KR100643927B1

KR100643927B1 - Flip chip package capable of monitoring flip chip interconnection

Info

Publication number: KR100643927B1
Application number: KR1020050090651A
Authority: KR
Inventors: 박창수; 박흥우
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2005-09-28
Filing date: 2005-09-28
Publication date: 2006-11-10

Abstract

A flip chip package is provided to monitor simply easily a flip chip interconnection by using a first and a second substrate pad. A flip chip package includes a first element pad, a second element pad adjacent to the first element pad, a first substrate bump on a substrate corresponding to the first element pad, a second substrate bump on the substrate corresponding to the second element pad, a first substrate pad and a second substrate pad. The first substrate pad(240(1)) is formed on the substrate in order to be electrically connected with the first substrate bump. The second substrate pad(240(2)) is formed on the substrate in order to be electrically connected with the second substrate bump. The connection states between the first element pad and the first substrate bump or between the second element pad and the second substrate bump are easily checked by performing a monitoring process using the first and second substrate pads.

Description

플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지{Flip chip package capable of monitoring flip chip interconnection}Flip chip package capable of monitoring flip chip interconnection

도 1a은 종래 기술에 따른 플립 칩 접촉 모니터링 플립 칩 패키지를 도시한 도면. 1A illustrates a flip chip contact monitoring flip chip package according to the prior art;

도 1b는 본 발명에 적용 가능한 간접 광변조기 중 압전체를 이용한 회절형 광변조기 모듈의 사시도. Figure 1b is a perspective view of a diffractive optical modulator module using a piezoelectric of the indirect optical modulator applicable to the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도. 2 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contacts at a predetermined position according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 평면도.3 is a plan view illustrating a flip chip package capable of flip chip contact monitoring at a predetermined position according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도.4 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance at a predetermined position according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도.5 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance at a predetermined position according to a third exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

210 : 기판210: substrate

220 : 기판 범프220: substrate bump

230 : 소자 패드230: device pad

240(1), 240(2) : 기판 패드240 (1), 240 (2): Board Pad

본 발명은 반도체 장치의 접촉 테스트 패턴에 관한 것으로, 특히 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a contact test pattern of a semiconductor device, and more particularly to a flip chip package capable of flip chip contact monitoring.

종래에 단자틀(lead frame)에 칩을 부착하고 칩의 접속점(pad)과 단자를 접속선(bonding wire)으로 연결한 후 수지로 밀봉하는 형성의 패키지에서는 크기가 크고 무거우며 실장에 필요한 배선의 길이도 커야 했다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 에폭시나 세라믹 기판에 칩을 부착하고 둥근 솔더 볼(solder ball)을 단자로 이용하는 플립 칩 볼 그리드 어레이 패키지(FCB : Flip Chip Ball Grid Array Package, 이하, "플립 칩 패키지"라고 함)가 개발되었다. 이러한 플립 칩 본딩 방식은 소자(또는 칩)를 기판에 페이스 다운(face-down)시켜 실장시키는 기술이다. 이러한 플립 칩 방식은 공간활용도 측면에서 우수하며, 연결선이 굵고 짧기 대문에 고주파에서도 EMI에 강하고, 일괄공정이 가능하기 때문에 와이어 본딩 방식에 비해 공정 비용이 저렴한 특징이 있다. 현재 플립 칩 본딩은 GHz 수준에서 동작하는 마 이크로프로세서나 네트워크 장비용 고속 로직 IC에 사용된다. 이유는 비용이 와이어 본딩에 비해 많이 들기 때문이다. 그렇지만 노이즈 조절에 대한 수요의 증가로 와이어 본딩에서 플립 칩 본딩으로 꾸준히 이동하고 있다. Conventionally, in a package formed by attaching a chip to a lead frame, connecting the pad and terminal of the chip with a bonding wire, and sealing with a resin, the package is large and heavy and requires wiring. The length had to be big too. To solve this problem, a flip chip ball grid array package (FCB: flip chip package), in which a chip is attached to an epoxy or ceramic substrate and a round solder ball is used as a terminal, is called. Has been developed. The flip chip bonding method is a technology in which a device (or chip) is face-down mounted on a substrate and mounted. The flip chip method is excellent in terms of space utilization, and because the connection line is thick and short, it is resistant to EMI even at high frequencies, and can be batch-processed, and thus has a lower process cost than the wire bonding method. Flip chip bonding is now used in high-speed logic ICs for microprocessors or network equipment operating at the GHz level. This is because the cost is higher than wire bonding. However, the growing demand for noise control is steadily moving from wire bonding to flip chip bonding.

여기서, 플립 칩 패키지는 많은 배치, 납땜 및 기타 공정단계를 필요로 한다. 따라서, 고품질의 제품을 경제적으로 제조하기 위해서는, 테스팅(testing) 및 검사(inspection)가 절대적으로 필요하다. 플립 칩 패키지에서 발생하는 고장은 부품 칩 및 원판(bare boards)에서, 부품삽입 과정에서 또는 납땜 과정에서 그 근원이 있을 수 있다. 이러한 고장으로서는, 잘못된 수치 또는 라벨(wrong values or labels), 저하된 회로성능(poor circuit performance), 개회로(open circuits), 단락회로(short circuits), 부적절한 위치에 놓인 부품(components in the wrong position), 물리적 손상 (physical damage), 부적절한 땜납(improper solder), 손상된 또는 개방된 랜드(damaged or open lands), 또는 공차의 초과(out of tolerance)에 의한 고장들이 있다.Here, flip chip packages require many batches, solders and other processing steps. Therefore, in order to economically manufacture high quality products, testing and inspection are absolutely necessary. Failures that occur in flip chip packages can be rooted in component chips and bare boards, during component insertion, or during soldering. Such failures include wrong values or labels, poor circuit performance, open circuits, short circuits, and components in the wrong position. ), Physical damage, improper solder, damaged or open lands, or failures due to out of tolerance.

도 1a는 종래 기술에 따른 플립 칩 접촉 모니터링 플립 칩 패키지에서 데이지 체인(daisy chain)을 이용하여 접촉 상태를 모니터링하는 하기 위한 패턴을 도시한 도면이다. 도 1a를 참조하면, 기판(110), 기판 범프(120) 어레이, 소자 패드(130) 어레이 및 기판의 모서리 근처에 형성된 네개의 기판 패드(140)가 도시된다. FIG. 1A illustrates a pattern for monitoring a contact state using a daisy chain in a flip chip contact monitoring flip chip package according to the related art. Referring to FIG. 1A, a substrate 110, an array of substrate bumps 120, an array of device pads 130, and four substrate pads 140 formed near an edge of the substrate are shown.

기판(110)은 일반적으로 인쇄회로기판으로서, 특정한 패턴에 따른 배선이 형성된다. 기판(110) 상에는 기판 범프(120) 어레이가 형성된다. 기판 범프(120)는 반도체 소자에 형성된 소자 패드(130)와 전기적으로 연결된다. 도 1에서는 설명의 편의상 반도체 소자의 몸체는 도시하지 않았으며, 반도체 소자에 형성된 소자 패드(130)만을 도시하였다. The substrate 110 is generally a printed circuit board, and wirings are formed according to a specific pattern. An array of substrate bumps 120 is formed on the substrate 110. The substrate bump 120 is electrically connected to the device pad 130 formed in the semiconductor device. In FIG. 1, for convenience of description, the body of the semiconductor device is not illustrated, and only the device pad 130 formed in the semiconductor device is illustrated.

여기서, 기판 범프(120)와 소자 패드(130) 간에 개방(open)된 영역이 있는지 테스트하기 위해서, 소자 패드(130)를 두개씩 서로 전기적으로 연결하고, 기판 범프(120)도 소자 패드(130)와 엇갈려서 두개씩 서로 전기적으로 연결한다. 따라서 기판 범프(120)와 소자 패드(130)가 정상적으로 서로 연결되는 경우에는 기판 패드(140) 간의 저항을 측정함으로써, 개방 유무를 확인할 수 있다. Here, in order to test whether there is an open area between the substrate bump 120 and the device pad 130, the device pads 130 are electrically connected to each other, and the substrate bumps 120 are also connected to the device pads 130. Alternately and electrically connect each other. Therefore, when the substrate bumps 120 and the device pads 130 are normally connected to each other, the resistance between the substrate pads 140 may be measured to determine whether the substrate bumps 120 are open.

그러나, 이러한 테스트 패턴은 테스트 모듈로 제작해서 초기 장비의 셋업 또는 공정조건을 잡을 때 사용하며, 실제 생산되는 제품에 적용하는 것은 불가능하기 때문에 간편하게 플립 칩 패키지의 개방 여부를 판단할 수 있는 테스트 패턴을 실제 생산되는 제품 내에 적용한 패키지의 필요성이 증대되고 있다.However, these test patterns are used as test modules to set up the initial equipment or to set up the process conditions.It is not possible to apply them to the actual product, so it is easy to determine whether the flip chip package is opened. The necessity of the package applied in the product actually produced is increasing.

본 발명은 플립 칩 패키지의 전기적 개방 여부를 간편하게 판단할 수 있는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공한다. The present invention provides a flip chip package capable of flip chip contact monitoring that can easily determine whether the flip chip package is electrically open.

또한, 본 발명은 생산되는 제품마다 전기적 개방 여부를 판단할 수 있는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a flip chip package capable of flip chip contact monitoring to determine whether the electrical opening for each product produced.

또한, 본 발명은 광변조기의 더미 패드를 이용하여 개방 여부 및 접촉 저항을 측정할 수 있는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공한다.In addition, the present invention provides a flip chip package capable of flip chip contact monitoring that can measure the openness and contact resistance by using the dummy pad of the optical modulator.

본 발명이 제시하는 이외의 기술적 과제들은 하기의 설명을 통해 쉽게 이해 될 수 있을 것이다.Technical problems other than the present invention will be easily understood through the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 복수의 플립 칩 패드를 가지는 소자와 상기 플립 칩 패드에 대응하는 복수의 플립 칩 범프를 가지는 기판을 포함하는 플립 칩 패키지에 있어서, 상기 소자의 다수의 패드 중 모서리(edge)에 형성된 제1 소자 패드; 상기 제1 소자 패드에 인접하여 전기적으로 연결되며 상기 소자에 형성된 제2 소자 패드; 상기 제1 소자 패드에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프; 상기 제2 소자 패드에 상응하여 상기 기판에 형성된 제2 기판 범프; 상기 제1 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드; 및 상기 제2 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제2 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되, 상기 제1 기판 패드와 상기 제2 기판 패드간을 모니터링하여 상기 제1 소자 패드와 제1 기판 범프 간의 연결 상태 및 상기 제2 소자 패드와 제2 기판 범프 간의 연결 상태를 확인하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention, a flip chip package comprising a device having a plurality of flip chip pads and a substrate having a plurality of flip chip bumps corresponding to the flip chip pads, the edge of the plurality of pads of the device ( a first device pad formed at an edge; A second device pad electrically connected to the first device pad and formed in the device; A first substrate bump formed on the substrate corresponding to the first device pad; A second substrate bump formed on the substrate corresponding to the second device pad; A first substrate pad electrically connected to the first substrate bump and formed on the substrate; And a pattern electrically connected to the second substrate bump and having a second substrate pad formed on the substrate, wherein the pattern is monitored between the first substrate pad and the second substrate pad to monitor the first device pad and the first substrate pad. A flip chip package capable of flip chip contact monitoring for checking a connection state between substrate bumps and a connection state between the second device pads and the second substrate bumps may be provided.

여기서, 상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드, 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제1 기판 패드 및 제2 기판 패드를 가지는 패턴의 수는 복수개일 수 있다.Here, the number of patterns having the first device pad, the second device pad, the first substrate bump, the second substrate bump, the first substrate pad, and the second substrate pad may be plural.

여기서, 상기 소자가 사각형인 경우 상기 복수의 패턴은 상기 소자의 네 모서리에 인접하여 형성될 수 있다. Here, when the device is a quadrangle, the plurality of patterns may be formed adjacent to four corners of the device.

여기서, 상기 소자는 광변조기 또는 상기 광변조기를 구동하기 위한 드라이 브 IC일 수 있다. The device may be an optical modulator or a drive IC for driving the optical modulator.

여기서, 상기 기판은 투명 기판일 수 있다. Here, the substrate may be a transparent substrate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 복수의 플립 칩 패드를 가지는 소자와 상기 플립 칩 패드에 대응하는 복수의 플립 칩 범프를 가지는 기판을 포함하는 플립 칩 패키지에 있어서, 상기 소자의 다수의 패드 중 서로 인접하여 모서리(edge)에 형성되며 서로 전기적으로 연결된 제1 소자 패드, 제2 소자 패드 및 제3 소자 패드; 상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드 및 제3 소자 패드 각각에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프, 제2 기판 범프 및 제3 기판 범프; 상기 제1 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드; 상기 제2 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제2 기판 패드 및 제3 기판 패드; 및 상기 제3 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제4 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되, 상기 제1 기판 패드와 상기 제2 기판 패드간에 소정의 전류를 형성시키고, 상기 제3 기판 패드와 상기 제4 기판 패드간에 소정의 전압을 인가하여 상기 제2 소자 패드와 제2 기판 범프 간의 접촉 저항을 측정하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a flip chip package comprising a device having a plurality of flip chip pads and a substrate having a plurality of flip chip bumps corresponding to the flip chip pad, wherein the plurality of pads of the device are adjacent to each other; A first device pad, a second device pad, and a third device pad formed at edges and electrically connected to each other; A first substrate bump, a second substrate bump, and a third substrate bump formed on the substrate corresponding to each of the first device pad, the second device pad, and the third device pad; A first substrate pad electrically connected to the first substrate bump and formed on the substrate; A second substrate pad and a third substrate pad electrically connected to the second substrate bump and formed on the substrate; And a pattern electrically connected to the third substrate bump, the pattern having a fourth substrate pad formed on the substrate, wherein a predetermined current is formed between the first substrate pad and the second substrate pad, and the third substrate is formed. A flip chip package capable of flip chip contact resistance monitoring for measuring contact resistance between the second device pad and the second substrate bump by applying a predetermined voltage between the pad and the fourth substrate pad may be provided.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 복수의 플립 칩 패드를 가지는 소자와 상기 플립 칩 패드에 대응하는 복수의 플립 칩 범프를 가지는 기판을 포함하는 플립 칩 패키지에 있어서, 상기 소자의 다수의 패드 중 모서리(edge)에 형성된 제1 소자 패드; 상기 제1 소자 패드와 인접하며 서로 전기적으로 연결된 제2 소자 패드, 제3 소자 패드 및 제4 소자 패드; 상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드, 제3 소 자 패드 및 제4 소자 패드 각각에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제3 기판 범프 및 제4 기판 범프-상기 제1 기판 범프와 제3 기판 범프는 전기적으로 연결됨-; 및 상기 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제3 기판 범프 및 제4 기판 범프 각각과 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드, 제2 기판 패드, 제3 기판 패드 및 제4 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되, 상기 제1 기판 패드와 상기 제4 기판 패드간에 소정의 전류를 형성시키고, 상기 제2 기판 패드와 상기 제3 기판 패드간에 소정의 전압을 인가하여 상기 제3 소자 패드와 제3 기판 범프 간의 접촉 저항을 측정하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, a flip chip package comprising a device having a plurality of flip chip pads and a substrate having a plurality of flip chip bumps corresponding to the flip chip pads, the edge of the plurality of pads of the device a first device pad formed at an edge; A second device pad, a third device pad, and a fourth device pad adjacent to the first device pad and electrically connected to each other; A first substrate bump, a second substrate bump, a third substrate bump, and a fourth substrate bump formed on the substrate corresponding to the first device pad, the second device pad, the third device pad, and the fourth device pad, respectively. The first substrate bump and the third substrate bump are electrically connected; And a first substrate pad, a second substrate pad, a third substrate pad, and a fourth substrate electrically connected to each of the first substrate bump, the second substrate bump, the third substrate bump, and the fourth substrate bump. And a pattern having pads, wherein a predetermined current is formed between the first substrate pad and the fourth substrate pad, and a predetermined voltage is applied between the second substrate pad and the third substrate pad to form the third device pad. A flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance for measuring contact resistance between the third substrate bump and the third substrate bump may be provided.

여기서, 상기 소자는 광변조기 또는 상기 광변조기를 구동하기 위한 드라이브 IC일 수 있다. The device may be an optical modulator or a drive IC for driving the optical modulator.

여기서, 상기 기판은 투명 기판일 수 있다.Here, the substrate may be a transparent substrate.

이하, 본 발명에 따른 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호 를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명은 플립 칩 방식에 의해서 다수의 패드와 범프가 서로 결합되는 기술에 적용이 가능하다. 즉, 반도체 소자 중 다수의 금속 패드를 가지는 드라이브 IC, 메모리 IC, 표면 실장용 수정 발진자/발진 모듈, 광변조기 등이 본 발명에 적용 가능하며, 본 발명이 이러한 예들에 한정되지 않음은 당연하다. 이하에서는 광변조기 소자를 플립 칩 방식에 의해 실장하는 방법을 중심으로 설명한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기에 앞서 본 발명에 적용 가능한 광변조기에 대해서 먼저 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a flip chip package capable of flip chip contact monitoring according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description with reference to the accompanying drawings, the same components are the same regardless of reference numerals. Reference numerals will be omitted and duplicate description thereof will be omitted. The present invention is applicable to a technique in which a plurality of pads and bumps are coupled to each other by a flip chip method. That is, a drive IC, a memory IC, a surface mount crystal oscillator / oscillation module, an optical modulator, and the like having a plurality of metal pads among the semiconductor devices can be applied to the present invention, and the present invention is not limited to these examples. Hereinafter, a method of mounting the optical modulator device by a flip chip method will be described. In addition, the light modulator applicable to the present invention will be described first before describing the preferred embodiments of the present invention in detail.

광변조기 소자는 크게 직접 광의 온/오프를 제어하는 직접 방식과 반사 및 회절을 이용하는 간접 방식으로 나뉘며, 또한 간접 방식은 정전기 방식과 압전 방식으로 나뉠 수 있다. 여기서, 광변조기 소자는 구동되는 방식에 상관없이 본 발명에 적용이 가능하다. The optical modulator element is largely divided into a direct method of directly controlling the on / off of light and an indirect method using reflection and diffraction, and the indirect method may be divided into an electrostatic method and a piezoelectric method. Herein, the optical modulator device may be applied to the present invention regardless of how the optical modulator device is driven.

미국특허번호 제5,311,360 호에 개시된 정전기 방식 격자 광변조기는 반사 표면부를 가지며 기판 상부에 부유(suspended)하는 다수의 일정하게 이격하는 변형 가능 반사형 리본을 포함한다. 절연층이 실리콘 기판상에 증착된다. 다음으로, 희생 폴리실리콘 막 및 질화실리콘 막의 증착 공정이 후속한다. The electrostatic grating light modulator disclosed in US Pat. No. 5,311,360 includes a plurality of uniformly spaced deformable reflective ribbons having reflective surface portions and suspended above a substrate. An insulating layer is deposited on the silicon substrate. Next, the deposition process of the sacrificial polysilicon film and the silicon nitride film is followed.

질화물 막은 리본으로부터 패터닝되고 폴리실리콘층의 일부가 에칭되어 리본이 질화물 프레임에 의해 산화물 스페이서층상에 유지되도록 한다. 단일 파장 λ0를 가진 광을 변조시키기 위해, 변조기는 리본의 두께와 산화물 스페이서의 두께가 λ0/4가 되도록 설계된다. The nitride film is patterned from the ribbon and a portion of the polysilicon layer is etched so that the ribbon is held on the oxide spacer layer by the nitride frame. To modulate light with a single wavelength [lambda] 0, the modulator is designed such that the thickness of the ribbon and the thickness of the oxide spacers are [lambda] 0/4.

리본상의 반사 표면과 기판의 반사 표면 사이의 수직 거리 d로 한정된 이러 한 변조기의 격자 진폭은 리본 (제 1 전극으로서의 역할을 하는 리본의 반사 표면)과 기판(제 2 전극으로서의 역할을 하는 기판 하부의 전도막) 사이에 전압을 인가함으로써 제어된다.The lattice amplitude of this modulator, defined by the vertical distance d between the reflective surface on the ribbon and the reflective surface of the substrate, is determined by the ribbon (reflective surface of the ribbon serving as the first electrode) and the substrate (substrate serving as the second electrode). By applying a voltage between the conductive films).

도 1b는 본 발명에 적용 가능한 간접 광변조기 중 압전체를 이용한 회절형 광변조기 모듈의 사시도이다. 도 1b를 참조하면, 기판(111), 절연층(112), 희생층(113), 리본 구조물(114) 및 압전체(115)를 포함하는 광변조기가 도시되어 있다. 1B is a perspective view of a diffractive optical modulator module using a piezoelectric element among indirect optical modulators applicable to the present invention. Referring to FIG. 1B, an optical modulator including a substrate 111, an insulating layer 112, a sacrificial layer 113, a ribbon structure 114, and a piezoelectric body 115 is illustrated.

기판(111)은 일반적으로 사용되는 반도체 기판이며, 절연층(112)은 식각 정지층(etch stop layer)으로서 증착되며, 희생층으로 사용되는 물질을 식각하는 에천트(여기서 에천트는 식각 가스 또는 식각 용액임)에 대해서 선택비가 높은 물질로 형성된다. 여기서 절연층(112)은 입사광을 반사하기 위해 반사층(미도시)이 도포될 수 있다. The substrate 111 is a commonly used semiconductor substrate, and the insulating layer 112 is deposited as an etch stop layer, and an etchant for etching a material used as a sacrificial layer, where the etchant is an etching gas or an etching solution. Solution). Here, the insulating layer 112 may be coated with a reflective layer (not shown) to reflect incident light.

희생층(113)은 리본 구조물이 절연층(112)과 일정한 간격으로 이격될 수 있도록 양 사이드에서 리본 구조물(114)을 지지하고, 중심부에서 공간을 형성하는 역할을 한다. The sacrificial layer 113 supports the ribbon structure 114 at both sides so as to be spaced apart from the insulating layer 112 at regular intervals, and forms a space at the center.

리본 구조물(114)은 상술한 바와 같이 입사광의 회절 및 간섭을 일으켜서 신호를 광변조하는 역할을 한다. 리본 구조물(114)의 형태는 정전기 방식에 따라 복수의 리본 형상으로 구성될 수도 있고, 압전 방식에 따라 리본의 중심부에 복수의 오픈홀을 구비할 수도 있다. 또한, 압전체(115)는 압전 방식에 따라 리본 구조물(114)을 상하로 움직이도록 제어한다.The ribbon structure 114 serves to light modulate the signal by causing diffraction and interference of incident light as described above. The shape of the ribbon structure 114 may be configured in a plurality of ribbon shapes according to the electrostatic method, or may be provided with a plurality of open holes in the center of the ribbon according to the piezoelectric method. In addition, the piezoelectric member 115 controls the ribbon structure 114 to move up and down according to the piezoelectric method.

빛의 파장이 λ인 경우 광변조기가 변형되지 않은 상태에서(어떠한 전압도 인가되지 않은 상태에서) 리본 구조물(114)과 하부 반사층이 형성된 절연층(112) 간의 간격은 λ/2와 같다. 따라서 리본 구조물(114)과 절연층(112)으로부터 반사된 광 사이의 전체 경로차는 λ와 같아서 빛은 보강 간섭을 한다. When the wavelength of light is λ, the distance between the ribbon structure 114 and the insulating layer 112 on which the lower reflective layer is formed is equal to λ / 2 in the state where the optical modulator is not deformed (no voltage is applied). Therefore, the total path difference between the light reflected from the ribbon structure 114 and the insulating layer 112 is equal to λ so that the light interferes constructively.

또한, 적정 전압이 압전체(115)에 인가될 때, 리본 구조물(114)과 하부 반사층이 형성된 절연층(112) 간의 간격은 λ/4와 같게 된다. 따라서 리본 구조물(114)과 절연층(112)으로부터 반사된 광 사이의 전체 경로차는 λ/2와 같아서 빛은 상쇄 간섭을 한다. 이러한 간섭의 결과, 광변조기는 입사광의 광량을 조절하여 신호를 빛에 실을 수 있다. 여기서 광변조기 소자는 리본 구조물(114)의 형태에 따라서 함몰형과 돌출형으로 분류될 수도 있다.In addition, when an appropriate voltage is applied to the piezoelectric body 115, the distance between the ribbon structure 114 and the insulating layer 112 on which the lower reflective layer is formed is equal to λ / 4. Therefore, the total path difference between the light reflected from the ribbon structure 114 and the insulating layer 112 is equal to [lambda] / 2 so that light interferes with each other. As a result of such interference, the optical modulator may load a signal on the light by adjusting the amount of incident light. The optical modulator device may be classified into a recessed type and a protrusion type according to the shape of the ribbon structure 114.

본 발명은 이러한 광변조기가 기판 상에 플립 칩 본딩되는 경우 접촉(interconnection)을 확인하기 위한 패턴을 형성하는 방법에 관련된다. 특히, 본 발명은 광변조기가 사각형인 경우 네 모서리 근처에 특정한 패턴을 형성하고, 이러한 패턴을 이용하여 전기적 개방 여부를 모니터링할 수 있는 방법이다. 따라서, 일반적으로 광변조기의 양 측면에는 더미 패턴이 형성되므로, 이러한 더미 패턴을 이용하여 모니터링할 수 있는 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 종래 기술에 따른 광변조기를 이용할 수 있으므로 제조 공정도 간편해질 수 있다. The present invention relates to a method of forming a pattern for confirming interconnection when such an optical modulator is flip chip bonded onto a substrate. In particular, the present invention is a method of forming a specific pattern near the four corners when the optical modulator is a quadrangle, and can monitor the electrical opening using such a pattern. Therefore, since a dummy pattern is generally formed at both sides of the optical modulator, a pattern that can be monitored can be formed by using the dummy pattern. Therefore, since the optical modulator according to the prior art can be used, the manufacturing process can be simplified.

이상에서 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 일반적으로 설명하였으며, 이하에서는 첨부 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 구체적인 실시예를 기준으로 설명하기로 한다. 여기서, 광변조기의 모서리에 형성된 모니터링 패턴은 데이지 체인(Daisy chain) 또 는 켈빈 패턴(Kelvin pattern)을 이용할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 크게 세가지로 구분되는데, 이하에서 차례대로 설명한다. The flip chip package capable of flip chip contact monitoring has been described above generally. Hereinafter, the flip chip package capable of monitoring flip chip contacts according to the present invention will be described with reference to specific embodiments with reference to the accompanying drawings. Here, the monitoring pattern formed at the edge of the optical modulator may use a daisy chain or a Kelvin pattern. Embodiments according to the present invention are divided into three, which will be described in turn below.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도이다. 도 2를 참조하면, 기판(210), 제1 기판 범프(220(1)), 제2 기판 범프(220(2)), 제1 소자 패드(230(1)), 제2 소자 패드(230(2)), 기판의 모서리 근처에 형성된 네쌍의 제1 기판 패드(240(1)) 및 제2 기판 패드(240(2))가 도시된다. 2 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contact at a predetermined position according to a first exemplary embodiment of the present invention. 2, the substrate 210, the first substrate bump 220 (1), the second substrate bump 220 (2), the first device pad 230 (1), and the second device pad 230. (2)), four pairs of first substrate pads 240 (1) and second substrate pads 240 (2) formed near the edges of the substrate are shown.

기판(210)은 파인 피치(fine-pitch) 배선과 범프 어레이(bump array) 제작이 가능한 기판으로서 인쇄회로기판뿐만 아니라, 유리기판, 실리콘기판, LTCC 기판, multi-layer PCB 등이 될 수 있다. 여기서, 소자가 광변조기인 경우에는 소자에 입사 및 출사되는 입사광 및 회절광을 통과시킬 수 있도록 광변조기가 위치한 영역은 투명한 기판 또는 덮개가 마련된다. The substrate 210 may be a fine-pitch wiring and a bump array, and may be a glass substrate, a silicon substrate, an LTCC substrate, a multi-layer PCB, or the like as well as a printed circuit board. Here, in the case where the device is an optical modulator, a transparent substrate or a cover is provided in an area where the optical modulator is located so that incident light and diffracted light that are incident and exited through the device may pass.

제1 소자 패드(230(1))는 광변조기의 다수의 패드 중 모서리(edge)에 형성되며, 제2 소자 패드(230(2))는 제1 소자 패드(230(1))에 인접하여 전기적으로 연결되며 광변조기에 형성된다. The first device pad 230 (1) is formed at an edge of a plurality of pads of the optical modulator, and the second device pad 230 (2) is adjacent to the first device pad 230 (1). It is electrically connected and is formed in the optical modulator.

제1 기판 범프(220(1))는 제1 소자 패드(230(1))에 상응하여 기판(210)에 형성되며, 제2 기판 범프(220(2))는 제2 소자 패드(230(2))에 상응하여 기판(210)에 형성된다. 제1 기판 패드(240(1))는 제1 기판 범프(220(1))와 전기적으로 연결되며, 기판(210)에 형성되며, 제2 기판 패드(240(2))는 제2 기판 범프(220(2))와 전기적으로 연결되며, 기판(210)에 형성된다. The first substrate bump 220 (1) is formed on the substrate 210 corresponding to the first device pad 230 (1), and the second substrate bump 220 (2) is formed on the second device pad 230 ( 2)) is formed on the substrate 210. The first substrate pad 240 (1) is electrically connected to the first substrate bump 220 (1), is formed on the substrate 210, and the second substrate pad 240 (2) is the second substrate bump. It is electrically connected to the 220 (2), and is formed on the substrate 210.

제1 기판 패드(240(1))와 제2 기판 패드간(240(2))간에 전류를 보내서 저항을 측정함으로써 제1 소자 패드(230(1))와 제1 기판 범프(220(1)) 간의 연결 상태 및 상기 제2 소자 패드(230(2))와 제2 기판 범프(220(2)) 간의 연결 상태를 확인할 수 있다. 만약, 저항이 무한대가 나오는 경우 개방(open)된 상태이고, 소정의 저항이 측정되는 경우 정상적으로 결합된 상태로 인정될 수 있다. The first element pad 230 (1) and the first substrate bump 220 (1) are measured by sending a current between the first substrate pad 240 (1) and the second substrate pad 240 (2) to measure resistance. ) And a connection state between the second device pad 230 (2) and the second substrate bump 220 (2). If the resistance is infinity, it is in an open state, and if a predetermined resistance is measured, it may be regarded as normally coupled.

여기서는 하나의 모서리에 형성된 패턴을 위주로 설명하였으나, 이러한 패턴을 하나 이상 형성될 수 있다. 즉, 도 2를 참조하면, 광변조기의 네 모서리에 모두 동일한 패턴이 형성되어 있다. 따라서 각각의 제1 기판 패드(240(1)) 및 제2 기판 패드(240(2)) 간의 저항을 측정함으로써, 전기적 접촉 여부를 모니터링할 수 있다. Although a description has been given mainly of patterns formed at one corner, one or more such patterns may be formed. That is, referring to Figure 2, the same pattern is formed on all four corners of the optical modulator. Therefore, by measuring the resistance between each of the first substrate pad 240 (1) and the second substrate pad 240 (2), it is possible to monitor the electrical contact.

또한, 이러한 패턴은 광변조기의 더비 패드를 이용하여 형성될 수 있으므로, 실제 생상되는 제품에 적용 가능한 패턴이다. In addition, such a pattern may be formed using a derby pad of an optical modulator, and thus is a pattern applicable to an actual product.

도 3은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판(310), 접착제(320(1), 320(2)), 드라이브 IC(330(1), 330(2)), 광변조기(340) 및 네쌍의 기판 패드(350(1), 350(2), 350(3), 350(4), 350(5), 350(6), 350(7), 350(8))가 형성된다. 광변조기에 형성된 다수의 소자 패드는 광변조기의 하부에 형성되어 있다. 각각의 기판 패드(350(1), 350(2), 350(3), 350(4), 350(5), 350(6), 350(7), 350(8))를 이용한 접촉 모니터링 방법을 도 2에서 설명한 바와 같다. 또한, 여기서는 광변조기에 모니터링 패턴이 형성된 경우를 설명하였으나, 드라이브 IC(330(1), 330(2))에도 동일한 패턴이 형성되어 개방 여부를 확인할 수 있다. 3 is a plan view illustrating a flip chip package capable of flip chip contact monitoring at a predetermined position according to a first exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate 310, the adhesive 320 (1), 320 (2), the drive ICs 330 (1), 330 (2), the optical modulator 340, and the four pairs of substrate pads 350. (1), 350 (2), 350 (3), 350 (4), 350 (5), 350 (6), 350 (7), 350 (8) are formed. A plurality of device pads formed in the optical modulator are formed under the optical modulator. Contact monitoring method using substrate pads 350 (1), 350 (2), 350 (3), 350 (4), 350 (5), 350 (6), 350 (7), 350 (8) Is as described in FIG. In addition, although the case where the monitoring pattern is formed in the optical modulator has been described, the same pattern is formed in the drive ICs 330 (1) and 330 (2), so that the open pattern may be confirmed.

도 4는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도이다. 도 4를 참조하면, 기판(410), 제1 기판 범프(420(1)), 제2 기판 범프(420(2)), 제3 기판 범프(420(3)), 제1 소자 패드(430(1)), 제2 소자 패드(430(2)), 제3 소자 패드(430(3)), 기판의 모서리 근처에 형성된 제1 기판 패드(440(1)), 제2 기판 패드(440(2)), 제3 기판 패드(440(3)) 및 제4 기판 패드(440(4))가 도시된다. 제2 실시예는 제1 실시예와 달리 접촉 저항을 모니터링하기 위한 패턴이 형성된다. 이하에서는 제1 실시예와의 차이점을 위주로 설명한다. 4 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance at a predetermined position according to a second exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the substrate 410, the first substrate bump 420 (1), the second substrate bump 420 (2), the third substrate bump 420 (3), and the first device pad 430. (1)), second device pad 430 (2), third device pad 430 (3), first substrate pad 440 (1) formed near the edge of the substrate, and second substrate pad 440 (2)), third substrate pad 440 (3) and fourth substrate pad 440 (4) are shown. Unlike the first embodiment, the second embodiment is formed with a pattern for monitoring contact resistance. Hereinafter, the differences from the first embodiment will be mainly described.

제1 소자 패드(430(1)), 제2 소자 패드(430(2)), 제3 소자 패드(430(3))는 가각 광변조기의 다수의 패드 중 서로 인접하여 모서리(edge)에 형성되며 서로 전기적으로 연결된다. The first device pad 430 (1), the second device pad 430 (2), and the third device pad 430 (3) are formed at edges adjacent to each other among a plurality of pads of the respective optical modulators. And are electrically connected to each other.

제1 기판 범프(420(1)), 제2 기판 범프(420(2)), 제3 기판 범프(420(3))는 제1 소자 패드(430(1)), 제2 소자 패드(430(2)), 제3 소자 패드(430(3)) 각각에 상응하여 기판(410)에 형성된다. 제1 기판 패드(440(1))는 제1 기판 범프(420(1))와 전기적으로 연결되며, 기판(410)에 형성되며, 제2 기판 패드(440(2)) 및 제3 기판 패드(440(3))는 제2 기판 범프(420(2))와 전기적으로 연결되며, 기판(410)에 형성된다. 또한, 제4 기판 패드(440(4))는 제3 기판 범프(420(3))와 전기적으로 연결되 며, 기판(410)에 형성된다. The first substrate bump 420 (1), the second substrate bump 420 (2), and the third substrate bump 420 (3) may include a first device pad 430 (1) and a second device pad 430. (2)) and the third device pads 430 (3) are formed on the substrate 410. The first substrate pad 440 (1) is electrically connected to the first substrate bump 420 (1), is formed on the substrate 410, and the second substrate pad 440 (2) and the third substrate pad. The 440 (3) is electrically connected to the second substrate bump 420 (2) and is formed on the substrate 410. In addition, the fourth substrate pad 440 (4) is electrically connected to the third substrate bump 420 (3) and is formed on the substrate 410.

여기서, 제1 기판 패드(440(1))와 제2 기판 패드(440(2))간에 소정의 전류를 형성시키고, 제3 기판 패드(440(3))와 제4 기판 패드(440(4))간에 소정의 전압을 인가하여 제2 소자 패드(430(2))와 제2 기판 범프(420(2)) 간의 접촉 저항을 측정할 수 있다. 즉, 측정 전류가 흐르는 도선과 소정의 전압이 인가되는 접점이 제2 소자 패드(430(2))와 제2 기판 범프(420(2))가 서로 접촉하는 영역이므로, 제2 소자 패드(430(2))와 제2 기판 범프(420(2)) 간의 접촉 저항이 측정될 수 있다. Here, a predetermined current is formed between the first substrate pad 440 (1) and the second substrate pad 440 (2), and the third substrate pad 440 (3) and the fourth substrate pad 440 (4). The contact resistance between the second device pad 430 (2) and the second substrate bump 420 (2) may be measured by applying a predetermined voltage between the layers. That is, since the contact line through which the measurement current flows and the contact point to which the predetermined voltage is applied are the regions where the second device pad 430 (2) and the second substrate bump 420 (2) contact each other, the second device pad 430 is used. (2)) and the contact resistance between the second substrate bump 420 (2) can be measured.

여기서, 이러한 모니터링 패턴을 하나 이상 형성될 수 있고, 이러한 모니터링 패턴을 광변조기뿐만 아니라 드라이브 IC에도 형성될 수 있다. 또한, 여기서는 제2 소자 패드(430(2))와 제2 기판 범프(420(2)) 간의 접촉 저항을 측정함을 중심으로 설명하였으나, 측정 대상은 설정된 바에 따라 달라질 수 있다. Here, one or more such monitoring patterns may be formed, and such monitoring patterns may be formed in the drive IC as well as the optical modulator. In addition, although the description has been focused on measuring contact resistance between the second device pad 430 (2) and the second substrate bump 420 (2), the measurement target may vary depending on the setting.

도 5는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 소정의 위치의 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지를 도시한 사시도이다. 도 5를 참조하면, 기판(510), 제1 기판 범프(520(1)), 제2 기판 범프(520(2)), 제3 기판 범프(520(3)), 제4 기판 범프(520(4)), 제1 소자 패드(530(1)), 제2 소자 패드(530(2)), 제3 소자 패드(530(3)), 제4 소자 패드(530(4)), 기판의 모서리 근처에 형성된 제1 기판 패드(540(1)), 제2 기판 패드(540(2)), 제3 기판 패드(540(3)) 및 제4 기판 패드(540(4))가 도시된다. 제3 실시예는 제2 실시예와 유사하게 접촉 저항을 모니터링하기 위한 패턴이 형성된다. 이하에서는 제1 실시예 및 제2 실시예와 의 차이점을 위주로 설명한다.5 is a perspective view illustrating a flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance at a predetermined position according to a third exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, a substrate 510, a first substrate bump 520 (1), a second substrate bump 520 (2), a third substrate bump 520 (3), and a fourth substrate bump 520 (4)), first device pad 530 (1), second device pad 530 (2), third device pad 530 (3), fourth device pad 530 (4), substrate The first substrate pad 540 (1), the second substrate pad 540 (2), the third substrate pad 540 (3) and the fourth substrate pad 540 (4) are shown formed near the edges of the substrate. do. Similar to the second embodiment, the third embodiment is formed with a pattern for monitoring the contact resistance. Hereinafter, the differences from the first embodiment and the second embodiment will be described mainly.

제1 소자 패드(530(1))는 광변조기의 다수의 패드 중 모서리에 형성된다. 제2 소자 패드(530(2)), 제3 소자 패드(530(3)) 및 제4 소자 패드(530(4))는 제1 소자 패드(530(1))와 인접하며 서로 전기적으로 연결되어 형성된다. The first device pad 530 (1) is formed at an edge of a plurality of pads of the optical modulator. The second device pad 530 (2), the third device pad 530 (3), and the fourth device pad 530 (4) are adjacent to the first device pad 530 (1) and electrically connected to each other. It is formed.

제1 기판 범프(520(1)), 제2 기판 범프(520(2)), 제3 기판 범프(520(3)) 및 제4 기판 범프(520(4))는 제1 소자 패드(530(1)), 제2 소자 패드(530(2)), 제3 소자 패드(530(3)) 및 제4 소자 패드(530(4)) 각각에 상응하여 기판(510)에 형성되며, 제1 기판 범프(520(1))와 제3 기판 범프(520(3))는 서로 전기적으로 연결된다. The first substrate bump 520 (1), the second substrate bump 520 (2), the third substrate bump 520 (3), and the fourth substrate bump 520 (4) may include a first device pad 530. (1)), the second device pads 530 (2), the third device pads 530 (3), and the fourth device pads 530 (4) respectively formed on the substrate 510, and The first substrate bump 520 (1) and the third substrate bump 520 (3) are electrically connected to each other.

제1 기판 패드(540(1)), 제2 기판 패드(540(2)), 제3 기판 패드(540(3)) 및 제4 기판 패드(540(4))는 제1 기판 범프(520(1)), 제2 기판 범프(520(2)), 제3 기판 범프(520(3)) 및 제4 기판 범프(520(4))와 각각 전기적으로 연결되며, 기판(510)에 형성된다. The first substrate pad 540 (1), the second substrate pad 540 (2), the third substrate pad 540 (3), and the fourth substrate pad 540 (4) may include a first substrate bump 520. (1)), the second substrate bump 520 (2), the third substrate bump 520 (3), and the fourth substrate bump 520 (4), respectively, are electrically connected to and formed on the substrate 510. do.

여기서, 제1 기판 패드(540(1))와 제4 기판 패드(540(4))간에 소정의 전류를 형성시키고, 제2 기판 패드(540(2))와 제3 기판 패드(540(3))간에 소정의 전압을 인가하여 제3 소자 패드(530(3))와 제3 기판 범프(520(3)) 간의 접촉 저항을 측정한다. 즉, 측정 전류가 흐르는 도선과 소정의 전압이 인가되는 접점이 제3 소자 패드(530(3))와 제3 기판 범프(520(3))가 서로 접촉하는 영역이므로, 제3 소자 패드(530(3))와 제3 기판 범프(520(3)) 간의 접촉 저항이 측정될 수 있다.Here, a predetermined current is formed between the first substrate pad 540 (1) and the fourth substrate pad 540 (4), and the second substrate pad 540 (2) and the third substrate pad 540 (3). The contact resistance between the third device pads 530 (3) and the third substrate bumps 520 (3) is measured by applying a predetermined voltage. That is, the third device pad 530 is a region in which the conductive wire through which the measurement current flows and the contact point to which the predetermined voltage is applied are in contact with each other. The third device pad 530 (3) and the third substrate bump 520 (3) are in contact with each other. (3)) and the contact resistance between the third substrate bump 520 (3) can be measured.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내 에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지는 플립 칩 패키지의 전기적 개방 여부를 간편하게 판단할 수 있는 효과가 있다. As described above, the flip chip package capable of monitoring the flip chip contact according to the present invention has an effect of simply determining whether the flip chip package is electrically open.

또한, 본 발명에 따른 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지는 생산되는 제품마다 전기적 개방 여부를 판단할 수 있는 효과가 있다. In addition, the flip chip package capable of monitoring the flip chip contact according to the present invention has the effect of determining whether the electrical opening for each product produced.

또한, 본 발명에 따른 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지는 광변조기의 더미 패드를 이용하여 개방 여부 및 접촉 저항을 측정할 수 있는 효과가 있다. In addition, the flip chip package capable of monitoring the flip chip contact according to the present invention has an effect of measuring the openness and the contact resistance by using the dummy pad of the optical modulator.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명 및 그 균등물의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those of ordinary skill in the art to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention and equivalents thereof described in the claims below It will be understood that various modifications and changes can be made.

Claims

복수의 플립 칩 패드를 가지는 소자와 상기 플립 칩 패드에 대응하는 복수의 플립 칩 범프를 가지는 기판을 포함하는 플립 칩 패키지에 있어서, A flip chip package comprising a device having a plurality of flip chip pads and a substrate having a plurality of flip chip bumps corresponding to the flip chip pads,

상기 소자의 다수의 패드 중 모서리(edge)에 형성된 제1 소자 패드;A first device pad formed at an edge of the plurality of pads of the device;

상기 제1 소자 패드에 인접하여 전기적으로 연결되며 상기 소자에 형성된 제2 소자 패드;A second device pad electrically connected to the first device pad and formed in the device;

상기 제1 소자 패드에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프;A first substrate bump formed on the substrate corresponding to the first device pad;

상기 제2 소자 패드에 상응하여 상기 기판에 형성된 제2 기판 범프;A second substrate bump formed on the substrate corresponding to the second device pad;

상기 제1 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드; 및A first substrate pad electrically connected to the first substrate bump and formed on the substrate; And

상기 제2 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제2 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되, A pattern electrically connected to the second substrate bump and having a second substrate pad formed on the substrate,

상기 제1 기판 패드와 상기 제2 기판 패드간을 모니터링하여 상기 제1 소자 패드와 제1 기판 범프 간의 연결 상태 및 상기 제2 소자 패드와 제2 기판 범프 간의 연결 상태를 확인하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지. Flip chip contact monitoring for monitoring the connection state between the first device pad and the first substrate bump and the connection state between the second device pad and the second substrate bump by monitoring between the first substrate pad and the second substrate pad. Flip chip package available.

제1항에 있어서, The method of claim 1,

상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드, 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제1 기판 패드 및 제2 기판 패드를 가지는 패턴의 수는 복수개인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And a plurality of patterns having the first device pad, the second device pad, the first substrate bump, the second substrate bump, the first substrate pad, and the second substrate pad. package.

제2항에 있어서, The method of claim 2,

상기 소자가 사각형인 경우 상기 복수의 패턴은 상기 소자의 네 모서리에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And the plurality of patterns is formed adjacent to four corners of the device when the device is a quadrangle.

제1항에 있어서, The method of claim 1,

상기 소자는 광변조기 또는 상기 광변조기를 구동하기 위한 드라이브 IC인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And the device is an optical modulator or a drive IC for driving the optical modulator.

제1항에 있어서, The method of claim 1,

상기 기판은 투명 기판인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.The flip chip package capable of flip chip contact monitoring, characterized in that the substrate is a transparent substrate.

상기 소자의 다수의 패드 중 서로 인접하여 모서리(edge)에 형성되며 서로 전기적으로 연결된 제1 소자 패드, 제2 소자 패드 및 제3 소자 패드;First device pads, second device pads, and third device pads formed on edges of the plurality of pads of the device and electrically connected to each other;

상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드 및 제3 소자 패드 각각에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프, 제2 기판 범프 및 제3 기판 범프;A first substrate bump, a second substrate bump, and a third substrate bump formed on the substrate corresponding to each of the first device pad, the second device pad, and the third device pad;

상기 제1 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드; A first substrate pad electrically connected to the first substrate bump and formed on the substrate;

상기 제2 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제2 기판 패드 및 제3 기판 패드; 및A second substrate pad and a third substrate pad electrically connected to the second substrate bump and formed on the substrate; And

상기 제3 기판 범프와 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제4 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되, A pattern electrically connected to the third substrate bump and having a fourth substrate pad formed on the substrate,

상기 제1 기판 패드와 상기 제2 기판 패드간에 소정의 전류를 형성시키고, 상기 제3 기판 패드와 상기 제4 기판 패드간에 소정의 전압을 인가하여 상기 제2 소자 패드와 제2 기판 범프 간의 접촉 저항을 측정하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.A predetermined current is formed between the first substrate pad and the second substrate pad, and a predetermined voltage is applied between the third substrate pad and the fourth substrate pad to contact contact between the second device pad and the second substrate bump. Flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance.

상기 제1 소자 패드와 인접하며 서로 전기적으로 연결된 제2 소자 패드, 제3 소자 패드 및 제4 소자 패드;A second device pad, a third device pad, and a fourth device pad adjacent to the first device pad and electrically connected to each other;

상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드, 제3 소자 패드 및 제4 소자 패드 각각에 상응하여 상기 기판에 형성된 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제3 기판 범프 및 제4 기판 범프-상기 제1 기판 범프와 제3 기판 범프는 전기적으로 연결됨-; 및A first substrate bump, a second substrate bump, a third substrate bump and a fourth substrate bump formed on the substrate corresponding to the first device pad, the second device pad, the third device pad, and the fourth device pad, respectively; The first substrate bump and the third substrate bump are electrically connected; And

상기 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제3 기판 범프 및 제4 기판 범프 각각과 전기적으로 연결되며, 상기 기판에 형성된 제1 기판 패드, 제2 기판 패드, 제3 기판 패드 및 제4 기판 패드를 가지는 패턴을 포함하되,A first substrate pad, a second substrate pad, a third substrate pad, and a fourth substrate pad electrically connected to each of the first substrate bump, the second substrate bump, the third substrate bump, and the fourth substrate bump. Include patterns with

상기 제1 기판 패드와 상기 제4 기판 패드간에 소정의 전류를 형성시키고, 상기 제2 기판 패드와 상기 제3 기판 패드간에 소정의 전압을 인가하여 상기 제3 소자 패드와 제3 기판 범프 간의 접촉 저항을 측정하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.A predetermined current is formed between the first substrate pad and the fourth substrate pad, and a predetermined voltage is applied between the second substrate pad and the third substrate pad to contact contact between the third device pad and the third substrate bump. Flip chip package capable of monitoring flip chip contact resistance.

제6항 또는 제7항에 있어서, The method according to claim 6 or 7,

상기 제1 소자 패드, 제2 소자 패드, 제1 기판 범프, 제2 기판 범프, 제1 기판 패드 및 제2 기판 패드를 가지는 패턴의 수는 복수개인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And a plurality of patterns having the first device pad, the second device pad, the first substrate bump, the second substrate bump, the first substrate pad, and the second substrate pad. Chip package.

제6항 또는 제7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7,

상기 소자가 사각형인 경우 상기 복수의 패턴은 상기 소자의 네 모서리에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And the plurality of patterns are formed adjacent to four corners of the device when the device is a quadrangle.

제6항 또는 제7항에 있어서, The method according to claim 6 or 7,

상기 소자는 광변조기 또는 상기 광변조기를 구동하기 위한 드라이브 IC인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.And the device is an optical modulator or a drive IC for driving the optical modulator.

제6항 또는 제7항에 있어서, The method according to claim 6 or 7,

상기 기판은 투명 기판인 것을 특징으로 하는 플립 칩 접촉 저항 모니터링이 가능한 플립 칩 패키지.The flip chip package capable of monitoring the flip chip contact resistance, characterized in that the substrate is a transparent substrate.