KR100634166B1 - Method for drying semiconductor substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기판을 건조하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 마란고니 효과를 이용하여 반도체 기판을 1차적으로 건조하는 단계와 상기 반도체 기판에 부착된 탈이온수를 IPA 증기로 치환하여 반도체 기판을 2차적으로 건조하는 단계를 포함한다. 2차 건조시에 상기 챔버 내의 IPA 증기는 1차 건조시에 비해 고농도로 유지되며, 2차 건조시 챔버 내에서 IPA 증기가 응축되는 것을 방지하기 위해 챔버는 히터에 의해 가열된다.The present invention relates to a method of drying a semiconductor substrate, the method comprising the steps of primarily drying the semiconductor substrate using the Marangoni effect and replacing the deionized water attached to the semiconductor substrate with IPA vapor 2 And subsequently drying. During secondary drying, the IPA vapor in the chamber is maintained at a higher concentration than during primary drying, and the chamber is heated by a heater to prevent condensation of the IPA vapor in the chamber during secondary drying.

반도체 기판, 건조, 마란고니, 치환, 히터, 이소프로필 알코올Semiconductor Substrate, Dry, Marangoni, Substitution, Heater, Isopropyl Alcohol

Description

반도체 기판 건조 방법{METHOD FOR DRYING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES}Semiconductor substrate drying method {METHOD FOR DRYING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES}

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 건조 장치의 정단면도와 측단면도;1 and 2 are front and side cross-sectional views, respectively, of a drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

도 3은 도 1의 지지부의 사시도;3 is a perspective view of the support of FIG. 1;

도 4는 IPA의 액체 온도에 따른 증기압을 보여주는 그래프;4 is a graph showing vapor pressure with liquid temperature of IPA;

도 5는 도 1의 변형된 예를 보여주는 건조장치의 정단면도;5 is a front sectional view of a drying apparatus showing a modified example of FIG.

도 6은 도 5의 장치 사용시 기류의 흐름을 보여주는 도면;6 shows the flow of airflow when using the device of FIG. 5;

도 7 내지 도 11은 건조공정이 진행되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들; 그리고7 to 11 are views sequentially showing a process of the drying process; And

도 12는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따라 건조공정이 수행되는 과정을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다.12 is a flowchart sequentially showing a process of performing a drying process according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 챔버 100 : 하부챔버10 chamber 100 lower chamber

200 : 상부챔버 300 : 지지부200: upper chamber 300: support

400 : 분리판 520 : 세정액 공급관400: separator 520: cleaning liquid supply pipe

540 : 건조용 유체 공급관 580 : 질량유량계540: drying fluid supply pipe 580: mass flow meter

700 : 히터700: heater

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for cleaning a semiconductor substrate.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 공정이 필요하다. 특히, 고집적화된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다.When fabricating a semiconductor wafer into an integrated circuit, a cleaning process for cleaning the semiconductor wafer is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like, which occur during various manufacturing processes. In particular, when manufacturing highly integrated integrated circuits, a cleaning process for removing fine contaminants adhering to the surface of a semiconductor wafer is very important.

반도체 웨이퍼의 세정 공정은 반도체 웨이퍼상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 화학 용액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수로 세척하는 린스 공정, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 나눌 수 있다.The semiconductor wafer cleaning process includes a chemical solution treatment process (chemical treatment process) for etching or peeling contaminants on the semiconductor wafer by chemical reaction, a rinse process for purely cleaning the chemical solution treated semiconductor wafer, and a rinsed semiconductor wafer. It can be divided into a drying step of drying.

세정 공정 중 건조 공정을 수행하는 장치로 종래에는 스핀 건조기(spin dryer)가 사용되었으며, 이는 미국특허 제 5,829,256에 개시되어 있다. 그러나 집적 회로가 복잡해짐에 따라 원심력을 이용한 스핀 건조기(spin dryer)는 웨이퍼에 미세하게 남아 있는 물방울들을 완전히 제거하기 힘들 뿐 만 아니라 웨이퍼의 고속회전에 따라 발생되는 와류에 의해 웨이퍼가 역오염되는 문제가 있다.Conventionally, a spin dryer has been used as an apparatus for performing a drying process during the cleaning process, which is disclosed in US Pat. No. 5,829,256. However, as integrated circuits become more complex, spin dryers using centrifugal forces are difficult to completely remove droplets remaining on the wafer, and the wafer is contaminated by vortices generated by high-speed rotation of the wafer. There is.

이를 개선하기 위하여 최근에는 이소프로필 알코올을 사용하여 반도체 기판을 건조하는 방식들이 주로 사용되고 있으며, 이들 중의 하나는 IPA 증기의 낮은 표면장력을 이용한 마란고니 효과에 의해 기판을 건조하는 마란고니 건조기이고, 다른 하나는 웨이퍼에 과량의 IPA 증기를 분사하여 웨이퍼에 부착된 탈이온수를 IPA증기로 치환한 후 가열된 질소가스로 건조공정을 완료하는 IPA 건조기이다.In order to improve this, in recent years, a method of drying a semiconductor substrate using isopropyl alcohol is mainly used, and one of them is a marangoni dryer that dries the substrate by a marangoni effect using a low surface tension of IPA vapor. One is an IPA dryer in which an excess IPA vapor is injected onto a wafer to replace deionized water attached to the wafer with IPA steam and then complete the drying process with heated nitrogen gas.

마란고니 건조기는 웨이퍼에 부착된 파티클을 제거면에서는 월등한 효과를 발휘하나 고종횡비를 가지는 패턴이 형성된 부분에서는 건조효과가 극감되는 문제가 있다. 또한, IPA 건조기는 고종횡비를 가지는 패턴이 형성된 부분에서 건조공정을 효과적으로 수행할 수 있으나 과량의 IPA 증기를 공급으로 인한 IPA 증기의 응축으로 인해 흐름성 형태의 건조 불량이 발생되기 쉽고, 웨이퍼에 부착된 파티클이 잘 제거되지 않는다.The Marangoni dryer has an excellent effect in terms of removing particles attached to the wafer, but has a problem in that the drying effect is minimized in a portion where a pattern having a high aspect ratio is formed. In addition, the IPA dryer can effectively perform the drying process in a portion where a pattern having a high aspect ratio is formed, but it is easy to cause a flow-type drying defect due to condensation of the IPA steam due to supplying excess IPA steam, and adheres to the wafer. Particles are not removed very well.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고, 반도체 기판의 건조능력을 향상시킬 수 있는 건조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a drying method which can improve the drying capability of a semiconductor substrate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 건조 장치는 건조공정이 수행되는 챔버를 가지며, 상기 챔버 내부에는 반도체 기판들을 지지하는 지지부, 상기 챔버 내부로 세정액을 공급하는 세정액 공급관, 그리고 상기 챔버 내부로 건조용 유체를 공급하는 건조용 유체 공급관이 배치된다.In order to achieve the above object, the drying apparatus of the present invention has a chamber in which a drying process is performed, a support portion for supporting semiconductor substrates in the chamber, a cleaning liquid supply pipe for supplying a cleaning liquid into the chamber, and drying into the chamber. A drying fluid supply pipe for supplying a fluid for operation is disposed.

또한, 상기 챔버 내부의 온도를 조절하는 온도조절부와 상기 건조용 유체 공 급관으로 공급되는 건조용 유체의 량을 조절하는 유량조절부가 제공되며, 바람직하게는 상기 온도조절부는 상기 챔버의 외벽에 설치되는 히터를 포함한다.In addition, a temperature control unit for controlling the temperature inside the chamber and a flow rate control unit for controlling the amount of the drying fluid supplied to the drying fluid supply pipe is provided, preferably the temperature control unit is installed on the outer wall of the chamber It includes a heater.

또한, 상기 장치는 상기 지지부를 승하강시키는 이동부와 상기 챔버 내부를 하부공간과 상부공간으로 분리하는 이동가능한 분리판을 더 포함하며, 상기 챔버 내에서 유체가 층류로서 흐르도록 상기 분리판에는 복수의 홀들이 형성된다.The apparatus further includes a movable part for elevating the support and a movable separator for separating the interior of the chamber into a lower space and an upper space, wherein the separator has a plurality of separation plates so that fluid flows in the chamber as laminar flow. Holes are formed.

또한, 본 발명인 건조 방법은 챔버 내에 채워진 세정액 내에 반도체 기판이 잠겨진 상태에서 건조용 유체가 상기 챔버 내에서 제 1농도로 유지되도록 상기 챔버 내로 분사되는 단계, 상기 반도체 기판이 상기 세정액의 표면으로부터 점진적으로 벗어나는 단계, 상기 반도체 기판이 상기 세정액으로부터 완전히 벗어나면 상기 건조용 유체가 상기 챔버 내에서 제 2농도로 유지되도록 상기 챔버 내로 공급되는 단계, 그리고 상기 공정 진행시 상기 건조용 유체가 상기 반도체 기판의 표면에서 응축되는 것을 방지하기 위해 상기 챔버 내부 온도를 조절하는 단계를 포함한다.In addition, in the drying method of the present invention, the drying fluid is injected into the chamber so that the drying fluid is maintained in the chamber at a first concentration in a state in which the semiconductor substrate is immersed in the cleaning liquid filled in the chamber, and the semiconductor substrate is gradually removed from the surface of the cleaning liquid. Escaping, when the semiconductor substrate is completely out of the cleaning liquid, supplying the drying fluid into the chamber to maintain the second concentration in the chamber, and during the process, the drying fluid is supplied to the surface of the semiconductor substrate. Adjusting the internal temperature of the chamber to prevent condensation at the substrate.

상기 방법은 상기 반도체 기판이 상기 세정액으로부터 완전히 벗어나면, 상기 세정액이 채워진 공간과 상기 반도체 기판이 위치되는 공간을 분리하기 위해 복수의 홀들이 형성된 분리막이 이동되는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include moving the separator having a plurality of holes to separate the space filled with the cleaning liquid and the space in which the semiconductor substrate is located when the semiconductor substrate is completely removed from the cleaning liquid.

바람직하게는 상기 알코올은 이소프로필 알코올이고, 상기 제 1농도는 0.1 내지 5 ㏖%이고, 상기 챔버의 온도는 약 20℃이며, 상기 제 2농도는 5 내지 30㏖%이고, 상기 챔버의 온도는 27℃ 이상으로 유지된다. 또한, 상기 반도체 기판이 상기 세정액의 표면으로부터 벗어나는 속도는 2 내지 10mm/sec이다.Preferably the alcohol is isopropyl alcohol, the first concentration is 0.1 to 5 mol%, the temperature of the chamber is about 20 ° C, the second concentration is 5 to 30 mol%, and the temperature of the chamber is It is maintained at 27 ° C or higher. In addition, the speed at which the semiconductor substrate deviates from the surface of the cleaning liquid is 2 to 10 mm / sec.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 12을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 12. In the drawings, the same reference numerals are given to components that perform the same function.

본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 건조 장치(1)의 정단면도와 측단면도이다. 도 1과 도 2를 참조하면, 건조 장치(1)는 챔버(10), 지지부(300), 세정액 공급관(520), 건조용 유체 공급관(540), 온도조절부(700), 그리고 유량조절부(580)를 가진다. 챔버(10)는 하부챔버(100)와 상부챔버(200)로 이루어진다. 하부챔버(100)에서는 웨이퍼들(W)을 린스하고 1차 건조하는 공정이 수행되며, 상부챔버(200)에서는 웨이퍼들(W)을 2차 건조하는 공정이 수행된다.1 and 2 are front and side cross-sectional views, respectively, of a drying apparatus 1 according to a preferred embodiment of the present invention. 1 and 2, the drying apparatus 1 includes a chamber 10, a support part 300, a cleaning liquid supply pipe 520, a drying fluid supply pipe 540, a temperature control part 700, and a flow rate control part. Has 580. The chamber 10 consists of a lower chamber 100 and an upper chamber 200. In the lower chamber 100, a process of rinsing and primaryly drying the wafers W is performed. In the upper chamber 200, a process of secondaryly drying the wafers W is performed.

하부챔버(100)는 공정진행시 웨이퍼들(W)이 놓여진 지지부(300)가 위치되는 내조(inner bath)(120)와 내조(120)를 감싸도록 위치되는 외조(outer bath)(140)로 이루어진다. 내조(120)는 직육면체형의 측벽(122)과 하부면(124)을 가지며, 그 상부는 개방된다. 내조의 하부면(124) 중앙에는 배출관(660)과 연결되는 배출구(126)가 형성된다. 내조의 하부면(124)은 내조(120)에 채워진 세정액의 배출이 용이하도록 아래로 갈수록 폭이 점진적으로 좁아지도록 경사진다. 배출관(660)은 내조(120)에 채워진 세정액이 중력에 의해 배출되도록 수직으로 설치된다. 배출관(660)에는 배출관(660) 내의 통로를 개폐하는 개폐밸브(662)가 설치된다. The lower chamber 100 is an inner bath 120 in which the support part 300 on which the wafers W are placed is positioned and an outer bath 140 positioned to surround the inner bath 120. Is done. The inner tub 120 has a rectangular parallelepiped side wall 122 and a bottom surface 124, the top of which is open. The outlet 126 is connected to the discharge pipe 660 in the center of the lower surface 124 of the inner tank. The lower surface 124 of the inner tank is inclined so that the width gradually narrows downward to facilitate the discharge of the cleaning liquid filled in the inner tank 120. The discharge pipe 660 is installed vertically so that the cleaning liquid filled in the inner tank 120 is discharged by gravity. The discharge pipe 660 is provided with an opening and closing valve 662 for opening and closing the passage in the discharge pipe 660.

외조(140)는 내조의 측벽(122) 중 상부를 감싸도록 위치되며 내조(120)에 고정 결합된다. 외조(140)는 중앙에 통공이 형성된 직육면체 형상으로 형성되며, 내조의 측벽(122)에 결합되는 링 형상의 하부면(144)과 이와 대향되도록 형성되며 내조의 상부에 위치되는 링 형상의 상부면(143)을 가진다. 외조(140)가 내조(120)와 결합된 상태에서 외조의 측벽(142)과 내조의 측벽(122) 사이에는 일정 공간(147)이 형성되며, 상기 공간(147)에는 내조(120)로부터 넘쳐흐르는 세정액이 수용된다. 외조의 측벽(142)에는 챔버(10) 내로 유입된 가스가 배기되는 배기구(145)가 형성되고 배기구(145)에는 개폐밸브(622)가 설치된 배기관(620)이 연결된다. 배기구(145)는 하나 또는 복수개가 형성될 수 있다. 외조의 하부면(144)에는 외조(140)로 유입된 세정액을 외부로 배출하기 위해 배출관(640)이 연결되는 배출구(149)가 형성된다. 배출관(149)에는 그 통로를 개폐하기 위한 개폐밸브(642)가 설치된다.The outer tub 140 is positioned to surround an upper portion of the side walls 122 of the inner tub and is fixedly coupled to the inner tub 120. The outer tub 140 is formed in the shape of a rectangular parallelepiped having a through-hole in the center thereof, and has a ring-shaped lower surface 144 coupled to the side wall 122 of the inner tub and is opposite to the ring-shaped upper surface of the inner tub. Has 143. In the state in which the outer tank 140 is coupled with the inner tank 120, a predetermined space 147 is formed between the side wall 142 of the outer tank and the side wall 122 of the inner tank, and the space 147 overflows from the inner tank 120. Flowing cleaning liquid is accommodated. An exhaust port 145 through which the gas introduced into the chamber 10 is exhausted is formed at the side wall 142 of the outer tank, and an exhaust pipe 620 having an open / close valve 622 is connected to the exhaust port 145. One or more exhaust ports 145 may be formed. The lower surface 144 of the outer tank is formed with a discharge port 149 is connected to the discharge pipe 640 to discharge the cleaning liquid introduced into the outer tank 140 to the outside. The discharge pipe 149 is provided with an opening / closing valve 642 for opening and closing the passage.

상부챔버(200)는 하부챔버(100)의 상부에 위치된다. 상부챔버(200)는 직육면체형의 측벽(220)과 돔형상의 상부면(240)을 가지며 하부가 개방된다. 즉, 상부챔버의 측벽(220) 하부면은 외조의 상부면(143)의 안쪽 가장자리 상에 놓여진다. 상부챔버(200)와 하부챔버(100)가 접촉되는 부분에는 실링을 위한 오링(도시되지 않음)이 삽입될 수 있다. 상부챔버(200)는 웨이퍼들이 수용되기에 충분한 내부공간을 가진다.The upper chamber 200 is positioned above the lower chamber 100. The upper chamber 200 has a rectangular parallelepiped side wall 220 and a dome-shaped upper surface 240 and a lower portion thereof. That is, the lower surface of the side wall 220 of the upper chamber is placed on the inner edge of the upper surface 143 of the outer tub. An O-ring (not shown) for sealing may be inserted into a portion where the upper chamber 200 and the lower chamber 100 are in contact with each other. The upper chamber 200 has an internal space sufficient to accommodate the wafers.

지지부(300)는 공정이 진행되는 복수의 웨이퍼들(W)을 지지하는 부분이다. 지지부의 사시도인 도 3을 참조하면, 지지부(300)는 지지로드들(320), 연결부(340), 그리고 이동로드(360)를 가진다. 각각의 지지로드(320)에는 웨이퍼(W)의 가장자리 일부분이 삽입되는 슬롯들(322)이 형성된다. 즉, 웨이퍼들(W)은 그 처리면들이 서로 마주보도록 세워진 상태로 지지부(300)에 놓여진다. 지지로드(320)는 3개가 배치될 수 있으며, 지지부(300)에는 약 50매의 웨이퍼들(W)이 한번에 수용될 수 있다. 지지로드(320)의 양측에는 지지로드들(320)을 연결하는 연결부(340)가 배치된다. 각각의 지지로드들(320)의 끝단부는 연결부(340)에 고정 결합된다. 이동로드(360)는 연결부(340)로부터 길게 상부로 연장되며, 상부챔버의 상부면(240)에 형성된 홀(242)을 관통하여 챔버(10)의 상부까지 위치된다. 챔버(10) 외부에 위치된 이동로드(360)의 측면에는 이동로드(360)를 승하강 시키는 지지부 구동부(380)가 결합된다. 지지부 구동부(380)에 의해 지지부(300)가 승하강됨으로써 웨이퍼들(W)은 하부챔버(100)와 상부챔버(200)로 이동된다. 지지부 구동부(380)로는 유공압 실린더(pneumatic or hydraulic cylinder)를 사용되거나 모터(motor), 래크(rack), 피니언(pinion) 등의 조합체가 사용될 수 있다.The support part 300 is a part supporting the plurality of wafers W in which a process is performed. Referring to FIG. 3, which is a perspective view of the support, the support 300 has support rods 320, a connection portion 340, and a moving rod 360. Each support rod 320 is formed with slots 322 into which a portion of the edge of the wafer W is inserted. In other words, the wafers W are placed on the support part 300 with their processing surfaces facing each other. Three support rods 320 may be disposed, and about 50 wafers W may be accommodated in the support 300 at one time. Connection portions 340 for connecting the support rods 320 are disposed at both sides of the support rod 320. End portions of the respective support rods 320 are fixedly coupled to the connection portion 340. The moving rod 360 extends upwardly from the connecting portion 340 and passes through the hole 242 formed in the upper surface 240 of the upper chamber and is positioned to the upper portion of the chamber 10. A support part driving unit 380 for raising and lowering the moving rod 360 is coupled to a side of the moving rod 360 located outside the chamber 10. As the support 300 is moved up and down by the support driver 380, the wafers W are moved to the lower chamber 100 and the upper chamber 200. The support driver 380 may be a pneumatic or hydraulic cylinder, or a combination of a motor, a rack, and a pinion may be used.

하부챔버(100) 내에는 세정액 공급관(520)이 배치된다. 세정액 공급관(520)은 하부챔버(100) 내에 위치된 지지부(300)보다 아래에 놓이도록 배치된다. 세정액 공급관(520)은 하나 또는 복수개가 설치될 수 있다. 세정액으로는 웨이퍼들(W) 상에 잔존하는 화학용액을 제거하는 데 사용되는 탈이온수(deionized water)가 사용된다.The cleaning liquid supply pipe 520 is disposed in the lower chamber 100. The cleaning liquid supply pipe 520 is disposed to lie below the support part 300 positioned in the lower chamber 100. One or more cleaning solution supply pipes 520 may be installed. As the cleaning liquid, deionized water used to remove the chemical solution remaining on the wafers W is used.

상부챔버(200) 내에는 건조용 유체 공급관(540)이 설치된다. 공급관(540)은 하부챔버(200)로 이송된 웨이퍼(W)보다 상부에 설치된다. 건조용 유체 공급관(540)은 상부챔버(200)의 측벽을 관통하도록 삽입되며, 각각의 공급관(540)에는 분사구(542)가 형성된다. 분사구(542)는 홀들로서 형성되며, 홀들은 일정간격으로 또는 상이한 간격으로 형성될 수 있다.The drying fluid supply pipe 540 is installed in the upper chamber 200. The supply pipe 540 is installed above the wafer W transferred to the lower chamber 200. The drying fluid supply pipe 540 is inserted to penetrate the side wall of the upper chamber 200, and the injection holes 542 are formed in each supply pipe 540. The injection holes 542 are formed as holes, and the holes may be formed at regular intervals or at different intervals.

건조용 유체로는 표면장력이 작고 세정액에 용해되는 알콜이나 에테르(ether)가 사용될 수 있다. 선택적으로 건조용 유체는 에테르와 상술한 알콜의 혼합물이 사용될 수 있다. 알콜로는 이소프로필 알콜(isoprophyl alcohol, 이하 IPA)이 사용되는 것이 바람직하며, 선택적으로 에틸글리콜(ethylglycol), 일 프로판올(1-propanol), 이 프로판올(2-propanol), 테트라 하이드로 퓨레인(tetrahydrofurane), 사 하이드록시 사 메틸 이 펜탄올(4-hydroxy-4-methyl-2-pentamone), 일 부탄올(1-butanol), 이 부탄올(2-butanol), 메탄올(methanol), 에탄올(ehtanol), 아세톤(acetone), n-프로필 알코올(n-propl alconal) 또는 디메틸에테르(dimethylether)이 사용될 수 있다. 건조용 유체는 질소가스와 같은 캐리어 가스와 함께 챔버 내로 공급된다.As the drying fluid, alcohol or ether that has a small surface tension and is dissolved in the cleaning liquid may be used. Optionally, the drying fluid may be a mixture of ether and the alcohol described above. As alcohol, isopropyl alcohol (IPA) is preferably used, optionally ethylglycol, monopropanol, 2-propanol, tetrahydrofurane ), Tetrahydroxy tetramethyl pentanol (4-hydroxy-4-methyl-2-pentamone), monobutanol (1-butanol), dibutanol (2-butanol), methanol (methanol), ethanol (ehtanol), Acetone, n-propyl alcohol or dimethylether may be used. The drying fluid is supplied into the chamber together with a carrier gas such as nitrogen gas.

처음에, 웨이퍼들(W)이 하부챔버(100) 내에 위치되면 웨이퍼(W) 상에 부착된 화학용액을 제거하는 린스공정이 수행된다. 세정액 공급관(520)으로부터 탈이온수가 내조(120)로 공급된다. 탈이온수는 웨이퍼(W) 상에 부착된 화학용액을 제거한 후, 내조(120)를 넘쳐 외조(140)로 흐른 후 챔버(10) 외부로 배출된다. 린스공정이 완료되면, 세정액 공급관(520)으로부터 탈이온수의 공급이 중단되고 웨이퍼(W)는 탈이온수에 완전히 잠긴 상태로 하부챔버(120) 내에 위치된다.Initially, when the wafers W are positioned in the lower chamber 100, a rinse process is performed to remove the chemical solution deposited on the wafer W. Deionized water is supplied from the washing liquid supply pipe 520 to the inner tank 120. The deionized water removes the chemical solution attached to the wafer (W), overflows the inner tank 120, flows into the outer tank 140, and is discharged to the outside of the chamber 10. When the rinsing process is completed, the supply of deionized water from the cleaning liquid supply pipe 520 is stopped and the wafer W is positioned in the lower chamber 120 while completely immersed in the deionized water.

이후 웨이퍼(W)를 건조하는 건조공정이 수행된다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 건조는 2 단계에 의해 이루어진다. 1차 건조는 마란고니 효과(marangoni effet)를 이용하여 이루어지고, 2차 건조는 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 탈이온수가 IPA 증기에 의해 치환됨으로써 이루어진다. 1차 건조에 의해 웨이퍼(W)가 공기와 접촉되기 전 웨이퍼에 부착된 파티클과 탈이온수가 제거되며, 2차 건조에 의해 고종횡비(high aspect ratio)를 가지는 패턴에 부착된 탈이온수와 같이 마란고니 효과만으로 완전히 건조되지 않는 탈이온수들을 웨이퍼(W)의 표면으로부터 완전히 제거된다.Thereafter, a drying process of drying the wafer W is performed. According to the present invention, the wafer is dried in two steps. Primary drying is achieved using a marangoni effet, and secondary drying is achieved by deionized water adhering to the surface of the wafer W by IPA vapor. The first drying removes the particles and deionized water attached to the wafer before the wafer W comes into contact with the air, and the second drying removes the maran like the deionized water attached to the pattern having the high aspect ratio. Deionized water, which is not completely dried by the swan effect alone, is completely removed from the surface of the wafer (W).

1차 건조를 위해 린스공정 완료 후 웨이퍼(W)가 탈이온수에 완전히 잠긴 상태에서 챔버(10) 내부로 IPA 증기가 공급된다. IPA 증기의 최초 공급은 웨이퍼가 탈이온수로부터 최초 벗어나기 10 내지 20초(sec) 전부터 공급되는 것이 바람직하다. 이는 챔버(10) 내부를 고압의 IPA 분위기로 유지함으로써 물반점의 가속원인인 산소 농도를 줄이고, 웨이퍼가 탈이온수로부터 최초 벗어나기 전에 탈이온수의 수면에 IPA층을 형성하기 위한 것이다.After completion of the rinse process for the first drying, the IPA vapor is supplied into the chamber 10 while the wafer W is completely immersed in deionized water. The initial supply of IPA vapor is preferably supplied from 10 to 20 seconds (sec) before the wafer is first released from the deionized water. This is to maintain the inside of the chamber 10 in a high-pressure IPA atmosphere to reduce the oxygen concentration which is the accelerating cause of water spots, and to form the IPA layer on the surface of the deionized water before the wafer first departs from the deionized water.

지지부 구동부(360)에 의해 지지부(300)는 승강되며, 웨이퍼(W)는 점진적으로 탈이온수로부터 벗어나고, 탈이온수의 수면과 접촉되는 부분에서 마란고니 효과에 의해 웨이퍼(W)가 건조된다. 이 때, 지지부(300)는 일반적인 마란고니 건조 장치보다 매우 빠른 2 내지 10mm/sec의 속도로 승강되는 것이 바람직하다. 이는 1차 건조에 소요되는 시간을 단축시키기 위한 것이다.The support 300 is lifted by the support driver 360, and the wafer W is gradually removed from the deionized water, and the wafer W is dried by the Marangoni effect at a portion in contact with the water surface of the deionized water. At this time, it is preferable that the support part 300 is elevated at a speed of 2 to 10 mm / sec. This is to shorten the time required for primary drying.

1차 건조공정 진행시 챔버(10) 내로 공급되는 IPA 증기의 량이 과도하여, 챔 버(10) 내에 IPA 증기의 농도가 높으면, 웨이퍼(W) 표면에서 IPA가 응축이 되어 건조불량이 발생될 수 있다. 또한, 챔버(10) 내로 공급되는 IPA 증기의 량이 너무 적으면, 웨이퍼(W)의 영역별에 따라 IPA의 증기가 충분히 공급되지 않아 건조불량이 발생될 수 있다.If the amount of IPA vapor supplied into the chamber 10 during the first drying process is excessive and the concentration of IPA vapor in the chamber 10 is high, IPA may condense on the surface of the wafer W, resulting in poor drying. have. In addition, when the amount of the IPA vapor supplied into the chamber 10 is too small, the drying of the IPA may not be sufficiently supplied according to the region of the wafer W.

유량조절부(580)는 챔버(10) 내로 유입되는 IPA 증기량을 조절하는 부분이다. 일예에 의하면 유량조절부(580)로 IPA증기가 발생되는 부분(도시되지 않음)과 건조용 유체 공급관(540)을 연결하는 배관(560) 사이에 설치되는 질량유량계(mass flow controller : MFC)(580)가 사용될 수 있다. 이와 달리 배관(560)에 유량조절밸브(도시되지 않음)를 설치하여 챔버(10) 내로 공급되는 IPA 증기의 량을 조절할 수 있다.The flow rate controller 580 is a portion for adjusting the amount of IPA vapor flowing into the chamber 10. According to an example, a mass flow controller (MFC) installed between a portion (not shown) in which IPA steam is generated by the flow controller 580 and a pipe 560 connecting the drying fluid supply pipe 540 ( 580 may be used. Alternatively, a flow control valve (not shown) may be installed in the pipe 560 to adjust the amount of IPA vapor supplied into the chamber 10.

도 4는 IPA의 액체 온도에 따른 증기압을 보여주는 그래프이다. 도 4에서 IPA 증기압은 챔버(10) 내의 IPA 증기의 몰농도와 동일한 수치이다. 일반적으로 웨이퍼(W)가 탈이온수로부터 노출될 때, 웨이퍼 표면 온도는 20℃이다. 도 4를 참조하면, 온도가 20℃일 때, IPA 증기압이 약 25㏖%이면 IPA 증기의 응축이 시작된다. 따라서 마란고니 효과에 의한 건조 공정 진행시 챔버 내에 IPA 증기의 농도는 25 ㏖%이하가 되도록, 챔버(10) 내로 공급되는 IPA 증기량은 질량유량계(580)에서 조절한다. 바람직하게는 챔버(10) 내에 IPA 증기는 0.1 내지 5 ㏖% 이하로 유지되는 것이 바람직하다.4 is a graph showing the vapor pressure according to the liquid temperature of IPA. In FIG. 4, the IPA vapor pressure is the same as the molar concentration of the IPA vapor in the chamber 10. In general, when the wafer W is exposed from deionized water, the wafer surface temperature is 20 ° C. Referring to FIG. 4, when the temperature is 20 ° C., when the IPA vapor pressure is about 25 mol%, condensation of the IPA vapor starts. Therefore, the mass flow meter 580 controls the amount of IPA vapor supplied into the chamber 10 so that the concentration of IPA vapor in the chamber is 25 mol% or less during the drying process by the marangoni effect. Preferably, the IPA vapor in the chamber 10 is preferably maintained at 0.1 to 5 mol% or less.

웨이퍼(W)가 탈이온수의 수면으로부터 완전히 벗어나면 1차 건조가 완료되고, 2차 건조가 시작된다. 2차 건조시 웨이퍼(W) 상에 부착된 탈이온수를 IPA 증 기로 치환하기 위해서 챔버(10) 내의 IPA 증기의 농도는 1차 건조시 챔버(10) 내의 IPA 증기의 농도에 비해 높아야 한다. 바람직하게는 챔버(10) 내의 IPA 증기의 농도는 5 내지 30㏖%로 유지된다. 챔버(10) 내의 온도가 20℃일 때 IPA 증기의 농도가 약 25㏖%를 초과하면 IPA 증기는 웨이퍼의 표면에서 응축될 수 있다.When the wafer W is completely out of the surface of the deionized water, the primary drying is completed and the secondary drying starts. In order to replace the deionized water attached on the wafer W with IPA steam during the secondary drying, the concentration of the IPA vapor in the chamber 10 should be higher than that of the IPA vapor in the chamber 10 during the primary drying. Preferably the concentration of IPA vapor in chamber 10 is maintained at 5-30 mol%. If the concentration of the IPA vapor exceeds about 25 mol% when the temperature in the chamber 10 is 20 ° C., the IPA vapor may condense on the surface of the wafer.

온도조절부(700)는 챔버(10) 내에 IPA 증기가 응축되는 것을 방지하기 위해 챔버(10)의 온도를 조절하는 부분이다. 일예에 의하면, 챔버(10) 내부의 온도를 조절하기 위해 상부챔버(200)의 외벽을 감싸도록 히터(700)가 배치될 수 있다. 이는 히터(700)로 직접 상부챔버(200)의 외벽을 가열하여 챔버(10) 내부의 온도를 조절한다. 다른 예에 의하면, 챔버(10) 내부로 가열된 IPA 증기가 공급되도록 IPA 증기가 공급되는 배관(560) 둘레에 히터(도시되지 않음)가 설치될 수 있다. 2차 건조시 챔버(10) 내의 IPA 증기의 농도는 5 내지 30㏖%로 유지되므로, 챔버(10) 내부는 27℃ 이상으로 유지되도록 히터(700)에 의해 가열된다.The temperature controller 700 is a part for adjusting the temperature of the chamber 10 to prevent the IPA vapor from condensing in the chamber 10. In one embodiment, the heater 700 may be disposed to surround the outer wall of the upper chamber 200 to adjust the temperature inside the chamber 10. This heats the outer wall of the upper chamber 200 directly with the heater 700 to adjust the temperature inside the chamber 10. In another example, a heater (not shown) may be installed around the pipe 560 through which the IPA steam is supplied to supply the heated IPA steam into the chamber 10. Since the concentration of the IPA vapor in the chamber 10 during the secondary drying is maintained at 5 to 30 mol%, the inside of the chamber 10 is heated by the heater 700 to be maintained at 27 ° C. or higher.

본 실시예에서는 챔버(10)가 상부챔버(200)와 하부챔버(100)로 이루어지고, 1차 건조시 웨이퍼들(W)은 하부챔버(100) 내에 배치되고, 1차 건조가 완료되면 웨이퍼들이 상부챔버(200) 내로 승강되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 1차건조시 웨이퍼들(W)의 위치는 고정되고 탈이온수들이 배출관(660)을 통해 배출될 수 있다. 웨이퍼들의 위치가 고정된 상태에서 IPA 증기가 분사되고 2차 건조가 진행될 수 있다. 이 경우 1차 건조와 2차 건조가 이루어지는 공간은 동일하므로 챔버(10)의 체적을 줄일 수 있다.In the present embodiment, the chamber 10 is composed of the upper chamber 200 and the lower chamber 100, and the wafers W are disposed in the lower chamber 100 during the first drying, and the wafer is completed when the first drying is completed. It has been described that they are lifted into the upper chamber 200. Unlike this, however, the positions of the wafers W are fixed during the first drying, and deionized water may be discharged through the discharge pipe 660. IPA vapor may be injected and secondary drying may proceed while the wafers are in a fixed position. In this case, the volume of the chamber 10 can be reduced because the space where the primary drying and the secondary drying are performed is the same.

또한, 본 실시예에서 2차 건조시에 히터(700)에 의해 상부챔버(200)가 가열 되는 것으로 설명하였으나, 챔버(10) 내에서 IPA 증기의 응축을 방지하기 위해 1차 건조시에도 히터(700)에 의해 챔버(10)의 온도가 조절될 수 있다.In addition, in the present exemplary embodiment, the upper chamber 200 is heated by the heater 700 at the time of secondary drying, but in order to prevent condensation of IPA vapor in the chamber 10, the heater ( The temperature of the chamber 10 may be controlled by 700.

도 5는 도 1의 건조장치(1)의 변형된 예를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 건조장치(1)는 분리판(400), 분리판 수용부(420), 그리고 분리판 이동부(440)를 더 포함한다. 분리판 수용부(420)가 결합되는 외조의 측벽(142)에는 슬릿 형상의 유입로(146)가 형성된다. 유입로(146)는 내조(120)보다 높은 위치에 형성되는 것이 바람직하다. 외조의 상부면(143) 안측 가장자리에는 아래로 돌출된 링 형상의 돌출부(148)가 형성될 수 있다. 분리판(400)은 2차 건조가 시작될 때 상부챔버(200)에 의해 제공되는 공간과 하부챔버(100)에 의해 제공되는 공간을 분리시킨다. 분리판(400)은 웨이퍼들(W)이 하부챔버(100) 내에 위치될 때에는 챔버(10)의 외측벽에 설치된 분리판 수용부(420) 내에 위치되나 웨이퍼들(W)이 상부챔버(200) 내로 이동되면 분리판 이동부(440)에 의해 챔버(10) 내로 이동되어 상부챔버(200)과 하부챔버(100)를 분리시킨다.5 is a cross-sectional view showing a modified example of the drying apparatus 1 of FIG. Referring to FIG. 5, the drying apparatus 1 further includes a separator plate 400, a separator plate receiving part 420, and a separator plate moving part 440. A slit-shaped inflow path 146 is formed in the side wall 142 of the outer tub to which the separator plate receiver 420 is coupled. The inflow passage 146 is preferably formed at a position higher than the inner tank 120. A ring-shaped protrusion 148 protruding downward may be formed at an inner edge of the upper surface 143 of the outer tub. The separating plate 400 separates the space provided by the upper chamber 200 and the space provided by the lower chamber 100 when the secondary drying starts. When the separation plates 400 are positioned in the lower chamber 100, the separation plates 400 are positioned in the separation plate receiving unit 420 installed on the outer wall of the chamber 10, but the wafers W are positioned in the upper chamber 200. When moved into the chamber 10 is moved into the chamber 10 by the separating plate moving unit 440 to separate the upper chamber 200 and the lower chamber 100.

분리판(400)은 사각의 평판 형상을 가지며 복수의 홀들(402)이 형성된다. 2차 건조 진행시 상부챔버(200) 내에 유체는 홀(402)을 통해 하부 챔버(100)로 흐르므로, 도 6에 도시된 바와 같이 상부 챔버(200) 내에는 층류(laminar flow)로서 기류가 형성되며, 이는 건조 효율을 향상시킨다.The separator 400 has a rectangular flat plate shape and a plurality of holes 402 are formed. Since the fluid in the upper chamber 200 flows to the lower chamber 100 through the hole 402 during the secondary drying process, as shown in FIG. 6, the airflow in the upper chamber 200 is a laminar flow. Formed, which improves the drying efficiency.

도 7 내지 도 11은 본 발명의 장치를 사용하여 건조 공정이 진행되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이고, 도 12는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 건조 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다. 처음에 웨이퍼(W)가 하부챔버(100) 내 탈이온수에 완전히 담겨진 상태로 배치되며, 세정액 공급관(520)으로부터 탈이온수가 계속적으로 공급되어 내조(120)를 넘쳐 흐르면서 웨이퍼(W)에 부착된 화학물질을 제거하는 린스공정이 수행된다(도 7, 스텝 10). 이후 IPA 증기가 챔버(10) 내부로 공급된다. 챔버(10) 내부의 IPA 증기가 제 1농도(0.1 내지 5㏖%)를 유지하도록 질량유량계(580)에 의해 챔버(10) 내부로 공급되는 IPA 증기의 량은 조절된다(도 8, 스텝 S20). 챔버(10) 내부가 IPA 분위기로 형성되면 웨이퍼들(W)은 2 내지 10mm/sec의 빠른 속도로 탈이온수로부터 벗어나며, 마란고니 효과에 의한 1차건조가 완료된다(도 9, 스텝 S30). 바람직하게는 웨이퍼(W)가 탈이온수로부터 벗어나는 동안 챔버(10) 내부의 IPA 증기는 제 1농도로 유지되도록 IPA 증기는 계속적으로 공급된다.7 to 11 are views sequentially showing the process of the drying process using the apparatus of the present invention, Figure 12 is a flow chart showing a drying method sequentially according to a preferred embodiment of the present invention. Initially, the wafer W is disposed so as to be completely immersed in the deionized water in the lower chamber 100, and the deionized water is continuously supplied from the cleaning liquid supply pipe 520 to flow over the inner tank 120 and attached to the wafer W. A rinse process to remove chemicals is performed (FIG. 7, step 10). IPA vapor is then supplied into chamber 10. The amount of IPA vapor supplied into the chamber 10 by the mass flow meter 580 is adjusted so that the IPA vapor in the chamber 10 maintains the first concentration (0.1 to 5 mol%) (FIG. 8, step S20). ). When the inside of the chamber 10 is formed in an IPA atmosphere, the wafers W are released from deionized water at a high speed of 2 to 10 mm / sec, and the primary drying by the marangoni effect is completed (FIG. 9, step S30). Preferably, the IPA vapor is continuously supplied so that the IPA vapor inside the chamber 10 is maintained at the first concentration while the wafer W is released from the deionized water.

웨이퍼들(W)이 상부챔버(200) 내로 이동되면 분리판(400)이 이동되어 상부챔버(200)와 하부챔버(100)를 분리하고, 2차 건조가 시작된다(도 10, 스텝 S40). 챔버(10) 내부의 IPA 증기가 제 2농도(5 내지 30㏖%)로 유지하도록 질량유량계(580)에 의해 챔버(10) 내부로 공급되는 IPA 증기의 량은 조절된다(도 11, 스텝 S50). 챔버(10) 내에서 IPA 증기가 응축되는 것을 방지하기 위해 히터(700)에 의해 상부챔버(200)가 27℃이상으로 유지되도록 가열된다(스텝 S60).When the wafers W are moved into the upper chamber 200, the separator 400 is moved to separate the upper chamber 200 and the lower chamber 100, and secondary drying starts (FIG. 10, step S40). . The amount of IPA vapor supplied into the chamber 10 by the mass flow meter 580 is adjusted so that the IPA vapor in the chamber 10 is maintained at the second concentration (5 to 30 mol%) (FIG. 11, step S50). ). In order to prevent the IPA vapor from condensing in the chamber 10, the upper chamber 200 is heated by the heater 700 to be maintained at 27 ° C. or higher (step S60).

본 발명에 의하면, 1차적으로 마란고니 원리를 이용하여 웨이퍼를 건조시키고, 2차적으로 웨이퍼에 부착된 탈이온수를 IPA 증기로 치환하여 웨이퍼를 건조시키므로, 일반적인 마란고니 건조기에서 건조 불량이 발생된 고종횡비를 가지는 패 턴이 형성된 부분의 탈이온수를 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the wafer is first dried by using the Marangoni principle, and secondly, deionized water attached to the wafer is replaced with IPA vapor to dry the wafer. There is an effect that can effectively remove the deionized water of the pattern portion having the aspect ratio.

또한, 본 발명에 의하면, 건조공정 진행시 챔버 내의 IPA 증기의 농도에 따라 히터에 의해 챔버의 온도 조절이 가능하므로, IPA 증기가 응축되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the temperature of the chamber can be adjusted by the heater according to the concentration of the IPA vapor in the chamber during the drying process, there is an effect that can prevent the condensation of the IPA vapor.

또한, 본 발명에 의하면, 상부챔버 내에서 웨이퍼가 2차 건조될 때, 분리판의 홀을 통해 상부챔버 내의 유체가 아래로 흐르므로, 상부챔버 내에서 기류가 층류로 형성되어 건조효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when the wafer is secondly dried in the upper chamber, since the fluid in the upper chamber flows down through the holes of the separator plate, airflow is formed in the upper chamber as laminar flow to improve drying efficiency. It can be effective.

Claims (12)

반도체 기판을 건조하는 방법에 있어서,In the method of drying a semiconductor substrate, 챔버 내에 채워진 세정액 내에 반도체 기판이 잠겨진 상태에서 건조용 유체가 상기 챔버 내에서 제 1농도로 유지되도록 상기 챔버 내로 분사되는 단계와;Spraying a drying fluid into the chamber such that a drying fluid is maintained at a first concentration in the chamber while the semiconductor substrate is immersed in the cleaning liquid filled in the chamber; 상기 반도체 기판이 상기 세정액의 표면으로부터 점진적으로 벗어나는 단계와;The semiconductor substrate is gradually deviated from the surface of the cleaning liquid; 상기 반도체 기판이 상기 세정액으로부터 완전히 벗어나면, 상기 건조용 유체가 상기 챔버 내에서 제 2농도로 유지되도록 상기 챔버 내로 공급되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건조 방법.And when the semiconductor substrate is completely out of the cleaning liquid, the drying fluid is supplied into the chamber such that the drying fluid is maintained at a second concentration in the chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방법은 상기 반도체 기판이 상기 세정액으로부터 완전히 벗어나면, 상기 세정액이 채워진 공간과 상기 반도체 기판이 위치되는 공간을 분리하기 위해 복수의 홀들이 형성된 분리막이 이동되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건조 방법.The method further comprises the step of moving the separator formed with a plurality of holes to separate the space filled with the cleaning liquid and the space in which the semiconductor substrate is located when the semiconductor substrate is completely removed from the cleaning liquid. Way. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 방법은 상기 공정 진행시 상기 건조용 유체가 상기 반도체 기판의 표면에서 응축되는 것을 방지하기 위해 상기 챔버 내부 온도를 조절하는 단계를 더 포 함하는 것을 특징으로 하는 건조 방법.And the method further comprises adjusting the internal temperature of the chamber to prevent the drying fluid from condensing on the surface of the semiconductor substrate during the process. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 건조용 유체는 상기 세정액에 용해되는 알콜 또는 에테르의 단일물이거나 혼합물인 것을 특징으로 하는 건조 방법.And said drying fluid is a single or a mixture of alcohols or ethers dissolved in said cleaning liquid. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 알코올은 이소프로필 알코올이고,The alcohol is isopropyl alcohol, 상기 제 1농도는 0.1 내지 5 ㏖%이고,The first concentration is 0.1 to 5 mol%, 상기 챔버의 온도는 약 20℃인 것을 특징으로 하는 건조 방법.And the temperature of said chamber is about 20 ° C. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 알코올은 이소프로필 알코올이고,The alcohol is isopropyl alcohol, 상기 제 2농도는 5 내지 30㏖%이고,The second concentration is 5 to 30 mol%, 상기 챔버의 온도는 27℃ 이상으로 유지되는 것을 특징으로 하는 건조 방법.Drying method characterized in that the temperature of the chamber is maintained at 27 ℃ or more. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반도체 기판이 상기 세정액의 표면으로부터 벗어나는 속도는 2 내지 10mm/sec인 것을 특징으로 하는 건조 방법.And the speed at which the semiconductor substrate deviates from the surface of the cleaning liquid is 2 to 10 mm / sec. 반도체 기판을 건조하는 방법에 있어서,In the method of drying a semiconductor substrate, 챔버 내 반도체 기판이 잠긴 세정액의 상부로 건조용 유체를 제 1농도로 공급하여 마란고니 원리에 의해 상기 반도체 기판을 1차 건조하고, 이후에 상기 반도체 기판이 상기 세정액으로부터 벗어나면 상기 반도체 기판으로 상기 건조용 유체를 제 2농도로 공급하여 상기 반도체 기판 상의 세정액을 상기 건조용 유체로 치환하여 상기 반도체 기판을 2차 건조하되, 상기 챔버 내에서 건조용 유체가 응축되는 것을 방지하기 위해 상기 1차 건조가 이루어지는 동안 상기 챔버의 온도와 상기 2차 건조가 이루어지는 동안 상기 챔버의 온도는 서로 상이하도록 조절되는 것을 특징으로 하는 건조 방법.The drying liquid is first supplied to the upper portion of the cleaning liquid in which the semiconductor substrate in the chamber is immersed in the first concentration, and the semiconductor substrate is first dried by the Marangoni principle. Supplying a drying fluid to a second concentration to replace the cleaning liquid on the semiconductor substrate with the drying fluid to dry the semiconductor substrate second, the primary drying to prevent condensation of the drying fluid in the chamber And the temperature of the chamber is controlled to be different from each other during the secondary drying. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 2농도는 상기 제 1농도보다 고농도이고, 상기 2차 건조가 이루어지는 동안 상기 챔버의 온도는 상기 1차 건조가 이루어지는 동안 상기 챔버의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 건조 방법. And the second concentration is higher than the first concentration, and wherein the temperature of the chamber is higher than the temperature of the chamber during the primary drying. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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