KR100666349B1 - Deposition apparatus and method for sending back masks in the apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자 제조에 사용되는 기판 상에 복수의 박막들을 증착하는 장치로, 장치는 마스크 부착 챔버, 증착 챔버, 마스크 제거 챔버를 가지는 공정 챔버들을 가진다. 각각의 챔버들 내 상부에는 이송 가이드가 배치되고, 기판을 지지하는 이송체는 공정 챔버 내에서 공정 수행시 그리고 공정챔버들간 이동시 이송 가이드를 따라 수평이동된다. 각각의 공정 챔버들간 경계벽에는 각각의 공정 챔버들간 이송체의 이동 통로로 제공되는 개구 및 이를 개폐하는 게이트 밸브가 제공된다. 각각의 공정챔버에는 마스크를 회수하는 마스크 회송체가 제공된다. 마스크 회송체는 이송 가이드를 따라 마스크를 마스크 제거 챔버로부터 마스크 부착 챔버로 이동된다. 증착 챔버 내에는 공정 챔버로 진입하는 기판 이송체와 상기 마스크 회송체가 충돌 가능성이 있을 때, 마스크 회수체가 일시적으로 머무를 수 있는 버퍼 공간이 제공된다.The present invention is a device for depositing a plurality of thin films on a substrate used in the manufacture of an organic electroluminescent device, the device has a process chamber having a chamber with a mask, a deposition chamber, a mask removal chamber. A transfer guide is disposed above each chamber, and the transfer body supporting the substrate is horizontally moved along the transfer guide when performing a process in the process chamber and moving between process chambers. The boundary wall between each of the process chambers is provided with an opening provided as a moving passage of the conveying body between the respective process chambers and a gate valve for opening and closing it. Each process chamber is provided with a mask returning body for recovering the mask. The mask carrier is moved from the mask removal chamber to the mask attachment chamber along the transfer guide. The deposition chamber is provided with a buffer space in which the mask recovering body can temporarily stay when there is a possibility of collision between the substrate carrier and the mask returning body entering the process chamber.

증착, 유기 전계 발광 소자, 마스크, 게이트 밸브, 버퍼 공간 Deposition, Organic Electroluminescent Devices, Masks, Gate Valves, Buffer Spaces

Description

증착 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법. {DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR SENDING BACK MASKS IN THE APPARATUS}Deposition apparatus and method of recovering a mask in the apparatus. {DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR SENDING BACK MASKS IN THE APPARATUS}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도;1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 장치의 변형된 예를 보여주는 평면도들2 is a plan view showing a modified example of the apparatus of FIG.

도 3은 이송체의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도;3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the conveying body;

도 4는 마스크 부착(제거) 챔버의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도;4 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a mask attaching (removing) chamber;

도 5는 증착 챔버 내부의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도;5 is a cross-sectional view schematically showing the structure inside the deposition chamber;

도 6은 증착 챔버 내에서 증착 공정이 수행되는 과정을 개략적으로 보여주는 단면도;6 is a sectional view schematically showing a process in which a deposition process is performed in a deposition chamber;

도 7은 본 발명의 증착 장치의 내부를 개략적으로 보여주는 단면도;7 is a cross-sectional view schematically showing the interior of the deposition apparatus of the present invention;

도 8은 도 7의 증착챔버에서 보수가 이루어지는 동안 장치 내부의 압력 상태를 보여주는 도면,8 is a view showing a pressure state inside the apparatus during the repair in the deposition chamber of FIG.

도 9는 도 7의 증착 장치의 변형된 예를 보여주는 단면도;9 is a cross-sectional view showing a modified example of the deposition apparatus of FIG.

도 10은 도 7의 증착 장치의 다른 예를 보여주는 단면도; 그리고10 is a sectional view showing another example of the deposition apparatus of FIG. 7; And

도 11 내지 도 13은 마스크가 회수되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.11 to 13 are views sequentially illustrating a process of recovering a mask.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 로딩 챔버 20 : 언로딩 챔버10: loading chamber 20: unloading chamber

30 : 크리닝 챔버 40 : 공정 챔버30: cleaning chamber 40: process chamber

40a : 개구 42 : 마스크 부착 챔버40a: opening 42: chamber with mask

44 : 증착 챔버 46 : 마스크 제거 챔버44: deposition chamber 46: mask removal chamber

48 : 증착물질 공급 챔버 100 : 이송체48: deposition material supply chamber 100: carrier

200 : 이송 가이드 400 : 회송 가이드200: feed guide 400: feed guide

500 : 증착물질 공급 부재 620 : 덮개500: deposition material supply member 620: cover

640 : 차단판 700 : 게이트 밸브640: blocking plate 700: gate valve

800 : 버퍼 공간 900 : 마스크 회송체800: buffer space 900: mask carrier

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하는 공정을 수행하는 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for performing a process of depositing a thin film on a substrate and a method for recovering a mask in the apparatus.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지 디스플레이 장치로는 주로 브라운관(cathode ray tube) 모니터가 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 사용이 급격히 증대하고 있다. 특히, 백라이트가 필요 없어 액정 디스플레이에 비해 훨씬 얇으며, 전기 소모가 작고 화질이 밝고 선명하고, 반응속도가 매우 빠른 유기 전계 발광 소자가 각광받고 있다.Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. Until now, a cathode ray tube monitor has been mainly used as a display device, but in recent years, with the rapid development of semiconductor technology, the use of a flat panel display which is light and occupies small space is rapidly increasing. In particular, organic electroluminescent devices, which are much thinner than liquid crystal displays, require less backlight, have brighter and brighter images, and have very fast reaction speeds due to the need for a backlight, have been in the spotlight.

유기 전계 발광 소자를 제조하기 위해 다수의 공정들이 요구되며, 이들 공정을 수행하기 위해 사용되는 일반적인 장치는 클러스터 타입(cluster type)이다. 이에 의하면, 공정챔버들이 대체로 원형을 이루도록 배치되고, 중앙에는 로봇 암이 제공되어, 챔버들간 기판의 이송은 로봇 암에 의해 이루어진다. 로봇 암이 공정 챔버로부터 기판의 언로딩 및 공정챔버로 기판의 로딩 등을 반복 수행하여야 하므로 공정에 매우 많은 시간이 소요된다. 또한, 요구되는 공정챔버들의 수가 증대되고 기판이 대형화됨에 따라 설비의 면적이 매우 커진다.A number of processes are required to manufacture organic electroluminescent devices, and the general apparatus used to perform these processes is a cluster type. According to this, the process chambers are arranged to be generally circular, and a robot arm is provided at the center, so that the transfer of the substrate between the chambers is performed by the robot arm. Since the robot arm has to repeatedly perform the unloading of the substrate from the process chamber and the loading of the substrate into the process chamber, the process is very time consuming. In addition, as the number of required process chambers is increased and the substrate is enlarged, the area of the facility becomes very large.

본 발명은 다수의 공정을 연속적으로 수행하기에 적합한 새로운 형태의 증착 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a new type of deposition apparatus suitable for carrying out a plurality of processes continuously and a method for recovering a mask in the apparatus.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 증착 장치는 기판에 마스크를 부착하는 공정이 수행되는 마스크 부착 챔버, 증착 공정이 수행되는 적어도 하나의 증착 챔버, 그리고 상기 기판으로부터 마스크를 제거하는 공정이 수행되는 마스크 제거 챔버를 가지는 복수의 공정 챔버들 및 상기 마스크 부착 챔버, 상기 증착 챔버, 그리고 상기 마스크 제거 챔버 내 각각에 제공되는 이송 가이드를 가진다. 공 정이 진행되는 동안 기판을 지지하는 기판 이송체가 적어도 하나 제공되며, 상기 기판 이송체는 상기 이송 가이드를 따라 이송되며, 상기 공정 챔버들간 경계벽에 제공된 개구를 통해 상기 공정챔버들 간 기판을 이송한다. 또한, 상기 이송 가이드를 따라 상기 마스크 제거 챔버로부터 상기 마스크 부착 챔버로 마스크를 회수하는 마스크 회송체가 제공되고, 상기 증착 챔버 내에는 상기 마스크 회송체가 일시적으로 머무르는 버퍼 공간이 형성된다. 상기 버퍼 공간은 상기 증착 챔버 내 상기 이송 가이드의 상부에 제공되는 것이 바람직하다. In order to achieve the above object, the deposition apparatus of the present invention includes a mask attach chamber in which a process of attaching a mask to a substrate is performed, at least one deposition chamber in which a deposition process is performed, and a process of removing a mask from the substrate is performed. And a plurality of process chambers having a mask removal chamber and a transfer guide provided in each of the mask attachment chamber, the deposition chamber, and the mask removal chamber. At least one substrate carrier supporting the substrate is provided during the process, and the substrate carrier is transferred along the transfer guide and transfers the substrate between the process chambers through an opening provided in a boundary wall between the process chambers. A mask returning body for recovering a mask from the mask removing chamber to the masking chamber along the transfer guide is provided, and a buffer space in which the mask returning body temporarily stays is formed in the deposition chamber. The buffer space is preferably provided on top of the transfer guide in the deposition chamber.

상기 장치에는 상기 공정챔버들간 경계벽에 제공되는 개구를 개폐하는 게이트 밸브가 제공될 수 있다. 또한, 상기 장치에는 상기 공정 챔버들간 기판의 이송을 완료한 기판 이송체를 회수하는 회송 가이드가 제공될 수 있으며, 상기 기판 이송체가 회수되는 상기 회송 가이드는 상기 공정 챔버 외부에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 버퍼 공간은 상기 마스크 제거 챔버 또는 상기 마스크 부착 챔버에도 제공될 수 있다.The apparatus may be provided with a gate valve for opening and closing the opening provided in the boundary wall between the process chambers. In addition, the apparatus may be provided with a return guide for recovering the substrate carrier after the transfer of the substrate between the process chambers, wherein the return guide from which the substrate carrier is recovered is preferably disposed outside the process chamber. The buffer space may also be provided in the mask removal chamber or the mask attachment chamber.

또한, 본 발명은 내부에 각각 기판을 이동하는 기판 이송체의 이동을 안내하는 이송 가이드가 제공되며, 기판에 마스크의 부착이 이루어지는 마스크 부착 챔버, 기판에 박막을 증착하는 증착 챔버, 그리고 상기 기판으로부터 상기 마스크를 제거하는 마스크 제거 챔버를 가지는 복수의 공정 챔버들 및 상기 각각의 공정 챔버 내에 배치되며 상기 마스크 제거 챔버로부터 상기 마스크 부착 챔버로 마스크를 회수하는 마스크 회송체를 가지는 증착 장치에서 사용된 마스크를 회수하는 방법을 제공한다. In addition, the present invention is provided with a transfer guide for guiding the movement of the substrate carrier to move the substrate therein, each of the chamber with the mask attached to the mask, the deposition chamber for depositing a thin film on the substrate, and from the substrate A mask used in a deposition apparatus having a plurality of process chambers having a mask removing chamber for removing the mask and a mask carrier disposed in each of the process chambers and for recovering the mask from the mask removing chamber to the mask attach chamber; Provide a method for recovery.

상기 방법에 의하면, 상기 마스크 회송체는 상기 이송 가이드를 따라 회송되고, 상기 마스크 회송체가 상기 마스크 부착 챔버로 회송 도중 상기 공정 챔버로 진입하는 기판 이송체와 충돌 가능성이 있는 경우에 상기 마스크 회송체는 상기 증착 챔버 내에 제공된 버퍼 공간으로 이동되어 상기 기판 이송체가 상기 증착 챔버에서 공정을 수행하고 지나갈 때까지 대기한다. 상기 버퍼 공간은 상기 이송 가이드의 상부에 제공되는 것이 바람직하다.According to the method, the mask returning body is returned along the transfer guide, and when the mask returning body collides with the substrate conveying body entering the process chamber during the return to the masking chamber, the mask returning body is It is moved to a buffer space provided in the deposition chamber and waits for the substrate carrier to pass through the process in the deposition chamber. The buffer space is preferably provided on top of the transfer guide.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 13을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장된 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 13. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated for clarity.

또한, 본 실시예에서 기판 처리 장치(1)로는 유기 전계 발광 소자(electro-luminescent light emitting device) 제조에 사용되는 기판(3) 상에 박막을 증착하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예에서 기판(3)의 종류 및 공정은 이에 한정되지 않는다. 따라서 기판(3)은 평판 표시 소자 제조에 사용되는 다른 종류의 기판(3)일 수 있으며, 공정 또한 증착 공정 이외에 식각 등 타 공정을 수행하는 공정일 수 있다. In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 will be described as an example of an apparatus for depositing a thin film on the substrate 3 used in the manufacture of an organic electroluminescent light emitting device. However, the type and process of the substrate 3 in the embodiment of the present invention is not limited thereto. Accordingly, the substrate 3 may be another type of substrate 3 used in the manufacture of a flat panel display device, and may also be a process of performing other processes such as etching in addition to the deposition process.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착 장치(1)를 개략적으로 보 여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 증착 장치(1)는 복수의 챔버들을 포함한다. 챔버들은 로딩 챔버(10), 크리닝 챔버(30), 공정 챔버들(40), 그리고 언로딩 챔버(20)를 포함하고, 각각의 공정 챔버(40)는 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46)를 가진다. 각각의 공정 챔버(40)에서 증착 챔버(44)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 마스크 부착 챔버(42) 또는 마스크 제거 챔버(44)에는 각각 마스크들이 저장되는 마스크 챔버(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 상술한 로딩 챔버(10), 크리닝 챔버(30), 공정 챔버(40), 언로딩 챔버(20) 외에 다른 종류의 챔버들이 더 제공될 수 있다. 1 is a view schematically showing a deposition apparatus 1 according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the deposition apparatus 1 includes a plurality of chambers. The chambers include a loading chamber 10, a cleaning chamber 30, process chambers 40, and an unloading chamber 20, each process chamber 40 having a masked chamber 42, a deposition chamber ( 44, and a mask removal chamber 46. In each process chamber 40, one or more deposition chambers 44 may be provided. Mask attach chamber 42 or mask removal chamber 44 may each be provided with a mask chamber (not shown) in which masks are stored. In addition to the above-described loading chamber 10, cleaning chamber 30, process chamber 40, unloading chamber 20, other types of chambers may be further provided.

일 예에 의하면, 로딩 챔버(10), 크리닝 챔버(30), 공정 챔버(40), 그리고 언로딩 챔버(20)는 순차적으로 일렬로 배치되고, 공정 챔버(40) 내에서 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46)는 동일방향으로 순차적으로 일렬로 배치된다. 공정 챔버(40)의 수는 다양하게 변화될 수 있으며, 예컨대 증착 장치(1)가 유기 전계 발광 소자 제조에 사용되는 장치인 경우, 공정 챔버(40)는 약 20개가 제공될 수 있다. 각각의 챔버에는 내부의 유지 보수 등이 용이하도록 도어(52)가 설치되며, 공정 진행시 챔버 내부가 고진공을 유지하도록 진공펌프(도시되지 않음)가 설치된 배기관(54)이 연결되는 진공포트(도시되지 않음)가 제공된다. 상술한 바와 달리 챔버들의 배열은 다양하게 변화될 수 있다. 예컨대, 장치가 일방향으로 매우 길어지지 않도록 도 2에 도시된 바와 같이 증착 장치(1′)는 'ㄷ'자 형상으로 배열되거나 지그재그 형상으로 배열된 공정 챔버(40)들을 가질 수 있다. According to an example, the loading chamber 10, the cleaning chamber 30, the process chamber 40, and the unloading chamber 20 are sequentially arranged in a row, and the masked chamber 42 in the process chamber 40. ), The deposition chamber 44, and the mask removal chamber 46 are sequentially arranged in the same direction. The number of process chambers 40 may vary. For example, when the deposition apparatus 1 is a device used for manufacturing an organic electroluminescent device, about 20 process chambers 40 may be provided. Each chamber is provided with a door 52 for easy internal maintenance and the like, and a vacuum port (not shown) to which an exhaust pipe 54 in which a vacuum pump (not shown) is installed is installed to maintain a high vacuum inside the chamber during the process. Is not provided). Unlike the above, the arrangement of the chambers may vary. For example, as shown in FIG. 2, the deposition apparatus 1 ′ may have process chambers 40 arranged in a 'c' shape or arranged in a zigzag shape so that the device is not very long in one direction.

증착 공정이 수행될 기판(3)은 로딩 챔버(10)를 통해 장치(1) 내로 유입되고, 증착 공정이 완료된 기판(3)은 언로딩 챔버(20)를 통해 장치(1)로부터 유출된다. 로딩 챔버(10)로 유입된 기판(3)은 크리닝 챔버(30)로 이송된다. 크리닝 챔버(30)는 플라즈마 또는 자외선 등을 사용하여 기판(3)을 세정하는 공정을 수행한다. 크리닝이 완료된 기판(3)은 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46)로 순차적으로 이동된다. 마스크 부착 챔버(42)에서 일정 패턴이 형성된 마스크(4)가 기판(3)에 부착되고, 증착 챔버(44)에서 기판(3) 상에 박막이 증착되며, 마스크 제거 챔버(46)에서 마스크(4)가 기판(3)으로부터 제거된다. 이후, 기판(3)은 다음 공정 챔버(40)로 이동되며, 상술한 마스크 부착, 증착, 마스크 제거 과정이 계속적으로 반복된다. 공정 챔버(40)에 따라 마스크 부착 및 마스크 제거 없이 증착 공정만 수행될 수 있다. 이 경우 공정 챔버(40)에는 마스크 부착 챔버(42) 및 마스크 제거 챔버(46)가 제공되지 않을 수 있다.The substrate 3 on which the deposition process is to be performed is introduced into the apparatus 1 through the loading chamber 10, and the substrate 3 on which the deposition process is completed is discharged from the apparatus 1 through the unloading chamber 20. The substrate 3 introduced into the loading chamber 10 is transferred to the cleaning chamber 30. The cleaning chamber 30 performs a process of cleaning the substrate 3 using plasma or ultraviolet rays. After cleaning, the substrate 3 is sequentially moved to the mask attaching chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removing chamber 46. A mask 4 having a pattern formed in the mask attaching chamber 42 is attached to the substrate 3, a thin film is deposited on the substrate 3 in the deposition chamber 44, and a mask (in the mask removing chamber 46). 4) is removed from the substrate 3. Subsequently, the substrate 3 is moved to the next process chamber 40, and the above process of attaching, depositing, and removing the mask is continuously repeated. According to the process chamber 40, only the deposition process may be performed without attaching the mask and removing the mask. In this case, the mask attaching chamber 42 and the mask removing chamber 46 may not be provided in the process chamber 40.

로딩 챔버(10)와 크리닝 챔버(30) 내 하부, 그리고 언로딩 챔버(20) 내 하부에는 기판 이송 부재(도시되지 않음)가 제공된다. 일 예에 의하면, 기판 이송 부재는 일방향으로 나란히 배치된 복수의 샤프트들, 각각의 샤프트 외주면에 끼워지는 롤러들, 그리고 샤프트들에 회전력을 제공하는 모터와 벨트 등을 가지는 어셈블리일 수 있다. Substrate transfer members (not shown) are provided in the lower portion of the loading chamber 10, the cleaning chamber 30, and the lower portion of the unloading chamber 20. According to an example, the substrate transfer member may be an assembly having a plurality of shafts arranged side by side in one direction, rollers fitted to respective shaft outer circumferential surfaces, and a motor, a belt, and the like that provide rotational force to the shafts.

공정 챔버(40) 내 상부에는 이송 가이드(200)가 제공된다. 이송 가이드(200)는 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46) 내에 각각 설치된다. 이송 가이드(200)에는 기판 이송체(100)가 설치된다. 기판 이송체(100) 는 복수개가 제공되어, 복수의 증착 챔버(44) 각각에서 증착 공정이 수행된다. 기판 이송체(100)는 각각의 구동기(도시되지 않음)에 의해 각각 구동되는 것이 바람직하다. 이송 가이드(200)는 직선으로 이루어지며 2개가 제공된다. 이송 가이드들(200)은 동일 높이에 일정거리 이격되어 서로 나란하게 배치되며, 기판 이송체(100)가 직선 이동되도록 한다. The transfer guide 200 is provided at an upper portion of the process chamber 40. The transfer guide 200 is installed in the mask attach chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removal chamber 46, respectively. The substrate transfer member 100 is installed in the transfer guide 200. A plurality of substrate carriers 100 are provided, and a deposition process is performed in each of the plurality of deposition chambers 44. It is preferable that the board | substrate conveyance body 100 is respectively driven by each driver (not shown). The transfer guide 200 is formed in a straight line and two are provided. The transfer guides 200 are spaced apart at a certain distance from the same height to be parallel to each other, and the substrate transfer member 100 is linearly moved.

기판 이송체(100)는 이송 가이드(200)를 따라 공정 챔버들(40) 내에서 그리고 공정 챔버들(40) 간 이동된다. 기판 이송체(100)는 공정 챔버들(40)간 이동시 그리고 공정 진행시 기판(3)을 지지한다. 기판(3)은 증착면이 아래를 향하도록 기판 이송체(100)의 하면에 부착된다. 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46)의 양 측벽에는 개구(40a)가 형성된다. 개구(40a)는 이송 가이드(200)와 동일 높이에 형성되며, 기판 이송체(100)는 개구(40a)를 통해 챔버들간 이동된다. The substrate carrier 100 is moved within the process chambers 40 and between the process chambers 40 along the transfer guide 200. The substrate carrier 100 supports the substrate 3 during the movement between the process chambers 40 and during the process. The substrate 3 is attached to the lower surface of the substrate carrier 100 so that the deposition surface faces downward. Openings 40a are formed in both sidewalls of the mask attachment chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removal chamber 46. The opening 40a is formed at the same height as the transfer guide 200, and the substrate transfer member 100 is moved between the chambers through the opening 40a.

가장 앞쪽에 위치되는 공정 챔버(40)와 크리닝 챔버(30) 사이에는 척킹 챔버(도시되지 않음)가 배치되고, 가장 뒤쪽에 위치되는 공정 챔버(40)와 언로딩 챔버(20) 사이에는 언척킹 챔버(도시되지 않음)가 배치될 수 있다. 척킹 챔버와 언척킹 챔버 내에는 로딩 챔버(10) 등과 동일한 기판 이송 부재가 제공될 수 있다. 척킹 챔버에서는 기판 이송 부재로부터 기판 이송체(100)로 기판(3)을 인계하는 척킹 공정이 수행되고, 언척킹 챔버에서는 기판 이송체(100)로부터 기판 이송 부재로 기판(3)을 인계하는 언척킹 공정이 수행된다. 선택적으로 척킹 공정은 로딩 챔버(10)나 크리닝 챔버(30) 등에서 수행되고, 언척킹 공정은 언로딩 챔버(20) 등에서 수행될 수 있다. 선택적으로 척킹 챔버는 로딩 챔버(10)와 크리닝 챔버(30) 사이에 위치되어, 기판이 기판 이송체(100)에 고정된 상태에서 크리닝 공정이 수행될 수 있다.A chucking chamber (not shown) is disposed between the frontmost process chamber 40 and the cleaning chamber 30 and an unchucking between the rearmost process chamber 40 and the unloading chamber 20. Chambers (not shown) may be disposed. In the chucking chamber and the unchucking chamber, the same substrate transfer member as the loading chamber 10 may be provided. In the chucking chamber, a chucking process of taking over the substrate 3 from the substrate transfer member to the substrate transfer member 100 is performed. In the unchucking chamber, the chucking process of taking over the substrate 3 from the substrate transfer member 100 to the substrate transfer member is performed. The chucking process is performed. Optionally, the chucking process may be performed in the loading chamber 10, the cleaning chamber 30, or the like, and the unchucking process may be performed in the unloading chamber 20. Optionally, the chucking chamber is positioned between the loading chamber 10 and the cleaning chamber 30 so that the cleaning process may be performed while the substrate is fixed to the substrate carrier 100.

도 3은 기판 이송체(100)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 기판 이송체(100)의 하면에는 기판(3)의 부착(sticking)이 용이하도록 접착층(120)이 형성된다. 기판 이송체(100)는 상하방향으로 관통된 홀들(102)이 형성된다. 홀들(102)에는 분리 로드(160)가 상하로 이동 가능하게 삽입된다. 기판 이송체(100)로부터 기판(3)의 분리가 용이하도록 접착층(120)의 접착력은 강하지 않은 것이 바람직하다. 상술한 바와 달리 기판 이송체(100)는 클램프(도시되지 않음) 등과 같은 기구적인 구조, 또는 접착층과 기구적인 구조의 조합에 의해 기판(3)을 고정할 수 있다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating the substrate carrier 100. An adhesive layer 120 is formed on the bottom surface of the substrate carrier 100 to facilitate sticking of the substrate 3. The substrate carrier 100 has holes 102 penetrated in the vertical direction. The separation rod 160 is inserted into the holes 102 to be movable up and down. It is preferable that the adhesive force of the adhesive layer 120 is not strong so that the substrate 3 is easily separated from the substrate carrier 100. Unlike the above, the substrate carrier 100 may fix the substrate 3 by a mechanical structure such as a clamp (not shown) or a combination of an adhesive layer and a mechanical structure.

척킹 챔버 및 언척킹 챔버에는 기판(3)을 지지하고 상하로 이동 가능한 승강기(도시되지 않음)가 제공된다. 척킹 챔버에서 기판(3)이 승강기 상부에 놓여지면, 승강기는 기설정된 위치까지 상승하고, 기판(3)이 기판 이송체(100)의 하면에 부착된다. 기판(3)이 정위치에서 기판 이송체(100)에 부착될 수 있도록, 기판(3)의 위치를 정렬하는 과정이 수행될 수 있다. 언척킹 챔버에서는 승강기가 기판 이송체(100)의 아래에 일정거리 이격된 위치까지 승강된다. 기판 이송체(100) 내에서 분리 로드(160)가 아래로 이동되어, 기판(3)을 밀어준다. 기판(3)은 기판 이송체(100)로부터 분리되어 승강기 상에 놓인다. 상술한 바와 달리 척킹 챔버 및 언척킹 챔버에서 기판 이송체(100)가 아래로 이동되어 승강기로부터/로 기판(3)을 척킹/언척킹 할 수 있다.The chucking chamber and the unchucking chamber are provided with an elevator (not shown) that supports the substrate 3 and is movable up and down. When the substrate 3 is placed above the elevator in the chucking chamber, the elevator rises to a predetermined position, and the substrate 3 is attached to the lower surface of the substrate carrier 100. The process of aligning the position of the substrate 3 may be performed so that the substrate 3 may be attached to the substrate transfer body 100 at the correct position. In the unchucking chamber, the elevator is lifted to a position spaced a predetermined distance below the substrate carrier 100. The separation rod 160 is moved downward in the substrate carrier 100 to push the substrate 3. The substrate 3 is separated from the substrate carrier 100 and placed on an elevator. Unlike the above, in the chucking chamber and the unchucking chamber, the substrate carrier 100 may be moved downward to chuck / unchuck the substrate 3 from / to the elevator.

도 4를 참조하면, 마스크 부착 챔버(42) 및 마스크 제거 챔버(46) 내에는 각 각 마스크 이동기(300)가 제공된다. 마스크 이동기(300)는 상하로 이동가능하며, 마스크(4)는 마스크 이동기(300) 상에 놓인다. 마스크(4)는 기판(3)에 증착이 이루어지는 영역을 특정하기 위해 일정 패턴을 가진다. 마스크 부착 챔버(42)에서 마스크 이동기(300)가 기설정된 높이까지 이동되면, 기판 이송체(100)에 제공된 클램프(도시되지 않음)에 의해 마스크(4)는 기판 이송체(100)에 결합된다. 마스크(4)가 기판 이송체(100)에 결합되기 전, 기판(3)과 마스크(4)의 정렬이 이루어진다. 기판 이송체(100) 내에는 자석(140)이 제공되고, 마스크(4)는 금속 재질로 이루어져, 기판 이송체(100)에 결합된 마스크(4)의 일부 영역이 아래로 처지는 것을 방지한다. 자석(140)은 영구자석이 사용되는 것이 바람직하다. 마스크 제거 챔버(46)에서는 마스크 이동기(300)가 기설정된 높이까지 이동되면, 클램프가 풀어지고, 마스크(4)는 기판 이송체(100)로부터 분리되어 마스크 이동기(300) 상에 놓여진다. 상술한 마스크(4)의 결합 및 마스크(4)의 제거를 위한 구조 및 방법은 일 예에 불과한 것으로, 이와는 다른 다양한 구조 및 방법이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 4, a mask mover 300 is provided in the mask attach chamber 42 and the mask remove chamber 46, respectively. The mask mover 300 is movable up and down, and the mask 4 is placed on the mask mover 300. The mask 4 has a certain pattern to specify the region where the deposition is carried out on the substrate 3. When the mask mover 300 is moved to a predetermined height in the masking chamber 42, the mask 4 is coupled to the substrate carrier 100 by a clamp (not shown) provided in the substrate carrier 100. . Before the mask 4 is coupled to the substrate carrier 100, the substrate 3 and the mask 4 are aligned. A magnet 140 is provided in the substrate carrier 100, and the mask 4 is made of a metal material to prevent a portion of the mask 4 coupled to the substrate carrier 100 from sagging downward. Magnet 140 is preferably a permanent magnet is used. In the mask removal chamber 46, when the mask mover 300 is moved to a predetermined height, the clamp is released, and the mask 4 is separated from the substrate carrier 100 and placed on the mask mover 300. The above-described structure and method for combining the mask 4 and removing the mask 4 are just examples, and various other structures and methods may be used.

마스크(4)가 부착된 기판(3)은 증착 챔버(44)로 이송되어 증착 공정이 수행된다. 도 5는 증착 챔버(44) 및 증착물질 공급챔버(48)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 증착 챔버(44)의 하부면에는 증착물질 공급챔버(48)가 제공된다. 증착물질 공급챔버(48)는 증착 챔버(44)와 일체로 제조될 수 있으며, 선택적으로 증착물질 공급챔버(48)는 증착 챔버(44)와 별도로 제조된 후 증착 챔버(44)에 결합될 수 있다. 또한, 증착물질 공급챔버(48) 내에는 증착물질 공급부재(46)가 제공된다. 증착물질 공급부재(46)는 공급용기(520)와 가열부재(540)를 가진 다. 공급용기(520)는 증착하고자 하는 물질을 수용하며 상부가 개방된 공간을 가진다. 가열부재(540)는 증착물질로부터 플룸(flume)이 발생되도록 공급용기(520)를 가열하여 증착물질에 열을 제공한다. The substrate 3 to which the mask 4 is attached is transferred to the deposition chamber 44 to perform a deposition process. 5 is a cross-sectional view schematically showing the deposition chamber 44 and the deposition material supply chamber 48. Referring to FIG. 5, a deposition material supply chamber 48 is provided on the bottom surface of the deposition chamber 44. The deposition material supply chamber 48 may be manufactured integrally with the deposition chamber 44, and optionally the deposition material supply chamber 48 may be manufactured separately from the deposition chamber 44 and then coupled to the deposition chamber 44. have. In addition, a deposition material supply member 46 is provided in the deposition material supply chamber 48. The deposition material supply member 46 has a supply container 520 and a heating member 540. The supply container 520 accommodates the material to be deposited and has an open top space. The heating member 540 provides heat to the deposition material by heating the supply container 520 so that a plume is generated from the deposition material.

증착물질 공급챔버(48)에는 진공펌프가 설치된 배관이 연결되는 진공포트(도시되지 않음)가 제공되고, 전방에는 내부의 유지보수가 용이하고 공급용기(520)에 증착물질을 공급할 수 있도록 도어(도 1의 56)가 제공된다. 가열부재(540)로는 코일 형상의 열선이 사용될 수 있으며, 가열부재(540)는 공급용기(520)의 측벽 내에 배치되거나 공급용기(520)의 측벽을 감싸도록 배치될 수 있다. 이와 달리 가열부재(540) 대신 공급용기(520)로 레이저를 조사하는 레이저 조사 부재(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 상술한 예에서는 증착 챔버(44)와 증착물질 공급챔버(48)가 각각 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 증착물질 공급챔버(48)는 제공되지 않고, 증착물질 공급부재(46)는 증착 챔버(44) 내에 배치될 수 있다.The deposition material supply chamber 48 is provided with a vacuum port (not shown) to which a pipe in which a vacuum pump is installed is connected, and a front door for supplying deposition material to the supply container 520 is easy to maintain inside. 56 of FIG. 1 is provided. As the heating member 540, a coil-shaped heating wire may be used, and the heating member 540 may be disposed within the sidewall of the supply container 520 or to surround the sidewall of the supply container 520. Alternatively, a laser irradiation member (not shown) for irradiating a laser to the supply container 520 may be used instead of the heating member 540. In the above-described example, the deposition chamber 44 and the deposition material supply chamber 48 are respectively provided. Alternatively, the deposition material supply chamber 48 may not be provided, and the deposition material supply member 46 may be disposed in the deposition chamber 44.

공정이 수행되는 기판(3)이 소형 기판인 경우, 기판 이송체(100)가 증착물질 공급챔버(48)와 대향되는 위치에 고정된 상태에서 증착 공정이 이루어진다. 그러나 공정이 수행되는 기판(3)이 대형 기판인 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 기판 이송체(100)가 이송 가이드(200)를 따라 이동하면서 소정영역씩 증착공정이 수행된다. 기판 이송체(100)가 계속적으로 일정속도로 이동되면서 증착공정을 수행할 수 있으며, 기판 이송체(100)가 일정 시간 정지하면서 이동되어 증착공정을 수행할 수 있다. 증착 공정이 수행되는 동안, 기판 이송체(100)는 증착 챔버(44) 내에서 왕복이동될 수 있다. 이와 달리 공급용기(520)가 이동되면서 증착이 이루어질 수 있다. 그러나 이 경우 설비의 구성이 복잡해지므로, 기판 이송체(100)가 이송 가이드(200)를 따라 이동되면서 증착 공정이 수행되는 것이 바람직하다. When the substrate 3 on which the process is performed is a small substrate, the deposition process is performed while the substrate carrier 100 is fixed at a position opposite to the deposition material supply chamber 48. However, when the substrate 3 on which the process is performed is a large substrate, as illustrated in FIG. 6, the deposition process is performed by predetermined regions while the substrate carrier 100 moves along the transfer guide 200. The substrate carrier 100 may be continuously moved at a constant speed to perform the deposition process, and the substrate carrier 100 may be moved while stopping for a predetermined time to perform the deposition process. During the deposition process, the substrate carrier 100 may be reciprocated in the deposition chamber 44. Unlike this, deposition may be performed while the supply container 520 is moved. However, in this case, since the configuration of the facility becomes complicated, it is preferable that the deposition process is performed while the substrate carrier 100 is moved along the transfer guide 200.

또한, 기판(3)의 이송이 이루어지는 챔버와 공정이 수행되는 챔버가 각각 제공될 수 있다. 그러나 이 경우 챔버 크기가 대형화되고, 공정 수행을 위해 기판(3)이 별도의 챔버로 이송되는 과정이 필요하여 공정에 소요되는 시간이 증가되며, 대형 기판의 경우 공정 진행 중 기판(3)의 전체 영역에 증착이 이루어지도록 기판(3)을 이동시키는 구조를 제공하기가 어렵다.In addition, a chamber in which the transfer of the substrate 3 is performed and a chamber in which the process is performed may be provided, respectively. However, in this case, the size of the chamber is increased, and the time required for the process is increased because the process of transferring the substrate 3 to a separate chamber is required to perform the process. It is difficult to provide a structure for moving the substrate 3 so that deposition takes place in the region.

또한, 공정 챔버(40)는 공급용기(520)의 상부 또는 증착물질 공급챔버(48)의 개구를 개폐하는 덮개(620)를 가진다. 덮개(620)는 증착 공정이 진행되지 않는 동안(증착물질 공급챔버(48)의 상부에 기판(3)이 위치되지 않은 경우) 증착물질로부터 발생된 플룸이 증착 챔버(44) 내로 유입되는 것을 방지한다. 플룸이 증착 챔버(44) 내로 유입되는 경우, 이송 가이드(200) 또는 증착 챔버(44) 내에 설치된 구조물에 증착이 이루어지며, 이들은 후에 파티클로서 작용된다. The process chamber 40 also has a lid 620 that opens or closes the top of the supply vessel 520 or the opening of the deposition material supply chamber 48. The lid 620 prevents the plume generated from the deposition material from entering the deposition chamber 44 while the deposition process is not in progress (when the substrate 3 is not positioned above the deposition material supply chamber 48). do. When the plume enters the deposition chamber 44, deposition takes place in the transfer guide 200 or in the structure installed in the deposition chamber 44, which later act as particles.

증착공정 수행시 증착 물질로부터 발생된 플룸이 기판(3)으로부터 벗어나 기판(3) 상부로 이동되면 플룸이 기판 이송체(100) 또는 다른 구조물에 증착된다. 또한, 플룸이 증착 챔버(44) 내 넓은 영역으로 퍼지면 증착 챔버(44)의 측벽에 형성된 개구(40a)를 통해 이와 인접한 마스크 부착 챔버(42) 또는 마스크 제거 챔버(46) 내로 유입되어 그 챔버들(42, 46)을 오염시킨다. 이를 방지하기 위해 증착 챔버(44) 내에서 기판 이송체(100)에 부착된 기판(3)보다 낮은 위치에 차단판(640)이 제공된다. 차단판(640)은 증착물질 공급챔버(48)의 개구(502)와 대향되는 위치에 일정크기의 개구(642)를 가진다. 플룸은 개구(642)를 통해서 증착 챔버(44) 내 상부로 공급되므로, 증착물질로부터 발생된 플룸이 도달되는 영역은 기판(3) 상의 일정영역으로만 제한된다. When the plume generated from the deposition material is moved out of the substrate 3 and moved over the substrate 3 during the deposition process, the plum is deposited on the substrate carrier 100 or another structure. In addition, when the plume spreads to a large area in the deposition chamber 44, the plume flows into the mask attaching chamber 42 or the mask removing chamber 46 adjacent thereto through the opening 40a formed in the sidewall of the deposition chamber 44. (42, 46). To prevent this, the blocking plate 640 is provided at a position lower than the substrate 3 attached to the substrate carrier 100 in the deposition chamber 44. The blocking plate 640 has an opening 642 of a predetermined size at a position opposite to the opening 502 of the deposition material supply chamber 48. Since the plume is supplied to the upper portion of the deposition chamber 44 through the opening 642, the area where the plume generated from the deposition material is reached is limited to only a certain area on the substrate 3.

증착 공정 진행시 공정 챔버(40) 내부는 고진공으로 유지한다. 종종 챔버들 중 어느 하나에 이상이 발생되는 경우 챔버 내부를 보수하여야 할 필요가 있다. 보수는 챔부 내부가 상압으로 유지된 상태에서 이루어진다. 챔버들 내부가 개구를 통해 연통되어 있으므로, 어느 하나의 챔버에서 보수가 이루어질 때 모든 챔버 내의 압력이 상압으로 변화된다. 보수가 완료된 이후 공정을 시작하기 전에 모든 챔버 내부를 다시 진공으로 유지하여야 하므로 많은 시간이 소요된다. 이를 방지하기 위해 본 발명의 장치(1)는 도 7에 도시된 바와 같이 각각의 공정챔버들간 경계벽에 형성된 개구(40a)를 개폐하는 게이트 밸브(700)를 가진다. During the deposition process, the process chamber 40 is maintained at a high vacuum. Often, when an abnormality occurs in any one of the chambers, it is necessary to repair the inside of the chamber. Repair is carried out with the chamber inside maintained at normal pressure. Since the interior of the chambers is communicated through the opening, the pressure in all chambers changes to atmospheric pressure when maintenance is made in either chamber. After the maintenance is completed, it takes a lot of time because all the chamber interior must be kept in vacuum again before starting the process. To prevent this, the apparatus 1 of the present invention has a gate valve 700 for opening and closing the opening 40a formed in the boundary wall between the respective process chambers as shown in FIG.

상술한 구조를 가지는 본 발명에 의하면, 어느 하나의 공정 챔버 내부를 보수할 필요가 있을 때, 보수가 필요한 공정 챔버의 양측벽에 제공된 게이트 밸브(700)를 닫아 보수가 필요한 공정 챔버의 내부가 다른 공정 챔버로부터 격리되도록 한다. 도 8은 어느 하나의 공정챔버가 유지 보수되는 동안 모든 공정챔버 내 압력 상태를 보여주는 도면이다. 도 8에서 각 공정챔버 내에 배치된 구성요소들은 생략되었다. 도 8에 도시된 바와 같이, 특정 공정챔버의 보수시, 보수가 필요한 공정 챔버의 양측에 배치된 게이트 밸브(700)를 닫든 후 도어(52)를 개방한다. 따라서 보수가 필요한 공정챔버는 상압으로 변화되고, 다른 공정 챔버들은 진공으로 유지된다. 보수가 완료되면, 도어(52)를 닫고 보수가 이루어진 공정챔버 내부를 진공으 로 유지한다. According to the present invention having the above-described structure, when the interior of one of the process chambers needs to be repaired, the interior of the process chamber requiring repair is closed by closing the gate valve 700 provided on both side walls of the process chamber in need of repair. Isolate from the process chamber. FIG. 8 is a view showing pressure states in all process chambers during which one process chamber is maintained. In FIG. 8, components disposed in each process chamber are omitted. As shown in FIG. 8, in the maintenance of a specific process chamber, the door 52 is opened after closing the gate valve 700 disposed at both sides of the process chamber in need of repair. Therefore, the process chamber requiring maintenance is changed to atmospheric pressure, and the other process chambers are kept in vacuum. When the repair is completed, close the door 52 and maintain the vacuum inside the process chamber in which the repair was made.

상술한 구조로 인해 공정챔버 내부를 진공으로 유지하는 데 소요되는 시간이 단축되며, 결과적으로 설비 가동률이 향상된다. 상술한 예에서는 게이트 밸브(700)가 공정챔버들(40)간 경계벽에 형성된 개구(40a)에만 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 게이트 밸브(700)는 각각의 공정 챔버들 내 경계벽(예컨대, 마스크 부착 챔버(42)와 증착 챔버(44) 간 경계벽, 및 증착 챔버(44)와 마스크 제거 챔버(46) 간 경계벽)에 형성된 개구들(40a)에 제공될 수 있다.Due to the above-described structure, the time required to maintain the vacuum inside the process chamber is shortened, and as a result, the facility utilization rate is improved. In the above-described example, the gate valve 700 has been described as being provided only in the opening 40a formed in the boundary wall between the process chambers 40. However, the gate valve 700 is different from the boundary wall (for example, a mask) in each process chamber. Openings 40a formed in the boundary wall between the deposition chamber 42 and the deposition chamber 44, and the boundary wall between the deposition chamber 44 and the mask removal chamber 46.

공정이 완료된 기판이 기판 이송체(100)로부터 분리되면, 기판 이송체(100)는 다시 처음 위치로 회송된다. 기판 이송체(100)는 회송 가이드(400)를 따라 기판의 부착이 이루어지는 챔버로 회송된다. 공정 챔버(40)들간 경계벽에 제공되는 개구(40a)의 크기를 줄여 고가의 게이트 밸브(700)의 크기를 줄일 수 있도록 회송 가이드(400)는 증착 챔버(40)의 외부에 제공된다. 일 예에 의하면, 회송 가이드(400)는 증착 챔버(40)의 상부에 배치될 수 있다.When the substrate having been processed is separated from the substrate carrier 100, the substrate carrier 100 is returned to the initial position. The substrate transfer member 100 is returned to the chamber where the substrate is attached along the return guide 400. The return guide 400 is provided outside the deposition chamber 40 to reduce the size of the expensive gate valve 700 by reducing the size of the opening 40a provided in the boundary wall between the process chambers 40. According to one example, the return guide 400 may be disposed above the deposition chamber 40.

도 7에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(40) 내에는 마스크(4)를 마스크 제거 챔버(46)로부터 마스크 부착 챔버(42)로 회송하는 마스크 회송체(900)가 제공된다. 마스크 회송체(900)는 이송 가이드(200)를 따라 이동된다. 마스크 회송체(900)가 이송 가이드(200)를 따라 이동되는 동안 공정 챔버(44)로 진입하는 기판 이송체(100)와 충돌할 수 있다. 마스크 회송체(900)와 기판 이송체(100)의 충돌을 방지하기 위해 증착 챔버(44) 내에는 마스크 회송체(900)가 일시적으로 머무를 수 있는 버퍼 공간(800)이 제공된다. 버퍼 공간(800)은 마스크 회송체(900)의 이동이 용이 하도록 증착 챔버(44) 내 상부에 제공되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 7, a mask returning body 900 is provided within the process chamber 40 to return the mask 4 from the mask removal chamber 46 to the mask attach chamber 42. The mask returning body 900 is moved along the conveyance guide 200. The mask carrier 900 may collide with the substrate carrier 100 entering the process chamber 44 while the mask carrier 900 is moved along the transfer guide 200. In order to prevent a collision between the mask carrier 900 and the substrate carrier 100, a buffer space 800 may be provided in the deposition chamber 44 in which the mask carrier 900 may temporarily stay. The buffer space 800 is preferably provided above the deposition chamber 44 to facilitate the movement of the mask carrier 900.

마스크 회송체(900)가 이동시 기판 이송체(100)와 충돌 가능성이 있는 경우, 마스크 회송체(900)는 증착 챔버(44)에서 마스크 부착 챔버(42)로 이동되지 않고 버퍼 공간(800)으로 승강한다. 증착 챔버(44) 내에서 기판 이송체(100)에 부착된 기판(3) 상에 막질의 증착이 완료되어 기판 이송체(100)가 증착 챔버(44)를 벗어나면, 마스크 회송체(900)는 다시 이송 가이드(200)에 장착되어 마스크 부착 챔버(42)로 이동된다. When the mask carrier 900 is likely to collide with the substrate carrier 100 when moved, the mask carrier 900 is not moved from the deposition chamber 44 to the mask attach chamber 42 to the buffer space 800. Go up and down. When the deposition of the film quality on the substrate 3 attached to the substrate carrier 100 in the deposition chamber 44 is completed and the substrate carrier 100 leaves the deposition chamber 44, the mask carrier 900 is applied. Is mounted on the transfer guide 200 and moved to the mask attaching chamber 42.

마스크 회송체(900)는 기판 이송체(100)와 유사한 구조를 가질 수 있다. 마스크 회송체(900)는 자력이나 기계적인 클램프 중 어느 하나, 또는 이들 모두에 의해 마스크를 부착하는 구조를 가질 수 있다. 비록 도시되지는 않았으나, 마스크 회송체(900)는 이송 가이드(200)와 버퍼 공간(800) 간 상하 이동 가능한 구조를 가진다. 예컨대, 마스크 회송체(900)에는 대상물을 승하강시키기 위해 일반적으로 제공되는 실린더(960)와 같은 이송 수단(도시되지 않음)이 결합된다.The mask carrier 900 may have a structure similar to that of the substrate carrier 100. The mask returning body 900 may have a structure in which a mask is attached by either magnetic force or mechanical clamp, or both. Although not shown, the mask carrier 900 has a structure capable of vertically moving between the transfer guide 200 and the buffer space 800. For example, the mask returning body 900 is coupled to a conveying means (not shown), such as a cylinder 960 which is generally provided for raising and lowering an object.

기판 이송체(100)와 마스크 회송체(900)의 충돌을 방지하기 위해 기판 이송체(100)들의 위치를 감지하는 감지 센서(도시되지 않음)가 제공되고, 감지 센서에 의해 감지된 신호는 마스크 회송체(900)의 이동을 제어하는 제어부(도시되지 않음)로 전송될 수 있다. 선택적으로 기판 이송체(100) 및 마스크 회송체(900)가 충돌되지 않도록, 기판 이송체(100)의 이동 간격, 마스크 회송체(900)의 이동 간격, 마스크 회송체(900)가 버퍼 공간(800)으로 이동되는 시기, 마스크 회송체(900)가 버퍼 공간(800) 내에 머무르는 시기 등이 시행 착오 또는 계산식에 의해 기판 이동체 (100) 또는 마스크 회송체(200)의 이동을 제어하는 제어기(도시되지 않음)의 제어 프로그램 내에 저장될 수 있다. In order to prevent a collision between the substrate carrier 100 and the mask carrier 900, a sensing sensor (not shown) for sensing the position of the substrate carriers 100 is provided, and a signal sensed by the sensing sensor is a mask. It may be transmitted to a control unit (not shown) for controlling the movement of the transport body 900. In order to prevent the substrate carrier 100 and the mask carrier 900 from colliding with each other, the movement interval of the substrate carrier 100, the movement interval of the mask carrier 900, and the mask carrier 900 may include a buffer space ( A controller for controlling the movement of the substrate moving body 100 or the mask returning body 200 by trial and error or by a calculation formula, such as the timing of moving to the 800 and the time when the mask returning body 900 stays in the buffer space 800. Can be stored in a control program.

마스크의 회송을 완료한 마스크 회송체(900)는 상술한 버퍼 공간(800)에서 대기할 수 있다. 도 9에 도시된 증착 챔버(1a)와 같이 마스크 회송체(900)의 대기 공간 또는 충돌 방지를 위해 일시적으로 머무르는 공간이 복수개 제공되도록 버퍼 공간(800)은 증착 챔버(44) 외에 마스크 부착 챔버(46) 또는 마스크 제거 챔버(42)에도 제공될 수 있다. The mask carrier 900 having completed the return of the mask may wait in the buffer space 800 described above. In addition to the deposition chamber 44, the buffer space 800 may include a chamber with a mask in addition to the deposition chamber 44 such that a plurality of spaces temporarily staying in order to prevent an air space or a collision of the mask returning body 900, such as the deposition chamber 1a illustrated in FIG. 9. 46 or the mask removal chamber 42.

선택적으로 도 10와 같은 구조의 증착 장치(1b)가 사용될 수 있다. 공정 챔버(40) 내 이송 가이드(200)의 상부에 회송 가이드(400)가 제공되고, 기판 이송체(200)가 각 공정챔버(40)들 내부를 따라 회송되는 동안, 각각의 마스크 제거 챔버(46)로부터 마스크 부착 챔버(42)로 마스크를 회송시킬 수 있다. Alternatively, a deposition apparatus 1b having a structure as shown in FIG. 10 may be used. The return guide 400 is provided on the upper portion of the transfer guide 200 in the process chamber 40, and each mask removal chamber (while the substrate carrier 200 is returned along the inside of each process chamber 40). The mask can be returned from the chamber 46 to the masking chamber 42.

도 10의 증착 장치 사용시 각 공정 챔버들(40)간 경계벽에 제공된 개구(40a)의 크기는 증가되고, 이와 함께 상기 개구(40a)를 개폐하는 게이트 밸브(700)의 크기 또한 증가된다. 게이트 밸브(700)는 매우 고가이므로 상술한 구조의 장치는 많은 비용을 요구한다. When the deposition apparatus of FIG. 10 is used, the size of the opening 40a provided in the boundary wall between the process chambers 40 increases, and the size of the gate valve 700 opening and closing the opening 40a also increases. Since the gate valve 700 is very expensive, the device of the above-described structure is expensive.

도 7에 도시된 증착 장치(1)에 의하면, 마스크 회송체(900)가 이송 가이드를 따라 이동되므로 마스크 회송체(900)의 이동을 안내하기 위한 가이드가 별도로 제공될 필요가 없다. 또한, 도 7에 도시된 증착 장치(1)에 의하면 공정 챔버(40)에서 사용된 마스크(4)가 공정 챔버(40) 내에서만 이동되므로 도 10에 도시된 증착 장치(1b)에 비해 공정 챔버들(40)간 경계벽에 형성되는 개구(40a)의 크기가 작아지므로 개구(40a) 개폐에 사용되는 고가의 게이트 밸브(700)의 크기가 작아진다.According to the deposition apparatus 1 shown in FIG. 7, since the mask carrier 900 moves along the transfer guide, a guide for guiding the movement of the mask carrier 900 does not need to be separately provided. In addition, according to the deposition apparatus 1 shown in FIG. 7, the mask 4 used in the process chamber 40 is moved only in the process chamber 40, compared to the deposition apparatus 1b shown in FIG. 10. Since the size of the opening 40a formed in the boundary wall between the fields 40 becomes small, the size of the expensive gate valve 700 used for opening / closing the opening 40a becomes small.

도 11 내지 도 13은 마스크(4)가 회수되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 처음에 마스크 제거 챔버(46)에서 마스크 회송체(900)에 마스크(4)가 부착되고, 마스크 회송체(900)는 이송 가이드(200)를 따라 증착 챔버(44)를 향해 이동된다(도 11 참조). 마스크 회수가 이루어지는 동안 마스크 회송체(900)와 기판 이송체(100)가 충돌할 가능성이 없는 경우 마스크 회송체(900)는 마스크(4)를 마스크 부착 챔버(42)로 회송한 후 버퍼 공간(800) 또는 마스크 제거 챔버(46)로 이동한다. 그러나 마스크 회송체(900)가 마스크 부착 챔버(42)에 도달하기 전에, 기판 이송체(100)와 충돌 가능성이 있는 경우에는 마스크 회송체(900)는 증착 챔버(44) 내에 제공된 버퍼 공간(800)으로 이동된다(도 12참조). 증착 챔버(44) 내에서 기판 이송체(100)에 부착된 기판에 대해 증착 공정이 수행된다. 증착 공정이 완료되어 기판 이송체(100)가 마스크 제거 챔버(46)로 이송되면, 마스크 회송체(900)는 다시 이송 가이드(200)에 장착되어 마스크 부착 챔버(42)로 이동된다(도 13참조). 이후 마스크 회송체(900)는 버퍼 공간(800) 또는 마스크 제거 챔버(46)로 이동되어 상술한 과정을 반복한다. 11 to 13 are views sequentially illustrating a process of recovering the mask 4. The mask 4 is initially attached to the mask carrier 900 in the mask removal chamber 46, and the mask carrier 900 is moved along the transfer guide 200 toward the deposition chamber 44 (FIG. 11). Reference). When there is no possibility that the mask carrier 900 and the substrate carrier 100 collide with each other during the mask recovery, the mask carrier 900 returns the buffer 4 to the chamber 42 with the mask. 800 or mask removal chamber 46. However, before the mask returning body 900 reaches the mask attaching chamber 42, if there is a possibility of collision with the substrate conveying body 100, the mask returning body 900 is provided with a buffer space 800 provided in the deposition chamber 44. (See Fig. 12). The deposition process is performed on the substrate attached to the substrate carrier 100 in the deposition chamber 44. After the deposition process is completed and the substrate carrier 100 is transferred to the mask removal chamber 46, the mask carrier 900 is mounted on the transfer guide 200 again and moved to the mask attach chamber 42 (FIG. 13). Reference). Thereafter, the mask carrier 900 is moved to the buffer space 800 or the mask removal chamber 46 to repeat the above-described process.

본 발명에 의하면, 기판을 지지하는 이송체의 이동을 안내하는 이송 가이드가 증착 공정이 수행되는 증착 챔버 내에 제공되므로 설비 면적이 작고, 기판 이송체가 이송 가이드에 장착되어 증착 챔버 내에서 이동되는 도중에 기판의 증착이 이루어지므로 공정이 빠르게 진행된다.According to the present invention, since the transfer guide for guiding the movement of the carrier supporting the substrate is provided in the deposition chamber in which the deposition process is performed, the equipment area is small, and the substrate carrier is mounted on the transfer guide to move the substrate in the deposition chamber. The deposition proceeds quickly because of the deposition.

또한, 본 발명에 의하면, 각 공정챔버들간 경계벽에 형성된 개구에는 게이트 밸브가 제공되므로, 하나의 공정 챔버의 유지보수가 이루어지는 동안 다른 공정 챔버들 내부는 계속적으로 진공으로 유지할 수 있다. 따라서 유지보수 완료 후 공정을 계속적으로 진행시 챔버들 내부를 진공으로 유지하는 데 소요되는 시간을 단축할 수 있으므로 설비가동률이 증가된다.In addition, according to the present invention, since the gate valve is provided in the opening formed in the boundary wall between the respective process chambers, the inside of the other process chambers can be continuously maintained in a vacuum while maintenance of one process chamber is performed. Therefore, since the time required to maintain the interior of the chamber in a vacuum when the process continues after the maintenance is completed, the equipment utilization rate is increased.

또한, 본 발명에 의하면, 각각의 공정 챔버에서 마스크의 회수는 다른 공정 챔버와는 독립적으로 이루어진다. 따라서 마스크 회송체가 게이트 밸브가 설치된 개구를 통해 이동될 필요가 없으므로, 고가의 게이트 밸브의 크기를 줄일 수 있다.Further, according to the present invention, the recovery of the mask in each process chamber is made independently of the other process chambers. Therefore, since the mask return body does not need to be moved through the opening provided with the gate valve, the size of the expensive gate valve can be reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 마스크 회송체와 기판 이송체는 동일한 이송 가이드를 따라 이동되고, 증착 챔버 내에 버퍼 공간을 제공함으로써 기판 이송체와 마스크 회송체의 충돌을 방지할 수 있으므로, 설비 구조를 단순화 할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, the mask conveying body and the substrate conveying body are moved along the same conveying guide, and the collision of the substrate conveying body and the mask conveying body can be prevented by providing a buffer space in the deposition chamber, thereby simplifying the installation structure. It can work.

Claims (9)

기판에 마스크를 부착하는 공정이 수행되는 마스크 부착 챔버, 증착 공정이 수행되는 적어도 하나의 증착 챔버, 그리고 상기 기판으로부터 마스크를 제거하는 공정이 수행되는 마스크 제거 챔버를 가지는 복수의 공정 챔버들과;A plurality of process chambers including a mask attaching chamber in which a process of attaching a mask to a substrate is performed, at least one deposition chamber in which a deposition process is performed, and a mask removing chamber in which a process of removing a mask from the substrate is performed; 상기 마스크 부착 챔버, 상기 증착 챔버, 그리고 상기 마스크 제거 챔버 내 각각에 제공되는 이송 가이드와; A transfer guide provided in each of the mask attachment chamber, the deposition chamber, and the mask removal chamber; 상기 이송 가이드를 따라 상기 공정 챔버들간 경계벽에 제공된 개구를 통해 상기 공정챔버들 간 기판을 이송하고, 그리고 공정이 진행되는 동안 기판을 지지하는 적어도 하나의 기판 이송체와; 그리고At least one substrate transfer member for transferring the substrate between the process chambers through an opening provided in the boundary wall between the process chambers along the transfer guide, and supporting the substrate during the process; And 상기 이송 가이드를 따라 상기 마스크 제거 챔버로부터 상기 마스크 부착 챔버로 마스크를 회수하는 마스크 회송체를 포함하되,A mask returning body for recovering a mask from the mask removal chamber to the mask attachment chamber along the transfer guide; 상기 증착 챔버 내에는 상기 마스크 회송체가 일시적으로 머무를 수 있는 버퍼 공간이 제공되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And a buffer space in which the mask carrier is to temporarily stay is provided in the deposition chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼 공간은 상기 증착 챔버 내 상기 이송 가이드의 상부에 제공되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the buffer space is provided on top of the transfer guide in the deposition chamber. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 장치는 상기 공정챔버들간 경계벽에 제공되는 개구를 개폐하는 게이트 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The apparatus further comprises a gate valve for opening and closing the opening provided in the boundary wall between the process chambers. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 장치는 상기 공정 챔버들간 기판의 이송을 완료한 기판 이송체를 회수하는 회송 가이드를 더 포함하되,The apparatus further includes a return guide for recovering the substrate carrier after the transfer of the substrate between the process chambers, 상기 기판 이송체가 회수되는 상기 회송 가이드는 상기 공정 챔버 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the return guide from which the substrate carrier is recovered is disposed outside the process chamber. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판은 유기 전계 발광 소자 제조에 사용되는 기판인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The substrate is a deposition apparatus, characterized in that the substrate used in the manufacture of the organic electroluminescent device. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 마스크 제거 챔버 또는 상기 마스크 부착 챔버에는 상기 마스크 회송체가 일시적으로 머무를 수 있는 버퍼 공간이 제공되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the buffer removal chamber is provided with a buffer space in which the mask returning body temporarily stays. 내부에 각각 기판을 이동하는 기판 이송체의 이동을 안내하는 이송 가이드가 제공되며, 기판에 마스크의 부착이 이루어지는 마스크 부착 챔버, 기판에 박막을 증착하는 증착 챔버, 그리고 상기 기판으로부터 상기 마스크를 제거하는 마스크 제거 챔버를 가지는 복수의 공정 챔버들 및 상기 각각의 공정 챔버 내에 배치되며 상기 마스크 제거 챔버로부터 상기 마스크 부착 챔버로 마스크를 회수하는 마스크 회송체를 구비하는 증착 장치에서 사용된 마스크를 회수하는 방법에 있어서,There is provided a transfer guide for guiding movement of the substrate carrier to move the substrate therein, the mask attachment chamber where the mask is attached to the substrate, the deposition chamber for depositing a thin film on the substrate, and removing the mask from the substrate. A method for recovering a mask used in a deposition apparatus comprising a plurality of process chambers having a mask removal chamber and a mask carrier disposed in each of the process chambers and for recovering a mask from the mask removal chamber to the mask attachment chamber. In 상기 마스크 회송체는 상기 이송 가이드를 따라 회송되고, 상기 마스크 회송체가 상기 마스크 부착 챔버로 회송 도중 상기 공정 챔버로 진입하는 기판 이송체와 충돌 가능성이 있는 경우에 상기 마스크 회송체는 상기 증착 챔버 내에 제공된 버퍼 공간으로 이동되어 상기 기판 이송체가 상기 증착 챔버를 지나갈 때까지 대기하는 것을 특징으로 하는 마스크 회수 방법.The mask returning body is returned along the transfer guide, and the mask returning body is provided in the deposition chamber when the mask returning body is likely to collide with the substrate carrier entering the process chamber during the return to the chamber with the mask. Moving to a buffer space and waiting for the substrate carrier to pass through the deposition chamber. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 버퍼 공간은 상기 이송 가이드의 상부에 제공되는 것을 특징으로 하는 마스크 회수 방법.And the buffer space is provided on top of the transfer guide. 내부에 각각 기판을 이동하는 기판 이송체의 이동을 안내하는 이송 가이드가 제공되며, 기판에 마스크의 부착이 이루어지는 마스크 부착 챔버, 기판에 박막을 증착하는 증착 챔버, 그리고 상기 기판으로부터 상기 마스크를 제거하는 마스크 제거 챔버를 가지는 복수의 공정 챔버들 및 상기 각각의 공정 챔버 내에 배치되며 상기 마스크 제거 챔버로부터 상기 마스크 부착 챔버로 마스크를 회수하는 마스크 회송체를 구비하는 증착 장치에서 사용된 마스크를 회수하는 방법에 있어서,There is provided a transfer guide for guiding movement of the substrate carrier to move the substrate therein, the mask attachment chamber where the mask is attached to the substrate, the deposition chamber for depositing a thin film on the substrate, and removing the mask from the substrate. A method for recovering a mask used in a deposition apparatus comprising a plurality of process chambers having a mask removal chamber and a mask carrier disposed in each of the process chambers and for recovering a mask from the mask removal chamber to the mask attachment chamber. In 상기 마스크 회송체는 상기 이송 가이드를 따라 회송되고, 상기 마스크 회송체가 상기 이송 가이드를 따라 이동되는 상기 기판 이송체와 충돌 가능성이 있는 경우에 상기 마스크 회송체는 상기 마스크 부착 챔버, 상기 마스크 회수 챔버, 또는 상기 증착 챔버 내에 제공된 버퍼 공간으로 이동되어 상기 기판 이송체가 지나갈 때까지 대기하는 것을 특징으로 하는 마스크 회수 방법.The mask returning body is returned along the transfer guide, and when the mask returning body has a possibility of colliding with the substrate conveying body moved along the transfer guide, the mask returning body includes the mask attaching chamber, the mask recovery chamber, Or move to a buffer space provided in the deposition chamber and wait for the substrate carrier to pass therethrough.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101336225B1 (en) * 2012-05-30 2013-12-03 주식회사 선익시스템 In-line Deposition System with High Evaporation Efficiency
JP6181358B2 (en) * 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 Baking process system and method for producing laminate of organic functional film of organic EL element
KR102120895B1 (en) 2013-08-09 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 Deposition apparatus, method for manufacturing organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the same
KR101650527B1 (en) 2014-10-13 2016-08-24 주식회사 선익시스템 Appartus for thin film deposition
CN109075020B (en) * 2016-06-30 2024-03-05 株式会社国际电气 Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium
KR101977614B1 (en) * 2017-01-23 2019-05-13 주식회사 유니플라즈마 Sputtering apparatus where vacuum state of a process chamber is kept and method of operating the same
KR102454828B1 (en) * 2017-10-18 2022-10-17 엘지전자 주식회사 Evaporation system
KR102120265B1 (en) * 2018-06-12 2020-06-08 셀로코아이엔티 주식회사 Evaporation Apparatus For Display Device And System Including The Same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043914A (en) * 1990-04-20 1992-01-08 Nec Corp Crystal growth method and crystal growth device
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US6403410B1 (en) 1999-05-14 2002-06-11 Canon Sales Co., Inc. Plasma doping system and plasma doping method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043914A (en) * 1990-04-20 1992-01-08 Nec Corp Crystal growth method and crystal growth device
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US6570169B2 (en) 1997-01-20 2003-05-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US6403410B1 (en) 1999-05-14 2002-06-11 Canon Sales Co., Inc. Plasma doping system and plasma doping method

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