KR100658523B1 - Liquid Crystal Display Device - Google Patents
Liquid Crystal Display Device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100658523B1 KR100658523B1 KR1019990060689A KR19990060689A KR100658523B1 KR 100658523 B1 KR100658523 B1 KR 100658523B1 KR 1019990060689 A KR1019990060689 A KR 1019990060689A KR 19990060689 A KR19990060689 A KR 19990060689A KR 100658523 B1 KR100658523 B1 KR 100658523B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- pixel electrode
- data line
- liquid crystal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서 투명기판 상에 형성되며 게이트전극과 전기적으로 연결된 N개의 게이트라인과, 상기 투명기판 상에 상기 게이트라인을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상에 소오스전극과 전기적으로 연결되며 상기 게이트라인과 교차되게 형성되는 데이터라인과, 상기 게이트전극을 중심으로 상기 소오스전극과 대응되게 형성되는 드레인전극과, 상기 드레인전극과 연결되게 형성되며 상기 데이터라인과 중첩되되 상기 중첩되는 부분이 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상으로 형성된 화소전극을 구비한다.The present invention relates to a liquid crystal display device, comprising: N gate lines formed on a transparent substrate and electrically connected to gate electrodes, a gate insulating layer formed to cover the gate lines on the transparent substrate, and on the gate insulating layer. A data line electrically connected to a source electrode and formed to cross the gate line, a drain electrode formed to correspond to the source electrode around the gate electrode, and formed to be connected to the drain electrode and overlap the data line. However, the overlapping portion includes a pixel electrode formed in a zigzag shape having irregularities in plan view.
따라서, 화소전극이 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상을 가지므로 형성시 과다식각(over etch)으로 인해 인접하는 화소전극과의 간격이 증가되어도 철(凸) 부분에서 중첩되는 부분이 잔류하게 되므로 빛샘을 감소시킨다.Therefore, since the pixel electrode has a zigzag shape having irregularities in planar shape, overlapping portions of the iron portions remain even when an interval between adjacent pixel electrodes is increased due to overetching during formation. This reduces light leakage.
Description
삭제delete
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도.1 is a plan view of a liquid crystal display according to the prior art.
2 is a plan view of a liquid crystal display device according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
21 : 투명기판 23 : 게이트라인21: transparent substrate 23: gate line
25 : 게이트전극 27 : 데이터라인25
29, 31 : 드레인 및 소오스전극29, 31: drain and source electrode
33 : 화소전극 35 : 접촉홀33
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)에 관한 것으로서, 특히, 고개구율의 하판의 빛샘을 감소하는 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display (LCD), and more particularly, to a liquid crystal display that reduces light leakage on a lower plate of a high opening ratio.
액정표시장치는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)로 이루어진 구동소자인 스위칭 소자와 화소(pixel) 전극이 형성된 하판과 칼라필터가 형성된 상판 사이에 주입된 액정으로 이루어진다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal injected between a switching element which is a driving element formed of a thin film transistor, a lower plate on which pixel electrodes are formed, and an upper plate on which a color filter is formed.
화소 전극은 스위칭소자인 박막트랜지스터와 연결되어 단위 화소를 구성하는 것으로 N×M(여기서, N 및 M은 자연수)개가 매트릭스(matric) 상태로 종횡으로 배열되어 있다. 상기에서 화소전극은 박막트랜지스터에 의해 구동되어 입사되는 빛을 투과하거나 반사하는 액정을 제어한다.The pixel electrode is connected to a thin film transistor, which is a switching element, to form a unit pixel. N × M (where N and M are natural numbers) are vertically and horizontally arranged in a matrix state. The pixel electrode is driven by the thin film transistor to control the liquid crystal to transmit or reflect the incident light.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 평면도이다.1 is a plan view of a liquid crystal display according to the prior art.
종래 기술에 따른 액정표시장치는 투명기판(1) 상에 N개의 게이트라인(3)과 M개의 데이터라인(7)이 교차되게 형성되어 N×M개의 화소영역을 한정한다. 상기에서 게이트라인(3)과 데이터라인(7)은 금속으로 형성되며 사이에 게이트절연층(도시되지 않음)이 형성되어 전기적으로 절연된다. N×M개의 화소영역 내에 N×M개의 화소가 형성되는데, 이 화소는 게이트라인(3) 및 데이터라인(7)에 전기적으로 연결되게 형성된 스위칭소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)에 의해 구동된다.In the liquid crystal display according to the related art,
박막트랜지스터는 게이트전극(5)과, 드레인 및 소오스전극(9)(11)과, 반도체층(도시되지 않음)과 오믹접촉층(도시되지 않음)으로 형성된다. 상기에서 게이트전극(5)은 게이트라인(3)과 연결되게 형성되며, 소오스전극(11)은 데이터라인(7)과 연결된다. 그리고, 드레인전극(9)은 게이트전극(5)을 사이에 두고 소오스전극(11)과 대응되게 형성된다.The thin film transistor is formed of a
상술한 구조의 박막트랜지스터를 덮도록 패시베이션층(passivation layer : 도시되지 않음)이 형성된다. 상기에서 패시베이션층은 질화실리콘 등의 무기절연물질이나, 또는, 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기절연물질로 형성된다. A passivation layer (not shown) is formed to cover the thin film transistor having the above-described structure. The passivation layer is formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or an organic insulating material such as acryl-based organic compound, BCB (benzocyclobutene) or PFCB (perfluorocyclobutane).
그리고, 패시베이션층 상의 화소영역에 화소전극(13)이 형성되어 있다. 화소전극(13)은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화막(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 등의 투명한 전도성물질로 형성되는 것으로 접촉홀(15)을 통해 드레인전극(9)과 연결된다. 상기에서 화소전극(13)은 개구율을 증가시키 위해 주변의 데이터라인(7)과 중첩되게 형성된다.The
그러나, 상술한 종래 기술에 따른 액정표시장치는 화소전극을 패터닝할 때 과다식각(over etch)으로 인해 이 화소전극이 데이터라인과 중첩되지 않는 것에 의해 빛샘 불량이 발생되는 문제점이 있었다.However, the liquid crystal display according to the related art described above has a problem in that light leakage defects are generated when the pixel electrode does not overlap the data line due to overetching when the pixel electrode is patterned.
따라서, 본 발명의 목적은 화소전극과 데이터라인의 중첩되지 않은 부분을 감소하여 빛샘 불량을 억제할 수 있는 액정표시장치를 제공하는 데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of suppressing light leakage defects by reducing non-overlapping portions of pixel electrodes and data lines.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 투명기판 상에 형성되며 게이트전극과 전기적으로 연결된 N개의 게이트라인과, 상기 투명기판 상에 상기 게이트라인을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상에 소오스전극과 전기적으로 연결되며 상기 게이트라인과 교차되게 형성되는 데이터라인과, 상기 게이트전극을 중심으로 상기 소오스전극과 대응되게 형성되는 드레인전극과, 상기 드레인전극과 연결되게 형성되며 상기 데이터라인과 중첩되되 상기 중첩되는 부분이 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상으로 형성된 화소전극을 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: N gate lines formed on a transparent substrate and electrically connected to gate electrodes, a gate insulating layer formed to cover the gate lines on the transparent substrate, and A data line electrically connected to the source electrode and intersecting the gate line on the gate insulating layer, a drain electrode formed to correspond to the source electrode around the gate electrode, and connected to the drain electrode; And a pixel electrode overlapping the data line, wherein the overlapping portion is formed in a zigzag shape with irregularities in plan view.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the following description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도이다.2 is a plan view of a liquid crystal display according to the present invention.
본 발명에 따른 액정표시장치는 제 1 투명기판(21) 상에 N개의 게이트라인(23)과 M개의 데이터라인(27)이 교차되게 형성되어 N×M개의 화소영역을 한정한다. 상기에서 게이트라인(23)과 데이터라인(27)은 금속으로 형성되며 게이트절연층(도시되지 않음)에 의해 전기적으로 절연된다. In the liquid crystal display according to the present invention,
N×M개의 화소영역 내에 N×M개의 화소가 형성되는데, 이 화소는 게이트라인(23) 및 데이터라인(27)에 전기적으로 연결되게 형성된 스위칭소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)에 의해 구동된다.N × M pixels are formed in the N × M pixel regions, which are driven by thin film transistors, which are switching elements formed to be electrically connected to the
박막트랜지스터는 게이트전극(25)과, 드레인 및 소오스전극(29)(31)과, 반도체층(도시되지 않음)과 오믹접촉층(도시되지 않음)으로 형성된다. 상기에서 게이트전극(25)은 게이트라인(23)과 연결되게 형성되는데, 이 게이트전극(25)의 상부에 게이트절연층(도시되지 않음)을 개재시켜 반도체층(도시되지 않음)이 형성된다. 그리고, 소오스전극(31)은 데이터라인(27)과 연결되고, 드레인전극(29)은 게이트전극(25)을 사이에 두고 소오스전극(31)과 대응되게 형성된다. 그리고, 드레인 및 소오스전극(29)(31)은 오믹접촉층(도시되지 않음)을 개재시켜 반도체층(도시되지 않음)의 양측과 중첩되게 형성되는데, 이 반도체층(도시되지 않음)의 소오스전극(31)과 드레인전극(29) 사이의 게이트전극(25)과 대응하는 부분은 채널이 된다.The thin film transistor is formed of a
상술한 구조 상에 박막트랜지스터 상부를 덮도록 패시베이션층(passivation layer : 도시되지 않음)이 형성되며, 이 패시베이션층 상의 화소영역에 화소전극(33)이 형성되어 있다. A passivation layer (not shown) is formed on the above structure so as to cover the top of the thin film transistor, and a
화소전극(33)은 접촉홀(35)을 통해 드레인전극(29)과 연결되는 것으로 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화막(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 등의 투명한 전도성물질로 형성된다. 상기에서 화소전극(33)은 빛샘 불량을 방지하기 위해 데이터라인(39)과 중첩되게 형성되는 데, 화소전극(33)의 데이터라인(39)과 중첩되는 부분은 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상을 갖는다. 또한, 화소전극(33)은 인접하는 화소 전극(33)과 교호되게 즉, 화소전극의 요철(凹凸)이 그와 인접한 화소전극의 요철(凹凸)과 상호 교대로 엇갈리게 형성된다. 또한 화소 전극(33)은 인접하는 화소 전극(33)과 소정 폭만큼의 등간격을 갖도록 하는데, 이 화소전극(33)의 요(凹) 부분은 데이터라인(27)과 좁은 부분만 중첩되나 철(凸) 부분은 넓은 부분이 중첩되게 형성된다.The
또한, 패시베이션층은 데이터라인(27)과 화소전극(33) 사이의 중첩되는 부분 에 의해 발생되는 기생 용량을 감소시키기 위해 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유전 상수가 작은 유기 절연물로 형성된다.In addition, the passivation layer may be formed of an acryl-based organic compound, a benzocyclobutene (BCB), or a perfluorocyclobutane (PFCB) to reduce the parasitic capacitance generated by the overlapping portion between the
상술한 구성의 액정표시장치는 화소전극(33)은 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상을 갖으나 데이터라인(27)과 중첩되므로 빛샘 불량이 발생되지 않는다. 그러나, 화소전극(33) 형성시 과다식각(over etch)으로 인해 인접하는 화소전극(33)과의 간격이 증가되면 데이터라인(27)과 중첩되지 않는 부분이 발생되어 빛샘이 발생된다. 이 때, 화소전극(33)의 요(凹) 부분은 데이터라인(27)과 중첩되는 부분이 모두 식각되어도 철(凸) 부분은 중첩되는 부분이 잔류하게 되므로 빛샘을 감소시키게 된다.In the liquid crystal display device having the above-described configuration, the
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치는 화소전극이 평면적으로 요철(凹凸)을 갖는 지그재그 형상을 가지므로 형성시 과다식각(over etch)으로 인해 인접하는 화소전극과의 간격이 증가되어도 철(凸) 부분에서 중첩되는 부분이 잔류하게 되므로 빛샘을 감소시키는 잇점이 있다.As described above, the liquid crystal display according to the present invention has a zigzag shape in which the pixel electrode is flat and irregular, so that even when an interval between adjacent pixel electrodes is increased due to overetching during formation, iron ( Iii) There is an advantage of reducing light leakage since the overlapping part remains in the part.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990060689A KR100658523B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Liquid Crystal Display Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990060689A KR100658523B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Liquid Crystal Display Device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010063570A KR20010063570A (en) | 2001-07-09 |
KR100658523B1 true KR100658523B1 (en) | 2006-12-15 |
Family
ID=19628410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990060689A KR100658523B1 (en) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Liquid Crystal Display Device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100658523B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819865B1 (en) * | 2001-12-31 | 2008-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Substrate for liquid crystal display device |
KR101233729B1 (en) * | 2006-06-21 | 2013-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
TWI545381B (en) * | 2014-05-21 | 2016-08-11 | 群創光電股份有限公司 | Display device |
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060689A patent/KR100658523B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010063570A (en) | 2001-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8284376B2 (en) | Method for manufacturing color filter on thin film transistor (COT) type liquid crystal display device having black matrix in region outside of pixel region | |
US8134155B2 (en) | Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof | |
US7932986B2 (en) | Liquid crystal display comprising a first signal line including a first portion and second portion, wherein the cross-section of the second portion is thinner than the cross-section of the first portion, and wherein a spacer overlaps the second portion | |
KR20010106862A (en) | IPS mode Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
US6924864B2 (en) | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR980010570A (en) | Thin Film Liquid Crystal Display (TFT-LCD) and its manufacturing method | |
JP2004077718A (en) | Liquid crystal display | |
KR100312329B1 (en) | Liguid Crystal display and methode of manufacturing the same | |
CN113467145B (en) | Array substrate, manufacturing method and display panel | |
KR100679096B1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR101046923B1 (en) | Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same | |
KR101133754B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100658523B1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR100640048B1 (en) | Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same | |
KR101184068B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
KR20020002516A (en) | Method for forming gate electrode in liquid crystal display device | |
KR100767631B1 (en) | method for fabricating array substrate for LCD | |
KR100752204B1 (en) | Liquid Crystal Display Device and Fabricating Method thereof | |
KR20060019819A (en) | Liquid crystal display device | |
KR100752207B1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR100683135B1 (en) | Fringe field switching mode lcd | |
KR20010057021A (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR100669097B1 (en) | Method of Fabricating Liquid Crystal Display Device | |
JPH04264527A (en) | Active matrix substrate | |
KR100268307B1 (en) | Structure of lcd active panel and its fabrication method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141124 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |