KR100667021B1 - Method of making OLED - Google Patents

Method of making OLED Download PDF

Info

Publication number
KR100667021B1
KR100667021B1 KR1020040088022A KR20040088022A KR100667021B1 KR 100667021 B1 KR100667021 B1 KR 100667021B1 KR 1020040088022 A KR1020040088022 A KR 1020040088022A KR 20040088022 A KR20040088022 A KR 20040088022A KR 100667021 B1 KR100667021 B1 KR 100667021B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
chromium oxide
organic light
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020040088022A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060038852A (en
Inventor
이성경
Original Assignee
주식회사 대우일렉트로닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 대우일렉트로닉스 filed Critical 주식회사 대우일렉트로닉스
Priority to KR1020040088022A priority Critical patent/KR100667021B1/en
Publication of KR20060038852A publication Critical patent/KR20060038852A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100667021B1 publication Critical patent/KR100667021B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 소자 제조 방법은 투명한 기판위에 양전극층을 증착하는 단계와, 상기 양전극층 위의 전면에 제 1 산화 크롬층, 제 1 금속층, 제 2 산화 크롬층, 제 2 금속층 및 제 크롬층을 순차적으로 증착하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 화소 형성 영역의 양전극층이 노출되도록 상기 블랙매트릭스를 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어진다. The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, the method of manufacturing an organic light emitting device of the present invention comprises the steps of depositing a positive electrode layer on a transparent substrate, a first chromium oxide layer, a first metal layer, Sequentially depositing a chromium oxide layer, a second metal layer, and a chromium layer to form a black matrix, and patterning the black matrix so that the positive electrode layer of the pixel formation region is exposed.

유기발광소자, 블랙매트릭스, 크로스토크(crosstalk), 산화크롬Organic light emitting device, black matrix, crosstalk, chromium oxide

Description

유기발광소자 제조 방법{Method of making OLED}Organic light emitting device manufacturing method {Method of making OLED}

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극의 형성 모습을 보여주는 공정 단면도이다.1A to 1B are cross-sectional views illustrating a formation of a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 일실시예에 의해 형성된 블랙매트릭스를 보여주는 단면도이다. 2A through 2B are cross-sectional views illustrating a black matrix formed by an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따라 블랙매트릭스를 증착한 유기 발광 소자의 제작 공정을 보여주는 단면도 이다.3A to 3B are cross-sectional views illustrating a fabrication process of an organic light emitting diode deposited with a black matrix according to embodiments of the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -   -Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

100 : 투명기판 110 : 양전극층100: transparent substrate 110: positive electrode layer

120 : 절연층 165 : 격벽층120: insulating layer 165: partition layer

170 : 유기 박막층 180 : 음전극층170: organic thin film layer 180: negative electrode layer

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로, 특히 블랙매트릭스를 사용하여 콘 트라스트를 증가시킬 수 있는 유기 발광 소자의 제작 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly to a method of manufacturing an organic light emitting device that can increase the contrast using a black matrix.

일반적으로, 유기 발광 소자는 평판 디스플레이 소자 중 하나로 웨이퍼 상에 양전극층(anode layer)과 음전극층(cathode layer) 사이에 유기 전계 발광층인 유기 박막층을 삽입하여 구성하며, 매우 얇은 두께의 매트릭스 형태를 이룬다.In general, an organic light emitting diode is one of flat panel display devices, and is formed by inserting an organic thin film layer, which is an organic electroluminescent layer, between an anode layer and a cathode layer on a wafer, and forms a very thin matrix. .

이러한 유기 발광 소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점이 있다. 또한, 좁은 광 시야각, 느린 응답 속도 등 종래에 LCD에서 문제로 지적되어 온 결점을 해결할 수 있으며, 다른 형태의 디스플레이와 비교하여, 특히, 중형 이하에서 다른 디스플레이와 동등하거나(예를 들어, "TFT LCD") 그 이상의 화질을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 제조 공정이 단순화하다는 점에서, 차세대 평판 디스플레이로 주목받고 있다.Such an organic light emitting device can be driven at a low voltage and has advantages such as thinness. In addition, it is possible to solve the drawbacks that have been conventionally pointed out in LCDs such as narrow wide viewing angles and slow response speeds, and compared to other forms of displays, in particular, below mid-size or other displays (eg, "TFT"). LCD ") has attracted attention as a next-generation flat panel display because it can not only have higher image quality, but also simplify the manufacturing process.

그런데, 유기 발광 소자에 있어서 패널에 대한 휘도 및 수명을 향상시키기 위해서는 콘트라스트(contrast)를 증가시켜야 하므로, 콘트라스트를 증가시키기 위한 방법이 절실히 요구되고 있다.However, in the organic light emitting device, in order to improve the brightness and the lifetime of the panel, the contrast should be increased, so a method for increasing the contrast is urgently required.

이에 따라, 종래에는 유기 발광 소자의 콘스라스트를 증가시키기 위한 방법으로 유기 발광 소자를 제작한 다음 후속 공정으로 유기 발광 소자의 디스플레이부에 편광판을 부착하는 방법, 유기 발광 소자를 제작하는 중간 공정으로 유기 발광 소자 내부에 광흡수층을 형성하는 방법, 또는 블랙매트릭스로 지칭되는 광 흡수재료의 매트릭스를 증착하는 방법을 주로 이용하였다.Accordingly, in the related art, an organic light emitting device is manufactured as a method for increasing the contrast of an organic light emitting device, and then a polarizing plate is attached to a display unit of the organic light emitting device in a subsequent process. A method of forming a light absorbing layer inside a light emitting device or a method of depositing a matrix of light absorbing materials called a black matrix has been mainly used.

상기와 같은 유기 발광 소자의 콘트라스트를 증가하는 방법 중 유기 발광 소자의 내부에 광흡수층을 형성하는 방법은 광흡수층이 유기 발광 소자의 외부광과 반사광을 흡수하는 동시에 유기 발광 소자의 발광에 의한 표시광의 일부분을 흡수하기 때문에 디스플레이의 휘도가 감소하는 바, 콘트라스트를 증가시키는데 한계가 있다.In the method of increasing the contrast of the organic light emitting device as described above, the method of forming the light absorbing layer inside the organic light emitting device includes absorbing the external light and the reflected light of the organic light emitting device and simultaneously displaying the light emitted by the organic light emitting device. Since the brightness of the display decreases because it absorbs a portion, there is a limit to increasing the contrast.

또한, 유기발광 소자의 전면에 편광판을 부착하는 방법 역시, 유기 발광 소자의 내부에 광흡수층을 형성하는 방법과 같이 유기 발광 소자의 발광에 의한 표시광의 일부를 흡수하는 문제와 고가의 편광판 부착에 따른 제조원가의 상승과 별도의 공정이 필요한 문제가 있다.In addition, the method of attaching the polarizing plate to the front surface of the organic light emitting device also has a problem of absorbing a portion of the display light due to the light emission of the organic light emitting device, such as the method of forming a light absorption layer inside the organic light emitting device and the expensive polarizing plate attached There is a problem that an increase in manufacturing cost and a separate process are required.

한편, 산화크롬층과 같은 광흡수재료를 단일막으로 사용하는 블랙매트릭스에 의한 방법의 경우 반사율을 감소시켜 콘트라스트를 증가시키기 위한 것이나 유기 발광 소자 내부에서 발생하는 반사광으로 인해 발광 영역의 빛이 인접하는 비발광 영역에 영향을 주는 소위 크로스토크(crosstalk)의 문제점이 크게 발생하는 바, 이 때문에 콘트라스트의 향상이 크게 제약되는 문제가 있다. On the other hand, the black matrix method using a light absorbing material such as a chromium oxide layer as a single layer is used to increase the contrast by reducing the reflectance or to allow light in the light emitting region to be adjacent due to the reflected light generated inside the organic light emitting element. The so-called crosstalk problem, which affects the non-light-emitting region, is greatly generated. Therefore, there is a problem that the improvement of contrast is greatly limited.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 유기 발광 소자 내부에서 발생하는 반사광을 제거할 수 있는 블랙매트리스를 이용하여 크로스토크 문제를 해결함에 따라 콘트라스트를 증가시켜 유기 발광 소자의 휘도 및 수명을 개선할 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는 데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by using a black mattress that can remove the reflected light generated inside the organic light emitting device to solve the crosstalk problem by increasing the contrast and brightness of the organic light emitting device An object of the present invention is to provide an organic light emitting device capable of improving a lifespan.

또한, 보조전극을 포함한 블랙매트리스를 구성하여 대화면을 구현할 수 있고, 투명기판을 박막화할 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.Further, another object of the present invention is to provide an organic light emitting device capable of forming a large screen by forming a black mattress including an auxiliary electrode and thinning a transparent substrate.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 유기 발광 소자 제조 방법은 투명한 기판위에 양전극층을 증착하는 단계와, 상기 양전극층 위의 전면에 제 1 산화 크롬층, 제 1 금속층, 제 2 산화 크롬층, 제 2 금속층 및 크롬층을 순차적으로 증착하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 화소 형성 영역의 양전극층이 노출되도록 상기 블랙매트릭스를 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어 진다.In order to achieve the above object, the organic light emitting device manufacturing method according to the present invention comprises the steps of depositing a positive electrode layer on a transparent substrate, the first chromium oxide layer, the first metal layer, the second chromium oxide layer on the entire surface of the positive electrode layer And sequentially depositing a second metal layer and a chromium layer to form a black matrix, and patterning the black matrix so that the positive electrode layer of the pixel formation region is exposed.

이때, 상기 유기 발광 소자 제조 방법에는 상기 복수의 블랙매트릭스 위에 복수의 절연층을 증착하는 단계와, 상기 복수의 절연층 위에 복수의 격벽층을 증착하는 단계와, 상기 양전극층과 상기 격벽층 위에 복수의 유기 박막층 및 복수의 음전극층을 순차적으로 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this case, the method of manufacturing the organic light emitting diode includes depositing a plurality of insulating layers on the plurality of black matrices, depositing a plurality of partition layers on the plurality of insulating layers, and forming a plurality of insulating layers on the positive electrode layer and the partition layer. The method may further include sequentially depositing an organic thin film layer and a plurality of negative electrode layers.

여기서, 상기 제 1 산화 크롬층은 300~400Å 두께로, 제 2 산화 크롬층의 증착은 300~500Å 두께로 증착되는 것이 바람직하다.Here, the first chromium oxide layer is 300 to 400 kPa thick, the deposition of the second chromium oxide layer is preferably deposited to 300 ~ 500 kPa thick.

또한 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 몰리브덴 또는 텅스텐으로 구성할 수 있으며 300~400Å 두께로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the first metal layer and the second metal layer may be composed of molybdenum or tungsten, preferably made of 300 ~ 400 Å thickness.

이하 도면에 따라 상기 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 이를 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 이 실시예들을 벗어나 다양한 형태로 구현 가능하다. 한편, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving the same will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be embodied in various forms beyond the embodiments. In addition, like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따라 투명 전극을 형성하는 모습을 보여주는 공정 단면도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극의 패터닝에 의해 양전극층을 형성하는 모습을 보여주는 공정 단면도이다.1A is a cross-sectional view illustrating a process of forming a transparent electrode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating a process of forming a positive electrode layer by patterning a transparent electrode according to an embodiment of the present invention. to be.

도 1a 에 도시한 바와 같이, 투명 기판(100) 위의 전면에 양전극층(anode, 110)으로 ITO와 같은 투명 전극을 증착한다. 이후, 도 1b 에 도시한 바와 같이, 투명 기판(100)의 전면에 증착된 투명 전극의 일정영역을 식각하여 어느 한 방향으로 길게 뻗어 있는 다수의 줄무늬 모양(stripe type)의 양전극층(110)을 형성하는 패터닝(Patterning) 작업을 한다. 다만, 상기 투명전극의 패터닝 작업은 이후의 공정인 블랙매트리스 증착공정에서 블랙매트리스를 화소 형성 영역외의 영역에 증착하는 방법을 사용하여 생략할 수 있다. As shown in FIG. 1A, a transparent electrode such as ITO is deposited with a positive electrode layer (anode) 110 on the front surface of the transparent substrate 100. Thereafter, as illustrated in FIG. 1B, a plurality of stripe type positive electrode layers 110 extending in one direction are etched by etching a predetermined region of the transparent electrode deposited on the front surface of the transparent substrate 100. Patterning work to form. However, the patterning operation of the transparent electrode may be omitted using a method of depositing the black mattress in a region other than the pixel formation region in a subsequent black mattress deposition process.

도 2a는 본 발명의 일실시예에 의해 투명전극에 형성된 블랙매트릭스를 보여주는 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 일실시예에 의해 형성된 블랙매트릭스의 확대 단면도이다.2A is a cross-sectional view illustrating a black matrix formed on a transparent electrode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is an enlarged cross-sectional view of a black matrix formed by an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(115)는 양전극층(100) 위에 증착된 후 식각되어 형성된다. 이때, 식각되어 없어진 부분을 화소 형성 영역으로 정의한다. As shown in FIG. 2A, the black matrix 115 is formed by being deposited on the positive electrode layer 100 and then etched. In this case, the portion lost by etching is defined as a pixel formation region.

상기 블랙매트릭스(115)은 도 2b에서 도시한 바와 같이, 제 1 산화 크롬층(115a), 제 1 금속층(115b), 제 2 산화 크롬층(115c), 제 2 금속층(115d) 및 크롬층(115e)으로 구성된다. As shown in FIG. 2B, the black matrix 115 may include a first chromium oxide layer 115a, a first metal layer 115b, a second chromium oxide layer 115c, a second metal layer 115d, and a chromium layer ( 115e).

우선, 제 1 산화 크롬층(115a)은 주로 투명기판(100)으로부터 들어오는 외부 광을 흡수하는 기능을 하고, 300~400Å 두께로 증착되는 것이 바람직하다. 다음으로, 제 2 산화 크롬층(115b)은 투명기판(100)으로부터 들어오는 외부광의 흡수는 물론 음극층에서 반사되어 오는 반사광을 흡수한다. 따라서, 제 2 산화 크롬층(115b)의 경우 제 1 산화막(115a)보다 두껍게 형성하는 것이 바람직하므로 300~500Å 두께로 증착한다. First, the first chromium oxide layer 115a mainly functions to absorb external light coming from the transparent substrate 100 and is preferably deposited to have a thickness of 300 to 400 kPa. Next, the second chromium oxide layer 115b absorbs the external light coming from the transparent substrate 100 as well as the reflected light reflected from the cathode layer. Therefore, since the second chromium oxide layer 115b is preferably formed thicker than the first oxide film 115a, the second chromium oxide layer 115b is deposited to have a thickness of 300 to 500 kPa.

상기 크롬층(115e)은 보조전극 기능을 위해 증착되어 음극 또는 양극의 일부로서 기능을 한다. The chromium layer 115e is deposited for the auxiliary electrode function and functions as a part of the cathode or the anode.

일반적으로 투명기판은 높은 저항을 가져 유기발광소자를 이용하여 큰 화면을 구성하는데 곤란하다. 그러나, 본 발명의 일실시예와 같이 크롬층등을 보조전극으로 이용하면 음극 또는 양극의 저항을 낮출 수 있어, 유기발광소자를 이용하여 대화면으로 구현 할 수 있을 뿐만 아니라 투명기판의 박막화도 가능하다.In general, the transparent substrate has a high resistance, making it difficult to construct a large screen using an organic light emitting device. However, when the chromium layer or the like is used as an auxiliary electrode as in an embodiment of the present invention, the resistance of the cathode or the anode can be lowered, so that the organic light emitting device can be used as a large screen, and the transparent substrate can be thinned. .

상기 크롬층(115e)은 제 3 산화 크롬층으로 구성할 수도 있다. 상기 제 3 산화크롬층은 300~400Å 두께로 증착되어 주로 음극층에서 반사되어 오는 반사광을 흡수한다.The chromium layer 115e may be formed of a third chromium oxide layer. The third chromium oxide layer is deposited to a thickness of 300 ~ 400Å is mainly absorb the reflected light reflected from the cathode layer.

다만, 상기 제 1 산화 크롬층(115a) 및 제 3 산화 크롬층(115c)은 주로 흡수하는 외부광과 반사광 외에도 제 2 산화 크롬층(115b)이 흡수하지 못한 반사광과 외부광을 보충적으로 흡수한다. 결국 3개의 산화 크롬층에 의해 외부광과 반사광을 효율적으로 제거할 수 있어, 외부광과 반사광에 의한 크로스토크(crosstalk) 결함을 억제할 수 있다.However, the first chromium oxide layer 115a and the third chromium oxide layer 115c supplementally absorb reflected light and external light not absorbed by the second chromium oxide layer 115b in addition to mainly absorbed external light and reflected light. . As a result, the external light and the reflected light can be efficiently removed by the three chromium oxide layers, so that crosstalk defects caused by the external light and the reflected light can be suppressed.

한편, 제 1 금속층(115b) 및 제 2 금속층(115d)은 각각의 산화 크롬층에서 흡수되지 못한 외부광과 반사광을 다른 산화 크롬층이 흡수할 수 있도록 투과시키는 역할을 한다. 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층의 증착은 300~400Å 두께로 이루어지고, 증착물질은 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)으로 이루어진다. On the other hand, the first metal layer 115b and the second metal layer 115d serve to transmit external and reflected light not absorbed by each of the chromium oxide layers so that other chromium oxide layers can absorb them. The deposition of the first metal layer and the second metal layer is made of 300 ~ 400Å thickness, the deposition material is made of molybdenum (Mo) or tungsten (W).

도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 블랙매트릭스를 증착한 유기 발광 소자의 공정 단면도이다.3A is a cross-sectional view illustrating a process of depositing a black matrix according to an embodiment of the present invention.

도 3a에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정은 우선, 투명한 기판(100)위에 양전극층(110)을 증착한다. 다음으로 양전극층(110) 위의 전면에 앞서 설명한 바와 같이 제 1 산화 크롬층, 제 1 금속층, 제 2 산화 크롬층, 제 2 금속층 및 크롬층이 순차적으로 증착되어 형성되는 블랙매트릭스(115)을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이 보조전극 기능을 하는 크롬층의 위치에 산화크롬층을 증착하면 외부광과 반사광의 흡수를 높일 수 있어 크로스토크 억제 효과가 커진다.As shown in FIG. 3A, a process of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention first deposits a positive electrode layer 110 on a transparent substrate 100. Next, as described above on the entire surface of the positive electrode layer 110, a black matrix 115 formed by sequentially depositing a first chromium oxide layer, a first metal layer, a second chromium oxide layer, a second metal layer, and a chromium layer is formed. Form. As described above, when the chromium oxide layer is deposited at the position of the chromium layer functioning as the auxiliary electrode, absorption of external light and reflected light can be increased, thereby increasing crosstalk suppression effect.

상기 블랙매트릭스(115)의 증착은 양전극층(110)의 패터닝(Patterning) 여부에 따라 달라지는데, 패터닝 되지 않는 경우(도 1a 참고) 투명한 기판(100)의 전면에 증착되는 반면, 양전극층(110)이 패터닝되는 경우에는 패터닝에 의해 형성된 다수의 줄무늬 모양의 양전극층(110) 위에만 증착한다. The deposition of the black matrix 115 depends on whether the positive electrode layer 110 is patterned. If the pattern is not patterned (see FIG. 1A), the black matrix 115 is deposited on the front surface of the transparent substrate 100, whereas the positive electrode layer 110 is formed. In the case of patterning, only the plurality of stripe-shaped positive electrode layers 110 formed by patterning are deposited.

이후, 상기 화소 형성 영역을 정의하기 위해 양전극층이 노출되도록 상기 블랙매트릭스(115)을 패터닝한다. Thereafter, the black matrix 115 is patterned to expose the positive electrode layer to define the pixel formation region.

다음으로, 상기 복수의 블랙매트릭스(115) 위에 복수의 절연층(120)을 증착할 수 있고 상기 절연층(120) 위에는 전기적인 절연 물질로 이루어진 격벽층(165) 이 형성될 수 있다. Next, a plurality of insulating layers 120 may be deposited on the plurality of black matrices 115, and a partition layer 165 made of an electrically insulating material may be formed on the insulating layers 120.

그리고, 상기 블랙매트릭스(115) 및 절연층(120)에 의해 노출된 양전극층(110)과 상기 격벽층(165) 위에는 유기 전계 발광층인 유기 박막층(170)이 형성된다. 이후, 형성된 유기 박막층(170)위에 음전극층(180)을 증착한다. 이때, 음전극층(180)은 일함수가 낮은 금속인 Ca, Li, Al/Li, Mg/Ag 등으로 이루어진다.The organic thin film layer 170, which is an organic electroluminescent layer, is formed on the positive electrode layer 110 and the partition layer 165 exposed by the black matrix 115 and the insulating layer 120. Thereafter, the negative electrode layer 180 is deposited on the formed organic thin film layer 170. In this case, the negative electrode layer 180 is formed of Ca, Li, Al / Li, Mg / Ag, or the like having a low work function.

도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 블랙매트릭스를 증착한 유기 발광 소자의 공정 단면도이다.3B is a cross-sectional view illustrating a process of depositing a black matrix according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3b에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정에서 블랙매트릭스(115)위의 절연막(120)은 테이퍼 구조(taper)로, 격벽층(165)은 역테이퍼 구조로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 3B, in the manufacturing process of the organic light emitting diode according to another exemplary embodiment, the insulating layer 120 on the black matrix 115 is tapered, and the partition layer 165 is inversely tapered. It may be formed into a structure.

상기 테이퍼 및 역테이퍼 구조는 음전극층이 인접 구성 요소와 단락되는 것을 방지하기 위한 것이다. 상기 블랙매트릭스(115), 절연막(120), 격벽층(165), 유기박막층(170), 음전극층(180) 등의 기능 및 증착조건은 도 3a에서 도시한 유기발광소자와 동일하다.The tapered and reverse tapered structures are intended to prevent the negative electrode layer from shorting to adjacent components. The functions and deposition conditions of the black matrix 115, the insulating layer 120, the partition layer 165, the organic thin film layer 170, and the negative electrode layer 180 are the same as those of the organic light emitting diode illustrated in FIG. 3A.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 블랙매트리스층을 이용하여 유기 발광 소자 내부에서 발생하는 반사광 및 외부광을 제거하여, 크로스토크 문제를 해결함에 따라 콘트라스트를 증가시켜 유기 발광 소자의 휘도 및 수명을 개선할 수 있는 유기 발광 소자를 제공할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, by removing the reflected light and the external light generated inside the organic light emitting device by using the black mattress layer, the contrast is increased to solve the crosstalk problem, thereby improving the brightness and life of the organic light emitting device. There is an effect that can provide an organic light emitting device that can be.

또한, 보조전극을 포함한 블랙매트리스층을 구성하여 대화면을 구현할 수 있 고, 투명기판을 박막화할 수 있는 유기 발광 소자를 제공할 수 있는 효과도 있다.In addition, it is possible to implement a large screen by configuring a black mattress layer including an auxiliary electrode, it is also possible to provide an organic light emitting device capable of thinning a transparent substrate.

Claims (6)

투명한 기판위에 양전극층을 증착하는 단계와,Depositing a positive electrode layer on the transparent substrate, 상기 양전극층 위의 전면에 제 1 산화 크롬층, 제 1 금속층, 제 2 산화 크롬층, 제 2 금속층 및 크롬층을 순차적으로 증착하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와,Sequentially depositing a first chromium oxide layer, a first metal layer, a second chromium oxide layer, a second metal layer and a chromium layer on the entire surface of the positive electrode layer to form a black matrix; 상기 화소 형성 영역의 양전극층이 노출되도록 상기 블랙매트릭스를 패터닝하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법.And patterning the black matrix so that the positive electrode layer of the pixel formation region is exposed. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 블랙매트릭스 위에 복수의 절연층을 증착하는 단계와, The method of claim 1, further comprising: depositing a plurality of insulating layers on the plurality of black matrices; 상기 복수의 절연층 위에 복수의 격벽층을 증착하는 단계와, Depositing a plurality of barrier layers on the plurality of insulating layers; 상기 양전극층과 상기 격벽층 위에 복수의 유기 박막층 및 복수의 음전극층을 순차적으로 증착하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법. And sequentially depositing a plurality of organic thin film layers and a plurality of negative electrode layers on the positive electrode layer and the partition layer. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 산화 크롬층의 증착은 300~400Å 두께로 이루어지는 유기 발광 소자 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the deposition of the first chromium oxide layer is 300 to 400 Pa. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 2 산화 크롬층의 증착은 300~500Å 두께로 이루어지는 유기 발광 소자 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the deposition of the second chromium oxide layer is performed in a thickness of 300 to 500 Pa. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층의 증착은 300~400Å 두께로 이루어지는 유기 발광 소자 제조 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the deposition of the first metal layer and the second metal layer is 300 to 400 Å thick. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 몰리브덴 또는 텅스텐으로 이루어지는 유기 발광 소자 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first metal layer and the second metal layer are made of molybdenum or tungsten.
KR1020040088022A 2004-11-01 2004-11-01 Method of making OLED KR100667021B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040088022A KR100667021B1 (en) 2004-11-01 2004-11-01 Method of making OLED

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040088022A KR100667021B1 (en) 2004-11-01 2004-11-01 Method of making OLED

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060038852A KR20060038852A (en) 2006-05-04
KR100667021B1 true KR100667021B1 (en) 2007-01-10

Family

ID=37146304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040088022A KR100667021B1 (en) 2004-11-01 2004-11-01 Method of making OLED

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100667021B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140085050A (en) 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060038852A (en) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6897478B2 (en) Flat panel display device with anti-reflection layer having concentration gradient
KR101157262B1 (en) Organic electro-luminescence display device and method for fabricating of the same
US7531834B2 (en) Organic electroluminescent display device with improved interface between anode and luminescent organic layer
KR101901574B1 (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
EP3188243B1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
CN110993806A (en) OLED display panel and preparation method thereof
KR100731753B1 (en) Both-sides emitting organic electroluminescence display device and fabricating Method of the same
CN102881713A (en) Luminous display device, and its manufacturing method
CN111063711A (en) Double-sided display panel and preparation method thereof
KR20060023180A (en) Organic electroluminescence panel and manufacturing method thereof
US6781293B2 (en) Organic EL device with high contrast ratio and method for manufacturing the same
US20020014834A1 (en) Organic el display
CN111430416A (en) Display panel and manufacturing method thereof
KR100565674B1 (en) Dual Organic Electroluminescence display panel and Fabrication Method for the same
JP2006128110A (en) Organic electroluminescent display element and its manufacturing method
JP6802887B2 (en) Organic EL display device and its manufacturing method
KR20100137272A (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
CN111415963B (en) Display panel and preparation method thereof
KR100667021B1 (en) Method of making OLED
JP2013080661A (en) Display device and manufacturing method of the same
KR100762120B1 (en) Organic light emitting diode and manufacturing method thereof
KR20080052928A (en) Organic electro-luminescence display device and method of manufacturing the same
KR100599469B1 (en) Organic light emitting diode and manufacturing method thereof
CN113013215A (en) Display panel, display device and preparation method
JP2008218330A (en) Organic el display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee