KR100635394B1 - 에칭 레지스트 전구체 조성물 및 이것을 사용한 배선기판의 제조 방법 및 배선 기판 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의한 배선 기판의 제조 방법은, (a) 막 두께 1 내지 1O nm의 피복성 유기 화합물로 피복된 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자, 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 이들 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하는 페이스트(에칭 레지스트의 전구체 조성물)을 제조하는 공정, (b) 이 페이스트를 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 공판 인쇄 중 어느 하나에 의해 기판 상에 전사하는 공정, 및 (c) 이 기판을 100 내지 250 ℃로 가열하여 상기 페이스트를 소결하는 공정을 순서대로 행함으로써, 배선 기판에 미세한 배선을 형성하는 것에 견디는 에칭 레지스트의 원하는 패턴을 상기 기판 상에서 소결된 페이스트에 의해 묘화한다.

배선 기판, 에칭 레지스트, 금속 초미립자, 피복성 유기 화합물, 잠재 경화성 유기 화합물, 분산 용매

Description

에칭 레지스트 전구체 조성물 및 이것을 사용한 배선 기판의 제조 방법 및 배선 기판{ETCHING RESIST PRECURSOR COMPOUND, FABRICATION METHOD OF CIRCUIT BOARD USING THE SAME AND CIRCUIT BOARD}

도 1은 본원 발명에 관한 에칭 레지스트 전구체 조성물의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 개념도임.

도 2a 내지 2e는 본원 발명이 제안하는 미세 배선을 갖는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 처리 순서에 따라서 구체적으로 예시한 공정 개략도임.

본 발명은 인쇄 회로 기술에 관한 것이며, 특히 저비용 및 단시간으로 배선 기판을 제조하는 방법, 그것에 사용하는 에칭 레지스트 전구체 조성물 및 배선 기판에 관한 것이다.

다층 배선 기판의 제조 방법으로서 지금까지 다양한 방법이 고안되어 왔고, 이들 방법은 몇 개의 관점에서 분류되며, 그 특징에 따라 구분되어 사용된다.

예를 들면, 인쇄 배선 기판의 제조 방법에 관하여 그 도체부 형성 방법에 착안하여 분류하면, (1) 전체 면에 도체를 형성한 후에, 원하는 도체 부분만을 남기 고 그 밖의 부분을 에칭 제거하는「서브트랙티브법 (Subtractive Method)」과, (2) 도금 등의 방법을 사용하여 원하는 부분에만 도체 패턴을 형성하는「어디티브법 (Additive Method)」의 2 종류가 있다.

최근에는, 여러 전자 기기에 사용되는 배선 기판에 상당한 고밀도 배선이 요구되게 되었고, 상기 중 어느 방법을 이용하는 경우에도, 미세한 패턴을 형성하기에 적합한 포트리소그래피(photolithography)를 사용하여 원하는 도체 패턴을 형성하는 것이 일반화 되고 있다.

포토리소그래피를 사용한 배선 기판 제조 기술은 개략적으로 이하와 같다.

서브트랙티브법의 경우는, 우선 표면에 도체를 형성한 기판을 준비하고, 그 표면에 감광성 재료(레지스트)를 성막(成膜)한다. 그 후, 노광ㆍ현상에 의해서 상기 레지스트를 원하는 패턴으로 가공하여, 그 패턴을 마스크로 하여 패턴의 개구 부분에 있는 기판 표면 도체를 선택적으로 에칭 제거하고, 마지막으로 레지스트를 제거함으로써 원하는 도체 패턴을 얻는다.

한편, 어디티브법에서는 기판 표면에 성막한 감광성 재료(레지스트)를 노광ㆍ현상함으로써 원하는 패턴으로 가공한 후에, 그 패턴을 마스크로 하여 도금 등의 방법에 의해 레지스트 개구 패턴과 같이 도체를 형성하고, 마지막으로 레지스트를 제거함으로써 원하는 도체 패턴을 얻는다.

상기 기술에서는, 서브트랙티브법을 이용하든 어디티브법을 이용하든, 감광성 재료를 사용한 포트리소그래피 기술을 활용함으로써, 원하는 패턴에 상당하는 포토마스크를 준비하면, 미세하고 밀도가 높은 회로 패턴을 비교적 용이하게 형성 할 수 있다.

그러나, 상기 종래 기술은 포토리소그래피를 활용하고 있기 때문에, 이하에 열거하는 것과 같은 포토리소그래피 특유의 기술 과제를 안고 있다.

(1) 회로 패턴의 설계 종료 후 생산 개시까지 장시간을 필요로 한다.

상기 포트리소그래피 기술에서 사용되는 포토마스크는 CAD(컴퓨터 원용 설계) 등을 사용하여 원하는 회로 패턴을 설계한 후, 그 데이터를 포토마스크 제조 장치(포토 플로터)의 가공 데이터로 변환한 후에 겨우 포토마스크 제조를 개시할 수 있다. 포토마스크를 이러한 번잡한 공정을 거쳐 제조하기 위해서는 수일 내지 1 주일 정도의 시간을 필요로 하지만, 포토마스크가 없으면 기판 제조를 개시할 수 없어 제조 리드 타임 단축에 장해가 되고 있다.

(2) 설계 변경 때마다 포토마스크를 제조할 필요가 있다.

회로 패턴의 극히 일부만을 변형하는 것과 같은 경미한 설계 변경이라도, 상기 포토마스크를 새롭게 제조하여 고칠 필요가 있고, 그 때마다 포토마스크가 완성될 때까지 기판 제조를 중단하는 등, 불필요한 대기 시간이 발생한다.

아날로그 신호 처리 회로에서는, 주변 회로로부터의 노이즈에 의한 예기치 않는 오동작이 발생하기 쉽기 때문에, 제품 조립 후에 패턴을 수정(시행착오)하는 경우가 많고, 수정할 때마다 포토마스크를 다시 제조해야 하는 번거로움이 발생하는 것이 개발 기간 장기화의 원인 중 하나가 되고 있다.

(3) 제조 거점 마다 중복하여 포토마스크를 제조할 필요가 있다.

일반적으로, 포토마스크 상의 패턴 치수는 설계 도면 상의 패턴 치수대로가 아니라, 제조 라인 고유의 보정이 행하여진다. 구체적으로, 여러 가지 처리 장치ㆍ설비의 성능ㆍ정밀도(예, 노광기에 있어서 광원의 평행도ㆍ파장ㆍ수차, 또는 막 형성 장치에 있어서 막질(膜質)의 면내 분포, 온도 분포 등)을 고려하여 보정한 패턴 치수ㆍ형상으로 한다.

따라서, 완전히 동일 제품(배선 기판)을 제조할 경우라도, 복수의 제조 거점 사이에서 포토마스크를 융통할 수 없고, 거점 사이에서 분담 생산을 실현하기 위해서는 제조 거점마다 포토마스크를 제조할 필요가 있어, 기동적인 생산 조정에 장해가 되고 있다.

한편, 현재 휴대 전화나 컴퓨터 등 여러 가지 정보 기기가 유통되고 있지만, 이러한 정보 기기는 1인 1대(내지는 그 이상) 소유 경향이 강해지고 있고, 각 개인의 다양한 사용 환경, 사용 상황에 따른 다양한 기능ㆍ성능이 요구되게 되었다. 이러한 다양한 요구를 충족하기 위해서는, 종래와 같은 「단일 규격품의 대량」생산 방식으로는 대응할 수 없고, 다품종 소량 생산 및 수요 변동에 따라 생산량이나 생산지를 조정할 수 있는 제조 방식이 요망되고 있다.

이러한 시장 요구에 큰 장해가 되는 상기 (1) 내지 (3)의 과제를 해결하기 위해서, 포토마스크를 사용하지 않고 레지스트의 소정의 부분만을 선택적으로 조사하는 기술이 제안되고 있다. 이것은 직접 묘화(描畵) 기술이라고 불리고 있지만, 예를 들면, 일본 특허 공개 2003-195511호 공보에 예시되어 있는 바와 같이, 포토마스크를 사용하는 대신 레지스트 표면을 레이저 빔으로 스캔 조사하는 기술이다(제1의 종래 기술).

상기 제1의 종래 기술에서는 포토마스크를 사용하지 않기 때문에, 상기 (1) 내지 (3)에 기재한 문제는 해결된다. 그러나, 본 기술에서 사용하는 레이저 스캔 장치는 레이저 광원과 복잡한 광학계 이외에 방대한 묘화 데이터를 신속하게 처리하는 데이터 처리를 조합한 대규모 설비이고, 고가이며 소비 에너지도 크다는 새로운 문제가 발생한다.

한편, 일본 특허 공개 소56-66089호 공보, 일본 특허 공개 소56-157089호 공보, 일본 특허 공개 소58-50794호 공보는, 감광성 재료의 노광ㆍ현상이라는 포트리소그래피 기술이 아닌 잉크젯 프린팅 기술을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 기술을 제안하고 있다(제2의 종래 기술). 이 기술의 특징은, 내약품성 수지 잉크(레지스트)를 기판 상에 직접 묘화하는 점에 있고, 레지스트를 전체 면에 도포하는 공정, 불필요 부분의 레지스트를 제거하는 공정이 불필요하게 된다.

그 결과, (1) 레지스트 사용량 삭감, (2) 현상액 불사용, (3) 공정 생략에 의한 제조 시간 단축에 의해 제조 비용도 저감할 수 있다. 잉크젯 프린팅 장치는 복잡한 광학계나 레이저 발진을 위한 전원도 불필요하기 때문에, 상기 제1의 종래 기술에서 사용한 레이저 스캔 장치와 비교하면 비교적 염가이고, 소비 전력도 적다.

또한, 잉크젯 프린팅 기술에 있어서는, 잉크의 번짐이나 흐름이 발생하기 쉽지만, 이의 대책으로서 기판의 표면 조도 범위를 특정하는 기술이 일본 특허 공개 평8-242060호 공보에 제안되어 있다.

상기 제2의 종래 기술을 이용하여 미세 배선을 형성하는 경우, 잉크젯 프린 팅에 의해서 매우 미소한 잉크 액적을 정밀하게 토출시키기 위해서 저 점도 잉크를 사용하고, 그 결과, 1회의 묘화에 의해서 레지스트의 막 두께가 매우 얇아지고, 원하는 도금 공정 또는 에칭 공정에 견디지 못하여 박리나 이지러짐이 발생한다는 문제가 있다.

이 문제를 해결하기 위해, 복수회의 중첩 도포에 의해 도금 공정 또는 에칭 공정에 견디는 막 두께의 레지스트 패턴을 형성하는 방법이 있지만, 막 형성에 장시간을 필요로 하는 데다가 잉크의 번짐이나 흐름이 발생하는 문제가 있다. 상기와 같이, 일본 특허 공개 평8-242060호 공보에서는 잉크의 번짐이나 흐름의 문제의 대책으로서 기판(도체)의 표면 조도 범위를 한정하는 기술을 제안하고 있다. 그러나, 막 형성에 장시간을 필요로 하는 문제에 대해서는 아무런 대안이 없다.

또한, 도체 표면 조도는 레지스트의 밀착성에 크게 영향을 미치기 때문에, 번짐이나 흐름의 대책으로서 표면 조도 범위를 한정하면 레지스트의 밀착성을 확보할 수 없고, 도금이나 에칭 공정 도중에 레지스트의 박리나 이지러짐이 발생하여, 결국, 원하는 도금 공정 또는 에칭 공정에 견딜 수 없다.

또한, 잉크젯 프린팅에 의해서 매우 미소한 잉크 액적을 정밀하게 토출시키기 위해서는 잉크 토출구의 초정밀 가공이 필요하기 때문에, 잉크 토출구의 입수가 곤란해진다. 또한, 매우 미소한 잉크 액적에 의해서 넓은 면적에 레지스트막을 제조하는 것을 효율적으로 실행하기 위해서는 다수의 고정밀 잉크 토출구를 병치하는 것이 바람직하지만, 그와 같은 다수의 병치 고정밀 토출구를 갖는 잉크젯 프린팅 장치가 고가가 되는 것을 피하기 어렵고, 장치 가격에 관한 상기 제1의 종래 기술 의 과제를 해결하고 있다고 할 수 없다.

본원 발명의 목적은, 상기 제2의 종래 기술에 있어서의 문제를 해결하는 것이다.

구체적으로, 제2의 종래 기술에 있어서의 첫 번째 문제(레지스트의 박리나 이지러짐의 발생)을 해결하는 것과 같은, 밀착성이 높은 레지스트를 인쇄법에 의해 성막하는 기술을 제공하는 것이 본원 발명의 제1의 목적이다.

본원 발명의 제2의 목적은, 그랜드 배선과 같은 넓은 영역에서든 신호 배선과 같은 미세 영역에서든 고속 및 효율적으로 레지스트를 성막하는 기술을 제공하는 것이다.

또한, 레지스트의 직접 묘화에 의해 단기간에 제조할 수 있는 저가의 배선 기판을 제공하는 것도 본원 발명의 목적이다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본원 발명자는 배선 도체가 되는 금속에 대하여 금속 결합을 형성하는 물질을 인쇄 성막함으로써, 레지스트 밀착성과 고속 성막성을 양립시키는 기술을 고안하고, 이 기술에 의해서 저비용 및 짧은 리드 타임을 갖는 배선 기판의 제조 방법을 고안하여 본원 발명에 이르렀다.

본원 발명의 기술(기술적 수단)의 특징은 이하와 같다.

본원 발명의 에칭 레지스트 전구체 조성물은 (a) 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자, (b) 이 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시 킨 피복성 유기 화합물, (c) 100 내지 250 ℃의 범위에서 이 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 (d) 상기 (a) 내지 (c)의 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하고, 250 ℃ 이하의 온도에서 소결할 수 있는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 배선 기판의 제조 방법은 (a) 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자, 상기 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시킨 피복성 유기 화합물, 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 이들 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하는 에칭 레지스트 전구체 조성물의 페이스트를 제조하고, (b) 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 오프셋 인쇄, 공판 인쇄 중 어느 하나로부터 선택된 인쇄 기술을 이용하여 상기 페이스트를 기판 상에 전사하고, (c) 기판을 100 내지 250 ℃로 가열함으로써 상기 페이스트를 소결시켜 원하는 패턴 형상을 갖는 에칭 레지스트로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 배선 기판은, 기판 상의 도체 금속과의 사이에서 금속 확산 상태가 형성된 에칭 레지스트를 마스크로 하여 상기 도체 금속을 에칭함으로써 소정의 배선용 도체 패턴이 형성되는 것을 특징으로 한다. 이 배선 기판에 있어서, 상기 에칭 레지스트는, 상기 도체 금속과의 사이에서 상호 확산 또는 상기 도체 금속으로의 확산을 행하는 금속 입자를 가지며, 소결에 의해 상기 에칭 레지스트로 되는 에칭 레지스트 전구체 조성물을 상기 도체 금속 상에서 소결시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.

상기 에칭 레지스트는 (a) 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자, (b) 상기 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시킨 피복성 유기 화합물, (c) 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 (d) 상기 금속 초미립자, 상기 피복성 유기 화합물 및 상기 잠재 경화성 유기 화합물을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하는 에칭 레지스트 전구체 조성물을 상기 기판 상의 상기 도체 금속 상에서 소결시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 배선 기판은, 도체 금속을 에칭 처리하여 배선 도체 패턴을 형성함에 있어서 마스크로서 사용되고 상기 배선 도체와 금속 결합된 에칭 레지스트가 상기 배선 도체 패턴 상에 잔존되는 것을 특징으로 한다. 에칭레지스트는 (a) 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자, (b) 상기 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시킨 피복성 유기 화합물, (c) 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 (d) 상기 금속 초미립자, 상기 피복성 유기 화합물 및 상기 잠재 경화성 유기 화합물을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하는 에칭 레지스트 전구체 조성물을 기판 상의 상기 도체 금속 상에서 소결시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 배선 기판은, 도체 금속의 에칭 처리에 의한 배선 도체 패턴 형성에 있어서 상기 도체 금속과 금속 결합한 상태로 마스크로서 사용되고 마스크로서의 사용 후에는 상기 도체 금속 상에 잔존 가능한 도전성을 갖는 에칭 레지스트를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 한다.

에칭 레지스트는 (1) 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복성 유기 화합물을 피복시켜 형성된 나노 입자와 (2) 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물을 (3) 분산 용매에 분산시켜 준비된 에칭 레지스트 전구체 조성물로, 상기 도체 금속 상에 그려진 원하는 패턴을 도체 금속 상에서 소결함으로써, 이 도체 금속 상에 원하는 패턴을 나타내어 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 금속 초미립자는 평균 입경 1 내지 10 nm인 것을 특징으로 한다.

본원 발명이 제안하는 기술에 의해 이하의 효과가 달성된다.

(1) 배선 도체로 되는 금속에 대하여 금속 결합을 형성하는 물질을 레지스트로 하기 때문에, 레지스트의 소요 두께가 얇아도 된다. 레지스트 두께가 얇기 때문에 레지스트의 미세 가공이 용이해지는 데다 에칭 공정에 있어서 에칭액의 유동성도 좋아지므로, 포트리소그래피에 의하지 않고 원하는 미세 패턴 형성이 가능해진다.

(2) 막 두께가 얇은 레지스트를 마스크로 하여 도체 금속의 에칭 처리를 행할 수 있기 때문에, 에칭 처리에 의해 형성되는 도체 단면 형상의 구형성(矩形性)을 향상시킬 수 있다. 도체 단면 형상의 구형성을 향상시킴으로써 배선부에서의 결합 면적의 확보, 도통(導通) 저항의 저감을 도모할 수 있다.

(3) 저온 소결 가능한 레지스트 전구체의 패턴을 기판 상에 직접 묘화하기 때문에, 단시간 및 저비용으로 배선을 제조할 수 있다. 레지스트 현상액은 불필요하고, 노광기나 현상 장치 등의 설비 투자액도 최소화할 수 있다.

이하, 본원 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 적절하게 도면을 참조하면서 설명한다.

(실시의 형태 1)

본 실시의 형태 1에서는, 본원 발명이 제안하는 기술 중 하나인 에칭 레지스트 전구체 조성물에 대해서 설명한다. 도 1은 본원 발명에 관한 에칭 레지스트 전구체 조성물의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 개념도이다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본원 발명에 관한 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)는 (a) 평균 입경 1 내지 10 nm의 금속 초미립자(금속 나노 입자) (1), (b) 이 금속 초미립자 (1)의 표면을 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복하는 피복성 유기 화합물 (2), (c) 100 내지 250 ℃의 범위에서 피복성 유기 화합물 (2)와 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물 (3), 및 (d) 상기 (a) 내지 (c)의 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매 (4)를 포함한다.

본원 발명에 바람직한 금속 초미립자 (1)은 평균 입경 1 내지 10 nm의 소위 금속 나노 입자이다. 본원 발명에서는 이하의 항목을 고려한 후에 금속 나노 입자의 금속종을 정한다.

즉, 금속 나노 입자의 금속종이 (1) 배선 도체 금속과 강고한 금속 결합을 형성하는지, (2) 에칭 내성을 갖는 금속막을 형성하는지, (3) 이것과 배선 도체 금속과의 사이에서 생성되는 금속간 화합물이 에칭 내성을 갖는지 등을 고려하였다.

이러한 금속종으로서는, 구체적으로, 은, 백금, 팔라듐, 주석, 납, 니켈 등을 들 수 있다.

상기 금속 초미립자 (1) 끼리가 서로 응집하지 않도록 하기 위해서, 그 표면에 미리 피복성 유기 화합물 (2)가 부착된다. 금속 초미립자 (1)의 표면이 이러한 유기 화합물로 피복되지 않으면, 금속 초미립자 (1)은 분산 용매 (4) 중에서 열 운동(브라운 운동)함으로써 서로 충돌하고, 이에 따라 복수의 금속 초미립자 (1)이 응집한다. 다시 말하면, 실온에서 보관된 에칭 레지스트 전구체 조성물의 상태에서, 여기에 포함된 금속 초미립자 (1)이 큰 집단을 형성하고, 각각의 금속 초미립자 (1)에 의한 후술하는 나노 사이즈 효과(Nanosize Effect)의 발현을 방해한다. 본원 발명에서는 이 금속 초미립자 (1)의 응집을 방지하기 위해 각각의 금속 초미립자 (1)의 표면을 소위 「쿠션」층으로 피복한다. 이 쿠션으로서 기능하는 층은, 금속 초미립자 (1) 표면에 걸쳐 층상으로 퍼지는 성질을 갖는 유기 화합물 (2), 즉, 「피복성 유기 화합물」로 형성됨으로써 금속 초미립자 (1) 사이의 어떠한 충격에 대해서도 이로 인한 응집을 억제한다. 본원 발명에 있어서, 금속 초미립자 (1)의 표면을 피복하는 피복성 유기 화합물 (2)의 막 두께는 1 내지 10 nm인 것이 바람직하다.

본원 발명에서는 상기 피복성 유기 화합물 (2)의 자기 조직화 기구를 통하여, 금속 초미립자 (1)의 표면에 피막을 자발적으로 형성시키고 있기 때문에, 이 기구에 의해 형성할 수 있는 실용적 막 두께 상한이, 본원 발명에서 가장 바람직한 막 두께의 상한이 된다. 아울러, 피복성 유기 화합물 (2)에 의한 금속 초미립자 (1)의 응집 방지 효과를 충분히 얻을 수 있는 해당 피막의 두께를, 본원 발명에서 가장 바람직한 막 두께의 하한으로 하였다. 즉, 금속 초미립자 (1)의 표면에 부착 되는 피복성 유기 화합물 (2)의 막 두께를 1 nm 이상 및 10 nm 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 초미립자 (1)의 표면을 막 두께 1 내지 10 nm의 피복성 유기 화합물 (2)로 피복하여 이루어지는 입자는, 그 입경이 2 내지 20 nm의 범위에 있는 나노 입자이다.

본원 발명에서는, 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 보관하는 동안 피복막이 금속 초미립자 (1)의 표면에서 박리되는 일이 없도록, 피복성 유기 화합물 (2)가 상기 금속에 대한 배위성을 갖는 것이 바람직하다. 금속 초미립자 (1)을 형성하는 금속 원자에 유기 화합물 (2)를 배위 결합시킴으로써 유기 화합물 (2)의 층은 금속 초미립자 (1)의 표면에 퍼지고, 해당 표면에서 박리하기 어려워진다. 본원 발명에서는 피복성 유기 화합물 (2)로서 공지 관용의 배위 결합성 화합물을 사용할 수 있지만, 피복성 유기 화합물 (2)는 비결합성 전자쌍을 갖는 루이스 염기(전자 공여체)인 것이 바람직하다. 루이스 염기를 갖는 유기 화합물의 금속 원자로의 배위 결합은, 해당 금속 원자의 루이스산(전자 수용체)로서의 산성도 및 산의 경도, 및 해당 유기 화합물의 이동 속도(도네이션 넘버 (Donation Number)와 분자량)에 의존한다. 이러한 피복성 유기 화합물의 구체적인 예로서, 1급 아민, 2급 아민 또는 환상 폴리에테르 등이 금속과 배위 결합시키기에 적합하다고 보여진다.

피복성 유기 화합물의 전형적인 화합물을 더 상세히 예시하면, 디이소프로필아민, 트리옥산 등을 들 수 있다. 그러나, 이러한 물질은 본원 발명에 있어서 피복성 유기 화합물로서 사용할 수 있는 물질을 보다 상세히 예시했을 뿐으로, 상기 피복성 유기 화합물을 이러한 물질로 한정할 필요가 없음은 물론이다.

본원 발명에서는 피복성 유기 화합물 (2)를 금속 초미립자 (1) 표면에 자발적으로 집적(자기 조직화)시키지만, 이 때 피복성 유기 화합물 (2)가 금속 초미립자 (1)의 표면에 자기 집적하는 반응과, 금속 초미립자 (1) 끼리가 응집ㆍ집적하는 반응이 경쟁적으로 일어난다. 금속 초미립자 (1) 끼리가 응집하여 집적하면 후술하는 나노 사이즈 효과가 손실되어 버리기 때문에, 자기 조직화 반응의 속도가 큰 피복성 유기 화합물 (2)를 사용하는 것이 바람직하다.

본원 발명자는, 피복성 유기 화합물 (2)의 자기 조직화 반응의 속도가, 이것이 분산된 액(예를 들면, 분산 용매 (4)) 중에 있어서 물질 이동에 크게 영향을 받는다는 것을 발견하고, 후술하는 분산 용매 (4) 중에 있어서 이동 속도가 큰 루이스 염기를 피복성 유기 분자로서 선택하였다. 또는, 피복성 유기 분자의 이동 속도가 빨라지는 조건에서 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 혼합ㆍ제조할 수도 있다. 또한, 피복성 유기 화합물 (2)의 자기 조직화 속도는 용매 중의 그의 이동 속도만으로 결정되는 것이 아니며, 용매 중의 이동 속도 또한 다양한 요인으로 결정된다는 것은 여기서 다시 지적할 필요도 없다.

본원 발명에서 바람직한 피복성 유기 화합물 (2)는, 입수의 용이함도 고려하면, 분산 용매 (4)와의 상호작용 강도의 지표인 도네이션 넘버가 0 내지 14, 분자량이 50 내지 2000의 범위에 있는 루이스 염기이다.

또한, 금속 초미립자 (1)의 금속종, 입경 등에 의해 그 산 경도가 다르기 때문에, 본원 발명에서는 금속 초미립자 (1)의 산 경도에 대응하는 경도를 갖는 루이스 염기를 피복성 유기 화합물 (2)로서 사용하는 것이 바람직하고, 염기도와 친핵 력이 적절하게 균형을 이룬 화합물이 가장 바람직하다.

이러한 연구에 의해서 상기 피복막은 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 보관하는 동안 금속 초미립자 (1)의 표면으로부터 박리되지 않는다. 단, 이 조성물(에칭 레지스트 전구체 조성물 (5))로부터 에칭 레지스트를 형성하기에 앞서 상기 피복막을 금속 초미립자 (1)의 표면으로부터 박리할 필요가 있고, 본원 발명에서는 이 피복막을 구성하고 있는 피복성 유기 화합물 (2)와 반응하는 잠재 능력을 갖는 화합물(잠재 경화성 유기 화합물 (3))을 혼입시켜 놓는다.

잠재 경화성 유기 화합물 (3)은 상기 피복성 유기 화합물 (2)와 반응하는 공지 관용의 물질로부터 선택되지만, 보관 중에는 반응하지 않고, 특정한 외부 자극을 제공함에 따라 반응이 개시하는「잠재적 반응성」을 나타내는 물질이 바람직하다.

구체적으로, (1) 실온에서는 고체이기 때문에 거의 반응성이 없지만 가열에 의해 용매로의 용해가 일어나거나 또는 융해함으로써 반응성을 드러내는 물질, (2) 특정 온도 이상으로 하면, 분해 또는 전위 반응을 야기하여 반응성 관능기를 획득하는 물질, (3) 특정 파장의 광 자극에 의해서 분해 또는 전위 반응을 야기하여 반응성 관능기를 획득하는 물질 등을 들 수 있다. 또한, 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)에 있어서, 상기 잠재 경화성 유기 화합물 (3)과 상기 피복성 유기 화합물 (2)를 서로 용해하지 않는 상태(이상계)로 존재시킬 수 있고, 상기 잠재 경화성 유기 화합물 (3)을 배위 결합이 강한 착체(예를 들면, 불화 붕소(Boron Trifluoride)에 아민이 배위한 착체)로서 존재시켜 상기 피복성 유기 화합물 (2)와의 반응을 억 제할 수도 있다.

본원 발명에서는 배선 기판 제조 공정에 있어서 설비ㆍ공정의 간편성을 고려하여, 「특정한 외부 자극」으로서 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)의 가열 처리가 가장 적합하다고 판단되고, 100 내지 250 ℃의 가열 처리에 의해서 반응성을 드러내거나 또는 반응성을 획득하는 잠재 경화성 유기 화합물 (3)을 사용한다.

본원 발명에 바람직한 잠재 경화성 유기 화합물 (3)의 전형적인 예를 예시하면, 테트라에틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐포스핀 등이지만, 이러한 물질은 어디까지나 예시로서 나타낸 것이고, 잠재 경화성 유기 화합물 (3)을 이러한 물질에 한정할 필요가 없음은 물론이다.

또한, 잠재성을 보조ㆍ증대시킬 목적으로, 필요에 따라, 잠재성 보조 성분을 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)에 첨가할 수 있다. 예를 들면, 열이나 광에 의해 분해되어 산 또는 염기를 발생하는 물질을 첨가하는 경우가 있다. 구체적으로, 열에 의해 호프만 분해하여 산을 발생하는 암모늄염, 광 분해에 의해 산을 발생하는 술포늄염 등이고, 본원 발명에서는 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)의 안정된 분산성을 저해하지 않는 범위에서 이들 보조 성분을 첨가하는 것이 바람직하다.

본원 발명의 잠재 경화성 유기 화합물 (3)은, 피복성 유기 화합물 (2)의 친핵 치환기로부터 친핵 반응을 받는다. 따라서, 본원 발명에서 바람직한 피복성 유기 화합물 (2)와 잠재 경화성 유기 화합물 (3)은 서로의 반응성을 고려한 후에, 사용목적에 따른 조합을 적절하게 선택하는 것이 바람직하다.

본원 발명에서 가장 바람직한 조합은, 강 염기성 및 약 친핵성의 피복성 유 기 화합물 (2)와 약 산성 및 약 내지 중 친전자성의 잠재 경화성 유기 화합물 (3)의 조합이다.

본원 발명에서는 상기한 금속 초미립자(금속 나노 입자) (1), 피복성 유기 화합물 (2) 및 잠재 경화성 유기 화합물 (3)을 안정적으로 분산시키기 위해서 분산 용매 (4)를 사용한다. 분산 용매 (4)로서는 공지 관용의 유기 용매를 사용할 수 있지만, 피복성 유기 화합물 (2)와 잠재 경화성 유기 화합물 (3) 사이에서의 적절한 반응성을 실현하고, 또한 금속 초미립자 (1)의 안정된 분산성을 확보하는 용매인 것이 바람직하다.

적합한 반응성을 실현한다는 관점에서, 분산 용매 (4)는 특정한 물리 화학적인 특성을 갖는 것이 바람직하다. 본원 발명에서 바람직한 특정한 물리 화학적 특성의 예를 들면, 용해도 파라미터, 점도, 표면 장력, 유전율 등이다. 본원 발명자의 실험에 의하면, 본원 발명에 바람직한 분산 용매 (4)의 용해도 파라미터 δ의 구체적 수치는 2.5 내지 7.0의 범위였다. 또한, 말할 필요도 없는 것이지만, 수 종류의 용매를 조합하여 사용할 수 있고, 상기 용해도 파라미터의 범위를 초과하는 용매라도 점도나 유전율 등의 특성치에 따라 전혀 사용할 수 없는 것은 아니다.

또한, 본원 발명에서는 용매의 용해도 파라미터는 공지 관용의 산출식, 즉, 액체 분자의 증발 엔탈피 ΔH를 분자 체적으로 나눈 후에 1/2 곱함으로써 얻어지는 수치를 사용한다.

본원 발명의 페이스트 조성에서는, 표면을 피복성 유기물 화합물 (2)를 피복함으로써 소수적 특성도 겸비하는 금속 초미립자 (1)과 잠재 경화성 유기 화합물 (3)을 함유한다. 이들 양자를 안정적으로 분산시키기 위해서 발명자 등이 분산 용매를 예의 탐색하였더니, 안정 분산을 위한 핵심 물성 중 하나가 분산 용매의 극성인 것을 발견하였다.

본원 발명자가 용해도 파라미터를 지표로 하여 분산 안정성을 조사하였더니, 용해도 파라미터 δ가 상기한 바와 같이 2.5 내지 7.0의 범위이면 비교적 안정적으로 분산된 페이스트를 얻기 쉽다는 것을 확인하였다.

또한, 상기 산출식으로부터 자명한 바와 같이, 용해도 파라미터는 용매의 단위 체적당 극성의 크기를 나타내는 지표인 점으로부터, 용해도 파라미터가 2.5 이상으로 작아지면 소수성이 지나치게 강해져 부분적으로 소수성을 갖는 금속 초미립자 (1)이 응집하기 쉬울 것으로 추측된다.

(실시의 형태 2)

본 실시의 형태 2에서는, 상기 실시의 형태 1에서 설명한 본원 발명에 관한 에칭 레지스트 전구체 조성물을 활용한 배선 기판의 제조 방법 및 그 배선 기판에 대하여 설명한다.

우선, 본원 발명이 제안하는 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 활용한 배선 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본원 발명에 관하여 상기 제안된 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 사용함으로써 간편하게 미세한 배선 패턴 형성을 실현할 수 있으므로, 이 미세 배선 패턴 형성법을 적어도 일부에 사용함으로써 저비용 및 단시간으로 미세 배선을 갖는 배선 기판을 제조할 수 있다.

도 2a 내지 2e는 본원 발명이 제안하는 미세 배선을 갖는 배선 기판의 제조 방법의 일례를 처리 순서에 따라서 구체적으로 예시한 공정 개략도이다.

도 2a는 배선 기판의 토대가 되는 기재 (6)을 나타내고 있다. 도 2b에 나타내는 바와 같이, 기재 (6)의 표면에 상기 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 원하는 패턴 형상이 되도록 성막한다. 도 2c에 나타내는 바와 같이 패턴 부분이 소결하도록 열 처리한 후에, 도 2d에 나타낸 바와 같이 에칭 처리함으로써 원하는 패턴을 갖는 미세 배선이 된다. 이 후, 원하는 층수가 될 때까지 다층화하기 위해서, 도 2e에 나타낸 바와 같이 수지 부착 구리박 (7)을 접착한 후에, 도 2b 내지 도 2d의 조작을 반복하거나, 필요에 따라 다른 기판과 함께 일괄 적층할 수 있다.

이하, 도 2a 내지 2e의 각 조작에 대해서 상세히 설명한다.

우선, 도 2a에 나타낸 바와 같이, 에칭 공정(후술)으로 패턴 에칭되는 구리박 등의 도체 (8)을 미리 형성한 기재 (6)을 준비한다. 여기서는, 미리 양면에 구리박이 접착된 형상으로 입수할 수 있는 양면 구리 접착 기판을 예시하고 있지만, 공지 관용의 다른 기판, 예를 들면, 한면 구리 잡착 기판을 사용하여도 상관 없으며, 절연 기판에 도체 (8)을 접착함으로써 스스로 제조할 수도 있음은 물론이다.

다음으로, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 상기 기재 (6)의 표면에 있는 도체 (8) 상에 패턴 형상으로 성막한다. 본원 발명에서는 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)의 패턴 형성에, 포트리소그래피 기술에 의하지 않고, 인쇄 기술을 이용한다. 본원 발명에서는 공지 관용의 인쇄 기술을 사용하여 패턴을 형성할 수 있지만, 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 오프셋 인쇄, 공판 인쇄 중 어느 하나로부터 선택된 인쇄 기술이 바람직하다. 특히 바람직한 인쇄 기 술은 공판 인쇄이고, 그 중에서도 스크린 인쇄나 스텐실 인쇄가 특히 바람직하다.

본원 발명에서는 적어도 일부의 배선 패턴을 포트리소그래피에 의하지 않고 인쇄 기술을 이용하여 형성하는 점에 특징이 있고, 이 특징에 의해 배선 기판 상의 원하는 부분의 패턴에만 간편하게 선택적인 수정을 할 수 있다. 또한, 평균 입경 1 내지 10 nm이라는 초미세 입자를 사용함으로써 배선폭 1 ㎛를 하회하는 것과 같은 미세 배선의 형성이 가능함은 물론이다. 반대로, 본원 발명의 상한인 10 nm을 초과하는 입경의 입자를 사용하면, 나노 사이즈 효과를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 인쇄에 의해서 형성할 수 있는 세선화(細線化) 한계도 필연적으로 커지기 때문이다.

본원 발명에서는 공지 관용의 인쇄 마스크를 사용할 수 있지만, 미세 패턴을 형성할 경우에는 인쇄 마스크 개구부의 상태에 특단의 주의를 요한다. 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)의 전사량은 마스크 개구부에 노출된 사(紗)의 영향을 받기 때문에, 가능하면 개구부에 사가 노출되지 않은 금속 마스크가 좋다. 다시 지적할 필요도 없지만, 금속 마스크를 마스크 프레임에 부착함에 있어서, 금속 마스크의 주위에 사의 부분을 설치한 소위 콤비네이션 마스크를 사용할 수도 있다.

도 2c는 원하는 패턴 형상을 갖는 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)의 소결 공정을 나타내고 있다. 본원 발명에서는 패턴 형상을 갖는 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)와 기재 (6)을 100 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열 처리함으로써 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)가 기재 (6)의 표면의 도체부 (8a)에 소결한다. 필요에 따라, 패턴 부분만을 선택적으로 가열하는 방법을 채용하여도 특단의 문제는 없다. 예를 들면, 레이저 등에 의한 직접 점 가열 등의 방법이 있다.

이 소결 과정에서, 금속 초미립자 (금속 나노 입자) (1)은 그의 나노 사이즈 효과에 의해서 용융함과 동시에, 피복성 유기 화합물 (2)와 잠재 경화성 유기 화합물 (3)과의 반응에 의해서 피복성 유기 화합물 (2)가 금속 초미립자 (1)의 표면으로부터 제거되는 반응이 일어난다. 또한, 상기 용융 상태의 금속 초미립자 (1)은 기재 (6)의 표면에 존재하는 도체 (8a)의 금속과 반응하여 금속 접합을 형성하거나, 또는 금속간 화합물을 생성한다. 이 때, 금속 초미립자 (1)은 기재 (6) 표면의 금속의 내부로 확산하거나, 또는 금속 초미립자 (1)과 기재 표면 금속이 서로 확산한 상태가 되어 강고한 결합을 확보한다. 이에 따라, 에칭 공정이나 도금 공정에 대하여 내성이 높은 레지스트 피막 (9)가 된다.

다음으로, 도 2d에 나타낸 바와 같이, 원하는 패턴 형상을 갖는 레지스트 피막 (9)가 형성된 기재 (6)을 레지스트 피막 (9)를 마스크로 하여 에칭 처리함으로써, 기재 (6) 표면의 도체 (8)을 원하는 패턴으로 가공한다. 본원 발명에서는 공지 관용의 에칭 처리를 사용할 수 있지만, 레지스트 피막 (9)와 도체 (8)과의 에칭 선택비를 고려하여 에칭액의 조성, 에칭 조건을 설정한다. 본원 발명에서 바람직한 에칭액의 구체적인 예를 예시하면, 염화암모늄/암모니아 혼합액, 황산/과산화수소수 혼합액 등이 있다.

본원 발명에서는, 도 2d까지의 공정에 의해 표리 1층분의 미세 배선을 형성할 수 있지만, 필요에 따라, 공지 관용의 방법에 의해 다층화하는 것도 용이하다. 본원 발명에서 가장 바람직한 다층화 방법은, 도 2d까지의 공정에서 형성한 미세 배선의 위에, 도 2e에 나타낸 바와 같이 수지 부착 구리박 (7)을 접착한 후에 공지 관용의 빌드업 기판 제조 방법을 적용하는 것이다. 물론, 이러한 방법 이외의 다층화를 채용하여도 상관 없음은 물론이다.

또한, 상층의 패턴 형성 시에도 도 2b 내지 도 2d의 조작을 반복 사용하는 것은 아무런 문제가 없다. 이와 같이 함으로써, 기존의 기판 제조 설비를 유용할 수 있기 때문에, 설비 투자 최소화와 설비 가동률의 평준화를 달성할 수 있다.

다음으로, 상기 설명한 본원 발명에 관한 제조 방법에 의해 제조된 배선 기판에 대해서 설명한다. 이상에서 설명한 배선 기판의 제조 방법에 의해 제조된 배선 기판에 있어서, 마스크로서 사용된 레지스트 피막 (9)는 그대로 도체 (8)의 위에 잔존한 상태일 수 있다. 레지스트 피막 (9)는 상기 설명한 에칭 레지스트 전구체 조성물 (5)를 소결함으로써 형성된 것으로, 원래 도전성을 가지며, 그대로 도체 (8) 위에 잔존할 수 있다. 이 때문에, 반드시 에칭 시의 마스크로서 사용된 레지스트를 제거할 필요가 있는 종래 기술에 비하여, 이러한 레지스트 제거 공정을 생략할 수 있고, 생산 비용의 저감을 도모할 수 있는 만큼, 염가의 배선 기판이 된다. 물론, 필요에 따라, 레지스트 피막 (9)를 도체 (8) 상에 남기지 않고 제거하여도 상관없다.

본 발명의 실험에 의하면, 금속 초미립자 (1)의 금속종이 은 또는 은 합금인 경우는, 레지스트 피막 (9)를 남긴 상태에서 사용하는 것 보다, 레지스트 피막 (9)를 제거한 상태에서 사용하는 쪽이 바람직한 신뢰성 결과를 얻었다. 한편, 주석을 사용한 경우는, 남겨 놓든 제거하든 신뢰성 관점에서의 차는 보이지 않고, 주석의 제거 공정을 생략하여 저비용화할 수 있는 관점을 중시한다면, 주석을 제거하지 않고 사용하면 된다.

또한, 상기 설명과 같이, 레지스트 피막 (9)는 도체 (8)과 금속 결합을 형성하기 때문에, 이러한 금속 결합을 형성하지 않고 물리 흡착으로 도체 (8) 상에 형성된 종래의 유기 수지 레지스트로 이루어진 마스크와 달리, 에칭액 등에 의한 침식을 훨씬 받기 어렵다. 이 때문에, 종래의 유기 수지 레지스트를 사용한 서브트랙티브법의 경우와 비교하여, 레지스트 피막 (9)를 각별히 얇게 형성할 수 있는 만큼, 에칭 시에 있어서 에칭액의 액 순환이 양호해지고, 에칭에 의해 형성되는 도체 (8)의 단면이 보다 구형에 가까운 모양이 된다.

종래의 유기 수지 레지스트를 에칭 시의 마스크로서 사용할 경우에는, 에칭 처리 시에 박리되지 않도록 층 두께를 두껍게 형성할 필요가 있는 만큼, 에칭액의 양호한 액 순환이 확보되지 않고, 형성된 도체의 단면 형상은, 본원 발명에 관한 배선 기판과 달리, 상측으로부터 하측으로 밑단 확대 (아래쪽이 퍼지는) 형상이 된다.

본원 발명의 배선 기판에서는, 도체 단면을 구형에 가깝게 할 수 있기 때문에, 지금까지의 배선 기판과 달리, 배선이 되는 도체 (8)의 도통(導通) 단면적을 늘릴 수 있고, 배선에 있어서 전기 저항을 보다 적게 할 수 있다.

또한, 종래 기술을 적용한 밑단 확대 (아래쪽이 퍼지는) 단면 형상에 비하여, 도체 상면에 있어서 결합 면적을 넓게 확보할 수 있고, 와이어 결합, 플립 칩(flip chip) 결합 등의 결합 처리 시에 있어서 결합 에러도 해소할 수 있어, 양 호한 결합 특성을 갖는 배선 기판이 된다.

한편, 본원 발명에 관한 배선 기판을 종래 수법의 어디티브법에 의해 제조된 배선 기판과 비교하면 다음과 같다. 즉, 어디티브법을 적용하여 구형 형상의 단면을 갖는 도체를 형성할 경우에는, 풀(full) 어디티브법과 세미(semi) 어디티브법이 있지만, 풀 어디티브법에 의한 경우에는, 깊은 개구부를 갖는 레지스트 패턴을 형성하고 그 개구부에 균질하게 도금을 성장시켜 도체를 형성할 필요가 있어서, 이러한 기술은 어렵고, 실효성이 있는 현실적 대응이 불가능하다. 이 때문에, 보다 현실적으로는, 단계적으로 도금을 더하여 가는 세미 어디티브법이 채용되지만, 이러한 방법에서는 노력이 각별히 증가하여 생산 비용이 높아져서, 본원 발명에 관한 것과 같은 저비용화는 기대할 수 없다.

또한, 어디티브법의 경우에는, 풀 어디티브법이든 세미 어디티브법이든, 배선 기판에 형성된 도체의 동일 평면성이 문제가 된다. 배선 기판의 다수 부분에 걸친 레지스트 패턴의 개구부에 있어서 도금 성장을 균질하게 관리하는 것은 현실적으로 어렵고, 전류 밀도로 도금 성장이 크게 달라지기 때문에, 이와 같이 하여 형성된 배선 기판의 도체부에 있어서 동일 평면성은, 균질한 막 두께로 형성된 레지스트를 에칭 처리하여 제조되는 본원 발명의 배선 기판과 비교하여, 각별히 떨어지게 된다.

본원 발명은 인쇄 회로 분야에 유효하게 이용할 수 있다. 보다 상세하게는, 저비용 및 단시간으로 배선 기판을 제조하는 방법 및 배선 기판의 분야 등에서 유 효하게 이용할 수 있다.

Claims (14)

1. (a) 평균 입경 1 내지 1O nm의 금속 초미립자, (b) 상기 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시킨 피복성 유기 화합물, (c) 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 (d) 상기 (a) 내지 (c)의 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하고, 250 ℃ 이하의 온도에서 소결할 수 있는 것을 특징으로 하는 에칭 레지스트(etching resist) 전구체 조성물.
2. (a) 평균 입경 1 내지 1O nm의 금속 초미립자, 상기 금속 초미립자의 표면에 막 두께 1 내지 10 nm으로 피복시킨 피복성 유기 화합물, 100 내지 250 ℃의 범위에서 상기 피복성 유기 화합물과 반응하는 잠재 경화성 유기 화합물, 및 이들 성분을 안정적으로 분산시킬 수 있는 분산 용매를 포함하는 에칭 레지스트 전구체 조성물의 페이스트를 제조하고, (b) 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 오프셋 인쇄, 공판 인쇄 중 어느 하나로부터 선택되는 인쇄 기술을 사용하여 상기 페이스트를 기판 상에 전사하고, 그런 다음 (c) 기판을 100 내지 250 ℃로 가열함으로써 상기 페이스트를 소결시켜 원하는 패턴 형상을 갖는 에칭 레지스트로 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
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11. 제1항에 있어서, 금속 초미립자를 은, 백금, 팔라듐, 주석, 납 및 니켈 중의 1종류 이상으로 한 것을 특징으로 하는 에칭 레지스트 전구체 조성물.
12. 제1항에 있어서, 피복성 유기 화합물을 루이스 염기로 한 것을 특징으로 하는 에칭 레지스트 전구체 조성물.
13. 제1항에 있어서, 잠재 경화성 유기 화합물을 테트라에틸암모늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐포스핀 중의 1 종류 이상으로 한 것을 특징으로 하는 에칭 레지스트 전구체 조성물.
14. 제1항에 있어서, 분산용매의 용해도 파라미터를 2.5~7.0으로 한 것을 특징으로 하는 에칭 레지스트 전구체 조성물.

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