KR100648041B1 - Data storage using scanning probe microscopy - Google Patents

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KR100648041B1
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cantilever
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scanning probe
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KR1020050063675A
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서문석
신진국
이철승
김성현
최영진
이경일
조진우
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전자부품연구원
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    • G01Q70/14—Particular materials

Abstract

An information storage device is provided to achieve the storage of information in the tera-bit range by manufacturing media using a spin-coated polymer thin film, a phase transition layer, or a ferroelectric thin film. An information storage device is configured to read and write information using media(210) formed on a silicon substrate(220). The media are formed of a polymer thin film, a phase transition layer, a dielectric/ferroelectric thin film, or a conductive transition oxide thin film. The information storage device has an atomic microscopic cantilever including a cantilever support, a cantilever arm, a probe(150), a metal layer(160) formed on the cantilever support, a channel formed below the probe, a source(180), a drain(190), and a gate(200) formed between the source and drain.

Description

주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치{Data storage using scanning probe microscopy}Data storage using scanning probe microscopy

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 원자력 현미경 캔틸레버를 나타내는 구성도이다.1 and 2 is a schematic view showing an atomic force microscope cantilever according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 캔틸레버의 탐침을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a probe of a cantilever according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 SPM을 이용한 정보저장장치를 나타내는 구성도이다.4 is a block diagram showing an information storage device using the SPM according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>   <Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100 : 제1 실리콘층 110 : 산화막100: first silicon layer 110: oxide film

120 : 제2 실리콘층 130 : 캔틸레버 지지부120: second silicon layer 130: cantilever support

140 : 캔틸레버 아암부 150 : 탐침140: cantilever arm portion 150: probe

160 : 금속층 170 : 채널160: metal layer 170: channel

180 : 소스 190 : 드레인180: source 190: drain

200 : 게이트 210 : 미디어200: gate 210: media

220 : 실리콘220: silicon

본 발명은 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원자력 현미경 캔틸레버를 사용하여 다양한 매체에서 테라비트급 정보저장을 용이하게 할 수 있는 테라비트급 정보저장장치에 관한 것이다.The present invention relates to an information storage device using a scanning probe microscope, and more particularly, to a terabit information storage device that can facilitate terabit information storage in various media using an atomic force microscope cantilever.

일반적으로 탐침을 스캐닝하는 방식으로 여러 종류의 물리량을 측정할 수 있는 다양한 형태의 현미경으로 발전된 것을 주사 탐침 현미경(SPM : Scanning Probe Microscope)이라 한다.In general, the scanning probe microscope (SPM) has been developed into various types of microscopes capable of measuring various physical quantities by scanning probes.

상기 주사 탐침 현미경의 한 종류로 탐침과 시료 사이에 원자적인 힘을 이용하여 시료의 전하량을 측정할 수 있는 원자력 현미경(AFM : Atomic Force Microscopy)이 있다.One type of scanning probe microscope is atomic force microscopy (AFM) which can measure the amount of charge in a sample by using atomic force between the probe and the sample.

최근에는 원자력 현미경의 캔틸레버 탐침에 전계 효과 트랜지스터 구조를 내장한 형태의 탐침을 이용하여 차세대 데이터 저장용 센서로 사용하려는 시도가 많이 연구되고 있다.Recently, many attempts have been made to use as a sensor for the next generation data storage using a probe having a field effect transistor structure embedded in a cantilever probe of an atomic force microscope.

종래의 테라비트급 정보저장을 위한 방법은 크게 3가지가 있다. 이 3가지 방법 모두 주사 탐침 현미경 방법을 택하는 형태로 하여 테라비트급 정보저장장치에 응용될 수 있다.There are three conventional methods for storing terabit information. All three methods can be applied to a terabit information storage device by adopting a scanning probe microscope method.

첫째, 스위스 취리히의 IBM에서 개발한 열·기계적(Thermomechanical) 방법을 사용하는 캔틸레버를 이용하여 폴리머 매체에 열을 가해 변형시켜 쓰기를 하고, 열에 의해 움푹파인 곳을 캔틸레버가 지나면서 뜨겁게 달궈진 캔틸레버의 열 변화를 이용하여 데이터를 읽는 방식을 있다.First, using a cantilever using the thermal and mechanical method developed by IBM in Zurich, Switzerland, the polymer medium is heated and deformed, and the cantilever heats as the cantilever passes through the cantilever. There is a way to read data using change.

둘째, 프랑스 LETI의 연구소에서 개발한 상전이 박막의 전기 전도도 변화를 이용하는 방식을 있다. 이 방식은 기존의 원자간력 현미경의 캔틸레버와 상전이 박막 사이에 전압을 걸어서 상전이 박막의 상변화를 일으켜 전류 변화를 이용한 저장장치 형태이다.Second, there is a method using the electrical conductivity change of the phase change thin film developed by the Institute of Leti in France. This method forms a phase change of the phase change thin film by applying a voltage between the cantilever and the phase change thin film of the conventional atomic force microscope, and is a storage device using the change of current.

셋째, 유전체나 강유전체 미디어에 전하를 주입 또는 분극 방향을 이용하는 방식이 있다. 이 방식은 이미 오래전부터 제안되어 왔고, 주로 캔틸레버에 금속을 코팅한 팁을 이용하고 미디어와 연결된 회로를 통해서 전하 또는 분극의 반전을 이용하는 방식이다.Third, there is a method of injecting or polarizing a charge into a dielectric or ferroelectric media. This method has been proposed for a long time, mainly using a metal coated tip on the cantilever and a reversal of charge or polarization through a circuit connected to the media.

그러나 상기와 같은 종래의 테라비트급 정보저장장치를 위한 제작하기 위한 다양한 방법들에서 미디어에 따른 센서부인 캔틸레버가 매우 중요함에도 불구하고, IBM의 열·기계 방식을 제외하고는 특이할 만한 캔틸레버가 사용되는 경우가 거의 없다. 또한, IBM의 여러 문제점을 개선하기 위해 엘지전자에서 열 압전 방식의 센서를 개발하였다. 이들의 경우 모두 센서부인 캔틸레버가 열을 발산하는 형태로 되어 있는데, 그 열이 발생하는 면적이 매우 넓어서 전력 소모가 매우 심한 문제점을 가지고 있었다.However, although the cantilever, which is a sensor part according to media, is very important in various methods for manufacturing the conventional terabit information storage device as described above, except for IBM's thermo-mechanical method, an unusual cantilever is used. There are very few cases. In addition, in order to improve various problems of IBM, LG Electronics has developed a thermal piezoelectric sensor. In all of these cases, the cantilever, which is a sensor unit, is configured to radiate heat. However, since the heat generating area is very wide, power consumption is very high.

또한, 전기 전도 변화형이나, 유전체·강유전체를 이용하는 경우의 센서는 일반적으로 금속이 코팅된 캔틸레버나 고농도로 도핑된 실리콘 캔틸레버를 사용하는 경우가 대부분이다. 이러한 캔틸레버의 경우 수 차례 읽고 쓰기를 반복하면 캔 틸레버의 탐침부가 마모되어 정보를 쓰거나 읽기에 심한 왜곡을 일으키는 문제가 발생한다.In addition, in the case of an electrically conductive change type or a dielectric / ferroelectric sensor, a metal coated cantilever or a heavily doped silicon cantilever is generally used. In the case of such a cantilever, the reading and writing of the cantilever repeatedly causes wear of the probe portion of the cantilever, causing severe distortion in writing or reading information.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 미디어를 스핀 코팅된 폴리머 박막, GST 박막을 통한 상전이 박막 또는 강유전체 박막을 이용하여 제작함으로써 테라비트급 주사 탐침 현미경의 정보저장장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, by forming a media using a spin-coated polymer thin film, a phase-transfer thin film or a ferroelectric thin film through a GST thin film information of a terabit scanning probe microscope It is an object of the present invention to provide a storage device.

본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지부; 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부에 형성된 탐침; 상기 캔틸레버 지지부에 형성된 금속층; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 채널의 일측에 형성되어 불순물이 도핑된 소스; 상기 채널의 탐침측에 형성되어 불순물이 도핑된 드레인 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트를 포함한 원자력 현미경 캔틸레버를 이용하여 실리콘 기판 상에 형성된 폴리머 박막, 상전이 박막, 유전체/강유전체 박막 및 전도성 전이 산화물 박막 중 어느 하나를 이용하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a cantilever support; Cantilever arm portion; A probe formed in the cantilever arm portion; A metal layer formed on the cantilever support unit; A channel formed at the bottom of the probe; A source formed at one side of the channel and doped with impurities; A polymer thin film, a phase transition thin film, a dielectric / ferroelectric thin film and a conductive transition oxide thin film formed on a silicon substrate using an atomic force microscopy cantilever including a drain formed on the probe side of the channel and a gate doped with impurities and a gate formed between the source / drain. It is achieved by an information storage device using a scanning probe microscope using any one of them.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 원자력 현미경 캔틸레버를 나타내는 구성도이다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 캔틸레버는 제1 실리콘층(100), 산화막(110), 제2 실리콘층(120)이 순차적으로 적층된 캔틸레버 지지부(130), 캔틸레버 지지부(130)의 제2 실리콘층(120)이 연장되어 형성된 캔틸레버 아암부(140), 캔틸레버 아암부(140)의 제2 실리콘층(120)에 형성된 탐침(150), 캔틸레버 지지부(130)에 형성된 금속층(160), 탐침(150)의 하부에 형성된 채널(170), 채널(170)의 좌우측에 형성된 소스(180)와 드레인(190) 및 소스(180)/드레인(190) 사이에 형성된 게이트(200)로 구성되어 있다. 이는 금속층(160), 산화막(110), 제2 실리콘층(120)이 순차적으로 적층되어 있으므로 MOS 구조를 갖는다.1 and 2 is a schematic view showing an atomic force microscope cantilever according to the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the cantilever of the present invention includes a cantilever support part 130 and a cantilever support part in which the first silicon layer 100, the oxide film 110, and the second silicon layer 120 are sequentially stacked. The metal layer formed on the cantilever arm portion 140 formed by extending the second silicon layer 120 of 130, the probe 150 formed on the second silicon layer 120 of the cantilever arm portion 140, and the cantilever support portion 130. 160, a channel 170 formed under the probe 150, a gate 200 formed between the source 180 and the drain 190 and the source 180 and the drain 190 formed on the left and right sides of the channel 170. It consists of). Since the metal layer 160, the oxide film 110, and the second silicon layer 120 are sequentially stacked, the metal layer 160 has a MOS structure.

도 3은 본 발명에 따른 캔틸레버의 탐침을 나타내는 단면도이다. 도 2를 살펴보면, 탐침(150)의 하부에 채널(170)이 형성되어 있고, 채널(170)의 양측면에는 소스(180)와 드레인(190)이 각각 형성되어 있다. 즉, 소스(180), 드레인(190), 채널(170)과 탐침(150)이 포함되어 있으므로, 원자력 현미경용 FET 구조를 갖는다.3 is a cross-sectional view showing a probe of a cantilever according to the present invention. Referring to FIG. 2, the channel 170 is formed under the probe 150, and the source 180 and the drain 190 are formed on both sides of the channel 170, respectively. That is, since the source 180, the drain 190, the channel 170 and the probe 150 are included, it has a FET structure for atomic force microscopy.

여기서, 소스(180)와 드레인(190)은 n형 불순물을 도핑하여 형성하는데, n형 불순물을 도핑하여 소스(180)와 드레인(190)을 형성하면, 채널(170)에는 p형 불순물이 도핑되야 한다.Here, the source 180 and the drain 190 are formed by doping n-type impurities. When the source 180 and the drain 190 are formed by doping n-type impurities, the p-type impurities are doped in the channel 170. Should be.

이를 위해 미리 p형 불순물이 도핑된 제2 실리콘층을 사용하여 채널(170)을 마스크하고, 제2 실리콘층에 도핑된 불순물과 전도성이 다른 불순물을 하이 도핑하면, 소스(180)와 드레인(190)에는 n++의 상태가 된다.To this end, if the channel 170 is masked using a second silicon layer doped with p-type impurities, and a high doping of impurities having a conductivity different from that of the doped second layer, the source 180 and the drain 190 ) Becomes the state of n ++.

상기와 같이 소스(180)와 드레인(190)을 n++ 불순물이 도핑된 영역으로 분리한 이유는 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용하기 위하여 채널(170)의 폭을 100㎚ 이하로 하여 쇼트 채널 효과의 발생을 방지한다.The reason why the source 180 and the drain 190 are separated into a region doped with n ++ impurity as described above is that the width of the channel 170 is 100 nm or less in order to be applied to a terabit probe type information storage device. To prevent the occurrence of.

도 4는 본 발명에 따른 SPM을 이용한 정보저장장치를 나타내는 구성도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(220) 상에 미디어(210)를 올려 정보저장장치로 사용하는데 그 작동은 다음과 같다.4 is a block diagram showing an information storage device using the SPM according to the present invention. As shown in FIG. 4, the media 210 is placed on the silicon substrate 220 and used as an information storage device. The operation thereof is as follows.

첫째, 열 변형 폴리머 박막을 사용하는 경우에는 실리콘 기판(220) 위에 스핀 코팅된 폴리머 박막(210)을 올린다. 캔틸레버의 디바이스 구조는 N++ - P - N++ 구조이므로 통상적인 전압은 순방향인 (-) 전압을 가해서 구동하는 반면에, 본 발명에서는 캔틸레버의 소스(180)와 드레인(190) 사이에 역인 (+) 전압을 걸어서 캔틸레버 탐침(150)이 달궈지게 한다. First, in the case of using the heat-modified polymer thin film, the polymer thin film 210 spin-coated on the silicon substrate 220 is raised. Since the device structure of the cantilever is an N ++-P-N ++ structure, a typical voltage is driven by applying a forward (-) voltage, whereas in the present invention, a positive voltage is inverse between the source 180 and the drain 190 of the cantilever. Walk the cantilever probe 150 to heat up.

따라서, 캔틸레버의 탐침(150)을 미소한 전류만으로 달굴 수 있어 전력이 매우 낮게 되고, 읽을 경우는 소스(180)와 드레인(190) 사이에 순방향인 (-) 전압을 걸어 작동을 하게 된다. 폴리머 박막(210)이 열에 의해 변형이 되어 움푹 파인 곳 을 캔틸레버가 지나가면서 휘어져 소스(180)와 드레인(190) 사이에 흐르는 미세한 전류량이 캔틸레버의 역학적인 운동에 의해 바뀌는 것을 이용하여 작동된다.Accordingly, the probe 150 of the cantilever can be driven with only a small amount of current, and thus the power becomes very low. In the case of reading, the positive voltage is applied between the source 180 and the drain 190 in the forward direction. The polymer thin film 210 is deformed by heat, and is bent as the cantilever passes through the hollow, and the minute current flowing between the source 180 and the drain 190 is operated by using the cantilever's dynamic movement.

둘째, 상전이 박막(Ge2-Sb2-Te5와 같은 GST 박막)을 이용하는 경우에는 실리콘 기판(220) 위에 상전이 박막(210)을 올린다. 상전이 박막(210)을 이용할 경우 두 가지 모드로 쓰기 기능을 할 수 있다. Second, in the case of using a phase change thin film (GST thin film such as Ge 2 -Sb 2 -Te 5 ), the phase change thin film 210 is placed on the silicon substrate 220. When the phase change thin film 210 is used, the writing function may be performed in two modes.

첫번째 모드시에는 열 변형 폴리머 박막과 같은 방식으로 상전이 박막의 상변화를 일으킬 수 있다. 이 경우 상변이 물질은 200℃ 이하의 온도에서 변화를 일으키므로 열 변형 폴리머 박막과 비슷하지만, 표면의 토폴로지 변화가 열 변형 폴리머 박막에 비하여 아주 극소로 변형된다. 이는 상전이 박막(210) 위에 보호막이 없는 경우 사용할 수 있다. In the first mode, the phase change of the phase change thin film can be caused in the same manner as the heat-modified polymer thin film. In this case, the phase change material is similar to a heat-modified polymer thin film because it changes at a temperature of 200 ° C. or less, but the topological change of the surface is very minimal compared to the heat-modified polymer thin film. This may be used when there is no protective film on the phase change thin film 210.

두번째 모드시에는 상전이 박막(210) 위에 전도성 보호막이 형성되어 있는 경우 열로 상전이 박막을 변형하기는 어려우므로 이때는 기록매체와 캔틸레버 사이의 전압을 걸어서 둘 사이에 흐르는 전류를 이용하여 전도성 보호막은 결정질 상태로 변형하고 상전이 박막은 비정질 상태로 변형시켜 정보를 읽거나 쓸 수 있다. In the second mode, when the conductive protective film is formed on the phase-transfer thin film 210, it is difficult to deform the phase-transfer thin film with heat. In this case, the conductive protective film is crystalline by using a current flowing between the recording medium and the cantilever. Deformed and phase-transfer thin films can be deformed into an amorphous state to read or write information.

즉, 상전이 박막(210)은 탐침에 인가 펄스전압을 인가시 발생되는 열에 의해 결정질 상태에서 비정질 상태로 변화된 후 그 상태를 유지하는 박막으로 상전이 박막이 비정질의 경우와 고체의 상태에 따른 저항비가 매우 크게 나타나는 특징을 이용한다.That is, the phase change thin film 210 is a thin film which is changed from a crystalline state to an amorphous state by heat generated when an applied pulse voltage is applied to the probe and maintains the state. The resistance ratio according to the case of the amorphous phase transition state and the solid state is very high. Use features that appear large.

셋째, 유전체 및 강유전체 박막을 이용하는 경우에는 쓰기를 할 경우 캔틸레 버의 쓰는 영역과 미디어(210) 사이의 정전압을 이용하게 된다. 읽기를 할 경우 소스(180)와 드레인(190) 사이의 전류가 유전체 박막의 경우는 유전체에 포획된 전하의 포텐셜에 의해 변화되고, 강유전체 박막의 경우는 강유전체 박막 내의 분극의 방향에 의해 포텐셜 차이를 읽는 방식을 택하게 된다.Third, in the case of using the dielectric and ferroelectric thin films, the constant voltage between the writing area of the cantilever and the media 210 is used when writing. In the case of reading, the current between the source 180 and the drain 190 is changed by the potential of the charge trapped in the dielectric in the case of the dielectric thin film, and in the case of ferroelectric thin film, the potential difference is changed by the direction of polarization in the ferroelectric thin film. You choose to read.

넷째, 전도성 전이 산화물(NiO, Cr-doped SrTiO3, Cr-doped SrZrO3, (Pr,Ca)MnO3, 등) 박막을 이용하는 경우에는 외부 전압에 의해서 전기 전도도 또는 전기 저항이 가역적으로 변화하고, 변화된 전기 저항은 외부 전압이 끊어진 상태에서도 유지되는 비휘발성을 가지고 있다. 이러한 특성을 가지는 기록매체를 유전체 박막이나 강유전체 박막을 사용하는 방식을 이용하여 쓰기와 읽기를 하게 된다. Fourth, in the case of using a conductive transition oxide (NiO, Cr-doped SrTiO 3 , Cr-doped SrZrO 3 , (Pr, Ca) MnO 3 , etc.) thin film, the electrical conductivity or electrical resistance is reversibly changed by an external voltage, The changed electrical resistance is nonvolatile, which is maintained even when the external voltage is disconnected. The recording medium having these characteristics is written and read by using a dielectric thin film or a ferroelectric thin film.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치는 미디어를 스핀 코팅된 폴리머 박막, GST 박막을 통한 상전이 박막 또는 강유전체 박막을 이용하여 제작함으로써, 테라비트급 정보저장이 가능한 효과가 있다.Therefore, the information storage device using the scanning probe microscope of the present invention by producing a media using a spin-coated polymer thin film, a phase-transfer thin film or a ferroelectric thin film through a GST thin film, there is an effect capable of terabit information storage.

Claims (9)

캔틸레버 지지부; 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부에 형성된 탐침; 상기 캔틸레버 지지부에 형성된 금속층; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 채널의 일측에 형성되어 불순물이 도핑된 소스; 상기 채널의 탐침측에 형성되어 불순물이 도핑된 드레인 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트를 포함한 원자력 현미경 캔틸레버를 이용하여 실리콘 기판 상에 형성된 폴리머 박막, 상전이 박막, 유전체/강유전체 박막 및 전도성 전이 산화물 박막 중 어느 하나를 이용하여 정보를 읽고 쓰는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.Cantilever support; Cantilever arm portion; A probe formed in the cantilever arm portion; A metal layer formed on the cantilever support unit; A channel formed at the bottom of the probe; A source formed at one side of the channel and doped with impurities; A polymer thin film, a phase transition thin film, a dielectric / ferroelectric thin film and a conductive transition oxide thin film formed on a silicon substrate using an atomic force microscopy cantilever including a drain formed on the probe side of the channel and a gate doped with impurities and a gate formed between the source / drain. Information storage device using a scanning probe microscope to read and write information using any one of the. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상전이 박막은 상전이 박막만 있을 경우 200℃ 이하의 온도에서 GST 박막을 이용하여 상변화를 일으키거나 상전이 박막상에 전도성 보호막이 형성되어 있는 경우 기록매체와 캔틸레버 사이의 전압을 걸어 상기 전도성 보호막은 결정질 상태로 변화되고 상전이 박막은 비정질 상태로 변화하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The phase change thin film causes phase change using a GST thin film at a temperature of 200 ° C. or less when only the phase change thin film is present, or when the conductive protective film is formed on the phase change thin film, the conductive protective film is crystalline by applying a voltage between the recording medium and the cantilever. The information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that the state change and the phase-transfer thin film is changed to an amorphous state. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상전이 박막은 Ge2-Sb2-Te5를 사용하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The phase-transition thin film data storage device using a scanning probe microscope characterized by using a Ge 2 -Sb 2 -Te 5. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유전체/강유전체 박막은 캔틸레버와 미디어 사이의 정전압을 이용하여 기록하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The dielectric / ferroelectric thin film is an information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that the recording using the constant voltage between the cantilever and the media. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 유전체 박막은 포획된 전하의 포텐셜 차이를 읽는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The dielectric thin film is an information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that for reading the potential difference of the captured charge. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 강유전체 박막은 강유전체 박막 내의 분극의 방향에 의해 포텐셜 차이를 읽는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The ferroelectric thin film is an information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that the potential difference is read by the direction of polarization in the ferroelectric thin film. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 폴리머 박막은 캔틸레버의 소스와 드레인 사이에 역 (+) 전압을 걸어 캔틸레버 탐침을 달궈지게 하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The polymer thin film is an information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that by applying a reverse (+) voltage between the source and the drain of the cantilever to sweeten the cantilever probe. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전도성 전이 산화물 박막은 외부 전압에 의해서 전기 전도도 또는 전기 저항이 가역적으로 변화하고, 변화된 전기 저항은 외부 전압이 끊어진 상태에서도 유지되는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The conductive transition oxide thin film is an information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that the electrical conductivity or electrical resistance is reversibly changed by an external voltage, the changed electrical resistance is maintained even when the external voltage is cut off. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전도성 전이 산화물 박막은 NiO, Cr-doped SrTiO3, Cr-doped SrZrO3, (Pr,Ca)MnO3 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 정보저장장치.The conductive transition oxide thin film is NiO, Cr-doped SrTiO 3 , Cr-doped SrZrO 3 , (Pr, Ca) MnO 3 Information storage device using a scanning probe microscope, characterized in that using any one.
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