KR100654529B1

KR100654529B1 - 이방 도전성 접착용 조성물

Info

Publication number: KR100654529B1
Application number: KR1020050014857A
Authority: KR
Inventors: 강정구; 이종화; 최중식; 김현영; 정기성; 장두원
Original assignee: 제일모직주식회사
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2006-12-05
Also published as: KR20060094157A

Abstract

본 발명은 경화속도가 아주 빠른 열경화성수지 조성물 및 그 특성을 이용한 IC회로 실장에서 ITO 또는 TCP와 같은 플렉서블 기판(FPC)에 높은 접착력 및 작업성을 향상시킨 이방 도전성 접착용 조성물을 제공한다.

본 발명에 따른 이방 도전성 접착용 조성물은 (1) 노볼락형 페놀수지, (2) 폴리아세탈화 수지, (3) 산성화합물, (4) 열가소성 탄성체 및 (5) 실란커플링제를 포함하여 이루어지는 열경화성수지 조성물(A)에 균일하게 분산된 도전성 입자(B)를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이방 도전성 접착용 조성물, 열가소성 엘라스토머, 폴리아세탈, 노볼락형 페놀수지, 도전성 입자

Description

이방 도전성 접착용 조성물{Anisotropic conductive adhesive composition}

본 발명은 열경화성수지 조성물에 도전성 입자를 분산시켜 IC 회로 실장용으로 사용되는 이방 도전성 접착용 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 경화속도가 아주 빠른 열경화성수지 조성물 및 그 특성을 이용한 IC 회로 실장에서 ITO(indium tin oxide) 또는 TCP(tape carrier package)와 같은 플렉서블 기판에 높은 접착력 및 아주 빠른 경화속도를 갖는 이방 도전성 접착용 조성물에 관한 것이다.

이방 도전성 접착용 조성물은 접착용 조성물을 구성하는 수지 성분에 도전성 입자가 분산되어지고, 두께 방향에서 가압하는 것에 따라 두께 방향에 도전성이 부여되는 것으로서, 서로 대치하는 회로 사이에 개재시키고, 회로 사이를 가압, 가열하는 것에 의해 회로 사이의 도전성 입자를 이용하여 접속하는 것과 동시에 이들 회로 사이를 접착, 고정시키는 것을 목적으로 사용되고, 두께 방향으로만 도전성을 부여하도록 기능한다.

이와 같은 이방 도전성 접착용 조성물은 플렉서블 기판이나 TAB(tape automated bonding)와 액정패널의 유리 기판 상에 형성되는 ITO 단자를 접속하는 경우를 비롯하여 여러 가지의 단자들 사이에 이방성 도전막을 형성하고, 그것에 의해 각 단자들을 접착하는 것과 동시에 전기적으로 접합시키는 경우에 사용되고 있다.

종래의 이방 도전성 접착용 조성물은 일반적으로 에폭시계 또는 페놀계 수지와 경화제를 주성분으로 하는 수지에 도전성 입자를 분산시키는 것으로 구성되고, 그중에서 사용상의 편의 등의 관점으로부터 접착용 조성물로서는 1액형 열경화형이 주류를 이루고 있다. 또한 이방 도전성 접착용 조성물로서는 고온, 고습 하에서도 안정한 접속 신뢰성을 얻을 수 있도록 하기 위하여 여러 가지 방법에 의해 접착강도의 강화가 도모되지만, 종래의 에폭시계 또는 페놀계 수지를 이용한 이방 도전성 접착용 조성물은 접착력이 낮고, 작업성이 나쁘고, 내습성 및 내열성에 문제가 있었다.

이와 같은 문제를 해결하기 위해 다양한 개발이 이루어졌으며, 그 결과 먼저 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol)을 아세탈화하고, 그로부터 얻어지는 폴리아세탈화수지를 주성분으로 하는 열경화성 또는 광경화성 접착용 조성물로 되는 이방 도전성 접착용 조성물들이 발명되었다(일본 특허공개공보 1998-338860호).

그러나 폴리비닐알코올을 아세탈화하고, 그로부터 얻어지는 폴리아세탈화수지를 이용하는 이방 도전성 접착용 조성물은, 상기한 바와 같은 접착력 및 작업성, 내습성, 내열성의 문제들은 해결할 수 있었으나, 경화속도가 느리다는 단점이 있었다. 그리고 경화속도를 높이기 위해 상기 폴리아세탈화수지와 아크릴계 단량체 및 아크릴계 화합물을 함께 사용하여 경화속도를 높이는 것도 출원되었지만(일본 특허공개공보 2001-164206호), 접착력 등의 물성이 현저히 저하되는 문제점이 있었다.

한편, 종래의 열경화성 페놀수지 조성물은 경화속도가 늦다는 단점이 있다. 그 때문에 성형품이나 적층판의 생산에 시간이 걸리기 때문에 경화속도가 빠르고, 생산시간을 단축할 수 있는 열경화성 수지 조성물이 특히 바람직한 것으로 요구되고 있는 실정이다. 지금까지 열경화성 페놀수지 조성물의 경화속도를 빠르게 하는 방법으로서, 고분자량의 노볼락형 페놀수지를 이용하거나(일본 특허공개공보 제2001-40177호), 하이 오르토 노볼락형 페놀수지를 이용(일본 특허공개공보 1996-302158호)하고 있으나, 모두 그 효과가 불충분 하였다.

이에 본 발명자들은 노볼락형 페놀수지, 폴리아세탈 및 산성화합물들을 필수성분으로 배합하는 것에 의해 경화속도가 극히 빠른 열경화성수지 조성물을 찾아내고, 또한 검토를 진행시키는 것에 의해 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

상기한 조성 상에서 경화속도를 빠르게 하면서 접착력 등의 다른 물성들 또한 향상시키는 것이 본 발명의 목적이다.

본 발명에 따른 이방 도전성 접착용 조성물은, (1) 노볼락형 페놀수지, (2) 폴리아세탈화 수지, (3) 산성화합물, (4) 열가소성 탄성체 및 (5) 실란커플링제를 포함하여 이루어지는 열경화성수지 조성물(A)에 균일하게 분산된 도전성 입자(B)를 포함하여 이루어진다.

이하, 본 발명을 구체적인 실시예를 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명에 따른 이방 도전성 접착용 조성물은, (1) 노볼락형 페놀수지, (2) 폴리아세탈화 수지, (3) 산성화합물, (4) 열가소성 탄성체 및 (5) 실란커플링제를 포함하여 이루어지는 열경화성수지 조성물(A)에 대하여 상기 열경화성수지 조성물(A)에 균일하게 분산된 도전성 입자(B) 0.1 내지 15중량%를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 (1)의 노볼락형 페놀수지로서는 페놀류와 알데히드류를 무촉매 또는 촉매 존재 하에서 반응시켜 얻어지는 페놀수지, 크레졸수지, 크실레놀수지, 나프톨수지(naphthol resin), 랜덤 노볼락형 페놀수지, 하이 오르토 노볼락형 페놀수지 등이 사용될 수 있으나, 경화속도를 빠르게 하기 위해서는, 바람직하게는 페놀류로서 페놀을 이용하고, 알데히드류로서 포름알데히드를 이용하여 이들을 반응시켜 얻어지는 노볼락형 페놀-포름알데히드수지가 사용될 수 있다.

일반적으로 페놀수지에는 1) 열가소성인 노볼락형 페놀수지와, 2) 열경화성인 레졸형 페놀수지가 있으며, 상기 열가소성인 노볼락형 페놀수지에는 주로 헥사메틸렌테트라민(hexamethylene tetramine)이 경화제로 배합되어 열경화성 페놀수지 조성물로 사용되기도 한다. 이들은 모두 내열성, 기계적 강도, 전기특성 등 여러 가지 우수한 물성들을 가지고 있고, 성형재료, 접측판, 접착제 등의 여러 용도로 사용되고 있다.

상기 (2)의 폴리아세탈화 수지는 코폴리머형 폴리아세탈수지로서, 폴리비닐알코올을 아세탈화하여 얻어지는 폴리아세탈화 수지 및 이 폴리아세탈화 수지의 측쇄에 지방족 불포화기를 도입하여 이루어지는 변성 폴리아세탈화수지 또는 폴리에스테르 불포화 화합물이 적합하다. 상기 폴리아세탈화 수지로서는 바람직하게는 아세탈기의 비율이 30몰% 이상인 것이 될 수 있다. 아세탈기의 비율이 30몰% 보다 작은 것은 내습성이 나빠지게 되는 문제점이 있을 수 있다. 또한 옥시메틸렌기를 주된 구성단위로 하는 고분자화합물, 호모 폴리머형 폴리아세탈수지, 옥시메틸렌기 이외에 다른 구성 단위를 50중량% 미만으로 함유하는 코폴리머형 폴리아세탈수지도 사용될 수 있으며, 노볼락형 페놀수지(1)와 폴리아세탈화 수지(2)를 용융, 혼합할 때의 열안정성의 면에서 코폴리머형 폴리아세탈화 수지가 바람직하게 사용될 수 있다. 상기한 바와 같은 폴리아세탈화 수지는 직접 제조할 수 있을 정도로 공지되어 있으며, 또한 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 일본 전기화학공업사 제품인 것덴카 PVB3000-1', '덴카 PVB2000-L', 일본 폴리 프라스틱스사 제품인 '주라 콘 M90S', 일본 미츠비시 엔지니어플라스틱사 제품 겄F30-01', 일본 아사히 가제이사 제품 것테낙 C7520' 등을 구입하여 사용할 수 있다. 본 발명에서 폴리아세탈화 수지(2)의 배합량으로서는 상기 (1)의 노볼락형 페놀수지 100중량부에 대하여 50 내지 90중량부가 바람직하다. 상기 배합량이 50중량부 미만인 경우, 충분한 경화속도를 얻기 어렵게 되는 문제점이 있을 수 있고, 반대로 90중량부를 초과하는 경우, 경화 시, 가스발생량이 많아지고, 경화물의 외관이 나빠지게 되는 문제점이 있을 수 있다.

상기 (3)의 산성화합물로서는 무기산, 유기산 및 열에 의한 분해 등에 의하여 산성물질을 방출하는 화합물 등이 사용될 수 있으나, 0.5 내지 2의 해리정수(pKa)를 갖는 산성화합물이 바람직하다. 상기 산성화합물로는 황산(pKa=1.6), 인산(pKa=2.1), 포름산(pKa=3.8), 수산(pKa=1.3) 및 p-톨루엔술폰산(pKa=1.7) 등을 들 수 있으며, 특히 수산과 p-톨루엔술폰산이 가장 바람직하다. 또한 2이하의 해리정수를 갖는 산성물질로서, 예를 들면, 열분해에 의하여 상기 유기산과 같은 산성물질을 방출하는 화합물로서 방향족 술폰산 시클로헥산류가 바람직하며, 특히 p-톨루엔술폰산을 방출하는 벤젠술폰산 시클로헥실류가 바람직하다. 상기 방향족 술폰산 시클로헥실류의 구체적인 예로서는 시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트(cyclohexyl-4-methyl benzene sulfonate), 3-메틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트(3-methyl cyclohexyl-4-methyl benzene sulfonate), 3,5-디메틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트(3,5-dimethyl cyclohexyl-4-methylbenzene sulfonate), 4-부틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트(4-butyl cyclohexyl-4-methylbenzene sulfonate), 2-이소프로필-5-메틸시클로헥실-4벤젠설포네이트(2-isopropyl-5-methyl cyclohexyl-4-methyl benzene sulfonate) 및 4-히드록시시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트(4-hydroxy cyclohexyl-4-methyl benzene sulfonate) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 것이 될 수 있다. 상기에서 해리정수가 2를 초과하는 경우, 충분한 경화속도를 얻기 어렵게 되는 문제점이 있을 수 있고, 반대로 0.5 미만인 경우, 부식으로 인하여 열경화에 이용되는 용기나 금형의 재질이 제한을 받는다는 문제점이 있을 수 있다. 상기 열분해에 의해 산성물질을 방출 하는 화합물의 경우, 열분해의 온도가 120℃ 미만인 경우, 열경화성수지 조성물과 충전재로 혼합되어 열경화성수지 성형재료로 이용될 때에 성형시의 유동성이 저하되는 문제점이 있을 수 있고, 150℃를 초과하는 경우, 충분한 경화속도를 얻기 어렵게 되는 문제점이 있을 수 있다. 상기 (3)의 산성화합물의 배합량은 상기 (1)의 노볼락형 페놀수지 100중량부에 대하여 0.5 내지 20중량부가 될 수 있다. 상기 배합량이 0.5중량부 미만인 경우, 충분한 경화속도를 얻기 어렵게 되는 문제점이 있을 수 있고, 반대로 20중량부를 초과하는 경우, 부식으로 인하여 열경화에 이용되는 용기나 금형의 재질이 제한을 받는다는 문제점이 있을 수 있다.

상기 (4)의 열가소성 탄성체로서는 특별한 제한은 없으며, 에폭시기를 함유하는 열가소성 탄성체로서, 예를 들면, 폴리에스테르수지류, 폴리우레탄수지류, 폴리이미드수지류, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 스틸렌-부타디엔-스틸렌 공중합체, 폴리아세탈수지, 폴리비닐부티랄수지, 부틸고무, 클로로프렌고무(chloroprrene rubber), 폴리아미드수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-메타아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스틸렌 공중합체, 폴리초산비닐수지, 나일론, 스틸렌-부틸렌-스틸렌 블록공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트수지 등을 들 수 있다.

본 발명에 따른 수지 조성물에는 접착촉진제로서 실란커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 (5)의 실란커플링제로서는 비닐트리에톡시실란(vinyl triethoxy silane), 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란(vinyl tris(β-methoxy ethoxy) silane), β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란(β-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyl triethoxy silane), β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸디메톡시메틸실란(β-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyl dimethoxy methyl silane), β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메톡시디메틸실란(β-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyl methoxy dimethyl silane), β-(3,4-에폭시시클로헥실) 에틸 디에톡시에틸 실란 (β-(3,4-epoxy cyclohexyl) ethyl diethoxy ethyl silane), β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸에톡시디에틸실란(β-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyl ethoxy diethyl silane), β-글리시독시프로필트리메톡시실란(β-glycidoxy propyl trimethoxy silane), β-글리시독시프로필트리에톡시실란(β-glycidoxy propyl triethoxy silane), β-글리시독시프로필메틸디메톡시실란(β-glycidoxy propyl methyl dimethoxy silane), β-글리시독시프로필메톡시디메틸실란(β-glycidoxy propyl methoxy dimethyl silane), β-글리시독시프로필에틸디에톡시실란(β-glycidoxy propyl ethyl diethoxy silane), β-글리시독시프로필에톡시디에틸실란(β-glycidoxy propyl ethoxy diethyl silane) 등을 들 수 있다. 이러한 실란 커플링제의 첨가량은 상기 (1)의 노볼락형 페놀수지 100중량부에 대하여 0.01 내지 5중량부가 사용될 수 있다.

상기한 성분들을 종합하는 것에 의해 이하에서 기술되는 도전성 입자를 포함하여 접착용 조성물을 구성하는 열경화성 수지 조성물(A)을 수득하게 된다.

상기한 열경화성 수지 조성물(A)에 분산, 포함되어 본 발명에 따른 접착용 조성물을 구성하는 데 사용되는 상기 도전성 입자(B)로서는 구리, 은, 니켈 등의 금속 및 이들 금속의 합금으로 피복되는 수지나 세라믹 분체 등이 사용될 수 있다. 또한 그 형상에 대해서도 특별한 제한은 없고, 비늘모양, 수지상, 입상, 펠릿상 등 임의의 형상을 가질 수 있다.

상기 도전성 입자로서는 탄성율 1.0 × 10⁷ 내지 1.0 × 10¹⁰ Pa 인 것이 바람직하며, 특히 플라스틱 필름을 기재로 하는 경우, 또는 액정필름 등의 피접착체의 접속에 이방 도전성 접착용 조성물로 사용하는 경우, 피접착체에 균열이 생기는 등의 파괴나 압착 후의 입자의 탄성변형 회복에 의한 스프링 백(spring back) 등이 발생하여 안정한 전도성을 얻을 수 없게 되는 문제점이 있을 수 있기 때문에, 상기 탄성율 범위의 도전성 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 상기한 범위의 탄성율을 갖는 도전성 입자를 사용하는 것에 의해, 피접착체의 파괴를 방지하고, 압착 후의 입자의 탄성변형 회복에 의한 스프링 백의 발생을 억제하고, 도전성 입자의 접촉면적을 넓게 하는 것이 가능해지고, 보다 안정된 신뢰성의 높은 전도성을 얻을 수 있다. 상기에서 탄성율이 1.0 × 10⁷ Pa 미만인 경우, 입자 자체에 손상이 생기고, 전도 특성이 저하되는 문제점이 있을 수 있으며, 반대로 1.0 × 10¹⁰ Pa를 초과하는 경우, 스프링 백이 발생하는 문제점이 있을 수 있다. 상기한 바와 같은 도전성 입자로서는 상기와 같은 탄성율을 갖는 플라스틱 입자의 표면에 상기의 금속 또는 상기의 금속의 합금들로 피복한 것이 적절하게 사용될 수 있다.

상기 도전성 입자의 배합량은 상기 열경화성수지 조성물(A)에 대하여 0.1 내지 15중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 또한 상기 도전성 입자의 평균 입경은 0.1 내지 100㎛인 것이 바람직하다. 상기한 바와 같은 배합량 및 입경을 한정하는 것에 의해, 인접한 회로 사이에서 도전성 입자가 응축하고, 단락하기 어려워지고, 양호한 도전성을 얻을 수 있도록 하기 위한 것이다.

본 발명의 열경화성 수지 조성물(A)의 제조에 있어서, 상기한 노볼락형 페놀수지, 폴리아세탈화 수지 및 산성화합물들의 배합방법은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 산성화합물의 첨가 및 혼합 전에 미리 노볼락형 페놀수지와 폴리아세탈화 수지를 용융, 혼합하여 균일하게 해 두는 것이 경화속도를 빠르게 하기 때문에 바람직하다. 상기 노볼락형 페놀수지와 폴리아세탈화 수지의 용융, 혼합은 반응기 내에서 이들의 융점 이상으로 가열하고, 교반, 혼합해도 좋고, 가압 니더(kneader), 롤(roll), 코-니더(co-kneader) 및 2축 압출기 등의 혼련기를 이용하여 용융혼합해도 좋다.

본 발명의 열경화성 수지 조성물(A)의 제조방법으로서는 노볼락형 페놀수지, 폴리아세탈화 수지, 산성화합물, 그리고 필요에 따라 각종 첨가제들을 함께, 공지의 믹서(mixer)를 이용하여 혼합하는 것을 들 수 있다.

본 발명의 열경화성 수지 조성물(A)은 극히 경화속도가 빠르고, 접착력이 크게 향상된 이방 도전성 접착용 조성물의 베이스수지(base resin)의 기능을 한다.

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.

합성예 1

페놀 100중량부, 40% 포르말린 50중량부, 수산 1중량부의 혼합물을 100℃에 서 3시간 동안 반응시킨 후, 반응혼합물의 온도가 140℃가 될 때까지, 상압증류로 탈수시키고, 0.9㎪까지 서서히 감압하면서 반응혼합물의 온도가 230℃가 될 때까지 감압증류하여 미반응 페놀을 제거하고, 연화점이 81℃의 노볼락형 페놀-포름알데이드수지 90중량부를 수득하였다.

합성예 2

페놀 100중량부, 40% 포르말린 70중량부, 수산 1중량부의 혼합물을 100℃에서 3시간 동안 반응시킨 후, 반응혼합물의 온도가 140℃가 될 때까지, 상압증류로 탈수시키고, 0.9㎪까지 서서히 감압하면서 반응혼합물의 온도가 230℃가 될 때까지 감압증류하여 미반응 페놀을 제거하고, 연화점이 80℃의 노볼락형 페놀-포름알데히드수지 97중량부를 수득하였다.

제조예 1

상기 합성예 2에서 수득된 노볼락형 페놀-포름알데히드수지 100중량부와 폴리비닐부티랄(일본 전기화학공사 제품 것덴카 PVB3000-1' 60중량부, 열가소성 탄성체로서 일본 나가세 켐테크사 제품 겄SG80-HDR' 40중량부를 180℃로 30분간 용융, 혼합한 후, 급냉시켜서 용융혼합물 190중량부를 얻었다.

제조예 2

합성예 2의 노볼락형 페놀-포름알데히드수지 대신에 합성예 1의 노볼락형 페놀-포름알데히드수지 100중량부를 이용한 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일하게 수행하여 용융혼합물 190중량부를 얻었다.

제조예 3

합성예 2의 노볼락형 페놀-포름알데히드수지 100중량부와 호모 폴리머형 폴리아세탈수지(듀폰사 제품 것델린 500NC010') 20중량부를 180℃로 30분간 용융, 혼합하여 용융혼합물 190중량부를 얻었다.

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 및 2

하기 표 1에 나타낸 비율로 배합한 원료를 사용하여 이형처리된 PET 필름 상에 도포하고, 건조시켜 폭 1.5㎜, 두께 18㎛의 필름을 얻었다.

또한 상기의 샘플을 PCB 기판과 COF필름(chip on film) 사이에 붙이고, 모니터로 위치를 결정하고, 180℃의 온도, 3㎫의 압력에서 5초 동안 가열하여 압착시켰다.

상기에서 수득한 IC회로를 UTM시험기(universal testing machine)을 이용하여 90결 박리시험(50㎜/min)에 의하여 접착력을 측정하고, 디지털 전기저항 측정기로 두께방향의 전기저항을 측정하였으며, 내습/내열성을 확인하기 위해 습도 85%, 온도 85℃인 고온고습기에서 1000시간을 두고 접착력과 두께방향의 전기저항을 측정하였다. 또한 열충격기를 이용하여 -40℃에서 120℃ 사이의 열사이클을 1000사이클을 수행하고 한 후, 접착력과 두께방향의 전기저항을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

상기 표 1로부터, 본 발명의 이방 도전성 접착용 조성물은 접착력이 크게 향상되었으며, 내습/내열성도 우수한 특징을 나타냄을 확인할 수 있었다. 상기 실시예들과 비교예들은 모두 동일한 열압착조건에서 수행되었으며, 즉, 열압착시간이 5초로 아주 짧은 경우에 있어서는 비교예들의 경우, 접착용 조성물의 물성이 많이 저하되는 것을 확인할 수 있었다. 바교예들의 경우, 적어도 30초 정도의 비교적 긴 시간 동안 압착시켜야 어느 정도 요구되는 접착력을 발휘할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 접착용 조성물이 종래의 기술에 비해 아주 빠른 경화속도를 가지면서도 우수한 접착성능을 나타낼 수 있음을 확인할 수 있었다.

따라서 본 발명에 의하면 경화속도가 아주 빠른 열경화성수지 조성물 및 그 특성을 이용한 IC 회로 실장에서 ITO(indium tin oxide) 또는 TCP(tape carrier package)와 같은 플렉서블 기판에 높은 접착력 및 아주 빠른 경화속도를 갖는 이방 도전성 접착용 조성물을 제공하는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims

(1) 노볼락형 페놀수지,

(2) 폴리아세탈화 수지,

(3) 0.5 내지 2의 해리정수(pKa)를 갖는 무기산, 유기산 및 열분해에 의하여 산성물질을 방출하는 방향족 술폰산 시클로헥산류로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 산성화합물,

(4) 에폭시기를 포함하는 탄성 열가소성 수지 및

(5) 실란커플링제를 포함하는 열경화성 수지 조성물(A)에 균일하게 분산된 도전성 입자(B)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 열경화성수지 조성물(A)이 상기 노볼락형 페놀수지와 상기 폴리아세탈화 수지를 먼저 혼합시켜서 이루어지는 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 열경화성수지 조성물(A)이 상기 노볼락형 페놀수지 100중량부에 대하여 상기 폴리아세탈화 수지 50 내지 90중량부를 혼합하여서 이루어지는 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 노볼락형 페놀수지가 페놀과 포름알데히드를 반응시켜서 얻어지는 노볼락형 페놀-포름알데히드수지임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 폴리아세탈화 수지가 폴리비닐알코올을 아세탈화 하여 얻어지는 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
삭제
삭제
삭제
제 1항에 있어서,

상기 산성화합물이 시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트, 3-메틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트, 3,5-디메틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트, 4-부틸시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트, 2-이소프로필-5-메틸시클로헥실-4벤젠설포네이트 및 4-히드록시시클로헥실-4-메틸벤젠설포네이트 또는 이들 중 2이상의 혼합물로로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 도전성 입자가 구리, 은, 니켈 등의 금속 및 이들 금속의 합금으로 피복되는 수지나 세라믹 분체들로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 도전성 입자가 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 15중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 도전성 입자가 비늘모양, 수지상, 입상, 펠릿상 등의 형상을 갖는 것임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 11항에 있어서,

상기 도전성 입자가 1.0 × 10⁷ 내지 1.0 × 10¹⁰ Pa의 범위의 탄성율을 갖는 입자임을 특징으로 하는 이방 도전성 접착용 조성물.
제 1항에 따른 조성물을 박리용 시트에 도포 건조하여 형성된 이방 도전성 필름.