테르 에테르형 고분자, 에스테르형 고분자, 및 함질소형 고분자로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나로 구성될 수 있다. 또는, 상기 점도증가제는 알콜류 화합물로 구성될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 상기 점도증가제는 폴리(에틸렌글리콜), 검 화합물, 또는 이소프로필알콜로 구성된다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법에서는 연마 입자와, 비이온성 수용성 고분자 또는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와, 음이온성 고분자 화합물로 이루어지는 계면활성제와, 순수를 혼합하여 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 가지는 슬러리 조성물을 제조한다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판 연마 방법에서는 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 이용하여 기판을 연마한다.
본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 점도증가제에 의하여 점도를 원하는 범위로 조절함으로써 고선택비를 요하는 CMP 공정시 웨이퍼 연마면에서 피연마막의 제거 속도가 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 되고, 그 결과 CMP 공정 후 연마면의 평탄도가 향상될 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에서는 실리콘 산화막에 대한 연마 속도가 우수하면서 상대적으로 CMP 공정 후 얻어진 연마면에서의 평탄도가 우수한 CMP용 슬러리 조성물을 제공한 다.
일반적으로, CMP 평탄도가 우수한 것으로 알려진 실리카(silica) 슬러리 조성물의 점도는 약 2cP 내외이며, 세리아(ceria) 슬러리의 점도는 약 1.0 ∼ 1.3 cP 내외의 값을 가진다.
CMP용 슬러리의 점도는 CMP 공정이 이루어지는 동안 웨이퍼와 연마 패드와의 사이에 형성되는 슬러리 조성물막 두께 (T)를 결정하는 인자로 작용한다. CMP용 슬러리 조성물의 점도가 클수록 상기 슬러리 조성물막 두께(T)는 커지고, 전체 웨이퍼 영역에 걸쳐서 슬러리 조성물의 윤활 운동량이 고르게 분포된다. 즉, CMP용 슬러리의 점도를 증가시킴으로써 웨이퍼와 연마 패드와의 사이의 슬러리 조성물막 두께(T)를 균일화하고 CMP 연마면의 평탄도를 개선할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명에서는 CMP용 슬러리의 점도를 증가시켜 CMP 평탄도를 개선하고자 한다. 예를 들면, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물로서 세리아 슬러리 조성물을 사용하는 경우, 그 점도가 약 1.5 ∼ 5.0 cP로 되도록 한다. 이를 위하여, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 그 점도가 약 1.5 ∼ 5.0 cP로 되도록 조절하기 위한 점도증가제를 포함한다.
본 발명에서 사용하기 적합한 점도증가제는 비이온성 수용성 고분자 또는 알콜류 화합물로 이루어진다.
본 발명의 바람직한 일 예에 따른 CMP용 슬러리 조성물에서, 상기 점도증가제는 글리콜류 고분자, 검(gum)류 고분자, 에테르형 고분자, 에스테르 에티르형 고분자, 에스테르형 고분자, 및 함질소형 고분자로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나로 구성되는 비이온성 수용성 고분자이다. 이 경우, 상기 점도증가제는 바람직하게는 10,000 ∼ 1,000,000, 특히 바람직하게는 100,000 ∼ 1,000,000의 분자량을 가지는 것을 사용한다. 분자량이 클수록 점도증가제로서의 성능은 더욱 향상될 수 있다. 또한, 상기 점도증가제의 함량은 그 분자량에 따라 다르나, CMP용 슬러리 조성물 총 중량을 기준으로 약 0.01 ∼ 5 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 글리콜류 고분자로서 바람직하게는 폴리(에틸렌글리콜)을 사용한다. 화학식 1에는 폴리(에틸렌글리콜)의 구조가 나타나 있다.
Figure 112004058069433-pat00001
화학식 1에서, m은 반복 단위 수를 나타내는 정수이다.
상기 에테르형 고분자의 예를 들면, 알킬 및 알킬아릴폴리옥시에틸렌에테르, 킬아릴포름알데히드축합 폴리옥시에틸렌 에테르, 및 폴리옥시프로필렌을 친유기(liphophilic group)로 하는 블록 폴리머가 있다. 상기 에스테르 에테르형 고분자의 예를 들면, 글리세린에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 솔비탄 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 및 솔비톨 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르가 있다. 상기 에스테르형 고분자의 예를 들면, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 글리세린에스테르, 솔비탄에스테르, 및 프로필렌 글리콜에스테르가 있다. 함질소형 고분자의 예를 들 면, 지방산알카놀아미드, 폴리옥시에틸렌지방산아미드, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 및 아민옥사이드가 있다.
그리고, 상기 검류 고분자의 예를 들면, 크산탄검(xanthan gum), 아라비아검(arabic gum), 과이악검(guaiac gum), 매스틱검(mastic gum), 및 송진(rosin gum)이 있다. 이들 검류 고분자는 기본적으로 수 십만 ∼ 수 백만의 분자량을 가지며, 분자량이 클수록 점도증가제로서의 성능은 더욱 향상될 수 있다. 화학식 2에는 구조식 (C35H49O29)n 으로 표시되는 크산탄검의 구조가 나타나 있다.
Figure 112004058069433-pat00002
화학식 2에서, n은 반복 단위 수를 나타내는 정수이다.
본 발명의 바람직한 다른 예에 따른 CMP용 슬러리 조성물에서, 상기 점도증가제는 알콜류 화합물로 구성된다. 이 경우, 상기 점도증가제는 CMP용 슬러리 조성물 총 중량을 기준으로 약 1 ∼ 10 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 알콜류 화합물로 구성되는 점도증가제의 예를 들면, 이소프로필알콜, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 프로판올, 알릴알콜, 옥틸알콜, 데실알콜, 및 라우릴알콜 이 있다. 그 중에서도 특히 이소프로필알콜이 바람직하다. 화학식 3에는 이소프로필알콜의 구조가 나타나 있다.
Figure 112004058069433-pat00003
이소프로필알콜은 순수와 혼합시 화학 작용으로 점도 상승의 효과가 발생한다.
도 2는 20℃의 온도 조건 하에서 이소프로필알콜(IPA) 함량에 따른 순수의 점도 변화를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2를 참조하면, 20℃에서 0 % IPA일 때 즉 순수의 점도는 1 cP이고, 100% IPA의 점도는 1.8 cP이었으나, 순수와 IPA가 혼합되었을 때에는 점도가 커진 것을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 음이온성 고분자 화합물로 이루어지는 계면활성제를 포함한다.
상기 계면활성제는 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 ∼ 5 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
본 발명의 바람직한 예에 따른 CMP용 슬러리 조성물에서, 상기 계면활성제는 폴리아크릴산, 폴리카르본산, 폴리메타아크릴산, 폴리(아크릴산-말레인산), 폴리(메타크릴산-말레인산), 폴리(아크릴산-아크릴아미드), 폴리(아크릴로니트릴-부타디 엔-아크릴산), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-메타크릴산), 폴리(아크릴산-코-말레인산), 그리고 이들의 유도체 및 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 CMP 공정시 웨이퍼 연마면에서의 평탄도를 개선하기 위한 방법으로서 CMP용 슬러리 조성물의 점도를 증가시키기 위한 점도증가제를 사용한다. 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물에서 점도는 1.5 ∼ 5.0 cP를 유지하는 것이 적당하며, 바람직하게는 1.6 ∼ 2.5 cP를 유지하도록 상기 점도증가제의 함량을 조절한다. 이와 같이 점도증가제에 의하여 점도가 조절된 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 웨이퍼 연마면에서 피연마막의 제거 속도가 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 균일하여 CMP 공정 후 연마면의 평탄도가 향상될 수 있다.
다음에, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 제조한 구체적인 예들을 설명한다. 다음에 제시한 예들은 단지 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것으로, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 예들에 한정되는 것은 아니다.
예 1
본 예에서는 세리아 슬러리를 사용하여 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 대하여 CMP를 행하는 데 있어서, 점도증가제를 함유함으로써 점도가 증가된 본 발명에 따른 슬러리 조성물을 사용하였을 때 CMP 평탄도가 향상되는 효과를 예시하였다.
본 예에서는 CMP 장치로서 어플라이드 머티리얼(AMAT)사의 "MIRRA Mesa Polisher"를 사용하여 산화막 및 실리콘 질화막을 CMP하였다. 세리아 슬러리로서, 히타치(Hitachi)사의 "HS8005A" 세리아 입자를 사용하고, 여기에 음이온성 계면활성제인 폴리아크릴산을 포함하는 "HS8102GP" 첨가제를 혼합하였다. 이 때, 상기 "HS8102GP" 첨가제의 양은 그 안에 포함되어 있는 폴리아크릴산의 양이 슬러리 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량%의 양으로 되도록 조절하였다. 이를 위하여 본 예에서는 상기 "HS8005A" 세리아 입자, 순수, 및 "HS8102GP" 첨가제가 각각 1:3:3의 비로 혼합된 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합물로 이루어지는 세리아 슬러리 점도는 1.3cP 이었다. 여기에, 점도증가제로서 분자량 500,000인 폴리(에틸렌글리콜) (이하, "PEG"라 함)을 첨가하여 점도 변화에 따른 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 각각의 연마 결과를 평가하였다. 이 때, "IC1000" (Rodel사 제품) 탑 패드(top pad)와 "Suba4" (Rodel사 제품) 서브 패드 (sub pad)가 결합된 연마 패드를 사용하고, 헤드(head)는 87rpm, 플래튼(platen)은 93rpm, 압력은 3.3psi인 조건하에서 슬러리 조성물을 200 ml/min의 유속으로 연마 패드상에 공급하면서 웨이퍼상에 각각 형성된 8,000Å의 산화막 (PE-TEOS (plasma enhanced tetra ethyl ortho silicate)막) 및 1,000Å의 질화막 (Si3N4막)을 각각 CMP 하였다.
표 1에는 본 예에서 사용된 세리아 슬러리 조성물에서의 PEG 함량과, 그에 따른 슬러리 조성물의 점도 및 CMP 결과가 나타나 있다. 각 샘플들에서 상기 "HS8005A" 세리아 입자, 순수, 및 "HS8102GP" 첨가제를 각각 1:3:3의 비로 혼합하 는 것은 동일하게 적용하였으며, 단지 각 슬러리 조성물 내에서의 PEG 함량 만을 변화시켜 점도를 조절하였다.
Figure 112004058069433-pat00004
도 3에는 PEG의 함량이 각각 0 중량%, 0.1 중량% 및 0.2 중량%인 샘플 1, 샘플 3 및 샘플 4를 사용하여 산화막을 CMP한 결과가 그래프로 나타나 있고, 도 4에는 상기 샘플 1, 샘플 3 및 샘플 4를 사용하여 질화막을 CMP한 결과가 그래프로 나타나 있다.
슬러리 조성물 내에 분자량 500,000인 PEG를 각각 0.05 중량%, 0.1 중량%, 및 0.2 중량%의 양으로 참가하였을 때, 세리아 슬러리의 점도는 각각 1.6cP, 1.8cP, 및 2.4cP로 증가하였으며, PEG 0 중량%인 통상의 슬러리의 경우에 비하여 웨이퍼 센터 영역에서의 산화막 연마량 높음 현상이 없어지고, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 연마량이 대략 균일한 수준을 유지하였다. 이 때, 웨이퍼 에지 영역에서의 연마량은 점도 증가 유무에 상관없이 유사한 값을 가졌다. 또한, 세리아 슬러리를 사용한 질화막 연마시에는 연마량이 약 90 Å/min 수준을 유지하여 점도 증가에 관 계 없이 일정한 값을 나타내는 것을 확인하였다.
특히, 점도를 증가시키지 않은 PEG 0 %인 통상의 세리아 슬러리를 사용한 샘플 1의 경우에는 웨이퍼 센터 영역에서의 연마량이 에지 영역에 비해 약 1000Å/min 큰 것을 알 수 있으며, WIWNU (within-wafer non-uniformity)도 9.8%로 좋지 않다. 반면, PEG를 각각 0.05 중량%, 0.1 중량%, 및 0,2 중량%의 양으로 첨가하여 점도를 증가시킨 경우, WIWNU가 각각 3.8%, 3.7%, 및 3.2%로 50% 이상 향상되는 것을 확인하였다. 이러한 결과는 점도가 증가됨으로써 연마 패드와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 슬러리 조성물막의 두께가 두꺼워지고, 그 결과 웨이퍼 센터 영역에서의 연마량이 상대적으로 감소하여 생긴 결과이다.
산화막 대 질화막의 CMP 연마량 선택비는 점도 증가시 웨이퍼 센터 영역에서의 연마량 감소 효과로 인해 소폭 감소하였으나, 웨이퍼의 센터 영역 및 에지 영역을 포함한 전체 영역에서 선택비 균일도(uniformity)가 일정한 수준을 유지하는 결과를 얻었다.
예 2
CMP 장치로서 에바라(EBARA)사의 "F-REX 200 Polisher"를 사용하고, 헤드(head)는 45rpm, 플래튼(platen)은 50rpm, 압력은 400hPa인 조건을 적용하고, 점도증가제로서 알드리치(Aldrich)사의 크산탄검을 사용한 것을 제외하고, 예 1에서와 동일한 조건하에서 웨이퍼상에 형성된 산화막 (PE-TEOS막)을 CMP 하였다.
표 2에는 본 예에서 사용된 세리아 슬러리 조성물에서의 크산탄검 함량과, 그에 따른 슬러리 조성물의 점도 및 CMP 결과가 나타나 있다.
Figure 112004058069433-pat00005
표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 크산탄검을 0.05 중량%의 양으로 첨가하여 점도를 2.0 cP로 증가시킨 경우에는 크산탄검 함량이 0 중량%일 때와 비교할 때 WIWNU 가 11.1%에서 6.8%로 개선되었다.
도 5에는 크산탄검의 함량이 각각 0 중량% 및 0.05 중량%인 샘플 5 및 샘플 6을 사용하여 산화막을 CMP한 결과가 그래프로 나타나 있다.
슬러리 조성물 내에 크산탄검을 0.05 중량%의 양으로 참가한 경우에는 크산탄검 0 중량%인 통상의 슬러리의 경우에 비하여 웨이퍼 센터 영역에서의 산화막 연마량 높음 현상이 없어지고, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 연마량이 대략 균일한 수준을 유지하였다.
예 3
점도증가제로서 이소프로필알콜(IPA)을 사용한 것을 제외하고, 예 1에서와 동일한 조건하에서 웨이퍼상에 형성된 산화막 (PE-TEOS막)을 CMP 하였다.
표 3에는 본 예에서 사용된 세리아 슬러리 조성물에서의 IPA 함량과, 그에 따른 슬러리 조성물의 점도 및 CMP 결과가 나타나 있다.
Figure 112004058069433-pat00006
표 3에서 알 수 있는 바와 같이, IPA를 5 중량%의 양으로 첨가하여 점도를 1.8 cP로 증가시킨 샘플 7의 경우에는 IPA 함량이 0 중량%일 때와 비교할 때 WIWNU 가 9.8%에서 5.0%로 개선되었다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물에는 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 유지하기 위한 점도증가제를 함유한다. 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 점도증가제에 의하여 점도를 원하는 범위로 조절함으로써 고선택비를 요하는 CMP 공정시 웨이퍼 연마면에서 피연마막의 제거 속도가 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 되고, 그 결과 CMP 공정 후 연마면의 평탄도가 향상될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (26)

  1. 연마 입자와,
    조성물의 총 중량을 기준으로 0.03 ∼ 5 중량%의 양으로 포함되는 검(gum)류 고분자 또는 조성물의 총 중량을 기준으로 1 ∼ 10 중량%의 양으로 포함되는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와,
    폴리(아크릴산-말레인산), 폴리(메타크릴산-말레인산), 폴리(아크릴산-아크릴아미드), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-메타크릴산), 및 폴리(아크릴산-코-말레인산)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 계면활성제와,
    순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마 입자는 세리아 연마 입자인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 조성물은 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 점도증가제는 크산탄검(xanthan gum), 아라비아검(arabic gum), 과이악검(guaiac gum), 매스틱검(mastic gum) 및 송진(rosin gum)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서,
    상기 계면활성제는 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 ∼ 5 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
  14. 연마 입자와; 조성물의 총 중량을 기준으로 0.03 ∼ 5 중량%의 양으로 포함되는 검(gum)류 고분자 또는 조성물의 총 중량을 기준으로 1 ∼ 10 중량%의 양으로 포함되는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와; 폴리(아크릴산-말레인산), 폴리(메타크릴산-말레인산), 폴리(아크릴산-아크릴아미드), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-메타크릴산), 및 폴리(아크릴산-코-말레인산)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 계면활성제와; 순수를 준비하는 단계와,
    상기 연마 입자, 상기 점도증가제, 상기 계면활성제 및 상기 순수를 혼합하여, 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 가지는 슬러리 조성물을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 연마 입자는 세리아 연마 입자인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제14항에 있어서,
    상기 점도증가제는 크산탄검(xanthan gum), 아라비아검(arabic gum), 과이악검(guaiac gum), 매스틱검(mastic gum) 및 송진(rosin gum)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제14항에 있어서,
    상기 계면활성제는 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 ∼ 5 중량%의 양으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 의 제조 방법.
  26. 제1항에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 이용하여 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.
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