KR100628987B1 - 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 발광소자 패키지 구조체는 제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과, 발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와, 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 보조지지편 각각으로부터 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와, 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 보조리드와 나란하게 보조지지편으로부터 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드를 구비하고, 방열부, 보조 지지편, 보조리드 및 메인 리드는 도전성이면서 열전도 성능이 높은 금속소재로 일체로 형성된다. 이러한 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법에 의하면, 주변부 보다 중앙부분의 두께가 두꺼운 방열부를 갖는 금속 판재를 천공 및 절곡에 의해 결선용 리드를 방열부와 일체로 형성한 후 몰딩 및 커팅과정을 거쳐 형성하면 되기 때문에 제조가 용이한 장점을 제공한다.

Description

발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법{package structure of light emitting diode and method of manufacturing thereof}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 구조체를 나타내 보인 사시도이고,
도 2는 도 1의 발광소자 패키지 구조체를 형성하기 위한 베이스 프레임을 나타내 보인 사시도이고,
도 3은 도 2의 베이스 프레임을 1차 가공한 결과를 나타내 보인 평면도이고,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 몰딩캡이 적용된 발광소자를 나타내 보인 사시도이고,
도 5는 본 발명에 따른 패키지 구조체에 발광다이오드칩이 실장된 상태를 나타내 보인 사시도이고,
도 6은 도 1의 패키지 구조체에 몰딩캡을 형성한 후 리드를 커팅 처리한 후의 상태를 나타내 보인 사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110: 방열부 121a, 121b: 보조 지지편
131a, 131b: 메인 리드 141a 141b: 보조 리드
본 발명은 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 제조가 용이하면서도 대면적의 방열구조를 갖는 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근 발광다이오드(LED;Light Emitting Diode)는 형광체를 적용하여 백색광을 생성하여 출사할 수 있는 구조가 알려지면서 단순 발광표시 기능 이외에 기존의 조명등을 대체할 수 있는 조명분야까지 그 응용범위가 확장되고 있다. 또한, 조명에 적합한 고출력용 발광다이오드에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.
반도체 소자의 하나인 발광다이오드는 정격 동작온도보다 온도가 올라가면 수명이 감소되고 발광효율이 저하되기 때문에 발광다이오드의 출력을 높이기 위해서는 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출시켜 가능한 낮은 동작 온도에서 작동될 수 있는 방열 구조가 요구된다.
그런데, 종래의 발광다이오드는 판형 리드프레임에 발광다이오드 칩을 실장한 구조로 되어 있어 리드프레임을 통해 방열이 이루지기 때문에 방열능력이 낮아 고출력용 발광다이오드에 적용하기 어렵다.
이러한 문제점을 개선할 수 있도록 대면적 방열판을 갖는 발광소자 패키지 구조체가 다양하게 제안되고 있으나, 대부분 발광다이오드 칩을 실장하기 위한 방 열판과 리드프레임을 이체로 형성한 후 상호 결합하는 구조로 되어 있어 제조가 복잡한 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 제작과정이 단순하면서도 방열효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체는 제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과; 발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 상기 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 상기 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와; 상기 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 상기 보조지지편 각각으로부터 상기 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와; 상기 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 상기 보조리드와 나란하게 상기 보조지지편으로부터 상기 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드;를 구비하고, 상기 방열부, 상기 보조 지지편, 상기 보조리드 및 상기 메인 리드는 도전성이면서 열전도 성능이 높은 금속소재로 일체로 형성된다.
바람직하게는 상기 방열부의 저면과 상기 보조지지편의 저면은 상호 나란하게 되어 있고, 상기 제2절곡부분은 상기 보조 지지편으로부터 상기 방열부를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부 분 및 상기 수직부분의 상단에서 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖는 구조로 형성된다.
또한, 상기 방열부의 상면 중앙에는 상기 발광다이오드 칩을 안착하기 위한 것으로 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 형성된 칩안착부;를 더 구비한다.
더욱 바람직하게는 상기 방열부를 중심으로 상기 보조리드 및 상기 메인리드의 일부가 포함되되 상기 방열부의 저면, 상기 메인 리드의 제2수평부분의 상면, 상기 칩안착부 및 상기 제1수평부분의 저면이 노출되게 몰딩하여 형성된 몰딩캡;을 더 구비한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임의 상기 베이스부분을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 방열부와 상기 메인 리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;와 상기 몰딩캡으로부터 외부로 연장된 상기 메인리드와 상기 보조리드를 커팅하는 단계;를 더 포함한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계; 상기 방열부와 상기 메인 리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계와; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면 발광소자의 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공 하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계와; 상기 방열부를 중심으로 상기 메인리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되게 투명소재로 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법을 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 구조체를 나타내 보인 사시도이다.
도면을 참조하면, 발광소자 패키지 구조체(100)는 방열부(110), 보조 지지편(121a)(121b), 메인 리드(131a)(131b), 보조 리드(141a)(141b)를 갖는 구조로 되어 있다.
방열부(110)는 대략 사각 형태로 형성되어 있고 상면 중앙에 하부로 진행할 수록 내경이 좁아지게 형성된 칩안착부(111)가 형성되어 있다. 칩안착부(111)는 발광다이오드 칩 실장용이다.
방열부(110)의 두께는 보조 지지편(121a)(121b)의 두께 보다 두껍되 적용하고자 하는 발광다이오드칩의 방열용량을 고려하여 결정하면 된다.
보조 지지편(121a)(121b)은 방열부(110)보다 두께가 얇게 제1두께로 형성되어 있다.
제1 및 제2 보조 지지편(121a)(121b)은 방열부(110)를 중심으로 좌 우측에서 각각 일정거리 이격되어 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 지지하는 기능을 하며 후술 되는 몰딩캡(310) 형성 이후에는 메인 리드(131a)(131b) 및 보조 리드(141a)(141b)의 일부와 함께 제거되는 부분이다.
보조 리드(141a)(141b)는 보조 지지편(121a)(121b)과 동일한 두께로 되어 있고, 보조 지지편(121a)(121b) 각각과 방열부(110) 사이에 띠 형태로 연결되어 있다.
보조 리드(141a)(141b)는 중간에 상방으로 일정 높이 절곡된 제1절곡부분(142)이 형성되어 있다.
보조리드(141)의 제1절곡부분(142)은 메인 리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134)과 방열부(110)와의 간격 조정 기능을 한다.
메인 리드(131a)(131b)는 보조 지지편(121a)(121b)과 동일 두께로 형성되어 있다.
메인 리드(131a)(141b)는 보조 리드(141a)(141b)와 이격되되 보조지지편 (121a)(121b)으로부터 방열부(110)를 향해 연장된 부분에 절곡처리된 제2절곡부분을 갖는다.
제2절곡부분은 각 보조 지지편(121a)(121b)으로부터 방열부(110)를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분(132)의 종단에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부분(133) 및 수직부분(133)의 상단에서 방열부(110)를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분(134)을 갖는 구조로 되어 있다.
여기서 제2수평부분(134)의 상면은 와이어 본딩용으로 이용되고, 제1수평부분(132) 또는 저면은 외부와의 결선용으로 이용된다.
이러한 구조의 패키지 구조체(100)는 반사율이 높은 소재로 코팅처리된 것이 바람직하다. 바람직하게는 1차로 니켈(Ni)로 코딩하고, 그 위에 2차로 은(Ag)으로 코팅한 멀티 코팅층이 적용된다.
이하에서는 상기 패키지 구조체(100)의 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같은 형상의 베이스 프레임(101)을 이용한다.
베이스 프레임(101)을 구분하면 제1두께로 형성된 베이스부분(120)과 베이스부분(120)의 중앙에 베이스 부분(120) 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부(110)를 갖는다.
이러한 모자형태의 구조로 된 베이스 프레임(101)은 압연, 전조 또는 압출 성형한 것을 이용하면 된다.
또한, 베이스 프레임(101)은 열전도율이 높고 전기 전도성이 좋은 소재로 형성하면 되고 일 예로서 구리 또는 구리합금소재로 된 것을 적용한다.
다음은 베이스 프레임(101)을 앞서 설명된 보조지지편(121a)(121b), 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 형성하기 위해 도 2에 도시된 바와 같이 천공처리한다. 즉, 베이스 프레임(101)에 보조 리드 형성용 장공(103) 및 메인 리드 분리용 홀(104)이 형성되게 천공한다. 또한 방열부(110)의 중앙에 칩안착부(111)를 형성한다.
또한, 도시되지는 않았지만, 메인 리드(131a)(131b)와 보조 리드(141a)(141b)의 몰딩캡 형성 이후 커팅해야 할 부분의 커팅 용이성을 위해 천공 과정에서 절단가이드 홈을 형성시킬 수 있음은 물론이다.
그리고 나서, 천공된 도 3의 베이스 프레임(101)을 도 1에 도시된 바와 같은 구조가 되게 보조 리드(141a)(141b)와 메인 리드(131a)(131b)를 절곡한다. 즉, 보조 리드(141a)(141b)들은 방열부(110)의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정길이 절곡시킨다. 또한, 메인 리드(131a)(131b)의 방열부(110)와 인접된 종단 부분을 상방으로 연장된 제1수직부분(133)과, 수직부분(133) 상단에서 방열부(110)를 향해 수평방향으로 연장된 제2수평부분(134)을 갖게 절곡한다. 여기서 보조 리드(141a)(141b)의 제1절곡부분(142)의 높이는 방열부(110)의 상면 이하 또는 이상으로 적절하게 형성하면 된다.
다음으로는 칩안착부(111)에 실장될 발광다이오드칩으로부터 출사되는 빛의 내측면에서의 반사율을 높이고 와이어 본딩성을 향상시키기 위해 도금처리한다. 도금처리영역은 적어도 칩안착부(111), 메인리드(131a)(131b)가 포함되게 하면 되고, 작업성을 고려할 때 전체를 도금처리하여도 된다.
바람직하게는 1차로 니켈(Ni) 도금처리하고, 2차로 은(Ag) 도금처리한다. 또 다르게는 니켈 또는 은으로만 코팅할 수 있음은 물론이다.
이러한 패키지 구조체(100)에 대해 발광다이오드칩을 실장 한 후 또는 발광다이오드 칩 실장 이전에 도 1에서 점선으로 표기된 영역을 수지로 몰딩하여 몰딩캡(310)을 형성한 후 몰딩캡(310)으로부터 외부로 노출된 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 적절한 길이로 커팅하면 발광소자의 제작이 완료된다.
이를 더욱 상세하게 설명하면, 먼저, 제1방식에 따라 칩안착부(111)에 발광다이오드칩(미도시)을 실장하고, 제2수평부분(134)과 발광다이오드칩을 와이어 본딩한 다음 도 1에서 일점쇄선으로 표기된 부분이 외곽 라인이 되게 투명수지로 몰딩한 후 메인 리드(131a)(131b)와 보조리드(141a)(141b)의 일부를 절단하면 된다.
이때 몰딩에 의해 형성하는 몰딩캡(310)은 상면이 평평한 구조로 할 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이 칩안착부(111)와 대응되는 상방이 주변보다 볼록하게 돌출된 렌즈부(332)를 갖는 구조로 몰딩캡(330)을 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 몰딩캡(310)(330)은 메인 리드(131a)(131b) 및 방열부(110)의 저면이 외부로 노출되게 베이스 부분(120)의 상면에 해당하는 위치에서부터 방열부(110)보다 일정 길이 높게 형성하는 것이 바람직하다. 도시된 예에서는 보조 리드(141a)(141b)가 몰딩캡(330)으로부터 돌출되게 절단한 구조가 예시되었으나 몰딩캡(330)으로부터 돌출되지 않게 커팅 하여도 됨은 물론이다.
한편, 백색 발광다이오드칩이 적용되는 경우 발광다이오드칩을 실장하고 와이어 본딩한 다음 발광다이오드 칩을 에워싸도록 형광체를 도포한 후 투명수지로 몰딩캡(310)(330)을 형성하는 과정을 수행하면 된다.
이와는 다르게, 제2방식으로서 도 5에 도시된 바와 같이 메인리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134)과 칩안착부(111)를 포함하는 부분이 노출되게 수지로 몰딩하여 인입홈(342)을 갖는 몰딩캡(340)을 형성하고, 칩안착부(111)에 발광다이오드칩(400)을 실장하고 메인 리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134) 각각과 발광다이오드칩(400) 상호간을 와이어로 본딩 한다. 이 경우 몰딩캡(340)은 표면에서의 반사율을 높일 수 있게 백색 수지로 형성하는 것이 바람직하다.
몰딩캡(340) 형성 이후에는 발광다이오드칩(400)이 외부에 대해 밀폐되게 몰딩캡(340)의 인입홈을 투명소재로 충진하여 밀폐시키거나, 앞서 설명된 바와 같이 렌즈 모양을 갖도록 보조캡(미도시)을 형성하면 된다. 이때 보조캡 형성 이전 또는 이후에 메인 리드(131a)(131b) 및 보조리드(141a)(141b)를 절단하면 된다.
한편, 백색 발광다이오드칩이 적용되는 경우 발광다이오드칩을 실장하고 와이어 본딩한 다음 발광다이오드 칩을 에워싸도록 형광체를 도포한 후 투명수지로 충진시켜 보조캡을 형성하는 과정을 수행하면 된다.
참조부호 345는 극성 안내 예를 들면 제1메인리드(131a)와 제2메인리드(131b)가 각각 어느 극성인지를 안내하기 위한 표식용 모따기 부분이다.
한편, 앞서 설명된 방식과 다르게 몰딩캡(340) 형성 이후에 도 6에 도시된 바와 같이 메인리드(131a)(131b)와 보조리드(141a)(141b)를 먼저 절단한 후 앞서 설명된 칩마운팅 및 보조캡 형성과정을 수행해도 된다.
지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법에 의하면, 주변부 보다 중앙부분의 두께가 두꺼운 방열부를 갖는 금속 판재를 천공 및 절곡에 의해 결선용 리드를 방열부와 일체로 형성한 후 몰딩 및 커팅과정을 거쳐 형성하면 되기 때문에 제조가 용이한 장점을 제공한다.

Claims (10)

  1. 제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과;
    발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 상기 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 상기 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와;
    상기 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 상기 보조지지편 각각으로부터 상기 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와;
    상기 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 상기 보조리드와 나란하게 상기 보조지지편으로부터 상기 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드;를 구비하고,
    상기 방열부, 상기 보조 지지편, 상기 보조리드 및 상기 메인 리드는 도전성 금속소재로 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방열부의 저면과 상기 보조지지편의 저면은 상호 나란하게 되어 있고,
    상기 제2절곡부분은 상기 보조 지지편으로부터 상기 방열부를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부분 및 상기 수직부분의 상단에서 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 방열부의 상면 중앙에는 상기 발광다이오드 칩을 안착하기 위한 것으로 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 형성된 칩안착부;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 방열부를 중심으로 상기 보조리드 및 상기 메인리드의 일부가 포함되되 상기 방열부의 저면, 상기 메인 리드의 제2수평부분의 상면, 상기 칩안착부 및 상기 제1수평부분의 저면이 노출되게 몰딩하여 형성된 몰딩캡;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.
  5. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임의 상기 베이스부분을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 형성하는 단계와;
    상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 방열부의 중앙에는 상면으로부터 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 칩안착부를 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 방열부와 상기 메인 리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 몰딩캡으로부터 외부로 연장된 상기 메인리드와 상기 보조리드를 커팅하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.
  9. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와;
    상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;
    상기 방열부와 상기 메인 리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계와;
    상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
  10. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와;
    상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절 곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;
    상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계와;
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