KR100657908B1 - 분자흡착층을 구비한 메모리 소자 - Google Patents
분자흡착층을 구비한 메모리 소자 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (22)
- 기판;상기 기판 상에서 서로 이격되게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극을 전기적으로 연결한 탄소나노튜브;상기 탄소나노튜브와 접촉되게 형성되어 상기 탄소나노튜브로부터 유입된 전하를 저장하는 메모리셀; 및상기 메모리셀 상에 설치된 게이트전극;을 구비하며,상기 메모리셀은,상기 탄소나노튜브 상의 제1절연막;상기 제1 절연막 상에 형성되며 전하저장막인 분자 흡착층;상기 분자 흡착층 상의 제2절연막;을 구비하며,상기 분자 흡착층은 상기 탄소나노튜브를 유니폴라 탄소나노튜브로 유지하는 것을 특징으로 하는 분자흡착층을 구비한 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 분자흡착층은 상기 탄소나노튜브의 에너지 밴드 갭 사이에 에너지 레벨이 위치하는 분자층을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 분자층은, 산소, 브롬, 요오드, TTF 분자 중 선택된 어느 하나의 분자층인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 분자흡착층은, 비정질 탄소, 탄소나노튜브, 보론 나이트라이드, 지올라이트 중 선택된 어느 하나의 기저층을 포함하며,상기 분자층은 상기 기저층에 흡착된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 PMMA 또는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 고유전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 삭제
- 도전성 기판;상기 기판 상에 형성된 메모리셀;상기 메모리셀 상에서 서로 이격되게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 메모리셀 상에서 상기 소스 전극과 드레인 전극을 전기적으로 연결한 탄소나노튜브;를 구비하며,상기 메모리셀은,상기 기판 상의 제1절연막;상기 제1 절연막 상에 형성되며 전하저장막인 분자 흡착층; 및상기 분자 흡착층 상의 제2절연막;을 구비하며,상기 분자 흡착층은 상기 탄소나노튜브를 유니폴라 탄소나노튜브로 유지하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 분자흡착층은 상기 탄소나노튜브의 에너지 밴드 갭 사이에 에너지 레벨이 위치하는 분자층을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 분자층은, 산소, 브롬, 요오드, TTF 분자 중 선택된 어느 하나의 분자층인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 분자흡착층은, 비정질 탄소, 탄소나노튜브, 보론 나이트라이드, 지올라이트 중 선택된 어느 하나의 기저층을 포함하며,상기 분자층은 상기 기저층에 흡착된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 절연층은 PMMA 또는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 절연층은 고유전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 삭제
- 기판;상기 기판 상에 형성된 제1절연층;상기 제1절연층 상에서 서로 이격되게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극을 전기적으로 연결한 탄소나노튜브;상기 제1절연층 상에서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 상기 탄소나노튜브로부터 이격되게 형성된 게이트 전극;상기 탄소나노튜브 상에 형성되며 전하저장막인 분자 흡착층;상기 분자 흡착층 상의 제2절연막;을 구비하며,상기 제1절연층, 분자흡착층 및 제2절연층은 메모리셀을 형성하며,상기 분자 흡착층은 상기 탄소나노튜브를 유니폴라 탄소나노튜브로 유지하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 및 상기 분자흡착층 사이에는 상기 탄소나노튜브를 포위하는 제3절연층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 분자흡착층은 상기 탄소나노튜브의 에너지 밴드 갭 사이에 에너지 레벨이 위치하는 분자층을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 분자층은, 산소, 브롬, 요오드, TTF 분자 중 선택된 어느 하나의 분자층인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 분자흡착층은, 비정질 탄소, 탄소나노튜브, 보론 나이트라이드, 지올라이트 중 선택된 어느 하나의 기저층을 포함하며,상기 분자층은 상기 기저층에 흡착된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1 및 제2 절연층은 PMMA 또는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1 및 제2 절연층은 고유전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 삭제
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