KR100674385B1 - 적층형 칩 배리스터 - Google Patents
적층형 칩 배리스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100674385B1 KR100674385B1 KR1020050045463A KR20050045463A KR100674385B1 KR 100674385 B1 KR100674385 B1 KR 100674385B1 KR 1020050045463 A KR1020050045463 A KR 1020050045463A KR 20050045463 A KR20050045463 A KR 20050045463A KR 100674385 B1 KR100674385 B1 KR 100674385B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- varistor
- pair
- outer layer
- region
- zno
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/1006—Thick film varistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- 전압 비선형 특성을 발생하는 배리스터층 및, 상기 배리스터층을 사이에 두도록 배치되는 한 쌍의 내부 전극을 포함하는 배리스터부와, 상기 배리스터부를 사이에 두도록 배치되는 한 쌍의 외층부를 갖는 적층체와;상기 적층체에 형성되어, 상기 한 쌍의 내부 전극에 각각 접속되는 한 쌍의 외부 전극을 구비하고,상기 외층부의 비유전률은 상기 배리스터층에 있어서의 상기 한 쌍의 내부 전극에 겹치는 영역의 비유전률보다 작게 설정되어 있는, 적층형 칩 배리스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배리스터층에 있어서의 상기 한 쌍의 내부 전극에 겹치는 영역은 ZnO를 주성분으로 하면서 Co를 포함하는 제 1 소체(element body)로 이루어지는 영역을 갖고,상기 외층부는 ZnO를 주성분으로 하면서 Co를 포함하고 또한 상기 Co의 함유량은 상기 제 1 소체보다 적은 제 2 소체로 이루어지는 영역을 갖는, 적층형 칩 배리스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배리스터층에 있어서의 상기 한 쌍의 내부 전극에 겹치는 영역은 ZnO를 주성분으로 하면서 Co 및 희토류 금속을 포함하는 제 1 소체로 이루어지는 영역을 갖고,상기 외층부는 ZnO를 주성분으로 하면서 Co 및 희토류 금속을 포함하고, 상기 Co의 함유량 및 상기 희토류 금속의 함유량은 각각 상기 제 1 소체보다 적은 제 2 소체로 이루어지는 영역을 갖는, 적층형 칩 배리스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배리스터층에 있어서의 상기 한 쌍의 내부 전극에 겹치는 영역은 ZnO를 주성분으로 하면서 Co를 포함하는 제 1 소체로 이루어지는 영역을 갖고,상기 외층부는 ZnO를 주성분으로 하면서 Co를 포함하지 않는 제 2 소체로 이루어지는 영역을 갖는, 적층형 칩 배리스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배리스터층에 있어서의 상기 한 쌍의 내부 전극에 겹치는 영역은 ZnO를 주성분으로 하면서 Co 및 희토류 금속을 포함하는 제 1 소체로 이루어지는 영역을 갖고,상기 외층부는 ZnO를 주성분으로 하면서 Co 및 희토류 금속을 포함하지 않는 제 2 소체로 이루어지는 영역을 갖는, 적층형 칩 배리스터.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-00173050 | 2004-06-10 | ||
JP2004173050A JP4262141B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 積層型チップバリスタ及びその製造方法 |
JPJP-P-2004-00173055 | 2004-06-10 | ||
JP2004173055A JP2005353845A (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 積層型チップバリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060046265A KR20060046265A (ko) | 2006-05-17 |
KR100674385B1 true KR100674385B1 (ko) | 2007-01-29 |
Family
ID=35460284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050045463A KR100674385B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-05-30 | 적층형 칩 배리스터 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7167352B2 (ko) |
KR (1) | KR100674385B1 (ko) |
DE (1) | DE102005026731B4 (ko) |
TW (1) | TWI297504B (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070128822A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-06-07 | Littlefuse, Inc. | Varistor and production method |
CN101506912B (zh) * | 2006-09-19 | 2011-10-12 | 东莞令特电子有限公司 | 包括钝化层的变阻器的制造 |
JP4893371B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-03-07 | Tdk株式会社 | バリスタ素子 |
US20090143216A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | General Electric Company | Composition and method |
TWI421996B (zh) | 2008-01-10 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 靜電放電防護架構 |
JP5314696B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2013-10-16 | 昭和電工株式会社 | 静電放電保護体 |
US8350660B2 (en) * | 2008-11-21 | 2013-01-08 | Showa Denko K.K. | Resin composition for filling discharge gap and electrostatic discharge protector |
KR20120010241A (ko) | 2009-04-23 | 2012-02-02 | 파나소닉 주식회사 | 서지 흡수 소자 |
WO2010147095A1 (ja) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 昭和電工株式会社 | 放電ギャップ充填用組成物および静電放電保護体 |
EP2908394B1 (en) * | 2014-02-18 | 2019-04-03 | TDK Electronics AG | Method of manufacturing an electrode for a surge arrester, electrode and surge arrester |
KR101608226B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2016-04-14 | 주식회사 아모텍 | 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 |
DE102015120640A1 (de) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements |
DE102017105673A1 (de) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Epcos Ag | Varistor-Bauelement mit erhöhtem Stoßstromaufnahmevermögen |
DE102018116221B4 (de) * | 2018-07-04 | 2022-03-10 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtvaristor mit feldoptimiertem Mikrogefüge und Modul aufweisend den Vielschichtvaristor |
JP7322793B2 (ja) * | 2020-04-16 | 2023-08-08 | Tdk株式会社 | チップバリスタの製造方法及びチップバリスタ |
DE102020122299B3 (de) * | 2020-08-26 | 2022-02-03 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtvaristor und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtvaristors |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4918421A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-17 | Lawless William N | Nonlinear resistor for low temperature operation |
JP2556151B2 (ja) * | 1989-11-21 | 1996-11-20 | 株式会社村田製作所 | 積層型バリスタ |
US5369390A (en) * | 1993-03-23 | 1994-11-29 | Industrial Technology Research Institute | Multilayer ZnO varistor |
JP3175500B2 (ja) * | 1994-10-28 | 2001-06-11 | 株式会社日立製作所 | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
JPH09320887A (ja) | 1996-06-03 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP3254399B2 (ja) * | 1997-02-03 | 2002-02-04 | ティーディーケイ株式会社 | 積層チップバリスタ及びその製造方法 |
TW394961B (en) * | 1997-03-20 | 2000-06-21 | Ceratech Corp | Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof |
JP3142508B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2001-03-07 | トヨタ自動車株式会社 | 車両電子キー装置 |
US5963416A (en) * | 1997-10-07 | 1999-10-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic device with outer electrodes and a circuit module having the electronic device |
JP3832071B2 (ja) | 1998-02-10 | 2006-10-11 | 株式会社村田製作所 | 積層バリスタ |
JP3399349B2 (ja) | 1998-03-17 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
JP3945010B2 (ja) | 1998-04-21 | 2007-07-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型バリスタおよびその製造方法 |
JP3449599B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2003-09-22 | Tdk株式会社 | 積層チップ型バリスタ |
DE10134751C1 (de) * | 2001-07-17 | 2002-10-10 | Epcos Ag | Elektrokeramisches Bauelement |
JP2004172369A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-05-26 US US11/137,584 patent/US7167352B2/en active Active
- 2005-05-30 KR KR1020050045463A patent/KR100674385B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-09 TW TW094119093A patent/TWI297504B/zh active
- 2005-06-09 DE DE102005026731.9A patent/DE102005026731B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005026731A1 (de) | 2006-03-16 |
US7167352B2 (en) | 2007-01-23 |
TWI297504B (en) | 2008-06-01 |
KR20060046265A (ko) | 2006-05-17 |
DE102005026731B4 (de) | 2014-10-02 |
TW200609955A (en) | 2006-03-16 |
US20050276001A1 (en) | 2005-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100674385B1 (ko) | 적층형 칩 배리스터 | |
KR20090009149A (ko) | 배리스터 | |
KR100960522B1 (ko) | 전압 비직선성 저항체 자기 조성물, 전자 부품 및 적층 칩배리스터 | |
KR101013017B1 (ko) | 배리스터 | |
US8654506B2 (en) | Laminate type semiconductor ceramic capacitor with varistor function | |
EP2437362A2 (en) | ESD protection device and manufacturing method therefor | |
US7259957B2 (en) | Laminated ceramic capacitor | |
JP5221794B1 (ja) | 静電気保護素子とその製造方法 | |
US9343522B2 (en) | Ceramic powder, semiconductor ceramic capacitor, and method for manufacturing same | |
JP4571164B2 (ja) | 電気的過大応力に対する保護のために使用されるセラミック材料、及びそれを使用する低キャパシタンス多層チップバリスタ | |
JP2005353845A (ja) | 積層型チップバリスタ | |
US8525634B2 (en) | Chip varistor | |
JP4262141B2 (ja) | 積層型チップバリスタ及びその製造方法 | |
US8508325B2 (en) | Chip varistor and chip varistor manufacturing method | |
JP4683068B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
JP4030180B2 (ja) | セラミックス複合積層部品 | |
JP4087359B2 (ja) | 積層型チップバリスタ | |
US11682504B2 (en) | Method for producing chip varistor and chip varistor | |
US8552831B2 (en) | Chip varistor | |
JP4041082B2 (ja) | バリスタ及びバリスタの製造方法 | |
EP1993108A1 (en) | Material composition having a core-shell microstructure used for a varisator | |
KR20210007123A (ko) | ZnO계 바리스터 조성물과 이의 제조방법 및 바리스터 | |
JPH0613260A (ja) | 積層セラミック磁器素子 | |
JP4952175B2 (ja) | バリスタ | |
JP2009152397A (ja) | バリスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140107 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161221 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180104 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200106 Year of fee payment: 14 |