KR100637165B1 - An organic electro luminescent display device and a method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판; 상기 기판 상에 구비된 제 1 전극; 상기 제 1 전극에 절연되도록 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하고, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역의 경도가 0.5Gpa 내지 1.0Gpa 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 높은 경도를 갖는 제 2 전극을 구비함으로써 유기 전계 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The present invention is a substrate; A first electrode provided on the substrate; A second electrode formed to be insulated from the first electrode; And at least one organic layer interposed between the first electrode and the second electrode, the at least one organic layer including at least a light emitting layer, and the hardness of all of the second electrodes or a region of the second electrode facing in the opposite direction to the organic layer. An organic light emitting display device and a method of manufacturing the same are characterized in that the 0.5Gpa to 1.0Gpa. By providing the second electrode having the high hardness, the reliability of the organic light emitting display device can be improved.

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법{An organic electro luminescent display device and a method for preparing the same}An organic electroluminescent display device and a method for preparing the same}

도 1은 본 발명을 따르는 유기 전계 발광 표시 장치의 일 구현예의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of an embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention;

도 2는 도 1의 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도 중 제 2 전극을 이루는 원자의 배열 상태를 도식적으로 나타낸 도면이고,FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an arrangement state of atoms forming a second electrode in the cross-sectional view of the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 3은 본 발명을 따르는 유기 전계 발광 표시 장치의 다른 일 구현예의 단면도이고,3 is a cross-sectional view of another embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention;

도 4는 본 발명의 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition : 이하, "IBAD"라고도 함)의 원리를 도식적으로 나타낸 도면이고,4 is a diagram schematically illustrating the principle of the ion beam assisted deposition (Ion Beam Assisted Deposition: hereinafter referred to as "IBAD") of the present invention,

도 5a 및 5b는 본 발명을 따르는 제 2 전극의 일 실시예 및 열증착법으로 형성된 제 2 전극의 표면 모폴로지를 나타낸 사진이고,5A and 5B are photographs showing the surface morphology of the second electrode formed by one embodiment and the thermal evaporation method of the second electrode according to the present invention,

도 6은 본 발명을 따르는 제 2 전극의 일 실시예 및 열증착법으로 형성된 제 2 전극의 계면 저항값을 나타낸 그래프이고,6 is a graph showing an interface resistance value of a second electrode formed by an embodiment of the second electrode and the thermal evaporation method according to the present invention,

도 7a 및 7b는 본 발명을 따르는 제 2 전극의 일 실시예 및 열증착법으로 형성된 제 2 전극의 수명 특성을 나타낸 사진이고,7a and 7b are photographs showing the life characteristics of the second electrode formed by one embodiment and the thermal evaporation method of the second electrode according to the present invention,

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

60...유기 전계 발광 소자 61...제 1 전극60 organic electroluminescent element 61 first electrode

62...제 2 전극 63...유기층62 second electrode 63 organic layer

64...화소 개구부 81...기판64 Pixel Opening 81 Substrate

83...게이트 절연막 84...중간 절연막83 gate insulating film 84 intermediate insulating film

86... 절연막 87...평탄화 영역86 insulating film 87 flattening area

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 경도값을 가져 투습 및 투산소가 방지되며, 낮은 계면 저항값을 갖는 제 2 전극을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device having a second electrode having a high hardness value to prevent moisture permeation and oxygen permeation and having a low interface resistance value. And to a method for producing the same.

통상적으로, 평판 표시 장치(flat display device)는 크게 발광형과 수광형으로 분류할 수 있다. 발광형으로는 평판 음극선관(flat cathode ray tube)과, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel)과, 전계 발광 소자(electro luminescent device)와, 발광 다이오드(light emitting diode) 등이 있다. 수광형으로는 액정 디스플레이(liquid crystal display)를 들 수 있다. 이중에서, 전계 발광 소자는 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다. 이러한 전계 발광 소자는 발광층을 형성하는 물질에 따라서 무기 전계 발광 소자와 유기 전계 발광 소자로 구분된다.In general, flat display devices may be classified into light emitting type and light receiving type. The light emitting type includes a flat cathode ray tube, a plasma display panel, an electroluminescent device, a light emitting diode, and the like. As a light receiving type, a liquid crystal display is mentioned. Among them, the electroluminescent device has attracted attention as a next-generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed. The electroluminescent device is classified into an inorganic electroluminescent device and an organic electroluminescent device according to the material forming the light emitting layer.

이 중에서, 유기 전계 발광 소자는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜서 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며, 광시야각, 빠른 응답 속도 등 액정 디스플레이에 있어서 문제점으로 지적되는 것을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. 유기 전계 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 유기 전계 발광 소자는 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어서, 발광층에서 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하게 된다. Among them, the organic electroluminescent device is a self-luminous display that electrically excites fluorescent organic compounds to emit light, which can be driven at low voltage, is easy to thin, and is pointed out as a problem in liquid crystal displays such as wide viewing angle and fast response speed. It is attracting attention as the next generation display that can solve the problem. The organic EL device includes a light emitting layer made of an organic material between the anode electrode and the cathode electrode. In the organic electroluminescent device, as the anode and cathode voltages are applied to these electrodes, holes injected from the anode are moved to the light emitting layer via the hole transport layer, and electrons are transferred from the cathode electrode to the light emitting layer via the electron transport layer. The electrons and holes recombine in the emission layer to generate excitons.

이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라, 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성하게 된다. 풀 컬러(full color)형 유기 전계 발광 소자의 경우에는 적(R),녹(G),청(B)의 삼색을 발광하는 화소(pixel)를 구비토록 함으로써 풀 컬러를 구현한다.As the excitons change from the excited state to the ground state, the fluorescent molecules in the light emitting layer emit light to form an image. In the case of a full color organic electroluminescent device, a full color is realized by providing a pixel emitting three colors of red (R), green (G), and blue (B).

전술한 바와 같이 유기 전계 발광 소자는 유기층과 접촉된 캐소드 전극을 갖는다. 유기 전계 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시키기 위하여, 상기 캐소드 전극은 투습 및 투산소로부터 보호되어 산화가 방지되어야 한다. 또한, 소자 작동시 구동 전압이 낮아야 하며, 소자 작동시 발열이 방지되어 캐소드 전극 박리 현상이 발생하지 않아야 한다. 이를 해결하기 위하여, 예를 들면, 대한민국 특허 공개 번호 제1998-0041873호는 기판 상에 양극 물질 및 유기 발광층을 순차적으로 형성하 고, 유기 발광층 표면을 아르곤 또는 음극 물질과 동일한 이온으로 충격을 주어 유기 발광층 표면에 다이아몬드상 카본과 유사한 초박막을 형성한 후, 다이아몬드상 카본 박막 위에 음극 물질을 형성하는 단계를 포함하는 유기 EL 소자 제조 방법을 개시하고 있다. As described above, the organic EL device has a cathode electrode in contact with the organic layer. In order to improve the reliability of the organic light emitting display device, the cathode electrode should be protected from moisture permeation and oxygen permeation to prevent oxidation. In addition, the driving voltage should be low when the device is in operation, and heat generation may be prevented when the device is in operation to prevent cathode electrode separation. In order to solve this problem, for example, Korean Patent Publication No. 1998-0041873 sequentially forms an anode material and an organic light emitting layer on a substrate, and impacts the surface of the organic light emitting layer with the same ions as argon or a cathode material, thereby providing organic properties. After forming an ultrathin film similar to diamond-like carbon on the surface of the light emitting layer, there is disclosed a method of manufacturing an organic EL device comprising forming a negative electrode material on the diamond-like carbon thin film.

그러나, 종래 기술로 얻은 유기 전계 발광 소자의 신뢰성은 아직 만족할 만한 수준에 이르지 못하고 있다. 따라서, 신규한 물성을 갖는 캐소드 전극 및 상기 캐소드 전극의 형성 방법의 마련이 시급하다.However, the reliability of the organic electroluminescent device obtained by the prior art has not yet reached a satisfactory level. Therefore, it is urgent to prepare a cathode electrode having novel physical properties and a method of forming the cathode electrode.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 높은 경도값을 가져 투습 및 투산소가 방지되며 계면 저항값이 낮은 제 2 전극을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides an organic light emitting display device having a second electrode having a high hardness value, preventing moisture permeation and oxygen permeation, and having a low interface resistance value, and a manufacturing method thereof. There is this.

상기 본 발명의 과제를 이루기 위하여, 본 발명은,In order to achieve the above object of the present invention, the present invention,

기판;Board;

상기 기판 상에 구비된 제 1 전극;A first electrode provided on the substrate;

상기 제 1 전극에 절연되도록 형성된 제 2 전극; 및A second electrode formed to be insulated from the first electrode; And

상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하고, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역의 경도가 0.5Gpa 내지 1.0Gpa 인 유기 전계 발광 표시 장치를 제공한다.A hardness of a region interposed between the first electrode and the second electrode and including at least one organic layer including at least a light emitting layer, and in a direction opposite to the organic layer among all of the second electrodes or the second electrode, having a hardness of 0.5; Provided is an organic light emitting display device having a Gpa of 1.0 Gpa.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층을 향한 영역의 경도는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향한 영역의 경도보다 작을 수 있다.According to another feature of the present invention, the hardness of the region of the second electrode facing the organic layer may be smaller than the hardness of the region of the second electrode facing the organic layer.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 전극의 표면 조도(surface roughness)는 rms 5Å 내지 50Å일 수 있다.According to another feature of the invention, the surface roughness (surface roughness) of the second electrode may be rms 5 ~ 50 ~.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 전극의 계면 저항값은 2.0 x 104Ω내지 2.0 x 105Ω일 수 있다.According to another feature of the invention, the interface resistance value of the second electrode may be 2.0 x 10 4 Ω to 2.0 x 10 5 Ω.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 전극은 Li, Ca, Al, Ag 및 Mg 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.According to another feature of the invention, the second electrode may be made of at least one material of Li, Ca, Al, Ag and Mg.

상기 본 발명의 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명은,In order to achieve the another object of the present invention, the present invention,

기판부에 제 1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate portion;

상기 제 1 전극 상부에 적어도 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 형성하는 단계; 및Forming at least one organic layer including at least a light emitting layer on the first electrode; And

상기 유기층을 덮도록 구비되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역을 증발원(evaporation source) 및 이온 빔 소스(ion beam source)를 이용하는 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition : IBAD)에 따라 형성하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.And forming a second electrode provided to cover the organic layer, wherein an evaporation source and an ion beam source are formed in all of the second electrodes or in a region of the second electrode facing in the opposite direction to the organic layer. A method of manufacturing an organic light emitting display device formed by an ion beam assisted deposition method (IBAD) using a beam source is provided.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향 을 향하는 영역을 이온 빔 보조 증착법에 따라 형성하는 경우, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층을 향하는 영역은 상기 증발원은 이용하나 상기 이온 빔 소스는 이용하지 않는 증착법에 따라 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, when the region of the second electrode facing in the opposite direction to the organic layer is formed by an ion beam assisted deposition method, the region of the second electrode facing the organic layer uses the evaporation source but the ion The beam source may be formed by a deposition method not used.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 증발원으로부터 방출되는 입자는 Li, Ca, Al, Ag 및 Mg 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the particles emitted from the evaporation source may comprise one or more materials of Li, Ca, Al, Ag and Mg.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온은 불활성 원자 중 하나 이상의 원자의 이온일 수 있다.According to another feature of the invention, the ions emitted from the ion beam source may be ions of one or more atoms of inert atoms.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이온 빔 소스의 에너지는 50eV 내지 200eV일 수 있다.According to another feature of the invention, the energy of the ion beam source may be 50eV to 200eV.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온 갯수와 상기 증발원으로부터 방출되는 입자 개수의 비는 1:1 내지 0.9:1일 수 있다.According to another feature of the invention, the ratio of the number of ions emitted from the ion beam source and the number of particles emitted from the evaporation source may be 1: 1 to 0.9: 1.

전술한 바와 같은 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치는 투습 및 투산소가 방지되며, 낮은 계면 저항값을 갖는 제 2 전극을 구비하는 바, 이를 이용하면 신뢰성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치를 얻을 수 있다.As described above, the organic light emitting display device of the present invention is provided with a second electrode having low interfacial resistance and moisture permeation and oxygen permeation, and thus, an organic light emitting display device having improved reliability can be obtained. .

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

도 1 은 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 유기 전계 발광 표시 장치의 일 구현예인 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 표시 장치 중 유기 전계 발광 소자가 형성된 영역의 단면도로서, 특히, 커패시터(50), TFT(40) 및 유기 전계 발광 소자(60)가 도시되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of an area in which an organic electroluminescent element is formed in an active matrix organic electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention as described above, in particular, a capacitor 50 and a TFT 40. ) And an organic electroluminescent device 60 is shown.

도 1을 참조하면, 상기 액티브 매트리스형의 유기 전계 발광 표시 장치(40)에는 기판(81)이 마련되어 있다. 상기 기판(81)은 투명한 소재, 예컨대 글래스 또는 플라스틱재로 형성될 수 있다. 상기 기판(81)상에는 전체적으로 버퍼층(82)이 형성되어 있다. 상기 버퍼층(82) 상부에는 제 1 커패시터 전극(51) 및 제 2 커패시터 전극(52)을 포함하는 커패시터(50)가 구비되어 있다. Referring to FIG. 1, a substrate 81 is provided in the active mattress type organic light emitting display device 40. The substrate 81 may be formed of a transparent material such as glass or plastic. The buffer layer 82 is formed on the substrate 81 as a whole. The capacitor 50 including the first capacitor electrode 51 and the second capacitor electrode 52 is provided on the buffer layer 82.

상기 버퍼층(82)의 윗면에는 소정 패턴으로 배열된 활성층(44)이 형성되어 있다. 상기 활성층(44)은 게이트 절연막(83)에 의하여 매립되어 있다. 상기 활성층(44)은 p형 또는 n형의 반도체로 구비될 수 있다.An active layer 44 arranged in a predetermined pattern is formed on an upper surface of the buffer layer 82. The active layer 44 is buried by the gate insulating film 83. The active layer 44 may be formed of a p-type or n-type semiconductor.

상기 게이트 절연막(83)의 윗면에는 상기 활성층(44)과 대응되는 곳에 구동 TFT(40)의 게이트 전극(42)이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(42)은 중간 절연막(84)에 의하여 매립되어 있다. 상기 중간 절연막(84)이 형성된 다음에는 드라이 에칭등의 식각 공정에 의하여 상기 게이트 절연막(83)과 중간 절연막(84)을 식각하여 콘택 홀(83a)(84a)을 형성시켜서, 상기 활성층(44)의 일부를 드러나게 하고 있다. The gate electrode 42 of the driving TFT 40 is formed on the top surface of the gate insulating layer 83 to correspond to the active layer 44. The gate electrode 42 is buried by an intermediate insulating film 84. After the intermediate insulating film 84 is formed, the gate insulating film 83 and the intermediate insulating film 84 are etched by an etching process such as dry etching to form contact holes 83a and 84a to form the active layer 44. Revealing part of

상기 활성층(44)의 노출된 부분은 콘택 홀(83a)(84a)을 통하여 양측에서 소정의 패턴으로 형성된 구동 TFT(40)의 소스 전극(41)과, 드레인 전극(43)과 각각 연결되어 있다. 상기 소스 전극(41)과 드레인 전극(43)은 보호막(85)에 의하여 매립되어 있다. 상기 보호막(85)이 형성된 다음에는 식각 공정을 통하여 상기 드레인 전극(43)의 일부가 드러나고 있다. The exposed portion of the active layer 44 is connected to the source electrode 41 and the drain electrode 43 of the driving TFT 40 formed in a predetermined pattern on both sides through contact holes 83a and 84a, respectively. . The source electrode 41 and the drain electrode 43 are buried in the protective film 85. After the passivation layer 85 is formed, a portion of the drain electrode 43 is exposed through an etching process.

상기 보호막(85)은 절연체로 형성되며, 실리콘 옥사이드나 실리콘 나이트라이드와 같은 무기막, 또는 아크릴, BCB와 같은 유기막으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 보호막(85) 위로는 보호막(85)의 평탄화를 위해 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.The passivation layer 85 may be formed of an insulator, and may be formed of an inorganic layer such as silicon oxide or silicon nitride, or an organic layer such as acrylic or BCB. In addition, an additional insulating layer may be further formed on the passivation layer 85 to planarize the passivation layer 85.

한편, 상기 유기 전계 발광 소자(60)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 구동 TFT(40)의 드레인 전극(43)에 연결된 화소전극인 제 1 전극(61)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향전극인 제 2 전극(62), 및 이들 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층(63)으로 구성된다. 이 때, 상기 제 1 전극(61)을 덮도록 구비된 화소정의막(86)은 제 1 전극(61)의 소정 부분이 노출되도록 화소개구부(64)를 갖는다.On the other hand, the organic EL device 60 emits red, green, and blue light in accordance with the flow of current to display predetermined image information. The organic light emitting diode 60 is connected to the drain electrode 43 of the driving TFT 40. An organic light emitting layer disposed between the first electrode 61, the second electrode 62 which is a counter electrode provided to cover the entire pixel, and the first electrode 61 and the second electrode 62 to emit light; It consists of 63. In this case, the pixel defining layer 86 provided to cover the first electrode 61 has a pixel opening 64 so that a predetermined portion of the first electrode 61 is exposed.

상기 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층(63)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이뤄지도록 한다.The first electrode 61 and the second electrode 62 are insulated from each other, and light is emitted by applying voltages of different polarities to the organic light emitting layer 63.

상기 유기 발광층(63)은 저분자 또는 고분자 유기물이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 63 may be a low molecular or high molecular organic material. When the low molecular organic material is used, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an emission layer (EML) may be used. , Electron Transport Layer (ETL), Electron Injection Layer (EIL), etc. may be formed by stacking in a single or complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), Tris Various applications include, for example, tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These low molecular weight organics can be formed by vacuum deposition.

고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 유기 발광층은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다. In the case of the polymer organic material, the structure may include a hole transporting layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and PPV (Poly-Phenylenevinylene) and polyfluorene are used as the light emitting layer. Polymer organic materials such as (Polyfluorene) are used and can be formed by screen printing or inkjet printing. The organic light emitting layer as described above is not necessarily limited thereto, and various embodiments may be applied.

상기 제 1 전극(61)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 제 2 전극(62)은 캐소드 전극의 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이들 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. 그리고, 제 1 전극(61)은 각 화소의 영역에 대응되도록 패터닝될 수 있고, 제 2 전극(62)은 모든 화소를 덮도록 형성될 수 있다.The first electrode 61 may function as an anode electrode, and the second electrode 62 may function as a cathode electrode. Of course, the first electrode 61 and the second electrode 62 may be The polarity may be reversed. The first electrode 61 may be patterned to correspond to the area of each pixel, and the second electrode 62 may be formed to cover all the pixels.

상기 제 1 전극(61)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사층을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 투명전극층을 형성할 수 있다. The first electrode 61 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When used as a transparent electrode, the first electrode 61 may be provided as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 , and when used as a reflective electrode, Ag may be used. After forming the reflective layer with, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and compounds thereof, and to form a transparent electrode layer on the ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 thereon Can be.

본 발명의 제 2 전극(62)의 전부는 0.5Gpa 내지 1.0Gpa의 경도를 갖는다. 상기 제 2 전극(62)의 원자 배열 상태는 도 2를 참조한다. 도 2는 전술한 바와 같은 높은 경도를 갖는 제 2 전극(62)의 원자 배열 상태를 도식적으로 나타낸 것으로서, 제 2 전극(62)의 원자는 높은 밀도로 치밀하게 배열되어 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 전극(62)에는 원자 간 빈 공간(void) 또는 원자 배열이 단절된 상태인 결함(defect)이 실질적으로 존재하지 않는다.All of the second electrodes 62 of the present invention have a hardness of 0.5 Gpa to 1.0 Gpa. Refer to FIG. 2 for the atomic arrangement of the second electrode 62. FIG. 2 schematically shows the atomic arrangement of the second electrode 62 having a high hardness as described above, wherein the atoms of the second electrode 62 are densely arranged at high density. Therefore, the second electrode 62 of the present invention is substantially free of defects in which voids or atomic arrangements between the atoms are disconnected.

한편, 본 발명을 따르는 유기 전계 발광 표시 장치의 다른 일 구현예가 도시된 도 3을 참조하면, 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방향을 향하는 영역(62a)은 0.5Gpa 내지 1.0Gpa 의 경도를 갖는다. 도 3에 있어서, 제 2 전극(62) 중 유기층(63)을 향하는 영역(62b)의 경도는 상기 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방향을 향하는 영역(62a)의 경도보다 작을 수 있다. 도 3에 있어서, 제 2 전극(62) 중 유기층(63)을 향하는 영역(62b)은 유기층(63)의 상부 부분뿐만 아니라, 트랜지스터(40) 및 커패시터(60)의 상부 부분까지도 연장되어 있으나, 필요에 따라 유기층(63)의 상부 부분에만 형성될 수 있는 등, 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다. 제 2 전극(62) 중 유기층(63)을 향하는 영역(62b)은 상기 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방향을 향하는 영역(62a)의 형성시 유기층(63)의 손상을 방지하는 역할도 수행한다. Meanwhile, referring to FIG. 3, which shows another embodiment of the organic light emitting display device according to the present invention, the region 62a of the second electrode 62 facing away from the organic layer 63 is 0.5Gpa to 1.0Gpa. Has a hardness of. 3, the hardness of the region 62b of the second electrode 62 facing the organic layer 63 is smaller than the hardness of the region 62a of the second electrode 62 facing the opposite direction of the organic layer 63. Can be. In FIG. 3, the region 62b of the second electrode 62 facing the organic layer 63 extends not only to the upper portion of the organic layer 63 but also to the upper portion of the transistor 40 and the capacitor 60. If necessary, the present invention may be modified in various ways, such as being formed only on the upper portion of the organic layer 63. The region 62b of the second electrode 62 facing the organic layer 63 prevents damage of the organic layer 63 when the region 62a of the second electrode 62 faces the opposite direction of the organic layer 63. It also plays a role.

이와 같은 원자 배열 구조를 갖는 본 발명의 제 2 전극(62)은 투습 및 투산소 방지 특성이 우수하다. 이는 전술한 바와 같이 제 2 전극(62), 특히 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방향을 향하는 영역(62a)에 원자 간 빈 공간 또는 원자 배열이 단절된 상태인 결합이 존재하지 않기 때문이다. 따라서, 본 발명의 제 2 전극(62)은 투습 및 투산소에 의한 산화 현상이 방지되어 수명 특성이 향상될 수 있다.The second electrode 62 of the present invention having such an atomic arrangement structure is excellent in moisture permeability and oxygen permeation prevention characteristics. As described above, in the region 62a of the second electrode 62, in particular, the region 62a of the second electrode 62 facing away from the organic layer 63, there is no bond in which the space between the atoms or the arrangement of the atoms is disconnected. Because. Therefore, the second electrode 62 of the present invention can prevent oxidation by moisture permeation and oxygen permeation, thereby improving life characteristics.

본 발명의 제 2 전극(62)은 rms 5Å 내지 50Å의 표면 조도를 갖는다. 특히, 제 2 전극(62)의 표면 조도가 rms 50Å을 초과하면, 제 2 전극(62)의 전부 또 는 제 2 전극(62) 중 유기층과 반대 방향을 향하는 영역(62a)을 이루는 원자가 치밀하게 배열되지 못하여 투습 및 투산소를 효과적으로 방지할 수 없다는 문제점이 있다.The second electrode 62 of the present invention has a surface roughness of rms 5 GPa to 50 GPa. In particular, when the surface roughness of the second electrode 62 exceeds rms 50 kPa, atoms of all of the second electrodes 62 or the region 62a of the second electrode 62 facing the organic layer in the opposite direction are densely formed. There is a problem that can not be effectively prevented to prevent moisture permeation and oxygen.

본 발명의 제 2 전극(62)은 2.0 x 104Ω 내지 2.0 x 105Ω의 계면 저항값을 갖는다. 이는 전술한 바와 같은 높은 경도로 인해 제 2 전극(62)에서의 에너지 전달 효율 및 유기층(63)과의 접촉 면적 증가에 기인한 것일 수 있다. 이와 같은 본 발명의 제 2 전극(62)을 구비한 유기 전계 발광 소자는 낮은 구동 전압을 갖게 되어 구동 효율이 향상되며, 같은 구동 조건 하에서는 제 2 전극(62)과 유기층(63)간의 계면 저항값 감소로 인하여 발열이 감소되어 제 2 전극의 박리 현상도 방지될 수 있다. The second electrode 62 of the present invention has an interface resistance value of 2.0 x 10 4 Ω to 2.0 x 10 5 Ω. This may be due to the energy transfer efficiency at the second electrode 62 and the increase in contact area with the organic layer 63 due to the high hardness as described above. The organic electroluminescent device having the second electrode 62 of the present invention has a low driving voltage, thereby improving driving efficiency, and under the same driving conditions, the interface resistance between the second electrode 62 and the organic layer 63 is reduced. Due to the reduction, heat generation may be reduced, and the peeling phenomenon of the second electrode may also be prevented.

본 발명의 제 2 전극(62)은 유기층(63) 중 발광층으로 용이하게 전자를 공급할 수 있도록 일함수가 낮은 물질을 사용한다. 이의 구체적인 예에는 Li, Ca, Al, Ag 또는 Mg 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속들 중 2 이상을 동시에 사용할 수도 있다. 특히, 상기 제 2 전극(62)이 투명 전극으로 사용되는 경우 제 2 전극(62)은 캐소드 전극으로 사용되므로, 상기 물질로 이루어진 박막 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 넓은 의미로, 상기 보조 전극층 또는 버스 전극 라인까지 포함하여 제 2 전극이라고 할 수 있으나, 본 명세서에서의 제 2 전극은 유기층(63) 상부에 형성된 박막만을 의미한다. 그러나, 이와 같은 용어 사용은 본 발명을 보다 명확히 설명 하기 위한 것으로서, 이러한 용어 사용에 의하여 상기 보조 전극층 또는 버스 전극 라인의 역할이 달라지는 것은 아님은 당업자가 용이하게 인식할 수 있는 것이다.The second electrode 62 of the present invention uses a material having a low work function to easily supply electrons to the light emitting layer of the organic layer 63. Specific examples thereof include Li, Ca, Al, Ag or Mg, but is not limited thereto. Two or more of the above metals may be used simultaneously. In particular, when the second electrode 62 is used as a transparent electrode, since the second electrode 62 is used as a cathode, the auxiliary electrode layer is formed of ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3 , or the like on a thin film made of the material. Or a bus electrode line can be formed. In a broad sense, the second electrode may include the auxiliary electrode layer or the bus electrode line, but the second electrode in the present specification means only a thin film formed on the organic layer 63. However, the use of such terms is intended to more clearly describe the present invention, and those skilled in the art will readily recognize that the use of such terms does not change the role of the auxiliary electrode layer or the bus electrode line.

한편, 편의상 도 1 및 3에 미도시하였지만, 상기 제 2 전극(62) 상부에 보호층이 더 구비될 수도 있다.Meanwhile, although not shown in FIGS. 1 and 3 for convenience, a protective layer may be further provided on the second electrode 62.

상기 제 2 전극(62)의 전부(도 1 참조) 또는 상기 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방향을 향한 영역(62a) (도 3 참조)은 증발원(evaporation source) 및 이온 빔 소스(ion beam source)를 이용하는 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition: 이하, " IBAD"라고도 함)에 따라 형성될 수 있다.The entirety of the second electrode 62 (see FIG. 1) or the region 62a (see FIG. 3) of the second electrode 62 facing away from the organic layer 63 may be an evaporation source and an ion beam. It may be formed according to an ion beam assisted deposition method using an ion beam source (hereinafter referred to as "IBAD").

상기 이온 빔 보조 증착법의 원리는 도 4를 참조한다. 도 4에 따르면, 증발원(97)으로부터 방출된 입자(92)를 소정의 기판(91) 일면에 증착시킬 때, 이온 빔 소스(95)로부터 방출된 이온(93)은 상기 증발원으로부터 방출된 입자(92)의 표면 이동도를 증가시킴으로써, 상기 입자(92)를 소정의 기판에 높은 밀도로 치밀하게 증착시킨다.The principle of the ion beam assisted deposition method is shown in FIG. 4. According to FIG. 4, when the particles 92 emitted from the evaporation source 97 are deposited on one surface of a predetermined substrate 91, the ions 93 emitted from the ion beam source 95 are separated from the particles emitted from the evaporation source. By increasing the surface mobility of 92, the particles 92 are densely deposited at high density on a given substrate.

본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법의 일 구현예에 따르면, 제 2 전극(62)의 전부는 전술한 바와 같은 원리의 이온 빔 보조 증착법에 의하여 형성될 수 있다. 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법의 다른 일 구현예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 전극(62) 중 유기층(63)의 반대 방향을 향하는 영역(62a)만 전술한 바와 같은 원리의 이온 빔 보조 증착법에 의하여 형성될 수도 있다. According to one embodiment of the method of manufacturing the organic light emitting display device of the present invention, all of the second electrode 62 may be formed by the ion beam assisted deposition method of the principle described above. According to another embodiment of the method of manufacturing the organic light emitting display device of the present invention, as shown in FIG. 3, the region 62a of the second electrode 62 of the present invention facing the organic layer 63 in the opposite direction. It may be formed only by the ion beam assisted deposition method of the principle described above.

특히, 본 발명의 제 2 전극(62) 중 제 2 전극(62) 중 유기층(63)과 반대 방 향을 향하는 영역(62a)을 상기 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 형성하는 경우, 이를 제외한 나머지 영역, 즉 제 2 전극(62) 중 유기층(63)을 향하는 영역(63b)을 통상의 증착법, 예를 들면 진공 증착법 또는 열증착법 등을 이용하여 먼저 형성할 수 있다. 이 후, 제 2 전극(62) 중 통상의 증착법으로 형성된 유기층(63)을 향하는 영역(62b)의 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 나머지 제 2 전극 영역을 형성한다. 즉, 본 발명의 제 2 전극(62)은 동일한 물질로 이루어지나, 유기층(63)을 향하는 영역(62b)과 유기층(63)의 반대 방향을 향하는 영역(62a)을 상이한 방법으로 형성하여 제 2 전극(62) 중 유기층(63)의 반대 방향을 향하는 영역(62a)과 유기층(63)을 향하는 영역(62b)을 이루는 원자 배열 구조가 상이하게 된다. Particularly, in the case where the region 62a of the second electrode 62 of the second electrode 62 which faces the organic layer 63 in the opposite direction of the present invention is formed by using the ion beam assisted deposition method, the remaining region is excluded. That is, the region 63b of the second electrode 62 facing the organic layer 63 may be first formed by using a conventional deposition method, for example, a vacuum deposition method or a thermal deposition method. Thereafter, the remaining second electrode region is formed on the upper portion of the region 62b of the second electrode 62 facing the organic layer 63 formed by the conventional deposition method using ion beam assisted deposition. That is, although the second electrode 62 of the present invention is made of the same material, the second electrode 62 is formed in a different manner by forming a region 62b facing the organic layer 63 and a region 62a facing the opposite direction of the organic layer 63 in different ways. Among the electrodes 62, the atomic arrangement structure forming the region 62a facing the organic layer 63 in the opposite direction and the region 62b facing the organic layer 63 is different.

상기 이온 빔 보조 증착법의 증발원으로부터 방출되는 입자는 제 2 전극(62)을 이루는 물질로서, 전술한 바와 같은 일함수가 낮은 물질들이다. 이의 구체적인 예에는 Li, Ca, Al, Ag 또는 Mg 등이 포함되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이들 중 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Particles emitted from the evaporation source of the ion beam assisted deposition method are materials forming the second electrode 62, and materials having a low work function as described above. Specific examples thereof include, but are not limited to, Li, Ca, Al, Ag or Mg. Two or more of these can be mixed and used.

한편, 상기 이온 빔 보조 증착법의 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온은 제 2 전극이 형성될 기판을 이루는 물질, 예를 들면 유기층(63)을 이루는 물질 및 전술한 바와 같은 증발원으로부터 방출되는 입자 모두와 반응성이 없는 것이 바람직하다. 이의 예에는 불활성 원자의 이온 등이 있다. 보다 구체적으로, Ar+, Kr+ 또는 Xe+ 이온 등을 이용할 수 있다.On the other hand, the ions emitted from the ion beam source of the ion beam assisted deposition method are reactive with both the material constituting the substrate on which the second electrode is to be formed, for example, the material constituting the organic layer 63 and the particles emitted from the evaporation source as described above. It is preferable that there is no. Examples thereof include ions of inert atoms and the like. More specifically, Ar + , Kr + or Xe + ions can be used.

상기 이온 빔 보조 증착법의 이온 빔 소스의 에너지는 50 eV 내지 200eV, 바 람직하게는 80eV 내지 150eV일 수 있다. 이온 빔 소스의 에너지가 50eV미만인 경우에는, 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온의 에너지가 너무 작아 입자의 표면상 이동도를 증가시킬 수 없어, 결국 높은 밀도 및 낮은 표면 조도를 갖는 치밀한 제 2 전극을 형성할 수 없다는 문제점이 생길 수 있고, 이온 빔 소스의 에너지가 200eV를 초과하는 경우에는 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온의 에너지가 너무 커 형성된 제 2 전극을 오히려 에칭할 수 있다는 문제점이 생길 수 있기 때문이다. 이 중, 특히 150eV가 바람직하다.The energy of the ion beam source of the ion beam assisted deposition may be 50 eV to 200 eV, preferably 80 eV to 150 eV. If the energy of the ion beam source is less than 50 eV, the energy of the ions emitted from the ion beam source is too small to increase the mobility on the surface of the particles, thereby forming a dense second electrode having high density and low surface roughness. This is because a problem may occur, and when the energy of the ion beam source exceeds 200 eV, there may be a problem that the energy of the ions emitted from the ion beam source is too large to etch the formed second electrode. . Of these, 150 eV is particularly preferable.

본 발명의 이온 빔 보조 증착법을 이용한 보호층 형성 단계에 있어서, 증발원으로부터 방출되는 입자 개수와 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온 개수의 비는 1:1 내지 0.9:1, 바람직하게는 0.9:1일 수 있다. 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온의 개수가 증발원으로부터 방출되는 원자 개수를 기준으로 상기 범위를 초과하는 경우에는 형성된 제 2 전극이 이온 빔 소스로부터 방출된 이온에 의하여 오히려 에칭될 수 있다는 문제점이 있고, 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온 개수가 상기 범위를 벗어나 너무 적은 경우에는 이온 빔 소스로부터 방출된 이온을 이용하여 증발원으로부터 방출되는 입자의 표면 이동도를 효과적으로 증가시킬 수 없어 높은 밀도 및 낮은 표면 조도를 갖는 치밀한 구조의 제 2 전극을 형성할 수 없다는 문제점이 있기 때문이다.In the protective layer forming step using the ion beam assisted deposition method of the present invention, the ratio of the number of particles emitted from the evaporation source and the number of ions emitted from the ion beam source may be 1: 1 to 0.9: 1, preferably 0.9: 1. have. When the number of ions emitted from the ion beam source exceeds the above range based on the number of atoms emitted from the evaporation source, there is a problem that the formed second electrode may be etched by the ions emitted from the ion beam source, If the number of ions emitted from the beam source is too small out of the above range, the ions emitted from the ion beam source cannot effectively increase the surface mobility of the particles emitted from the evaporation source, resulting in a dense, high density and low surface roughness. This is because there is a problem that the second electrode of the structure cannot be formed.

상기 비율은 통상적으로 이온 빔 소스의 전자 유량 또는 이온 발생 가스의 유입량을 조절함으로써 제어될 수 있다. 예를 들면, Al 입자를 방출하는 증발원 및 아르곤 이온을 방출하는 이온 빔 소스를 이용하여 Al로 이루어진 제 2 전극을 형성하는 경우, 이온 빔 소스의 이온 유량을 50mA로 조절하고, 아르곤 가스의 유입량을 5sccm으로 조절하면 Al 입자 대 아르곤 이온 개수의 비를 1:1로 조절할 수 있다. The ratio can typically be controlled by adjusting the electron flow rate of the ion beam source or the inflow rate of the ion generating gas. For example, when forming a second electrode made of Al using an evaporation source emitting Al particles and an ion beam source emitting argon ions, the ion flow rate of the ion beam source is adjusted to 50 mA, and the inflow of argon gas is adjusted. Adjusting to 5 sccm allows the ratio of Al particles to argon ions to be adjusted to 1: 1.

상기 이온 빔 보조 증착법을 이용한 보호층 형성 단계에 있어서, 증발원으로서 열증발원(Thermal evaporation source) 또는 전자빔 증발원(Electron evaporation source)를 모두 사용할 수 있다. 또한, 이온 빔 소스로는 카우프만형 이온 건(Kaufmann type ion gun), 엔드홀형 이온 건(Endhall type ion gun) 또는 rf형 이온 건(rf type ion gun) 등을 사용할 수 있다. 이는 본 발명의 목적에 따라 당업자가 용이하게 선택할 수 있는 것이다.In the forming of the protective layer using the ion beam assisted deposition, both a thermal evaporation source or an electron beam evaporation source may be used as the evaporation source. As the ion beam source, a Kaufmann type ion gun, an Endhall type ion gun, an rf type ion gun, or the like can be used. This can be easily selected by those skilled in the art according to the object of the present invention.

본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치는 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 표시 장치를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The organic electroluminescent display of the present invention has been described using an active matrix organic electroluminescent display as an example, but is not limited thereto.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

실시예Example

실시예 1Example 1

층이 적층될 기판으로서, 글래스 기판 상에 ITO, 500Å 두께의 PEDOT, 800Å 두께의 PPV 및 10Å의 LiF가 차례로 적층된 기판을 준비하고, 두께 3π의 Al 와이어로 Al 증착원을 준비하였다. 이 후, Al 증착원, 이온 빔 소스, 열증발원, 기판 홀더 및 상기 기판 홀더를 회전시키는 역할을 하는 회전 쉐프트를 구비한 컨테이너를 준비하였다. 상기 Al 증착원은 전술한 바와 같이 준비된 것을 사용하였고, 상기 이온 빔 소스로는 엔드홀형 이온 건(EndHall type ion gun, Infovion 사 제품) 을, 상기 열증발 소스로는 헬리시스(Helisys, ANS 사 제품)를 사용하였다. 상기 Al 증착원에 대향되도록 배치된 기판 홀더에 상기 기판을 탑재한 후, 하기 표 1에 나타낸 바와 같은 조건 하에서 상기 컨테이너를 작동시켜 2000Å 두께의 Al층을 기판 상부에 형성하였다:As a substrate on which a layer is to be laminated, a substrate on which a glass substrate was laminated with ITO, a 500 kV PEDOT, a 800 kV PPV, and a 10 kPa LiF was sequentially prepared, and an Al deposition source was prepared using an Al wire having a thickness of 3π. Thereafter, a container having an Al deposition source, an ion beam source, a thermal evaporation source, a substrate holder, and a rotating shaft serving to rotate the substrate holder was prepared. The Al deposition source was prepared as described above, the ion beam source is an endhole type ion gun (EndHall type ion gun, manufactured by Infovion), the heat evaporation source Helixis (Helisys, ANS company) ) Was used. After mounting the substrate on a substrate holder disposed to face the Al deposition source, the container was operated under the conditions as shown in Table 1 below to form an Al layer having a thickness of 2000 μs on the substrate:

기본 압력Base pressure 1.0 x 10-7 Torr1.0 x 10 -7 Torr 가스 유량Gas flow rate 산소 유량 - 2sccm 아르곤 유량 - 5sccmOxygen Flow Rate-2sccm Argon Flow Rate-5sccm 열증발원Heat evaporation 텅스텐 보트, BN 보트Tungsten Boat, BN Boat 열증발원 작동 조건Thermal Evaporator Operating Conditions 200A200 A 이온 빔 소스Ion beam source 엔드홀형 이온 건End hole ion gun 이온 빔 소스 작동 조건 Ion Beam Source Operating Conditions                                              방전 전류(Discharge current)-500mA 방전 전압(Discharge voltage)-300V 빔 전압(Beam Voltage)-150eV 빔 전류(Beam Current)-50mADischarge current-500 mA Discharge voltage-300 V Beam voltage-150 eV Beam current-50 mA 증착 각도Deposition angle 90°90 ° 기판 RPMBoard RPM 4.54.5 기판 온도Substrate temperature 80℃80 ℃ 증착 속도Deposition rate 5Å/sec5 ms / sec

이로부터 형성된 Al층을 구비한 소자를 샘플 1이라고 한다.The element provided with the Al layer formed therefrom is called sample 1. FIG.

실시예 2Example 2

Al층 형성에 있어서, 이온 빔 소스를 사용하지 않고 1000Å의 Al층을 형성한 다음 그 상부에 이온 빔 소스를 이용하여 1000Å의 Al층을 형성하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1에 기재된 방법에 따라 Al층을 형성하였다. 이로부터 형성된 Al층을 구비한 소자를 샘플 1이라고 한다.In the Al layer formation, the method described in Example 1, except that an Al layer of 1000 mW was formed without using an ion beam source, and then an Al layer of 1000 mW was formed thereon using an ion beam source thereon. Accordingly, an Al layer was formed. The element provided with the Al layer formed therefrom is called sample 1. FIG.

비교예 1Comparative Example 1

Al층 형성에 있어서, 이온 빔 소스를 사용하지 않았다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1에 기재된 방법에 따라 Al층을 형성하였다. 이로부터 형성된 Al층을 구비한 소자를 샘플 A라고 한다.In forming the Al layer, an Al layer was formed in accordance with the method described in Example 1 except that no ion beam source was used. A device having an Al layer formed therefrom is called sample A.

평가예 1: 경도 평가Evaluation Example 1: Hardness Evaluation

샘플 1, 2 및 A의 Al층의 경도를 측정하였다. 경도는 MPS사 제품인 Nanoinventor XP 장치를 이용하여 측정하였다. 측정 결과 샘플 1 및 샘플 2의 Al층의 경도는 0.48Gpa이었고, 샘플 A의 Al층의 경도는 0.63Gpa이었다. 이로부터, 본 발명을 따르는 샘플 1 및 샘플 2의 Al층을 이루는 원자는 높은 밀도로서 치밀하게 배열되어 있음을 확인할 수 있다.The hardness of the Al layers of Samples 1, 2 and A was measured. Hardness was measured using a Nanoinventor XP device manufactured by MPS. As a result of the measurement, the hardness of Al layers of Samples 1 and 2 was 0.48 Gpa, and the hardness of Al layers of Sample A was 0.63 Gpa. From this, it can be seen that the atoms constituting the Al layers of Samples 1 and 2 according to the present invention are densely arranged at high density.

평가예 2: 표면 모폴로지 평가Evaluation Example 2: Surface Morphology Evaluation

샘플 1 및 A의 Al층을 SEM 사진으로서 관찰하고, 그 결과를 도 5a 및 5b에 나타내었다. 샘플 1의 Al층 표면 조도는 rms 30Å이었고, 샘플 A의 Al층 표면 조도는 rms 100Å이었다. 이로부터, 본 발명을 따르는 샘플 1의 Al층 표면 조도가 샘플 A의 Al층 표면 조도보다 낮음을 확인할 수 있다.The Al layers of Samples 1 and A were observed as SEM photographs, and the results are shown in FIGS. 5A and 5B. The Al layer surface roughness of Sample 1 was rms 30 GPa, and the Al layer surface roughness of Sample A was rms 100 GPa. From this, it can be confirmed that the Al layer surface roughness of Sample 1 according to the present invention is lower than the Al layer surface roughness of Sample A.

평가예 3: 계면 저항값 평가Evaluation Example 3: Evaluation of Interface Resistance

샘플 1, 2 및 A의 계면 저항값을 저항 측정 장치를 이용하여 측정하였다. 그 결과를 도 6에 나타내었다. 도 6에 따르면, 샘플 A의 경우 계면 계면 저항값은 너무 커 도 5의 그래프에는 표시되지 않았다. 그러나, 샘플 1의 계면 저항값은 약 2.4 x 104Ω이었으며, 샘플 2의 계면 저항값은 약 1.3 x 105Ω으로 샘플 A에 비하여 현저히 작다는 것을 알 수 있다. 이로부터, 본 발명을 따르는 샘플 1 및 2는 샘플 A보다 작은 계면 저항값을 가짐을 확인할 수 있다.The interface resistance values of Samples 1, 2 and A were measured using a resistance measuring device. The results are shown in FIG. According to FIG. 6, in the case of Sample A, the interfacial interface resistance value was too large and was not displayed in the graph of FIG. 5. However, the interface resistance value of Sample 1 was about 2.4 × 10 4 Ω, and the interface resistance value of Sample 2 was about 1.3 × 10 5 Ω, which is significantly smaller than Sample A. From this, it can be seen that Samples 1 and 2 according to the present invention have a smaller interface resistance than Sample A.

평가예 4: 수명 특성 평가Evaluation Example 4: Evaluation of Life Characteristics

샘플 1 및 A의 수명 특성을 평가하였다. 수명 특성은 샘플 1 및 샘플 A를 상온의 대기 중에 방치한 다음 0.5시간, 1.5시간, 3시간 마다 소자 표면을 관찰함으로써 평가되었다. 샘플 1 및 A의 수명 특성 평가 결과인 SEM 사진은 각각 도 7a 및 7b에 나타내었다. 도 7a에 따르면, 샘플 1의 경우 대기 중 방치한지 3시간이 경과하여도 다크 스팟의 성장 및 신규 다크 스팟의 발생은 거의 관찰되지 않았다. 그러나, 도 7b에 따르면, 샘플 A의 경우 대기 중 방치한지 3시간 경과 후 다크 스팟의 성장이 뚜렷하였으며, 신규 다크 스팟도 다량 발생하였다. 이로부터, 본 발명을 따르는 샘플 1은 투습 및 투산소가 효과적으로 방지됨을 알 수 있다.The lifetime characteristics of Samples 1 and A were evaluated. The lifetime characteristics were evaluated by leaving the sample 1 and sample A in the air at room temperature and then observing the device surface every 0.5 hours, 1.5 hours, and 3 hours. SEM photographs of the life characteristics evaluation results of Samples 1 and A are shown in FIGS. 7A and 7B, respectively. According to FIG. 7A, in the case of Sample 1, growth of dark spots and generation of new dark spots were hardly observed even after 3 hours of waiting in air. However, according to FIG. 7B, in the case of sample A, the growth of dark spots was obvious after 3 hours of waiting in air, and a large amount of new dark spots also occurred. From this, it can be seen that Sample 1 according to the present invention is effectively prevented moisture permeation and oxygen.

본 발명의 제 2 전극은 높은 경도를 갖는 치밀한 원자 구조를 가져, 투습 및 투산소가 효과적으로 방지되는 바, 고수명이 보장된다. 뿐만 아니라, 낮은 계면 저항값을 가져 구동 전압 및 소자 작동시의 발열 또한 감소되는 바, 제 2 전극층의 박리 현상 등이 방지된다. 이러한 본 발명의 제 2 전극은 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이러한 제 2 전극을 이용하면 유기 전계 발광 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.The second electrode of the present invention has a dense atomic structure having a high hardness, so that moisture permeation and oxygen permeation are effectively prevented, so that a high lifetime is ensured. In addition, since the driving voltage and the heat generation during the operation of the device are also reduced due to the low interfacial resistance value, the peeling phenomenon of the second electrode layer is prevented. The second electrode of the present invention may be formed using an ion beam assisted deposition method, and the use of the second electrode may improve the reliability of the organic light emitting display device.

Claims (14)

기판;Board; 상기 기판 상에 구비된 제 1 전극;A first electrode provided on the substrate; 상기 제 1 전극에 절연되도록 형성된 제 2 전극; 및A second electrode formed to be insulated from the first electrode; And 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하고, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역의 경도가 0.5Gpa 내지 1.0Gpa이며, 상기 제 2 전극이 Li, Ca, Al, Ag 및 Mg 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.A hardness of a region interposed between the first electrode and the second electrode and including at least one organic layer including at least a light emitting layer, and in a direction opposite to the organic layer among all of the second electrodes or the second electrode, having a hardness of 0.5; Gpa to 1.0Gpa, wherein the second electrode is made of at least one material of Li, Ca, Al, Ag and Mg. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층을 향한 영역의 경도가 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향한 영역의 경도보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The hardness of the region of the second electrode facing the organic layer is smaller than the hardness of the region of the second electrode facing the organic layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 전극의 표면 조도(surface roughness)가 rms 5Å 내지 50Å인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The surface roughness of the second electrode is rms 5kW to 50kW. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 전극의 계면 저항값이 2.0 x 104Ω 내지 2.0 x 105Ω인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The interface resistance value of the second electrode is 2.0 x 10 4 Ω to 2.0 x 10 5 Ω. 삭제delete 기판부에 제 1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate portion; 상기 제 1 전극 상부에 적어도 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 형성하는 단계; 및Forming at least one organic layer including at least a light emitting layer on the first electrode; And 상기 유기층을 덮도록 구비되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역을 증발원(evaporation source) 및 이온 빔 소스(ion beam source)를 이용하는 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition : IBAD)에 따라 형성하며, 상기 이온 빔 소스의 에너지가 50eV 내지 200eV인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And forming a second electrode provided to cover the organic layer, wherein an evaporation source and an ion beam source are formed in all of the second electrodes or in a region of the second electrode facing in the opposite direction to the organic layer. A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an ion beam assisted deposition method (IBAD) using a beam source, wherein the energy of the ion beam source is 50 eV to 200 eV. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층과 반대 방향을 향하는 영역을 이온 빔 보조 증착법에 따라 형성하는 경우, 상기 제 2 전극 중 상기 유기층을 향하는 영역을 상기 증발원은 이용하나 상기 이온 빔 소스는 이용하지 않는 증착법에 따라 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.When the region of the second electrode facing in the opposite direction to the organic layer is formed by an ion beam assisted deposition method, the region of the second electrode facing the organic layer is used in the deposition method using the evaporation source but not the ion beam source. Forming the organic light emitting display device according to the present invention. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 증발원으로부터 방출되는 입자가 Li, Ca, Al, Ag 및 Mg 중 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.Particles emitted from the evaporation source comprises a material of at least one of Li, Ca, Al, Ag and Mg. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온이 불활성 원자 중 하나 이상의 원자의 이온인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And the ions emitted from the ion beam source are ions of at least one atom of inert atoms. 삭제delete 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 이온 빔 소스로부터 방출되는 이온 갯수와 상기 증발원으로부터 방출되는 입자 갯수의 비가 1:1 내지 0.9:1인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The ratio of the number of ions emitted from the ion beam source and the number of particles emitted from the evaporation source is 1: 1 to 0.9: 1, the manufacturing method of the organic light emitting display device. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 전극의 전부 또는 상기 제 2 전극 중 유기층과 반대 방향을 항한 영역의 경도가 0.5Gpa 내지 1.0Gpa 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The hardness of all of the second electrode or the region of the second electrode in the opposite direction to the organic layer is 0.5Gpa to 1.0Gpa, the manufacturing method of the organic light emitting display device. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 2 전극의 표면 조도가 rms 5Å 내지 50Å인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The surface roughness of the second electrode is rms 5 Pa ~ 50 Pa The manufacturing method of the organic light emitting display device. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 2 전극의 계면 저항값이 2.0 x 104Ω 내지 2.0 x 105Ω인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The interface resistance of the second electrode is 2.0 x 10 4 Ω to 2.0 x 10 5 Ω manufacturing method of an organic light emitting display device.
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