KR100655068B1 - 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치 - Google Patents

셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100655068B1
KR100655068B1 KR1020000053910A KR20000053910A KR100655068B1 KR 100655068 B1 KR100655068 B1 KR 100655068B1 KR 1020000053910 A KR1020000053910 A KR 1020000053910A KR 20000053910 A KR20000053910 A KR 20000053910A KR 100655068 B1 KR100655068 B1 KR 100655068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
signal line
semiconductor device
line
skew
Prior art date
Application number
KR1020000053910A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020021201A (ko
Inventor
강태경
박철성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020000053910A priority Critical patent/KR100655068B1/ko
Publication of KR20020021201A publication Critical patent/KR20020021201A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100655068B1 publication Critical patent/KR100655068B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/14Word line organisation; Word line lay-out
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Geometry or layout of the interconnection structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인 배치구조를 가지는 반도체 장치는, 동일한 종류의 복수의 신호라인을 반도체 기판상의 신호제공부와 신호수신부 사이에 배치할 경우에 상기 신호제공부와 신호수신부사이를 잇는 길이가 가장긴 신호라인의 폭을 가장 크게 하고 가장 짧은 신호라인의 폭을 가장 작게 배치한 구조를 가지는 것에 의해 셋업/홀드 윈도우 및 스큐가 개선되어 동작 스피드가 향상된다.
반도체 장치, 동작 스피드, 신호라인 배치구조, 셋업/홀드 윈도우, 스큐

Description

셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인 배치구조를 가지는 반도체 장치{semiconductor device having advanced signal line layout}
도 1 및 도 2는 통상적(컨벤셔널)인 반도체 장치의 신호라인들의 배치를 보인 도면들
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장치의 신호라인의 배치를 보인 도면
본 발명은 반도체 장치의 신호라인 배치에 관한 것으로, 특히 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인 배치구조에 관한 것이다.
컴퓨터, 통신 및 산업부문에 이용되는 전자적 시스템이 대용량화 및 고도화됨에 따라 보다 저장능력이 크면서 고속동작기능을 갖는 메모리 등과 같은 반도체 장치가 필요하게 된다. 따라서, 그러한 시스템에 사용되는 반도체 장치는 보다 높은 집적율 및 스케일 다운을 위하여 보다 축소된 디자인 룰에 의해 제조되어진다. 보다 고속동작을 가지는 반도체 장치에서 셋업/홀드 윈도우(set up/hold window)도 또한 점점 좁아지고 있는 실정이다. 셋업/홀드가 빠른 경우에 동작스피드가 향상되어 제품의 성능이 개선되나, 지나치게 빠른 경우에는 동작페일을 유발할 수 있기 때문에 설계 단계부터 충분한 마진을 확보하는 것도 중요하다. 그러한 셋업/홀드 윈도우를 좁히기 위해 다양한 시도들이 본 분야에서 행해지고 있다. 그러한 시도들 중의 하나는 반도체 기판상에서 각 기능블록 및 신호라인의 배치를 고려하는 것이다.
그러나, 동일한 종류의 신호라인들의 길이는 각 기능블록의 형성위치에 기인하여 각기 다르게 되므로 신호들간에는 스큐(skew)가 발생한다. 따라서, 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 가장 긴 거리에 있는 신호라인의 길이에 맞추어 나머지 신호라인들을 연장하여 배치하였다.
통상적(컨벤셔널)인 반도체 장치의 신호라인들의 배치를 보인 도 1 및 도 2를 참조하면, 동일한 종류의 복수의 신호라인(L1,L2,Ln)이 반도체 기판상에 형성된 신호제공부(10)와 신호수신부(20)사이에 배치된 것이 보여진다. 여기서, 상기 신호제공부(10)와 신호수신부(20)의 각 유닛들(10-1, 10-2, 10-n, 20-1, 20-2, 20-n)의 공간적 배치에 기인하여 신호라인(L1)의 길이가 가장 길고, 신호라인(Ln)의 길이가 가장 짧다. 따라서, 종래에는 각 신호라인들 간의 RC딜레이에 의해 신호스큐가 발생하는 것을 최소화하기 위해, 각 신호라인들의 폭은 도 2와 같이 동일하게 하되, 신호라인들(L2,Ln)을 지그재그 형태로 꺾어서 연장부(BP2,BPn)을 형성해준다. 여기서, 상기 신호라인은 어드레스 신호, 콘트롤 신호를 전송하는 기능을 하거나 메모 리 셀의 데이터를 전송하는 기능을 한다.
따라서, 상기한 바와 같은 종래의 기술은 신호라인들의 폭은 동일하게 두고서, 가장 긴 거리에 있는 신호라인의 길이에 맞추어 나머지 신호라인들을 연장배치하는 기술인 바, 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는데 제한이 뒤따라 동작 스피드를 향상시키는데 한계가 있다.
따라서, 반도체 장치가 보다 고속으로 동작할 수 있는 신호라인 배치구조를 충분히 제공하지 못하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제를 해소할 수 있는 배치구조를 가지는 반도체 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존과 동일한 칩 사이즈일 경우에 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 획기적으로 개선할 수 있는 신호라인 배치구조를 가지는 반도체 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 장치의 고속동작을 최대로 보장할 수 있는 요인을 제공하는 반도체 장치의 신호라인 배치구조를 제공함에 있다.
상기한 목적들 및 타의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따라, 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인 배치구조를 가지는 반도체 장치는, 동일한 종류의 복수의 신호라인을 반도체 기판상의 신호제공부와 신호수신부 사이에 배치할 경우에 상기 신호제공부와 신호수신부사이를 잇는 길이가 가장긴 신호라인의 폭을 가장 크게 하고 가장 짧은 신호라인의 폭을 가장 작게 배치한 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기한 본 발명의 목적들 및 타의 목적들, 특징, 그리고 이점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 이하에서 기술되는 본 발명의 상세하고 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다. 도면들 내에서 서로 동일 내지 유사한 부분들은 설명 및 이해의 편의상 동일 내지 유사한 참조부호들로 기재됨을 주목하여야 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 신호라인 배치를 보인 평면도이다. 도 3을 참조하면, 동일한 종류의 복수의 신호라인을 반도체 기판상의 신호제공부와 신호수신부 사이에 배치할 경우에 상기 신호제공부와 신호수신부사이를 잇는 길이가 가장 긴 신호라인의 폭을 가장 크게 하고 가장 짧은 신호라인의 폭을 가장 작게 배치한 구조가 보여진다. 도 3에서 보여지는 라인간의 이격 거리(G1,G2,G3)는 도 2의 이격 거리(G1,G2,G3)와 각기 동일하며, 필요시 이격 거리를 다르게 할 수 있다. 즉, 각각의 신호라인들 사이에 다른 종류의 신호라인 혹은 파워라인을 더 배치하여 신호라인간의 스페이스를 상이하게도 할 수 있는 것이다. 도 3에서, 라인(L1)의 길이는 라인들(L2, L3)에 비해 가장 길면서 가장 큰 라인 폭을 가짐을 알 수 있다.
결국, 도 3과 같은 배치구조는 절연막의 상부에 배선을 이룰 금속층을 데포지션한 후 포토레지스트를 덮고 행하는 포토리소그래피 및 식각공정의 수행에 의해 달성될 수 있다. 상기 신호라인은 티타늄 계열의 금속, 구리 또는 알루미늄 계열의 금속성분을 포함하거나, 알루미늄 또는 텡스텐 합금선일 수 있다. 다르게는 텅스텐 다마신 공정에 의해 형성되는 라인일 수 있다.
상기한 바와 같이 동일한 종류의 신호라인들을 배치시 소요 거리에 따라 라인의 폭을 서로 다르게 한 배치 구조에 의하면, 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하면서도 동작의 스피드를 더욱 개선할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 도면을 기준으로 예를 들어 기술되었지만 이에 한정되지 않으며 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에 의해 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예를 들어, 신호 라인들의 분리 개수나 패턴형태 등을 사안에 따라 변경시킬 수 있음은 물론이다.
상술한 바와 같이, 동일한 종류의 복수의 신호라인을 반도체 기판상의 신호제공부와 신호수신부 사이에 배치할 경우에 상기 신호제공부와 신호수신부사이를 잇는 길이가 가장 긴 신호라인의 폭을 가장 크게 하고 가장 짧은 신호라인의 폭을 가장 작게 배치한 구조를 가지는 본 발명에 따르면, 셋업/홀드 윈도우 및 스큐가 개선되어 동작 스피드를 향상시키는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 동일한 종류의 복수의 신호라인을 반도체 기판상의 신호제공부와 신호수신부 사이에 배치할 경우에, 셋업/홀드 윈도우 및 스큐의 개선을 위해, 상기 신호제공부와 신호수신부사이를 잇는 길이가 가장 긴 신호라인의 폭을 가장 크게 하고 가장 짧은 신호라인의 폭을 가장 작게 배치한 신호라인 배치구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신호라인은 메모리 셀의 데이터를 전송하는 라인임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호라인은 어드레스 신호를 전송하는 라인임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 신호라인들 사이에 다른 종류의 신호라인 혹은 파워라인을 더 배치하여 신호라인간의 스페이스를 상이하게 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
KR1020000053910A 2000-09-14 2000-09-14 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치 KR100655068B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000053910A KR100655068B1 (ko) 2000-09-14 2000-09-14 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000053910A KR100655068B1 (ko) 2000-09-14 2000-09-14 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020021201A KR20020021201A (ko) 2002-03-20
KR100655068B1 true KR100655068B1 (ko) 2006-12-08

Family

ID=19688567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000053910A KR100655068B1 (ko) 2000-09-14 2000-09-14 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100655068B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689814B1 (ko) * 2004-06-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 신호 라인 및 파워 라인배치 방법
US7161823B2 (en) 2004-06-03 2007-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and method of arranging signal and power lines thereof
KR100576366B1 (ko) * 2004-10-29 2006-05-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 신호라인 배치방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334104A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Hitachi Ltd 等長等負荷バス配線
JPH07249687A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Mitsubishi Electric Corp バス配線
KR19990039584A (ko) * 1997-11-13 1999-06-05 윤종용 잡음이 적고 안정되게 동작하는 메모리 모듈
KR20000009120A (ko) * 1998-07-21 2000-02-15 김영환 균일한 길이의 데이타 버스 라인을 갖는 메모리 장치
JP2000058656A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の配線方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334104A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Hitachi Ltd 等長等負荷バス配線
JPH07249687A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Mitsubishi Electric Corp バス配線
KR19990039584A (ko) * 1997-11-13 1999-06-05 윤종용 잡음이 적고 안정되게 동작하는 메모리 모듈
KR20000009120A (ko) * 1998-07-21 2000-02-15 김영환 균일한 길이의 데이타 버스 라인을 갖는 메모리 장치
JP2000058656A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の配線方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1019990039584

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020021201A (ko) 2002-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4782193A (en) Polygonal wiring for improved package performance
US11282776B2 (en) High density routing for heterogeneous package integration
US7541625B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US6373772B2 (en) Semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits
KR100655068B1 (ko) 셋업/홀드 윈도우 및 스큐를 개선하는 신호라인배치구조를 가지는 반도체 장치
US7026718B1 (en) Stacked multi-component integrated circuit microprocessor
US6696763B2 (en) Solder ball allocation on a chip and method of the same
EP0135019A2 (en) Interconnection of elements on integrated cirrcuit substrate
US7566589B2 (en) Apparatus and method for signal bus line layout in semiconductor device
US7245027B2 (en) Apparatus and method for signal bus line layout in semiconductor device
US5504037A (en) Method of forming optimized thin film metal interconnects in integrated circuit structures of apparatus to reduce circuit operational delay
KR20030021115A (ko) 배선 설계 방법
KR100725087B1 (ko) 동작 스피드를 개선한 신호라인 배치구조를 가지는 반도체장치
JPH08274127A (ja) 半導体装置
US20190051597A1 (en) Capacitor structure and semiconductor device including the same
US10020295B2 (en) Semiconductor device comprising a plurality of drivers formed in different active regions having all source regions, drain regions of a plurality of MOSFETs connected together
JP4191110B2 (ja) 半導体装置
JP2001217509A (ja) 配線の伝送速度制御方法、それを用いた配線基板、及びその配線基板を有する電子装置
US9793210B2 (en) Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same
JP2007088352A (ja) 半導体装置
JP2003051547A (ja) 半導体装置
JP3143957B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0737987A (ja) 半導体集積回路配線方法
KR20130072037A (ko) 반도체 소자
US6700201B1 (en) Reduction of sector connecting line capacitance using staggered metal lines

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091113

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee