KR100660334B1 - 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents

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KR100660334B1 KR1020050132101A KR20050132101A KR100660334B1 KR 100660334 B1 KR100660334 B1 KR 100660334B1 KR 1020050132101 A KR1020050132101 A KR 1020050132101A KR 20050132101 A KR20050132101 A KR 20050132101A KR 100660334 B1 KR100660334 B1 KR 100660334B1
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Abstract

본 발명은 새로운 컬러필터층을 리워크하기 위해서 이전의 컬러필터층을 제거하는 공정이 수행되어야 하는바, 이전의 컬러필터층이 완전히 제거되도록 함으로써 소자의 신뢰성을 향상시키고자 하는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 픽셀 어레이부 및 로직회로부로 구분되는 웨이퍼를 제공하는 단계와, 상기 웨이퍼에 배선을 형성하는 단계와, 상기 배선을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 로직회로부의 층간절연막 상에 패드전극을 형성하는 단계와, 상기 패드전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 패드전극 상부의 보호막을 선택적으로 제거하여 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 컬러 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 컬러필터층을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계와, 상기 보호막 상에 컬러필터층을 리워크하는 단계와, 상기 컬러필터층을 커버하는 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층 상에 상기 컬러필터층에 대응되는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이미지 센서, 패드전극, 컬러 포토레지스트, 리워크

Description

이미지 센서의 제조방법{Method for Fabricating Image Sensor}
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
도 2a 및 도 2b는 종래의 C30-T02 사용시 패드전극의 사진도.
도 3a 및 도 3b는 종래의 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민 사용시 패드전극의 사진도.
도 4a 내지 도 4c는 종래의 웨이퍼에 컬러 레지스트가 잔여하는 것을 나타낸 사진도.
도 5a 내지 도 5c는 종래의 웨이퍼에 N,N-디메틸 아세타마이드 사용이후, 컬러 레지스트가 잔여하는 것을 나타낸 사진도.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
도 7a 내지 도 7i는 본 발명을 적용한 이후의 웨이퍼를 나타낸 사진도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
110 : 평탄화층 140 : 컬러필터층
150 : 마이크로 렌즈 153 : 패드전극
154 : 반사방지막 161 : 층간절연막
165 : 보호막 172 : 비아홀
본 발명은 이미지 센서(Image Sensor)의 제조방법에 관한 것으로, 새로운 컬러필터층을 리워크하기 위해서 이전의 컬러필터층을 완벽히 제거하고자 하는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 신호를 전기 신호로 변환시키는 반도체소자이다. 그 중 이미지 센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수만큼 포토 다이오드를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지 센서를 제조함에 있어서, 이미지 센서의 감광도(Photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있다.
예를 들면, 이미지 센서는 빛을 감지하는 포토다이오드가 구비된 픽셀 어레이부와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직 회로부로 구성되며, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율을 크게 하려는 노력이나 빛이 들어오는 경로를 줄이고 상부에 마이크로 렌즈를 형성하여 빛을 더 많이 포토다이오드 영역으로 모으려는 기술들이 사용된다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 이미지 센서의 제조방법에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 종래의 N,N-디메틸 아세타마이드 사용시 패드전극의 사진도이며, 도 3a 및 도 3b는 종래의 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민 사용시 패드전극의 사진도이다.
도 4a 내지 도 4c는 종래의 웨이퍼에 컬러 레지스트가 잔여하는 것을 나타낸 사진도이고, 도 5a 내지 도 5c는 종래의 웨이퍼에 N,N-디메틸 아세타마이드 사용이후, 컬러 레지스트가 잔여하는 것을 나타낸 사진도이다.
도 1a에 도시한 바와 같이, 픽셀 어레이부(P)와 로직회로부(L)로 구분되는 웨이퍼(도시하지 않음)에 산화막을 증착하여 층간절연막(61)을 형성하고 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 표면을 평탄화한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에는 각종 배선, 트랜지스터 및 포토 다이오드가 구비되어 있다.
이후, 상기 층간절연막(61) 상에 알루미늄 등의 금속물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 포토식각공정으로 패터닝하여 로직회로부(L)에 패드전극(53)을 형성한다.
이후, 상기 패드전극(53)을 포함한 전면에 산화막을 증착하고 CMP 공정으로 표면을 연마하여 보호막(65)을 형성한다.
계속해서, 상기 보호막(65) 상에 포토레지스트(90)를 도포하고 포토식각공정으로 패터닝한 다음, 패터닝된 포토레지스트(90)를 마스크로 하여 상기 패드전극(53) 상부의 보호막을 식각하여 비아홀(72)을 형성한다. 상기 비아홀은 패드전극을 외부구동회로와 본딩시키기 위한 것이다.
이때, 상기 포토레지스트가 원하지 않는 형태로 패터닝된 경우에는 상기 포토레지스트를 리무버한 이후, 새로운 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여야 한다. 컬러 이미지 센서 제품의 경우 비아홀 형성공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해 N,N-디메틸 아세타마이드(N,N-dimethyl acetamide, CH3CON(CH3)2)와 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민(N,N-BIS(92-Hydroxyethyl)-N-Cyclohexylamine, HOCH2CH2NH2)을 사용하고 있다.
그러나, N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민으로 리워크 처리를 하였을 경우, 패드전극이 뜯긴 흔적과 같은 패드 핏(Pad PIT) 현상이 발생하였다. 이는 리무버 공정에서 플루오린(F, Fluorine) 성분을 띄고 있는 패드전극에 N396이 반응하여 패드전극 부식(corrosion)과 같은 패드 핏이 발생하는 것으로 확인되었다.
이와같이, 비아홀 형성공정 이후 포토레지스트를 제거하는 공정에서, 사용하는 케미컬에 따라 패드전극에 현저한 차이가 발생하였는데, 이는 케미컬 특성에 기인하는 것으로, 플루오린을 베이스로 하는 케미컬인 N,N-디메틸 아세타마이드는 패드전극과 동일하게 플루오린 성분을 함유하고 있기 때문에, 도 2a 및 도 2b에 도시 된 바와 같이, 별 문제가 없었지만, 아민을 베이스로 하는 케미컬인 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 사용했을 경우에는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 케미컬 특성에 따라 패드전극의 알루미늄과 반응에 의한 패드핏이 발생한 결과로 확인되었다. 참고로, 도 2a 내지 도 3b에서 사각형의 밝은 부분이 패드전극이고, 패드전극 내부에 표시된 스팟(spot)이 패드핏이다.
그러므로, 비아홀 형성공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해서 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 사용하지 않고 N,N-디메틸 아세타마이드만으로 진행하고 있으며, 수 차례의 실험을 통해 N,N-디메틸 아세타마이드가 비아홀 형성공정 이후 마진(Margin)이 있음이 확인되었다.
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(65)을 포함한 전면에 컬러 포토레지스트를 도포하고 마스크를 이용하는 포토식각공정을 적용하여 포토레지스트의 일부를 선택적으로 제거함으로써 픽셀 어레이부(P)에 임의의 패턴을 갖는 컬러필터층을 형성한다.
이때, 상기 컬러필터층이 원하지 않는 모양으로 형성되거나 또는 원하지 않는 위치에 형성되었을 경우, 상기 컬러 포토레지스트를 제거하기 위해 N,N-디메틸 아세타마이드를 사용한다. N,N-디메틸 아세타마이드를 사용했을 때 비아홀 사이로 오픈된 패드전극에 데미지가 가해지지 않기 때문이다.
이와같이, 이전의 컬러필터층을 제거한 이후에는 새로운 컬러필터층을 형성하기 위해, 웨이퍼 상에 새로운 컬러 레지스트를 도포하고 패터닝하여 원하는 형태의 컬러필터층(40)을 완성한다.
다음, 상기 컬러필터층(40)을 포함한 전면에 포토레지스트를 도포하고 CMP공정으로 표면을 연마한 후 마스크를 이용한 포토식각공정을 적용하여 로직회로부의 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써, 상기 컬러필터층을 매립하는 형태의 평탄화층(10)을 형성한다.
다음, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(10) 상에 포토레지스트를 도포하고 CMP공정으로 표면을 연마한 후 마스크를 이용한 포토식각공정을 적용하여 사다리꼴 모양으로 패터닝한다. 이후, 상기 포토레지스트 패턴의 모서리가 라운드 처리되도록 리플로우(reflow) 시켜 마이크로 렌즈(50)를 완성한다.
그러나, 상기와 같은 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 도 4a 내지 4c에 도시된 바와 같이, 컬러 이미지 센서(Color Image Sensor)의 경우, 컬러필터층을 리워크하기 위해 이전의 컬러 레지스트를 제거하는 공정을 수행하는바, 상기 컬러 레지스트를 제거하는 공정에서 발생하는 컬러 포토레지스트의 잔여물에 의해 픽셀 어레이부에 문제가 발생하고 있다. 그러나, 현재의 포토레지스트 리무버(Remove) 공정 조건으로 픽셀 어레이부의 컬러 포토레지스트의 잔여물을 완전히 제거할 수 없다.
통상적으로, 포토레지스트 잔여물을 제거하는 공정에서 N,N-디메틸 아세타마이드를 사용하여 리워크(Rework)를 진행하고 있는바, 컬러필터층 형성공정에서도 N,N-디메틸 아세타마이드를 사용하여 컬러 포토레지스트의 잔여물을 제거하고 있는 데, N,N-디메틸 아세타마이드로 리워크 처리를 하는 경우 컬러 포토레지스트의 잔여물이 완전히 제거되지 않는다는 문제점이 있었다.
최근, 컬러 포토레지스트를 완전히 제거하기 위해서 N,N-디메틸 아세타마이드 분사시간을 연장하거나 또는 N,N-디메틸 아세타마이드 분사진행 횟수를 늘리고는 있지만, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 분사시간을 연장하고 분사횟수를 늘려도 컬러 포토레지스트의 잔여물을 완전히 제거하기에는 역부족이었다.
즉, N,N-디메틸 아세타마이드를 처리하지 않았을 때 컬러 레지스트가 잔여하는 정도를 나타낸 도 4a 내지 도 4c와, N,N-디메틸 아세타마이드를 처리하였을 때 컬러 레지스트가 잔여하는 정도를 나타내는 도 5a 내지 도 5c에서, 컬러 레지스트가 잔여하는 정도가 서로 다르다지 않다는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 새로운 컬러필터층을 리워크하기 위해서 이전의 컬러필터층을 제거하는 공정이 수행되어야 하는바, 이전의 컬러필터층이 완전히 제거되도록 함으로써 소자의 신뢰성을 향상시키고자 하는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 제조방법은 픽셀 어레이부 및 로직회로부로 구분되는 웨이퍼를 제공하는 단계와, 상기 웨이퍼에 배선을 형성하는 단계와, 상기 배선을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 로직회로부의 층간절연막 상에 패드전극을 형성하는 단계와, 상기 패드전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 패드전극 상부의 보호막을 선 택적으로 제거하여 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 컬러 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 컬러필터층을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계와, 상기 보호막 상에 컬러필터층을 리워크하는 단계와, 상기 컬러필터층을 커버하는 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층 상에 상기 컬러필터층에 대응되는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
다만, 상기 컬러필터층을 리무버하기 위해서 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계에서, 상기 컬러필터층은 완전히 제거하고, 상기 패드전극은 부식시키지 않는 범위내에서 상기 아민계열의 케미칼을 분사하는 것을 특징으로 한다.
실험결과, 아민계열의 케미칼을 300초 동안 분사하여 컬러필터층을 리무버했을 때, 상기 아민계열의 케미칼에 의해 패드전극이 부식되지 않았다.
이때, 상기 아민계열의 케미칼로서 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 사용할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이고, 도 7a 내지 도 7i는 본 발명을 적용한 이후의 웨이퍼를 나타낸 사진도이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 픽셀 어레이부(P)와 로직회로부(L)로 구분되는 웨이퍼(도시하지 않음)에 산화막을 증착하여 층간절연막(161)을 형성하고 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 표면을 평탄화한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에는 멀티 구조로 형성되어 서로 콘택플러그를 통해 전기적으로 연결되는 배선, 신호의 온/오프를 제어하는 트랜지스터 및 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 신호를 센싱하는 R,G,B-포토 다이오드가 형성되어 있다.
이후, 상기 층간절연막(161) 상에 알루미늄 등의 금속물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 그 위에 실리콘 질화물질(SiN, SiON)을 PVD(Physical Vapor Deposition)나 CVD(Chemical Vapor Deposition)나 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 증착한 뒤, 포토식각공정으로 동시에 패터닝하여 로직회로부(L)에 패드전극(153)을 형성한다.
참고로, 상기 패드전극(153)은 로직회로부(L)에 한정하여 형성하는데, 외부 구동회로로부터 신호를 인가받는 파워배선이므로 그 두께가 두껍다. 일예로, 층간절연막 사이에 구비되는 금속배선은 1500~4000Å으로 형성하는 반면, 로직회로부에 한정형성되는 패드전극은 3000~5000Å으로 형성한다.
또한, 상기 패드전극 하부에는 배리어층을 더 형성할 수 있는데, 상기 배리어층으로, TiN/Ti의 적층막, Ta, TaN, WN, TaC, WC, TiSiN, TaSiN을 사용할 수 있다.
이후, 상기 패드전극(153)을 포함한 전면에 산화막을 증착하고 CMP 공정으로 표면을 연마하여 보호막(165)을 형성한다. 이때, 상기 패드전극에 의한 픽셀 어레이부와 로직회로부의 단차 차이를 없애기 위해 두텁게 형성하며, 상기 패드전극 (153)이 연마되는 것을 방지하기 위해 패드전극으로부터 3000~5000Å되는 위치에서 CMP 공정을 정지시킨다. 따라서, 층간절연막(161) 상에 형성되는 보호막(162)은 8000~14000Å의 두께가 된다.
계속해서, 상기 패드전극(165) 상부에 포토레지스트(190)를 도포하고 포토식각공정으로 패터닝한 후, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 패드전극을 외부구동회로와 본딩시키기 위한 비아홀(172)을 형성한다.
이때, 상기 포토레지스트가 원하지 않는 형태로 패터닝된 경우에는 상기 포토레지스트를 리무버한 이후, 새로운 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여야 한다.
비아홀 형성공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해서 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 사용하지 않고 N,N-디메틸 아세타마이드와 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민으로 리워크 처리를 하였을 경우, 패드전극이 뜯긴 흔적과 같은 패드 핏(Pad PIT) 현상이 발생하였기 때문이다.
이어서, 비아홀 형성용 포토레지스트 패턴을 제거하고, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(165)을 포함한 전면에 적색을 표시하는 R-컬러 포토레지스트(141a)를 도포하고 마스크를 이용하는 포토식각공정을 적용하여 포토레지스트의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 도 6c에 도시된 바와 같이, 픽셀 어레이부(P)에 임의의 패턴을 갖는 R-컬러필터층(141)을 형성한다.
이와같은 방법으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 녹색을 표시하는 G-컬러필터층(142) 및 청색을 표시하는 B-컬러필터층(143)을 형성하여 컬러필터층(140)을 완성한다.
그러나, 상기 컬러필터층이 원하지 않는 모양으로 형성되거나 또는 원하지 않는 위치에 형성되었을 경우, 상기 컬러 포토레지스트를 제거하고 새롭게 컬러필터층을 형성해야 한다.
이때, 상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼인 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 사용하는데, 상기 패드전극에 패드빗을 발생시키지 않는 범위내에서 상기 아민계열의 케미칼을 분사하여 상기 컬러필터층을 완전히 리무버한다.
다만, N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 오랫동안 분사하면, 패드전극에 패드핏이 발생하므로 패드핏이 발생하지 않는 조건하에서 아민계열의 케미칼을 분사한다.
실험결과, 아민계열의 케미칼을 300초 동안 분사했을 때 패드전극에 데미지를 가하지 않으면서 컬러필터층을 완전히 리무버할 수 있었고, 도 7a 내지 도 7i에서 컬러필터층을 완전히 리무버한 웨이퍼를 나타내었다. 도 4a 내지 도 5c와 비교하여, 컬러 레지스트가 잔여하지 않음을 확인할 수 있고 도 7i에서 스팟형태의 패드핏이 많지 않음을 확인할 수 있다. 또한, 7i에 나타난 패드핏은 비아홀 형성공정에서 생긴 것으로 도 5c와 비교하여 그 개수가 현저히 적어졌음을 알 수 있다.
이와같이, 이전의 컬러필터층을 제거한 이후에는 새로운 컬러필터층을 형성하기 위해, 웨이퍼 상에 새로운 컬러 레지스트를 도포하고 패터닝하여 원하는 형태의 컬러필터층(140)을 새롭게 형성한다.
다음, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터층(140)을 포함한 전면에 포 토레지스트를 도포하고 CMP공정으로 표면을 연마한 후 마스크를 이용한 포토식각공정을 적용하여 로직회로부의 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써, 상기 컬러필터층을 매립하는 형태의 평탄화층(110)을 형성한다.
마지막으로, 상기 평탄화층(110) 상에 상기 컬러필터층(140)과 각각 대응되도록 복수개의 마이크로 렌즈(150)를 형성한다.
이때, 상기 마이크로 렌즈의 경우, 상기 포토 다이오드(photo diode)에 빛을 모아주기 위해서 볼록 렌즈와 같은 패턴으로 형성하여야 하는데, 이를 위해서 포토식각공정을 적용하여 패터닝한다.
구체적으로, 상기 평탄화층(125) 상에 마이크로 렌즈용 물질인 포토레지스트를 도포하고 마스크를 씌운 뒤, 디포커스(defocus) 현상을 이용해서 노광하여 상기 포토레지스트를 사다리꼴 모양으로 패터닝한다.
이후, 사다리꼴 모양의 포토레지스트 패턴을 녹는점(melting point)까지 가열하여 리플로우(reflow) 시킨다. 리플로우 공정을 거치면, 포토레지스트 패턴이 유동성을 가지면서 둥글어 지는데 이로써 마이크로 렌즈(150)가 완성된다.
이후, 도시하지는 않았으나, 외부구동회로를 상기 비아홀을 통해 패드전극에 연결한다. 이때, 상기 패드전극이 부식되거나 침식되지 않았으므로 불량없이 본딩된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가 진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
새로운 컬러필터층을 리워크하기 위해서 이전의 컬러필터층을 제거하는 공정이 수행되어야 하는바, 아민계열의 케미칼을 300초 동안 분사함으로써 패드전극에 데미지를 가하지 않으면서 컬러필터층을 완전히 리무버할 수 있었다.
컬러필터층 리워크시, 컬러 레지스트의 잔여물이 웨이퍼에 남아있게 되면 이미지 센서를 동작시킬 수 없는데, 리무버 케미칼의 분사시간을 바꾸는 간단한 조작에 의해 컬러 레지스트를 완전히 제거할 수 있으므로 공정마진이 향상된다.

Claims (6)

  1. 픽셀 어레이부 및 로직회로부로 구분되는 웨이퍼를 제공하는 단계와,
    상기 웨이퍼에 배선을 형성하는 단계와,
    상기 배선을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와,
    상기 로직회로부의 층간절연막 상에 패드전극을 형성하는 단계와,
    상기 패드전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와,
    상기 패드전극 상부의 보호막을 선택적으로 제거하여 비아홀을 형성하는 단계와,
    상기 보호막 상에 컬러 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 컬러필터층을 형성하는 단계와,
    상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계와,
    상기 보호막 상에 컬러필터층을 리워크하는 단계와,
    상기 컬러필터층을 커버하는 평탄화층을 형성하는 단계와,
    상기 평탄화층 상에 상기 컬러필터층에 대응되는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계에서,
    상기 컬러필터층은 리무버하고, 상기 패드전극은 부식시키지 않는 범위내에서 상기 아민계열의 케미칼을 분사하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계에서,
    상기 아민계열의 케미칼을 300초 동안 분사하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터층을 형성하는 단계에서,
    적색을 표시하는 R-컬러필터층과, 녹색을 표시하는 G-컬러필터층과, 청색을 표시하는 B-컬러필터층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 아민계열의 케미칼은 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민(N,N-BIS(92-Hydroxyethyl)-N-Cyclohexylamine, HOCH2CH2NH2)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 컬러필터층을 리무버하기 위해 아민계열의 케미칼을 사용하는 단계에서,
    상기 N,N-비스(92-하이드록시에틸)-N-사이클로헬식아민을 300초 동안 분사하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
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