KR100637250B1 - Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR100637250B1
KR100637250B1 KR1020050120938A KR20050120938A KR100637250B1 KR 100637250 B1 KR100637250 B1 KR 100637250B1 KR 1020050120938 A KR1020050120938 A KR 1020050120938A KR 20050120938 A KR20050120938 A KR 20050120938A KR 100637250 B1 KR100637250 B1 KR 100637250B1
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박진성
서민철
안택
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to protect an organic light emitting element and an organic TFT(Thin Film Transistor) by preventing an electric field from being focused on an edge portion of a pixel electrode. A first capacitor electrode, source and drain electrodes, and a pixel electrode(131) are arranged on a substrate(100). A first insulation film(101) includes a first aperture for exposing a portion of the first capacitor electrode, a second aperture for exposing facing portions of the source and drain electrodes, and a third aperture for exposing a portion of the pixel electrode. A gate insulation film(125) is arranged in the second aperture of the first insulation film. An intermediate layer(133) is arranged in the third aperture and at least includes a light emitting layer. A gate electrode is arranged on the gate insulation film and a counter electrode is arranged on the intermediate layer. A second insulation film(102) is arranged to cover the first capacitor electrode, the gate electrode, and the counter electrode. A second capacitor electrode(112) is arranged to correspond to the first capacitor electrode on the second insulation film.

Description

유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same}Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 일 부화소를 개략적으로 도시하는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram schematically illustrating a partial pixel of the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100; 기판 101: 제 1 절연막 100; Substrate 101: First insulating film

102: 제 2 절연막(패시베이션막) 110: 커패시터 102: second insulating film (passivation film) 110: capacitor

111: 제 1 커패시터 전극 112: 제 2 커패시터 전극 111: first capacitor electrode 112: second capacitor electrode

120: 유기 박막 트랜지스터 121: 게이트 전극 120: organic thin film transistor 121: gate electrode

123: 소스 전극 및 드레인 전극 125: 게이트 절연막 123: source electrode and drain electrode 125: gate insulating film

127: 유기 반도체층 130: 유기 발광 소자 127: organic semiconductor layer 130: organic light emitting device

131: 화소 전극 133; 중간층 131: pixel electrode 133; Mezzanine

135: 대향 전극135: counter electrode

본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 줄이면서도 어레이로 배열된 커패시터의 커패시턴스를 높이고 유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터의 보호가 확보된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to reduce the parasitic capacitance of the organic thin film transistor, to increase the capacitance of the capacitors arranged in an array, and to protect the organic light emitting device and the organic thin film transistor. A light emitting display device and a method of manufacturing the same.

유기 발광 디스플레이 장치는 화소 전극과 이에 대향하는 대향 전극과 이들 전극 사이에 개재된 중간층을 구비하는 유기 발광 소자를 구비하는 디스플레이 장치이다. 이러한 유기 발광 디스플레이 장치에는 능동 구동형(AM: active matrix) 유기 발광 디스플레이 장치와 수동 구동형(PM: passive matrix) 유기 발광 디스플레이 장치가 있다. 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치는 화소 전극에 박막 트랜지스터가 전기적으로 연결되어 화소 전극에 인가되는 전기 신호를 박막 트랜지스터를 통해 제어하는 것이며, 수동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치는 상호 교차 하는 스트라이프 패턴의 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하여 이들의 교차점이 각 화소가 되는 것이다. 본 발명은 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.An organic light emitting display device is a display device including a pixel electrode, an organic light emitting element having an opposite electrode facing the electrode and an intermediate layer interposed therebetween. Such organic light emitting display devices include an active matrix (AM) organic light emitting display device and a passive matrix (PM) organic light emitting display device. In the active driving type organic light emitting display device, a thin film transistor is electrically connected to the pixel electrode to control an electrical signal applied to the pixel electrode through the thin film transistor, and the passive driving type organic light emitting display device has a first pattern of a stripe pattern that crosses each other. It is provided with an electrode and a 2nd electrode, and these intersection points become each pixel. The present invention relates to an active driven organic light emitting display device.

이러한 능동 구동형 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 유기 발광 소자의 화소 전극에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 외에도 커패시터를 구비하는데, 이 커패시터는 유기 발광 소자의 화소 전극에의 전류를 유지하거나 또는 구동속도를 향상시키는 기능을 한다. 이를 효율적으로 수행하기 위해서는 커패시터의 커패시턴스가 큰 것이 바람직하다. 그러나 종래의 유기 발광 디스플레이 장치에 구비된 커패시터의 경우에는 커패시턴스가 크지 않다는 문제점이 있었다.Such an active driving type organic light emitting display device includes a capacitor in addition to a thin film transistor electrically connected to a pixel electrode of the organic light emitting diode, and the capacitor maintains a current to the pixel electrode of the organic light emitting diode or improves driving speed. Function In order to efficiently perform this, it is preferable that a capacitor has a large capacitance. However, in the case of the capacitor provided in the conventional organic light emitting display device, there is a problem that the capacitance is not large.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 줄이면서도 어레이로 배열된 커패시터의 커패시턴스를 높이고 유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터의 보호가 확보된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve various problems, including the above problems, while reducing the parasitic capacitance of the organic thin film transistor, while increasing the capacitance of the capacitors arranged in an array, the organic light emitting element and the protection of the organic thin film transistor secured An object of the present invention is to provide a display device and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 배치된 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 화소 전극과, (iii) 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구와, 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 3 개구를 갖는 제 1 절연막과, (iv) 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되어 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층과, 상기 유기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막과, (v) 상기 제 3 개구 내에 배치되어 상기 화소 전극의 노출된 부분 상에 배치되는, 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, (vi) 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극과, 상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극과, (vii) 상기 제 1 커패시터 전극과, 상기 게이트 전극과, 상기 대향 전극을 덮도록 배치되는 제 2 절연막과, (viii) 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하도록 배치된 제 2 커패시터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.In order to achieve the above object and various other objects, the present invention provides a substrate comprising: (i) a substrate, (ii) a first capacitor electrode, a source electrode and a drain electrode disposed on the substrate, the source electrode and a drain. A pixel electrode electrically connected to any one of the electrodes, (iii) a first opening exposing at least a portion of the first capacitor electrode, a second opening exposing opposite portions of the source electrode and the drain electrode, A first insulating film having a third opening exposing at least a portion of the pixel electrode, (iv) an organic semiconductor layer disposed in a second opening of the first insulating film and in contact with the source electrode and the drain electrode, respectively, and the organic semiconductor A gate insulating film disposed on the layer, (v) an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed in the third opening and disposed on an exposed portion of the pixel electrode; (vi) a gate electrode disposed on the gate insulating film, a counter electrode disposed on the intermediate layer, (vii) a second capacitor disposed to cover the first capacitor electrode, the gate electrode, and the counter electrode; An insulating film and (viii) a second capacitor electrode disposed on the second insulating film so as to correspond to the first capacitor electrode are provided.

본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 배치된 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 화소 전극과, (iii) 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구와, 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 3 개구를 갖는 제 1 절연막과, (iv) 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되어 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층과, 상기 유기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극과, (v) 상기 제 1 커패시터 전극과 상기 게이트 전극을 덮으며, 상기 화소 전극의 적어도 일부가 노출되도록 구비되는 제 2 절연막과, (vi) 상기 화소 전극의 노출된 부분 상에 배치되는, 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, (vii) 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하도록 배치된 제 2 커패시터 전극과, 상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides a substrate comprising: (i) a substrate, (ii) a first capacitor electrode disposed on the substrate, a source electrode and a drain electrode, and one of the source electrode and the drain electrode. A pixel electrode electrically connected to the pixel electrode, (iii) a first opening exposing at least a portion of the first capacitor electrode, a second opening exposing opposing portions of the source electrode and the drain electrode; A first insulating film having a third opening exposing at least a portion thereof, (iv) an organic semiconductor layer disposed in the second opening of the first insulating film and in contact with the source electrode and the drain electrode, respectively, and disposed on the organic semiconductor layer A gate insulating film, a gate electrode disposed on the gate insulating film, (v) covering the first capacitor electrode and the gate electrode, and writing down the pixel electrode. A second insulating film provided to expose a portion of the figure, (vi) an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed on an exposed portion of the pixel electrode, and (vii) a first insulating film on the second insulating film. A second capacitor electrode disposed to correspond to each other, and an opposite electrode disposed on the intermediate layer, are provided.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 상기 화소 전극에 전기적으로 연결된 전극은 상기 화소 전극과 일체로 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, an electrode electrically connected to the pixel electrode among the source electrode and the drain electrode may be provided integrally with the pixel electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 상기 화소 전극에 전기적으로 연결되지 않은 전극은 상기 제 1 커패시터 전극과 일체로 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, an electrode which is not electrically connected to the pixel electrode among the source electrode and the drain electrode may be provided integrally with the first capacitor electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극의 하면 중 적어도 일부는 상기 제 1 절연막의 상면에 접하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, at least a part of the lower surface of the gate electrode may be in contact with the upper surface of the first insulating film.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극은 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되며, 상기 게이트 전극의 단부면은 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 측면에 접하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the gate electrode may be disposed in the second opening of the first insulating film, the end surface of the gate electrode may be in contact with the second opening side of the first insulating film.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 절연막의 제 1 개구는 상기 제 1 커패시터 전극을 모두 노출시키도록 구비되는 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, the first opening of the first insulating film may be provided to expose all of the first capacitor electrodes.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 절연막은 포토리지스트로 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the first insulating film may be provided with a photoresist.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 란타늄 옥사이드, 프라세오디뮴 옥사이드 또는 이트리움 옥사이드로 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the second insulating film may be provided with aluminum oxide, titanium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, praseodymium oxide or yttrium oxide.

본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 기판 상에 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, (ii) 상기 제 1 커패시터 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 포토리지스트를 도포하여 제 1 절연막을 형성하는 단계와, (iii) 상기 제 1 절연막을 노광 및 현상하여, 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구를 형성하는 단계와, (iv) 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하도록 유기 반도체층을 형성하는 단계와, (v) 상기 유기 반도체층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, (vi) 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, (vii) 상기 제 1 커패시터 전극 및 상기 게이트 전극을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 단계와, (viii) 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하는 제 2 커패시터 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides the steps of (i) forming a first capacitor electrode, a source electrode and a drain electrode on a substrate, (ii) the first capacitor electrode, the source electrode and Applying a photoresist to cover the drain electrode to form a first insulating film, (iii) exposing and developing the first insulating film to expose at least a portion of the first capacitor electrode, and Forming a second opening exposing opposite portions of the source electrode and the drain electrode, and (iv) forming an organic semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode in the second opening of the first insulating film, respectively; (V) forming a gate insulating film on the organic semiconductor layer, (vi) forming a gate electrode on the gate insulating film, and (vii) the first capacitor electrode And forming a second insulating film to cover the gate electrode, and (viii) forming a second capacitor electrode corresponding to the first capacitor electrode on the second insulating film. A method of manufacturing a display device is provided.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 기판 상에 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 한 전극을 상기 제 1 커패시터 전극과 일체로 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the forming of the first capacitor electrode, the source electrode and the drain electrode on the substrate, any one of the source electrode and the drain electrode is formed integrally with the first capacitor electrode It can be said that it is a step.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 절연막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 란타늄 옥사이드, 프라세오디뮴 옥사이드 또는 이트리움 옥사이드로 형성되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the second insulating film may be formed of aluminum oxide, titanium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, praseodymium oxide or yttrium oxide.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 일 부화소를 개략적으로 도시하는 회로도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing a part of the organic light emitting display device of FIG. 1.

먼저 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 유기 발광 소자(130), 유기 박막 트랜지스터(120), 커패시터(110) 및 또 다른 유기 박막 트랜지스터(140)가 구비되어 있다. 여기서 참조번호 120의 유기 박막 트랜지스터(120)는 유기 발광 소자(130)를 구동하는 구동 트랜지스터이며, 참조번호 140의 유기 박막 트랜지스터(140)는 유기 발광 소자(130)에 인가될 전기적 신호를 스위칭하는 스위칭 트랜지스터이다. 물론 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 회로 구조가 도 1 및 도 2에 도시된 회로 구조에 국한된 것은 아니며, 이와 달리 다른 전기 소자들을 더 구비할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다. 이하에서는 편의상 참조번호 120의 유기 박막 트랜지스터(120), 커패시터(110) 및 유기 발광 소자(130)의 상호 연결 구조에 대해서 설명한다.1 and 2, an organic light emitting device 130, an organic thin film transistor 120, a capacitor 110, and another organic thin film transistor 140 are provided on a substrate 100. Herein, the organic thin film transistor 120 of the reference numeral 120 is a driving transistor for driving the organic light emitting element 130, and the organic thin film transistor 140 of the reference number 140 switches an electrical signal to be applied to the organic light emitting element 130. Switching transistor. Of course, the circuit structure of the organic light emitting display device according to the present invention is not limited to the circuit structure shown in FIGS. 1 and 2, and various modifications are possible, such as other electronic elements may be further provided. Hereinafter, for convenience, the interconnection structure of the organic thin film transistor 120, the capacitor 110, and the organic light emitting element 130 will be described.

기판(100)으로는 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다. 이 기판 (100)에는 필요에 따라 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수도 있다.As the substrate 100, not only a glass substrate but also various plastic substrates such as acrylic may be used, and further, a metal plate may be used. The substrate 100 may further include a buffer layer (not shown) as necessary.

이 기판(100) 상에는 제 1 커패시터 전극(111)과, 소스 전극 및 드레인 전극(123)과, 소스 전극 및 드레인 전극(123) 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 화소 전극(131)이 구비되어 있다. 도 1에서는 이 제 1 커패시터 전극(111)과 게이트 전극(121)이 상호 분리된 것으로 도시되어 있으나, 도 2의 회로도에서 알 수 있는 바와 같이 이 전극들은 상호 전기적으로 연결되어 있다. The substrate 100 includes a first capacitor electrode 111, a source electrode and a drain electrode 123, and a pixel electrode 131 electrically connected to any one of the source electrode and the drain electrode 123. In FIG. 1, the first capacitor electrode 111 and the gate electrode 121 are illustrated as being separated from each other. However, as shown in the circuit diagram of FIG. 2, the electrodes are electrically connected to each other.

이 전극들은 도전성 물질로 형성되는데, 필요에 따라 동시에 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 서로 다른 공정에서 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 동일한 물질로 형성될 경우 필요에 따라 투명한 물질 또는 불투명한 물질 등으로 형성될 수도 있다. 보다 상세히 설명하자면, 후술하는 바와 같이 광이 화소 전극(131)을 통해 외부로 취출될 경우에는 투명한 물질로 형성되며, 화소 전극(131)을 통해 외부로 취출되지 않을 경우에는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 투명한 물질로 형성될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, W 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과 그 상부에 형성된 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3막을 구비할 수 있다. 이러한 전극들은 마스크를 이용한 증착을 통해 형성될 수도 있고, 도전성 물질층을 기판(100) 상에 형성한 후 이를 패터닝하여 형성될 수도 있다. These electrodes are formed of a conductive material, and may be formed of the same material at the same time as necessary, or may be formed of different materials in different processes. When formed of the same material may be formed of a transparent material or an opaque material, if necessary. More specifically, as described below, when light is extracted to the outside through the pixel electrode 131, the light is formed of a transparent material, and when it is not extracted to the outside through the pixel electrode 131, it is formed as a reflective electrode. Can be. When formed of a transparent material it may be provided with ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 , when used as a reflective electrode Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, W and A reflective film formed of these compounds and the like and an ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 film formed thereon may be provided. These electrodes may be formed through deposition using a mask, or may be formed by forming a conductive material layer on the substrate 100 and then patterning the conductive material layer.

이때, 소스 전극과 드레인 전극(123) 중 화소 전극(131)에 전기적으로 연결된 것은 도 1에 도시된 것과 같이 화소 전극(131)과 일체로 구비되도록 할 수 있 다. 또한, 소스 전극과 드레인 전극(123) 중 화소 전극(131)에 전기적으로 연결되지 않은 것은 제 1 커패시터 전극(111)에 전기적으로 연결되어 있다.At this time, the electrically connected to the pixel electrode 131 of the source electrode and the drain electrode 123 may be provided integrally with the pixel electrode 131 as shown in FIG. Also, one of the source electrode and the drain electrode 123 that is not electrically connected to the pixel electrode 131 is electrically connected to the first capacitor electrode 111.

이 전극들 상으로는 제 1 절연막(101)이 형성되는데, 이 제 1 절연막(101)은 세 개의 개구를 구비한다. 즉, 제 1 절연막(101)은 제 1 커패시터 전극(111)의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구와, 화소 전극(131)의 적어도 일부를 노출시키는 제 3 개구를 갖는다.A first insulating film 101 is formed on these electrodes, and the first insulating film 101 has three openings. That is, the first insulating film 101 may include a first opening exposing at least a portion of the first capacitor electrode 111, a second opening exposing opposite portions of the source electrode and the drain electrode 123, and the pixel electrode. And a third opening that exposes at least a portion of 131.

이러한 제 1 절연막(101)은 다양한 방법으로 형성될 수 있는데, 예컨대 포토리지스트를 기판(100)의 전면(全面)에 도포하고 이를 노광 및 현상함으로써, 개구가 형성된 제 1 절연막(101)을 형성할 수 있다. 물론 이 외에도 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 물질을 기판(100)의 전면에 도포한 후 이에 레이저빔을 조사하여 조사된 부분을 제거함으로써, 개구가 형성된 제 1 절연막(101)을 형성할 수도 있다.The first insulating film 101 may be formed by various methods. For example, the first insulating film 101 having an opening is formed by applying a photoresist to the entire surface of the substrate 100 and exposing and developing the same. can do. Of course, in addition to this, a material such as silicon oxide or silicon nitride may be applied to the entire surface of the substrate 100 and then irradiated with a laser beam to remove the irradiated portion, thereby forming the first insulating layer 101 having an opening. .

제 1 절연막(101)의 제 2 개구 내에는 유기 반도체층(127)이 구비된다. 이 유기 반도체층(127)은 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 제 2 개구에 의해 노출된 부분에 각각 접한다. 그리고 이 유기 반도체층(127) 상에는 게이트 절연막(125)이 구비된다.The organic semiconductor layer 127 is provided in the second opening of the first insulating film 101. The organic semiconductor layer 127 is in contact with portions exposed by the second openings of the source electrode and the drain electrode 123, respectively. The gate insulating film 125 is provided on the organic semiconductor layer 127.

이러한 유기 반도체층(127)은 반도체 특성을 갖는 유기물로 이루어지는데, 예컨대 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 구비하는 물질일 수 있다. 이러한 유기 반도체층(127)은 잉크젯 프린팅법, 스탬핑법, 디핑법 또는 스핀 코팅법 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있는데, 특히 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성할 경우 도 1에 도시된 것과 같이 제 1 절연막(101)이 뱅크 역할을 하여 유기 반도체층(127)이 정확한 위치에 구비되도록 할 수 있다.The organic semiconductor layer 127 is formed of an organic material having semiconductor characteristics, for example, pentacene, tetracene, anthracene, naphthalene, alpha-6-thiophene, alpha-4 -Thiophene, perylene and its derivatives, rubrene and its derivatives, coronene and its derivatives, perylene tetracarboxylic diimide and its derivatives, perylene Tetracarboxylic dianhydride and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, polyflorene and its derivatives, polyti Offenvinylene and derivatives thereof, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymers and derivatives thereof, oligothiophenes of alpha-5-thiophene and derivatives thereof, phthalocyanines with or without metals and their At least one of derivatives, pyromellitic dianhydrides and derivatives thereof, pyromellitic diimides and derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydrides and derivatives thereof, and perylenetetracarboxylic diimides and derivatives thereof It may be a material having any one. The organic semiconductor layer 127 may be formed by various methods such as an inkjet printing method, a stamping method, a dipping method, or a spin coating method. In particular, when the organic semiconductor layer 127 is formed using the inkjet printing method, the organic semiconductor layer 127 may be formed as shown in FIG. The insulating layer 101 may serve as a bank so that the organic semiconductor layer 127 may be provided at an accurate position.

그리고 게이트 절연막(125)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수도 있고, 파릴렌, 아크릴 기반의 폴리머(PMMA) 또는 에폭시 등의 유기물로 형성될 수도 있다. 이러한 게이트 절연막(125)은 증착, 스핀 코팅 잉크젯 프린팅 또는 스크린 페이스팅 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있는데, 특히 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성할 경우 도 1에 도시된 것과 같이 제 1 절연막(101)이 뱅크 역할을 하여 게이트 절연막(125)이 정확한 위치에 구비되도록 할 수 있다. 이때, 게이트 절연막(125)은 유전율(dielectric constant)이 낮은 물질로 구비되는 것이 바람직하다. 즉, 후술하는 바와 같이 게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(121)이 구비되는 바, 이 게이트 전극(121)은 소스 전극 및 드레인 전극(123)과 중첩되도록 구비된다. 따라서 게이트 전극(121)과 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 중첩되는 부분에는 기생 커패시턴스가 발생하는 바, 이를 낮추기 위하여 게이트 절연막(125)은 유전율이 낮은 물질로 구비되는 것이 바람직하다.The gate insulating layer 125 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, or may be formed of an organic material such as parylene, acrylic polymer (PMMA), or epoxy. The gate insulating layer 125 may be formed by various methods such as deposition, spin coating inkjet printing, or screen pasting. In particular, the gate insulating layer 125 may be formed using the inkjet printing method, as shown in FIG. 1. By acting as the bank, the gate insulating layer 125 may be provided at the correct position. In this case, the gate insulating layer 125 is preferably made of a material having a low dielectric constant. That is, as described later, the gate electrode 121 is provided on the gate insulating layer 125, and the gate electrode 121 is provided to overlap the source electrode and the drain electrode 123. Therefore, the parasitic capacitance is generated at the overlapping portions of the gate electrode 121, the source electrode, and the drain electrode 123. In order to reduce this, the gate insulating layer 125 is preferably made of a material having a low dielectric constant.

한편, 화소 전극(131)의 적어도 일부는 제 1 절연막(101)의 제 3 개구에 의해 노출되는 바, 이 부분 상에 중간층(133)이 구비된다. 그리고 게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(121)이, 중간층(133) 상에는 대향 전극(135)이 구비된다.Meanwhile, at least a part of the pixel electrode 131 is exposed by the third opening of the first insulating film 101, and the intermediate layer 133 is provided on this part. The gate electrode 121 is provided on the gate insulating layer 125, and the counter electrode 135 is provided on the intermediate layer 133.

중간층(133)은 적어도 발광층을 포함하는 층으로서, 그 하부의 화소 전극(131)과 그 상부의 대향 전극(135)으로부터 정공과 전자를 공급받아 광을 만든다.The intermediate layer 133 includes at least a light emitting layer, and receives holes and electrons from the pixel electrode 131 below and the counter electrode 135 above to form light.

중간층(133)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하 게 적용 가능하다. 이러한 저분자 유기물로 중간층을 형성할 경우, 증착법 또는 잉크젯 프린팅법 등의 다양한 방법을 이용하여 중간층을 형성할 수 있다.The intermediate layer 133 may be provided with low molecular weight or high molecular organic material. When using low molecular weight organic materials, hole injection layer (HIL), hole transport layer (HTL), organic emission layer (EML), electron transport layer (ETL), electron injection layer (EIL) The electron injection layer may be formed by stacking a single or complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N '-Diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum ( Alq3) can be used in various ways. When the intermediate layer is formed of such a low molecular weight organic material, the intermediate layer may be formed by various methods such as a deposition method or an inkjet printing method.

고분자 유기물의 경우에는 대개 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 정공 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(poly-phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다. 고분자 유기물로 중간층을 형성할 경우, 잉크젯 프린팅법 또는 열전사법 등을 이용하여 형성할 수 있다.In the case of the polymer organic material, the structure may include a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transport layer, and poly phenylenevinylene (PPV) and polyfluorene are used as the emission layer. Polymer organic materials such as (polyfluorene) are used. When the intermediate layer is formed of the polymer organic material, it may be formed using an inkjet printing method or a thermal transfer method.

게이트 전극(121)과 대향 전극(135)은 동시에 동일 한 물질로 형성될 수도 있고, 필요에 따라 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 이하에서는 편의상 동일한 물질로 형성되는 경우에 대해 설명한다.The gate electrode 121 and the counter electrode 135 may be formed of the same material at the same time, or may be formed of different materials as necessary. Hereinafter, a case in which the same material is formed for convenience will be described.

발광층을 포함하는 중간층(133)은 화소 전극(131)과 대향 전극(135)으로부터 정공 및 전자를 공급받아 광을 발생시킨다. 이때 화소 전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(135)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소 전극(131)과 대향 전극(135)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.The intermediate layer 133 including the emission layer receives light and holes from the pixel electrode 131 and the counter electrode 135 to generate light. In this case, the pixel electrode 131 functions as an anode electrode, and the opposite electrode 135 functions as a cathode electrode. Of course, the polarity of the pixel electrode 131 and the counter electrode 135 may be reversed.

발광층을 포함하는 중간층(133)에서 발생된 광은 화소 전극(131) 또는 대향 전극(135)을 통해 외부로 취출되는데, 따라서 화소 전극(131) 및 대향 전극(135) 중 광 경로 상에 위치하는 전극은 투명 전극으로 구비되고, 다른 전극은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다.Light generated in the intermediate layer 133 including the light emitting layer is extracted to the outside through the pixel electrode 131 or the counter electrode 135, and thus is located on the optical path among the pixel electrode 131 and the counter electrode 135. The electrode may be provided as a transparent electrode, and the other electrode may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode.

따라서 전술한 화소 전극(131)과 마찬가지로 대향 전극(135)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(133)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인이 형성되도록 한 구조를 가질 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 증착하여 형성한다.Therefore, like the pixel electrode 131 described above, the counter electrode 135 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode, and when used as a transparent electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, and these After the deposition of the compound toward the intermediate layer 133, it may have a structure such that the auxiliary electrode or bus electrode line is formed of a material for forming a transparent electrode, such as ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 thereon. And when used as a reflective electrode is formed by depositing the above Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg and their compounds.

상기와 같은 게이트 전극(121)과 대향 전극(135), 그리고 제 1 커패시터 전극(111)의 제 1 절연막(101)의 제 1 개구에 의해 노출된 부분은 제 2 절연막(102)으로 덮인다. 그리고 제 2 커패시터 전극(112)이 제 2 절연막(102) 상에 제 1 커패시터 전극(101)에 대응하도록 배치된다.The portion exposed by the first opening of the first insulating film 101 of the gate electrode 121, the counter electrode 135, and the first capacitor electrode 111 as described above is covered with the second insulating film 102. The second capacitor electrode 112 is disposed on the second insulating layer 102 to correspond to the first capacitor electrode 101.

제 2 절연막(102)은 유기 박막 트랜지스터(120)와 유기 발광 소자(130)를 보호하는 역할을 하는 패시베이션막으로 기능할 수 있다. 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자(130)의 유기물로 형성된 부분은 외부의 산소 또는 수분 등의 불순물에 의해 쉽게 손상되는 바, 이를 방지할 필요가 있다. 따라서 패시베이션 특성이 우수한 물질로 이들을 보호할 필요가 있다.The second insulating layer 102 may function as a passivation layer that protects the organic thin film transistor 120 and the organic light emitting element 130. The organic thin film transistor and the portion formed of the organic material of the organic light emitting element 130 are easily damaged by impurities such as oxygen or moisture, so it is necessary to prevent them. Therefore, it is necessary to protect them with materials having excellent passivation characteristics.

이때, 패시베이션막 역할을 하는 제 2 절연막(102)은 커패시터(110)의 제 1 커패시터 전극(111)과 제 2 커패시터 전극(112) 사이에 개재된다. 이 커패시터(110)는 유기 발광 소자(130)의 화소 전극(131)에의 전류를 유지하거나 또는 구동속도를 향상시키는 기능을 한다. 이를 효율적으로 수행하기 위해서는 커패시터(110)의 커패시턴스가 큰 것이 바람직하다. 따라서 커패시터(110)의 커패시턴스를 높이기 위해, 제 2 절연막(102)은 패시베이션 특성이 우수하면서도 유전율이 높은 물질로 구비되는 것이 바람직하다.In this case, the second insulating layer 102 serving as the passivation layer is interposed between the first capacitor electrode 111 and the second capacitor electrode 112 of the capacitor 110. The capacitor 110 functions to maintain a current to the pixel electrode 131 of the organic light emitting element 130 or to improve a driving speed. In order to efficiently perform this, it is preferable that the capacitance of the capacitor 110 is large. Therefore, in order to increase the capacitance of the capacitor 110, the second insulating layer 102 is preferably made of a material having excellent passivation characteristics and high dielectric constant.

이와 같이 제 2 절연막(102)은 패시베이션 특성이 우수하면서도 유전율이 높은 물질로 형성되는 것이 바람직한 바, 따라서 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 란타늄 옥사이드, 프라세오디뮴 옥사이드 또는 이트리움 옥사이드로 구비되는 것이 바람직하다. 알루미늄 옥사이드의 경우 비유전율(relative dielectric constant)이 대략 8 정도, 하프늄 옥사이드의 경우에는 대략 20, 지르코늄 옥사이드의 경우에는 대략 15, 그리고 티타늄 옥사이드의 경우에는 40 내지 100에 이를 정도로 유전율이 높아, 이들 물질로 제 2 절연막(102)을 형성함으로써 커패시터(110)의 커패시턴스를 획기적으로 높일 수 있다.As such, the second insulating film 102 is preferably formed of a material having excellent passivation characteristics and high dielectric constant. It is preferable. The relative dielectric constant is about 8 for aluminum oxide, about 20 for hafnium oxide, about 15 for zirconium oxide, and 40 to 100 for titanium oxide. By forming the second insulating layer 102, the capacitance of the capacitor 110 can be significantly increased.

또한, 종래에는 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막(125)이 커패시터(110)의 양 전극들 사이에 개재되었으므로, 유전율이 높은 물질을 이용하여 커패시턴스를 높일 경우에는 유기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스도 높아진다는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 게이트 절연막(125)과 커패시터(110)의 양 전극들 사이에 개재되는 물질을 별도로 이용함으로써 그러한 문제가 발생하는 것을 방지한다. 그리고 유기 박막 트랜지스터(120)와 유기 발광 소자(130)의 보호를 위해 구비되는 패시베이션막(제 2 절연막, 102)이 커패시터(110)의 양 전극들 사이에 개재되는 유전체가 되도록 함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않으면서도 큰 커패시턴스를 갖는 커패시터(110)가 구비되도록 할 수 있다.In addition, since the gate insulating film 125 of the organic thin film transistor is interposed between both electrodes of the capacitor 110, when the capacitance is increased by using a material having a high dielectric constant, the parasitic capacitance of the organic thin film transistor is also increased. However, in the present invention, such a problem is prevented by separately using a material interposed between the electrodes of the gate insulating film 125 and the capacitor 110. In addition, the passivation film (second insulating film) 102 provided for the protection of the organic thin film transistor 120 and the organic light emitting element 130 may be a dielectric interposed between the electrodes of the capacitor 110. The capacitor 110 having a large capacitance can be provided without adding.

이러한 제 2 절연막(102)은 다양한 방법으로 형성할 수 있는데, 예컨대 원자 층 증착 방법(ALD: atomic layered deposition)을 이용하여 박막으로 형성될 수 있다.The second insulating layer 102 may be formed by various methods, for example, may be formed as a thin film using atomic layer deposition (ALD).

즉, 전술한 바와 같이 게이트 전극(121) 및 대향 전극(135)까지 형성한 후, 이를 반응 챔버 내에 삽입하고, 챔버 내로 제 1 반응원을 피딩하여(제 1 피딩단계) 제 1 물질층을 화학적 증착의 방법으로 형성한다. 그 후 챔버 내의 제 1 반응원을 제거하는 제 1 퍼지단계를 거친 후, 챔버 내에 제 2 반응원을 피딩하여(제 2 피딩단계) 이미 형성된 제 1 물질층과 제 2 반응원이 반응을 일으키도록 함으로써 제 1 물질층을 변화시켜 원하는 성분의 원자층 박막으로 이루어진 제 2 절연막(102)을 형성한다. 그리고 제 1 물질층과 반응하지 않은 잔존 제 2 반응원 또는 반응하여 생성된 부산물을 제거하는 제 2 퍼지단계를 추가적으로 거칠 수 있다. 예컨대 알루미늄 옥사이드(Al2O3)로 만들어진 원자층 박막의 제 2 절연막(102)을 형성할 경우에는, 먼저 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)막을 증착한 후 수증기 또는 오존 등을 피딩하여 열처리를 행함으로써 트리메틸 알루미늄막을 알루미늄 옥사이드막으로 변환시켜 원자층 박막으로 형성된 제 2 절연막(102)을 형성할 수 있다.That is, as described above, the gate electrode 121 and the counter electrode 135 may be formed, and then, the gate electrode 121 and the counter electrode 135 may be inserted into the reaction chamber, and the first material source may be fed into the chamber (first feeding step) to chemically treat the first material layer. It forms by the method of vapor deposition. Thereafter, after passing through a first purge step of removing the first reactant in the chamber, the second reactant is fed into the chamber (second feeding step) so that the first layer of material and the second reactant are formed. As a result, the first material layer is changed to form a second insulating film 102 made of an atomic layer thin film having a desired component. In addition, a second purge step of removing the remaining second reactant or the by-products generated by not reacting with the first material layer may be additionally performed. For example, when forming a second insulating film 102 of an atomic layer thin film made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), first, a trimethyl aluminum (TMA: Al (CH 3 ) 3 ) film is deposited, and then water vapor or ozone is fed. The heat treatment is performed to convert the trimethyl aluminum film into an aluminum oxide film to form the second insulating film 102 formed of the atomic layer thin film.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이 제 2 커패시터 전극(112)은 유기 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(121)에 전기적으로 연결되는 바, 이를 위해 제 2 커패시터 전극(112)과 대향 전극(135)의 형성에 앞서 게이트 전극(121)의 적어도 일부가 노출되도록 제 2 절연막(102) 상에 컨택홀을 형성하고, 이 컨택홀을 통해 제 2 커패시터 전극(112)과 게이트 전극(121)이 전기적으로 연결되도록 할 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, the second capacitor electrode 112 is electrically connected to the gate electrode 121 of the organic thin film transistor 120. For this purpose, the second capacitor electrode 112 and the opposite electrode 135 are disposed. Prior to forming the gate electrode 121, a contact hole is formed on the second insulating layer 102 so that at least a portion of the gate electrode 121 is exposed, and the second capacitor electrode 112 and the gate electrode 121 are electrically connected to each other through the contact hole. It can also be connected.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치가 전술한 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치와 다른 점은, 소스 전극과 드레인 전극(123) 중 화소 전극(131)에 전기적으로 연결되지 않은 전극이 제 2 커패시터 전극(112)과 일체로 구비되어 있다는 것이다. 이와 같이 전기적으로 연결되는 구성요소가 동일 평면 상에 구비될 경우, 이러한 구성요소들은 일체로 구비되도록 할 수 있다.The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment is different from the organic light emitting display device according to the above-described embodiment, in which the second capacitor of the source electrode and the drain electrode 123 is not electrically connected to the pixel electrode 131. It is provided integrally with the electrode (112). When the components to be electrically connected as described above are provided on the same plane, these components may be provided integrally.

도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터가 전술한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터와 상이한 점은, 게이트 전극(121)의 하면 중 적어도 일부가 제 1 절연막(101)의 상면(101a)에 접하도록 구비되어 있다는 것이다. 이는 게이트 전극(121)과 게이트 절연막(125) 사이의 접합력이 좋지 않아 박리현상이 발생하는 것을 방지하기 위함이다. 즉, 게이트 전극(121)의 하면 중 적어도 일부가 게이트 전극(121)과의 접합력이 우수한 제 1 절연막(101)의 상면(101a)에 접하도록 함으로써, 게이트 전극(121)과 게이트 절연막(125) 사이의 접합력이 좋지 않을 경우에도 게이트 전극(121)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.The organic thin film transistor according to the present embodiment differs from the organic thin film transistor according to the above-described embodiment in that at least a part of the lower surface of the gate electrode 121 is provided to contact the upper surface 101a of the first insulating film 101. Is there. This is to prevent the peeling phenomenon due to poor bonding force between the gate electrode 121 and the gate insulating film 125. That is, at least a part of the lower surface of the gate electrode 121 is in contact with the upper surface 101a of the first insulating film 101 having excellent bonding force with the gate electrode 121, thereby allowing the gate electrode 121 and the gate insulating film 125. Even when the bonding force between them is not good, the gate electrode 121 can be prevented from peeling off.

물론 이와 달리, 게이트 전극(121)이 제 1 절연막(101)의 제 2 개구 내에 배치되도록 하고, 이 게이트 전극(121)의 단부면이 제 1 절연막(101)의 제 2 개구 측면(101b)에 접하도록 하여, 게이트 전극(121)의 단부면과 제 1 절연막(101)의 제 2 개구 측면(101b) 사이의 우수한 접합력을 이용함으로써, 게이트 전극(121)과 게이트 절연막(125) 사이의 접합력이 좋지 않을 경우에도 게이트 전극(121)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.Of course, unlike this, the gate electrode 121 is disposed in the second opening of the first insulating film 101, and the end surface of the gate electrode 121 is placed on the second opening side surface 101b of the first insulating film 101. By using the excellent bonding force between the end face of the gate electrode 121 and the second opening side surface 101b of the first insulating film 101, the bonding force between the gate electrode 121 and the gate insulating film 125 is improved. Even if it is not good, the gate electrode 121 can be prevented from peeling off.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치가 전술한 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치와 다른 점은, 커패시터(110)의 구조이다. 즉, 전술한 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 제 1 절연막(101)의 제 1 개구는 커패시터(110)의 제 1 커패시터 전극(111)의 일부를 노출시키도록 구비되어 있으나, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에 구비된 제 1 절연막(101)의 제 1 개구는 제 1 커패시터 전극(111)을 모두 노출시키도록 구비되어 있다. 물론 도 1에는 제 1 개구가 제 1 절연막(101)에 구비되어 있다고 하기보다는 제 1 절연막(101)이 제 1 커패시터 전극(111) 및 그 주위에는 구비되지 않도록 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이와 다른 변형이 가능함은 물론이다.The organic light emitting display device according to the present embodiment differs from the organic light emitting display device according to the above-described embodiment in the structure of the capacitor 110. That is, in the organic light emitting display device according to the above-described embodiment, the first opening of the first insulating film 101 is provided to expose a part of the first capacitor electrode 111 of the capacitor 110. The first opening of the first insulating film 101 of the organic light emitting display device according to the example is provided to expose all of the first capacitor electrodes 111. Of course, in FIG. 1, the first insulating film 101 is formed not to be provided around the first capacitor electrode 111 and the surroundings thereof, rather than having the first opening provided in the first insulating film 101. Of course this is possible.

이와 같이 제 1 절연막(101)의 제 1 개구가 커패시터(110)의 제 1 커패시터 전극(111)이 모두 노출되도록 함으로써, 제 1 커패시터 전극(111)과 제 2 커패시터 전극(112) 사이의 거리가 균일하면서도 더욱 가까워지도록 하여, 결과적으로 커패시터(110)의 커패시턴스를 더욱 높일 수 있다.As such, the first opening of the first insulating film 101 exposes all of the first capacitor electrode 111 of the capacitor 110, thereby reducing the distance between the first capacitor electrode 111 and the second capacitor electrode 112. By making it more uniform and closer, as a result, the capacitance of the capacitor 110 can be further increased.

도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치가 전술한 실시예들에 따른 유기 발광 디스플레이 장치들과 상이한 점은, 유기 발광 소자(130)의 구조이다.The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment differs from the organic light emitting display devices according to the above embodiments in the structure of the organic light emitting device 130.

즉, 전술한 실시예들에 따른 유기 발광 디스플레이 장치들의 경우, 화소 전극(131)의 제 1 절연막(101)의 제 3 개구에 의해 노출된 부분에 중간층(133)이 구비되고, 이 중간층(133) 상에 대향 전극(135)이 구비되며, 이 대향 전극(135)을 덮도록 제 2 절연막(102)이 구비된 구조를 취하고 있다. 그러나 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 제 1 절연막(101)의 제 3 개구가 화소 전극(131)의 적어도 일부를 노출시키는 구조는 동일하지만, 제 2 절연막(102) 역시 화소 전극(131)의 적어도 일부가 노출되도록 구비되며, 화소 전극(131)의 제 1 절연막(101)과 제 2 절연막(102)에 의해 노출된 부분 상에 중간층(133)이 형성되고, 대향 전극(135)이 중간층(133) 상부와 제 2 절연막(102)의 상부에 구비된다는 차이점을 가지고 있다.That is, in the organic light emitting diode display according to the above-described embodiments, an intermediate layer 133 is provided at a portion exposed by the third opening of the first insulating layer 101 of the pixel electrode 131, and the intermediate layer 133 is provided. ), A counter electrode 135 is provided, and the second insulating film 102 is provided to cover the counter electrode 135. However, in the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, the third opening of the first insulating film 101 has the same structure in which at least a portion of the pixel electrode 131 is exposed, but the second insulating film 102 also has a pixel electrode ( The intermediate layer 133 is formed on a portion of the pixel electrode 131 exposed by the first insulating layer 101 and the second insulating layer 102, and the opposite electrode 135 is exposed to expose at least a portion of the 131. The difference is that the intermediate layer 133 is provided above the second insulating film 102.

일반적으로 도전성 물체의 가장자리에는 전계가 집중되는 바, 따라서 유기 발광 디스플레이 장치의 화소 전극(131)의 가장자리에도 전계가 집중된다. 그 결과, 화소 전극(131)과 대향 전극(135) 사이의 거리가 짧은 경우, 이러한 집중된 전계에 의해 두 전극들 사이에 구비된 중간층(133)이 끊어지거나 두 전극들이 쇼트되는 등의 불량이 발생할 수 있다. 따라서 화소 전극(131)의 가장자리와 대향 전극(135) 사이에 제 1 절연막(101) 뿐만 아니라 제 2 절연막(102)이 구비되도록 하여 그 사이의 거리를 넓힘으로써, 화소 전극(131)의 가장자리 부분에서 발광층을 포함하는 중간층(133)이 끊어지거나 전계가 집중되는 현상을 방지하여 화소 전극(131) 과 대향 전극(135)이 단락되는 것을 방지할 수 있다.In general, the electric field is concentrated on the edge of the conductive object, and thus the electric field is concentrated on the edge of the pixel electrode 131 of the organic light emitting display device. As a result, when the distance between the pixel electrode 131 and the counter electrode 135 is short, defects such as interruption of the intermediate layer 133 provided between the two electrodes or shortening of the two electrodes may occur due to the concentrated electric field. Can be. Therefore, not only the first insulating film 101 but also the second insulating film 102 are provided between the edge of the pixel electrode 131 and the opposing electrode 135 so as to widen the distance therebetween, thereby providing an edge portion of the pixel electrode 131. In this case, the intermediate layer 133 including the emission layer may be cut off or the electric field may be concentrated to prevent the pixel electrode 131 and the counter electrode 135 from being short-circuited.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 따르면, 유기 박막 트랜지스터의 기생 커패시턴스를 줄이면서도 어레이로 배열된 커패시터의 커패시턴스를 높이고 유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터의 보호가 확보된 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.According to the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof of the present invention made as described above, while reducing the parasitic capacitance of the organic thin film transistor, while increasing the capacitance of the capacitor arranged in the array, the organic light emitting device and the organic thin film transistor is secured A light emitting display device can be implemented.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (12)

기판;Board; 상기 기판 상에 배치된 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 화소 전극;A pixel electrode electrically connected to a first capacitor electrode disposed on the substrate, a source electrode and a drain electrode, and one of the source electrode and the drain electrode; 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구와, 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 3 개구를 갖는 제 1 절연막;A first opening exposing at least a portion of said first capacitor electrode, a second opening exposing opposite portions of said source electrode and a drain electrode, and a third opening exposing at least a portion of said pixel electrode; 1 insulating film; 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되어 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층과, 상기 유기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막;An organic semiconductor layer disposed in the second opening of the first insulating layer and in contact with the source electrode and the drain electrode, and a gate insulating layer disposed on the organic semiconductor layer; 상기 제 3 개구 내에 배치되어 상기 화소 전극의 노출된 부분 상에 배치되는, 적어도 발광층을 포함하는 중간층;An intermediate layer including at least an emitting layer disposed in the third opening and disposed on an exposed portion of the pixel electrode; 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극과, 상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극;A gate electrode disposed on the gate insulating film and an opposite electrode disposed on the intermediate layer; 상기 제 1 커패시터 전극과, 상기 게이트 전극과, 상기 대향 전극을 덮도록 배치되는 제 2 절연막; 및A second insulating film disposed to cover the first capacitor electrode, the gate electrode, and the counter electrode; And 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하도록 배치된 제 2 커패시터 전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a second capacitor electrode disposed on the second insulating layer so as to correspond to the first capacitor electrode. 기판;Board; 상기 기판 상에 배치된 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 화소 전극;A pixel electrode electrically connected to a first capacitor electrode disposed on the substrate, a source electrode and a drain electrode, and one of the source electrode and the drain electrode; 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구와, 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 3 개구를 갖는 제 1 절연막;A first opening exposing at least a portion of said first capacitor electrode, a second opening exposing opposite portions of said source electrode and a drain electrode, and a third opening exposing at least a portion of said pixel electrode; 1 insulating film; 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되어 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층과, 상기 유기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극;An organic semiconductor layer disposed in the second opening of the first insulating film and in contact with the source electrode and the drain electrode, a gate insulating film disposed on the organic semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the gate insulating film; 상기 제 1 커패시터 전극과 상기 게이트 전극을 덮으며, 상기 화소 전극의 적어도 일부가 노출되도록 구비되는 제 2 절연막;A second insulating layer covering the first capacitor electrode and the gate electrode and having at least a portion of the pixel electrode exposed; 상기 화소 전극의 노출된 부분 상에 배치되는, 적어도 발광층을 포함하는 중간층; 및An intermediate layer including at least an emission layer disposed on the exposed portion of the pixel electrode; And 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하도록 배치된 제 2 커패시터 전극과, 상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a second capacitor electrode disposed to correspond to the first capacitor electrode on the second insulating layer, and an opposite electrode disposed on the intermediate layer. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 상기 화소 전극에 전기적으로 연결된 전극은 상기 화소 전극과 일체로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And an electrode electrically connected to the pixel electrode among the source electrode and the drain electrode is integrally provided with the pixel electrode. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 상기 화소 전극에 전기적으로 연결되지 않은 전극은 상기 제 1 커패시터 전극과 일체로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.The electrode of the source electrode and the drain electrode which is not electrically connected to the pixel electrode is integrally provided with the first capacitor electrode. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 게이트 전극의 하면 중 적어도 일부는 상기 제 1 절연막의 상면에 접하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And at least a portion of a lower surface of the gate electrode is in contact with an upper surface of the first insulating layer. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 게이트 전극은 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 배치되며, 상기 게이트 전극의 단부면은 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 측면에 접하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the gate electrode is disposed in a second opening of the first insulating film, and an end surface of the gate electrode is in contact with a second opening side surface of the first insulating film. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 1 절연막의 제 1 개구는 상기 제 1 커패시터 전극을 모두 노출시키도록 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And a first opening of the first insulating film to expose all of the first capacitor electrodes. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 1 절연막은 포토리지스트로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the first insulating film is formed of a photoresist. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 2 절연막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 란타늄 옥사이드, 프라세오디뮴 옥사이드 또는 이트리움 옥사이드로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.And the second insulating film is formed of aluminum oxide, titanium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, praseodymium oxide, or yttrium oxide. 기판 상에 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;Forming a first capacitor electrode, a source electrode and a drain electrode on the substrate; 상기 제 1 커패시터 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 포토리지스트를 도포하여 제 1 절연막을 형성하는 단계;Forming a first insulating film by applying a photoresist to cover the first capacitor electrode, the source electrode, and the drain electrode; 상기 제 1 절연막을 노광 및 현상하여, 상기 제 1 커패시터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 제 1 개구와, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상호 대향된 부분을 노출시키는 제 2 개구를 형성하는 단계;Exposing and developing the first insulating film to form a first opening exposing at least a portion of the first capacitor electrode and a second opening exposing opposing portions of the source electrode and the drain electrode; 상기 제 1 절연막의 제 2 개구 내에 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;Forming an organic semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode in the second opening of the first insulating film, respectively; 상기 유기 반도체층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the organic semiconductor layer; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the gate insulating film; 상기 제 1 커패시터 전극 및 상기 게이트 전극을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및Forming a second insulating film to cover the first capacitor electrode and the gate electrode; And 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 커패시터 전극에 대응하는 제 2 커패시터 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.And forming a second capacitor electrode corresponding to the first capacitor electrode on the second insulating layer. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 기판 상에 제 1 커패시터 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 한 전극을 상기 제 1 커패시터 전극과 일체로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.The forming of the first capacitor electrode, the source electrode and the drain electrode on the substrate may include forming any one of the source electrode and the drain electrode integrally with the first capacitor electrode. Method of manufacturing a display device. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 2 절연막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 란타늄 옥사이드, 프라세오디뮴 옥사이드 또는 이트리움 옥사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.And the second insulating film is formed of aluminum oxide, titanium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, praseodymium oxide, or yttrium oxide.
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