KR100627333B1 - An organic electro-luminescence light emitting cell, and a manufacturing method therof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고해상도 및 대형화되는 유기 EL 발광표시 장치에 적용할 수 있는 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 EL 발광셀은, 절연 기판; 상기 절연 기판 상에 형성되며, 각각 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역으로 분리되는 다결정 규소층; 상기 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역의 다결정 규소층 상에 형성되어 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 게이트 배선을 포함하되, 상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층은 불순물이 주입된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 유기 EL 발광셀 내의 커패시터를 불순물이 주입된 박막의 다결정 규소층으로 형성함으로써, 발광표시 장치인 유기 EL 발광표시 장치의 대형화에 따른 두께 감소 및 고해상도 디스플레이를 실현할 수 있다.The present invention relates to an organic EL light emitting cell that can be applied to an organic EL light emitting display device having a high resolution and a large size, and a manufacturing method thereof. An organic EL light emitting cell according to the present invention, the insulating substrate; A polycrystalline silicon layer formed on the insulating substrate and separated into a transistor region and a capacitor region, respectively; A gate insulating film formed on the polycrystalline silicon layer in the transistor region and the capacitor region; And a gate wiring formed on the gate insulating layer, wherein the polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region is implanted with impurities. According to the present invention, by forming a capacitor in an organic EL light emitting cell with a polycrystalline silicon layer of a thin film implanted with impurities, it is possible to realize a thickness reduction and a high resolution display according to the enlargement of an organic EL light emitting display device which is a light emitting display device.

유기 EL, 발광표시, 트랜지스터, 커패시터, 고해상도, 대형화Organic EL, light emitting display, transistor, capacitor, high resolution, large size

Description

유기 이엘 발광셀 및 그 제조 방법 {An organic electro-luminescence light emitting cell, and a manufacturing method therof}An organic electroluminescent light emitting cell, and a manufacturing method therof}

도 1a 및 도 1b는 각각 유기 EL의 발광 원리 및 유기 EL 발광셀을 나타내는 도면이다.1A and 1B are diagrams showing the light emission principle and organic EL light emitting cells of organic EL, respectively.

도 2는 유기 EL 표시 장치의 개략적인 블록 구성도이다.2 is a schematic block diagram of an organic EL display device.

도 3은 TFT를 이용한 능동 구동방식을 사용하는 일반적인 유기 EL 표시 패널을 나타내는 도면이다.3 is a diagram showing a general organic EL display panel using an active driving method using a TFT.

도 4는 도 3의 표시 패널의 N×M 개의 화소회로 중 하나를 대표적으로 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram representatively showing one of N × M pixel circuits of the display panel of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating an organic EL light emitting cell according to an embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6n은 각각 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀을 제조하는 공정을 나타내는 도면이다.6A to 6N are diagrams illustrating a process of manufacturing an organic EL light emitting cell according to an embodiment of the present invention, respectively.

본 발명은 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로, 고해상도 및 대형화되는 유기 EL 발광표시 장치에 적용할 수 있는 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL light emitting cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic EL light emitting cell and a method of manufacturing the same which can be applied to an organic EL light emitting display device having a high resolution and a large size.

유기 EL(organic electro-luminescence) 표시 장치는 전류가 흐를 경우에 빛을 내는 유기 물질을 화소별로 분리하여 매트릭스 모양으로 배치해 놓고, 이들 유기 물질에 흘리는 전류량을 조절함으로써 화상을 표시하는 장치이다. 이러한 유기 EL 표시 장치는 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속 응답 등의 장점으로 인하여 차세대 표시 장치로 기대되고 있다.An organic electroluminescence (EL) display device is a device for displaying an image by controlling an amount of current flowing through these organic materials by dividing an organic material emitting light when the current flows into pixels in a matrix form. Such an organic EL display device is expected to be a next generation display device due to advantages such as low voltage driving, light weight, wide viewing angle, and high speed response.

도 1a 및 도 1b는 각각 유기 EL의 발광 원리 및 유기 EL 발광셀을 나타내는 도면이다.1A and 1B are diagrams showing the light emission principle and organic EL light emitting cells of organic EL, respectively.

일반적으로, 유기 EL 표시장치는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시장치로서, N×M 개의 유기 발광셀들을 전압구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀 구조는 도 1a에 도시된 바와 같이, ITO(Indium Tin Oxide) 화소전극, 유기박막 및 금속 레이어의 구조를 가지고 있으며, 상기 유기박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(Emitting Layer: EML), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL) 및, 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자주입층(Electron Injecting Layer: EIL)과 정공주입층(Hole Injecting Layer: HIL)을 포함할 수 있다. 또한, 도 1b에 도시된 바와 같이, 전면(Top) 발광형의 유기 EL 발광셀의 경우, 실리콘웨이퍼 상에 금속 애노드, 유기박막 방출층 및 투명 캐소드가 형성되는 구조를 가질 수 있다.In general, an organic EL display device is a display device for electrically exciting a fluorescent organic compound to emit light, and is capable of displaying an image by driving voltage or current by driving N × M organic light emitting cells. As shown in FIG. 1A, the organic light emitting cell structure has a structure of an indium tin oxide (ITO) pixel electrode, an organic thin film, and a metal layer, and the organic thin film has a good balance between electrons and holes to improve light emission efficiency. In order to achieve this, a multi-layered structure including an emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) is formed, and a separate electron injection layer (EIL) is used. ) And a hole injecting layer (HIL). In addition, as shown in FIG. 1B, in the case of a top emission type organic EL light emitting cell, a metal anode, an organic thin film emission layer, and a transparent cathode may be formed on a silicon wafer.

이와 같이 이루어지는 유기 발광셀을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 TFT를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 상기 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동방식은 TFT와 커패시터를 각각의 화소 전극에 접속하여 커패시터 용량에 의해 전압을 유지하도록 하는 구동 방식이다.As such a method of driving the organic light emitting cell, there are a simple matrix method and an active matrix method using a TFT. In the simple matrix method, the anode and the cathode are orthogonal and the line is selected and driven, whereas the active driving method is a driving method in which a TFT and a capacitor are connected to respective pixel electrodes to maintain a voltage by capacitor capacitance.

도 2는 유기 EL 표시 장치의 개략적인 블록 구성도이다.2 is a schematic block diagram of an organic EL display device.

도 2를 참조하면, 유기 EL 표시 장치는 비디오 제어부(210), 패널 제어부(220), 전원 모듈(230), 주사 구동부(240), 데이터 구동부(250) 및 유기 EL 패널(260)로 이루어질 수 있는데, 아날로그 인터페이스 및 디지털 인터페이스를 거친 여러 신호들이 각각 주사 구동부(240) 및 데이터 구동부(250)에 의해 상기 유기 EL 패널(260)에 각각 행(Column)과 열(Row) 방향으로 제공된다.Referring to FIG. 2, an organic EL display device may include a video controller 210, a panel controller 220, a power module 230, a scan driver 240, a data driver 250, and an organic EL panel 260. In this case, various signals passing through the analog interface and the digital interface are provided to the organic EL panel 260 in the column and row directions by the scan driver 240 and the data driver 250, respectively.

구체적으로, R, G, B 신호 및 동기신호 등의 여러 아날로그 신호들이 상기 비디오 제어부(210)에 입력된 후에 디지털 신호로 변환되고, 상기 패널 제어부(220)는 이들을 제어하여 순차적으로 주사 구동부(240) 및 데이터 구동부(250)에 제공하게 되며, 상기 유기 EL 패널(260)은 이들 주사 구동부(240) 및 데이터 구동부(250)에 의해 제공되는 신호들, 그리고 전원 모듈(230)에 의해 제공되는 전원에 의해 N×M 개의 유기 발광셀을 전압구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현하게 된다. Specifically, various analog signals such as R, G, B signals, and synchronization signals are input to the video controller 210 and then converted into digital signals, and the panel controller 220 controls them to sequentially scan the driver 240. ) And the data driver 250, the organic EL panel 260 may provide signals provided by the scan driver 240 and the data driver 250, and a power supply provided by the power supply module 230. Thus, the N × M organic light emitting cells are driven by voltage driving or current driving to express an image.

한편, 도 3은 TFT 박막 트랜지스터를 이용한 능동 구동방식을 사용하는 일반적인 유기 EL 표시 패널을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a general organic EL display panel using an active driving method using a TFT thin film transistor.

도 3을 참조하면, 유기 EL 표시장치는 유기 EL 표시패널(310), 데이터 구동 부(320), 및 주사 구동부(330)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the organic EL display device includes an organic EL display panel 310, a data driver 320, and a scan driver 330.

상기 유기 EL 표시패널(310)은 열 방향으로 뻗어 있는 m개의 데이터선(D1, D2, …, Dm), 행 방향으로 뻗어 있는 n개의 주사선(S1, S2, …, Sn), 및 N×M 개의 화소회로를 포함한다. 상기 m개의 데이터선(D1, D2, …, Dm)은 화상 신호를 나타내는 데이터 신호를 화소회로로 전달하며, n개의 주사선(S1, S2, …, Sn)은 선택 신호를 각각 화소회로로 전달한다. 여기서, 화소회로는 이웃한 두 데이터선(D1, D2, …, Dm)과 이웃한 두 주사선(S1, S2, …, Sn)에 의해 정의되는 1개의 화소 영역(310-1)에 형성되며, 예를 들어, 트랜지스터(311, 312), 커패시터(313) 및 유기 EL 소자(314)로 이루어지게 된다. 여기서, 도면부호 315는 전원 전압인 VDD를 나타낸다.The organic EL display panel 310 includes m data lines D1, D2, ..., Dm extending in the column direction, n scan lines S1, S2, ..., Sn extending in the row direction, and N x M Pixel circuits. The m data lines D1, D2, ..., Dm transfer data signals representing an image signal to the pixel circuits, and the n scan lines S1, S2, ..., Sn transfer respective selection signals to the pixel circuits. . Here, the pixel circuit is formed in one pixel region 310-1 defined by two neighboring data lines D1, D2,..., And Dm and two neighboring scan lines S1, S2,..., Sn. For example, the transistors 311 and 312, the capacitor 313, and the organic EL element 314 are formed. Here, reference numeral 315 denotes V DD which is a power supply voltage.

상기 주사 구동부(330)는 n개의 주사선(S1, S2, …, Sn)에 각각 선택 신호를 순차적으로 인가하며, 데이터 구동부(320)는 m개의 데이터선(D1, D2, …, Dm)에 화상 신호에 대응되는 데이터 전압을 인가한다.The scan driver 330 sequentially applies a selection signal to the n scan lines S1, S2,..., And Sn, and the data driver 320 images an image on m data lines D1, D2,..., And Dm. The data voltage corresponding to the signal is applied.

또한, 상기 주사 구동부(330) 및/또는 데이터 구동부(320)는 유기 EL 표시패널(310)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 또는 상기 유기 EL 표시패널(310)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package: TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 또는 표시 패널(310)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit: FPC) 또는 필름(film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있다.In addition, the scan driver 330 and / or the data driver 320 may be electrically connected to the organic EL display panel 310, or a tape carrier adhered to and electrically connected to the organic EL display panel 310. The package may be mounted in a chip carrier package (TCP). Alternatively, the display panel 310 may be mounted in a flexible printed circuit (FPC) or a film that is adhered to and electrically connected to the display panel 310 in the form of a chip.

한편, 상기 주사 구동부(330) 및/또는 데이터 구동부(320)는 상기 유기 EL 표시패널(310)의 유리 기판 위에 직접 장착될 수도 있으며, 또는 유리 기판 위에 주사선, 데이터선 및 박막 트랜지스터와 동일한 층들로 형성되어 있는 구동 회로와 대체될 수도 있고, 직접 장착될 수도 있다.The scan driver 330 and / or the data driver 320 may be directly mounted on the glass substrate of the organic EL display panel 310, or may be formed of the same layers as the scan line, the data line, and the thin film transistor on the glass substrate. It may be replaced with the driving circuit formed or may be directly mounted.

도 4는 도 3의 표시 패널의 N×M 개의 화소회로 중 하나를 대표적으로 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram representatively showing one of N × M pixel circuits of the display panel of FIG. 3.

도 4에 나타낸 바와 같이, 화소 회로는 유기 EL 소자(OLED), 2개의 트랜지스터(SM, DM) 및 커패시터(Cst)를 포함한다. 예를 들어, 상기 2개의 트랜지스터들(SM, DM)은 PMOS형 트랜지스터로 형성될 수 있다.As shown in Fig. 4, the pixel circuit includes an organic EL element OLED, two transistors SM and DM and a capacitor Cst. For example, the two transistors SM and DM may be formed as PMOS transistors.

상기 구동 트랜지스터(DM)는 전원 전압(Vdd)에 소스가 연결되고, 게이트와 소스 사이에 커패시터(Cst)가 연결되어 있다. 상기 커패시터(Cst)는 상기 구동 트랜지스터(DM)의 게이트-소스 전압을 일정 기간 유지하며, 스위칭 트랜지스터(SM)는 현재 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압을 트랜지스터(DM)로 전달한다.The driving transistor DM has a source connected to the power supply voltage Vdd, and a capacitor Cst connected between the gate and the source. The capacitor Cst maintains the gate-source voltage of the driving transistor DM for a period of time, and the switching transistor SM has a data voltage from the data line Dm in response to a selection signal from the current scan line Sn. Is transferred to the transistor DM.

상기 유기 EL 소자(OLED)는 캐소드가 기준 전압(Vss)에 연결되며, 구동 트랜지스터(DM)를 통하여 인가되는 전류에 대응하는 빛을 발광한다. 여기서, 유기 EL 소자(OLED)의 캐소드에 연결되는 전원(Vss)은 전원(Vdd)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압 등이 사용될 수 있다.The organic EL element OLED has a cathode connected to a reference voltage Vss and emits light corresponding to a current applied through the driving transistor DM. Here, the power source Vss connected to the cathode of the organic EL element OLED is a voltage having a lower level than the power source Vdd, and a ground voltage or the like may be used.

그런데, 종래의 유기 EL 발광셀의 제조 시에 금속전극의 커패시터를 트랜지스터와 함께 형성하였고, 최근 유기 EL 발광표시 장치의 대형화 및 고해상도 추세 에 따라 유기 EL 발광셀의 두께를 보다 박막으로 제조할 필요성이 대두되고 있다.However, in the manufacture of the conventional organic EL light emitting cell, the capacitor of the metal electrode was formed together with the transistor, and according to the recent trend of larger size and higher resolution of the organic EL light emitting display device, it is necessary to manufacture a thinner thickness of the organic EL light emitting cell. It is emerging.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 유기 EL 발광표시 장치의 대형화에 대처할 수 있고, 고해상도 디스플레이가 가능한 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to provide an organic EL light emitting cell capable of coping with an enlargement of an organic EL light emitting display device and capable of high resolution display and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명에 따른 유기 EL 발광셀은,As a means for achieving the above object, the organic EL light emitting cell according to the present invention,

절연 기판;Insulating substrate;

상기 절연 기판 상에 형성되며, 각각 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역으로 분리되는 다결정 규소층;A polycrystalline silicon layer formed on the insulating substrate and separated into a transistor region and a capacitor region, respectively;

상기 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역의 다결정 규소층 상에 형성되어 있는 게이트 절연막; 및A gate insulating film formed on the polycrystalline silicon layer in the transistor region and the capacitor region; And

상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 게이트 배선A gate wiring formed on the gate insulating film

을 포함하되,Including,

상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층은 불순물이 주입된 것을 특징으로 한다.The polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region is characterized in that the impurity is implanted.

여기서, 상기 불순물은 P+ 고농도 불순물인 것이 바람직하다.Herein, the impurities are preferably P + high concentration impurities.

여기서, 상기 다결정 규소층 및 게이트 배선이 각각 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극이 되며, 상기 제1 전극의 다결정 규소층은 상기 제2 전극의 게이트 배선의 두께보다 얇은 것을 특징으로 한다.Here, the polycrystalline silicon layer and the gate wiring become first and second electrodes of the capacitor, respectively, and the polycrystalline silicon layer of the first electrode is thinner than the thickness of the gate wiring of the second electrode.

여기서, 상기 커패시터 영역의 게이트 절연막은 유전체로 이루어진 것을 특징으로 한다.Here, the gate insulating film of the capacitor region is characterized in that made of a dielectric.

여기서, 상기 커패시터 영역에 주입된 불순물과 다른 불순물이 상기 트랜지스터영역의 소스/드레인 영역에 주입된 것을 특징으로 하며, 서로 다른 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.The impurity implanted in the capacitor region and the other impurity are implanted in the source / drain region of the transistor region, and have different concentrations.

여기서, 상기 다결정 규소층은 상기 절연 기판 상에 형성된 비정질 규소층을 레이저 열처리하여 변환시킨 것을 특징으로 한다.Here, the polycrystalline silicon layer is characterized by converting the amorphous silicon layer formed on the insulating substrate by laser heat treatment.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법은,On the other hand, as another means for achieving the above object, the organic EL light emitting cell and the manufacturing method according to the present invention,

a) 절연층 상에 비정질 규소층을 증착한 후 다결정 규소층으로 변환하는 단계;a) depositing an amorphous silicon layer on the insulating layer and converting it to a polycrystalline silicon layer;

b) 상기 다결정 규소층을 트랜지스터 영역과 커패시터 영역으로 분리하는 단계;b) separating the polycrystalline silicon layer into a transistor region and a capacitor region;

c) 상기 다결정 규소층 전면에 절연층을 증착하는 단계;c) depositing an insulating layer over the polycrystalline silicon layer;

d) 상기 커패시터 영역 상의 절연층에 제1 불순물을 주입하는 단계;d) implanting a first impurity into the insulating layer on the capacitor region;

e) 상기 트랜지스터 영역 상의 게이트가 형성될 영역과 상기 커패시터 영역 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계;e) forming a gate metal layer on the capacitor region and a region where a gate on the transistor region is to be formed;

f) 상기 게이트 금속층을 제외한 상기 트랜지스터 영역 상에 제2 불순물을 주입하여 소스/드레인을 형성하는 단계; 및f) forming a source / drain by implanting a second impurity on the transistor region except for the gate metal layer; And

g) 상기 트랜지스터 영역과 커패시터 영역 상에 전극부 및 유기 EL 발광층을 형성하는 단계g) forming an electrode portion and an organic EL light emitting layer on the transistor region and the capacitor region;

를 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 d) 단계는 제1 불순물로 P+ 고농도 불순물을 증착하는 것이 바람직하다.Here, in step d), it is preferable to deposit P + high concentration impurity as the first impurity.

여기서, 상기 d) 단계의 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층의 두께는 1000Å 이하인 것이 바람직하다.Here, the thickness of the polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region of step d) is preferably 1000 Å or less.

여기서, 상기 a) 단계의 다결정 규소층은 상기 비정질 규소층이 레이저 열처리에 의해 다결정 규소층으로 변환되는 것을 특징으로 한다.Here, the polycrystalline silicon layer of step a) is characterized in that the amorphous silicon layer is converted into a polycrystalline silicon layer by laser heat treatment.

여기서, 상기 b) 단계는 사진 및 시각 공정에 의해 트랜지스터 영역과 커패시터 영역으로 분리되는 것을 특징으로 한다.Here, the step b) is characterized in that the transistor region and the capacitor region are separated by a photographic and visual process.

여기서, 상기 d) 단계에서 주입되는 제1 불순물과 상기 f) 단계에서 주입되는 제2 불순물은 서로 다른 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.Here, the first impurity injected in step d) and the second impurity injected in step f) have different concentrations.

여기서, 상기 다결정 규소층 및 게이트 금속층이 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극을 형성하는 것이 바람직하며, 상기 다결정 규소층은 상기 게이트 금속층보다 두께가 얇게 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the polycrystalline silicon layer and the gate metal layer preferably form first and second electrodes of the capacitor, and the polycrystalline silicon layer is formed to be thinner than the gate metal layer.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 발광표시 장치는, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광표시 장치에 있어서,On the other hand, as another means for achieving the above object, the light emitting display device according to the present invention, a plurality of scan lines for transmitting a selection signal, a plurality of data lines for transmitting a data signal, a plurality of connected to the scan line and the data line A light emitting display device comprising a pixel circuit of

상기 화소 회로는,The pixel circuit,

상기 데이터선에 인가되는 데이터 신호에 대응하는 전류를 출력하는 트랜지 스터;A transistor for outputting a current corresponding to the data signal applied to the data line;

상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 전압을 상기 트랜지스터로 전달하는 스위칭 소자;A switching element transferring a data voltage from the data line to the transistor in response to a selection signal from the scan line;

상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극 사이에 각각 자신의 제1 전극 및 제2 전극이 접속되어, 상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극에 사이의 전압을 일정기간 유지하는 커패시터; 및A capacitor having a first electrode and a second electrode connected between the first electrode and the second electrode of the transistor, respectively, to maintain a voltage between the first electrode and the second electrode of the transistor for a predetermined period of time; And

상기 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자A light emitting device that emits light corresponding to the current output from the transistor

를 포함하되,Including but not limited to:

상기 커패시터의 제1 전극 및 제2 전극은 불순물이 주입된 다결정 규소층 또는 금속층으로 형성된 것을 특징으로 한다.The first electrode and the second electrode of the capacitor is characterized in that formed of a polycrystalline silicon layer or a metal layer implanted with impurities.

여기서, 상기 불순물이 주입된 다결정 규소층은 P+ 고농도 불순물이 주입되어 형성되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the polycrystalline silicon layer into which the impurity is implanted is formed by implanting P + high concentration impurity.

여기서, 상기 불순물이 주입된 다결정 규소층은 절연 기판 상에 형성된 비정질 규소층을 레이저 열처리하여 다결정 규소층으로 변환시킨 후, 상기 불순물이 상기 다결정 규소층으로 주입되어 형성된 것을 특징으로 한다.Here, the polycrystalline silicon layer into which the impurity is implanted is formed by converting the amorphous silicon layer formed on the insulating substrate into a polycrystalline silicon layer by laser heat treatment, and then the impurity is implanted into the polycrystalline silicon layer.

본 발명에 따르면, 유기 EL 발광셀 내의 커패시터를 박막의 다결정 규소층으로 형성함으로써, 발광표시 장치인 유기 EL 발광표시 장치의 대형화에 따른 두께 감소 및 고해상도 디스플레이를 실현할 수 있다.According to the present invention, by forming the capacitor in the organic EL light emitting cell as a thin film of polycrystalline silicon layer, it is possible to realize a thickness reduction and a high resolution display according to the enlargement of the organic EL light emitting display device which is a light emitting display device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic EL light emitting cell and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀을 나타내는 도면이다.5 is a view showing an organic EL light emitting cell according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀은, 절연 기판(511), 다결정 규소층(513a', 513b'), 게이트 절연막(514), 게이트 배선(515a, 515b), 층간 절연막(517), 데이터 배선(518), 화소 전극(520), 유기 EL층(522) 및 기준 전극(523)을 포함하여 구성되며, 이때, 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층(513b')은 P+ 고농도 불순물이 주입되며, 상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층의 두께는 1000Å 이하가 된다.Referring to FIG. 5, the organic EL light emitting cell according to the embodiment of the present invention includes an insulating substrate 511, polycrystalline silicon layers 513a ′ and 513b ′, a gate insulating film 514, gate wirings 515a and 515b, An interlayer insulating film 517, a data line 518, a pixel electrode 520, an organic EL layer 522, and a reference electrode 523, wherein the polysilicon layer 513b ′ formed on the capacitor region is included. Silver P + high concentration impurity is implanted, and the thickness of the polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region is 1000 μs or less.

구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀은, 먼저, 다결정 규소층(513a', 513b')은 절연 기판(511) 상에 형성되며, 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역으로 분리된다.Specifically, in the organic EL light emitting cell according to the embodiment of the present invention, first, the polysilicon layers 513a 'and 513b' are formed on the insulating substrate 511, and are separated into transistor regions and capacitor regions.

상기 게이트 절연막(514)은 상기 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역의 다결정 규소층(513a', 513b') 상에 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(515a, 515b)은 상기 게이트 절연막(514) 상에 형성되어 있다.The gate insulating film 514 is formed on the polysilicon layers 513a 'and 513b' in the transistor region and the capacitor region, and the gate wirings 515a and 515b are formed on the gate insulating film 514. .

또한, 상기 층간 절연막(517)은 상기 게이트 배선(515a, 515b) 상에 형성되어 있고, 상기 데이터 배선(520)은 상기 층간 절연막(517) 상에 형성되어 있다.The interlayer insulating film 517 is formed on the gate wirings 515a and 515b, and the data wiring 520 is formed on the interlayer insulating film 517.

또한, 상기 화소 전극(520)은 상기 데이터 배선(520)과 연결되게 되며, 유기 EL층(522)은 상기 화소 전극(520) 상의 소정 영역에 형성되어 있고, 상기 기준 전극(523)은 상기 유기 EL층(522) 상에 형성되어 있다.In addition, the pixel electrode 520 is connected to the data line 520, the organic EL layer 522 is formed in a predetermined region on the pixel electrode 520, and the reference electrode 523 is the organic It is formed on the EL layer 522.

이때, 상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층(513b')은 P+ 고농도 불순물이 주입되며, 상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층의 두께는 1000 Å 이하인 것이 바람직하다.In this case, the polysilicon layer 513b ′ formed on the capacitor region is implanted with P + high concentration impurities, and the thickness of the polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region is preferably 1000 μs or less.

여기서, 상기 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역의 다결정 규소층(513a', 513b')은 상기 절연 기판(511) 상에 a-Si:H를 형성하고, 이를 레이저 열처리에 의해 다결정 규소층으로 변환된 것이다. 또한, 사진 공정으로 상기 다결정 규소층(513a', 513b')이 트랜지스터와 커패시터 영역으로 분리하게 된다. 이때, 상기 트랜지스터 영역의 소스/드레인 영역에 주입되는 불순물은 상기 커패시터 영역에 주입되는 불순물과 별도의 공정에 의해 형성되며, 서로 다른 농도를 가질 수 있다.Here, the polycrystalline silicon layers 513a 'and 513b' of the transistor region and the capacitor region form a-Si: H on the insulating substrate 511, and are converted into a polycrystalline silicon layer by laser heat treatment. In addition, the polysilicon layers 513a 'and 513b' are separated into a transistor and a capacitor region by a photographic process. In this case, the impurities injected into the source / drain regions of the transistor region may be formed by a separate process from the impurities injected into the capacitor region, and may have different concentrations.

또한, 상기 다결정 규소층(513b') 및 게이트 배선(515b)이 각각 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극이 되며, 이때, 상기 제1 전극의 다결정 규소층은 상기 제2 전극의 게이트 배선보다 두께보다 박막인 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 게이트 배선(515b)은 3500Å 이상이며, 상기 다결정 규소층(513b')의 두께는 1000Å 이하일 수 있다.In addition, the polysilicon layer 513b 'and the gate wiring 515b become first and second electrodes of the capacitor, respectively, wherein the polysilicon layer of the first electrode is thicker than the gate wiring of the second electrode. It is preferable that it is thinner. For example, the gate wiring 515b may be 3500 GPa or more, and the thickness of the polysilicon layer 513b 'may be 1000 GPa or less.

또한, 상기 커패시터 영역의 게이트 절연막(514)은 소정의 유전율을 갖는 유전체로서, 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극 내에 형성되게 된다.In addition, the gate insulating layer 514 of the capacitor region is a dielectric having a predetermined dielectric constant, and is formed in the first and second electrodes of the capacitor.

이하, 도 5에 도시된 유기 EL 발광셀을 도 6a 내지 도 6n에 도시된 유기 EL 발광셀을 제조하는 공정을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다. 여기서, 도 5의 절연 기판(511)은 도 6에서는 실리콘 기판 또는 유리 기판과 동일하며, 마찬가지로, 상기 게이트 절연막(514)은 게이트 절연층과 동일하고, 상기 게이트 배선(515a, 515b)은 게이트 금속층과 동일하며, 상기 층간 절연막(517)은 저유전율 절연막과 동일하며, 상기 데이터 배선(518)은 충진 금속을 나타내게 된다. 또한, 상기 화소 전극(520)은 ITO 전극을 나타내고, 기준 전극(523)은 투명 캐소드층과 동일한 의미로 사용될 것이다.Hereinafter, the organic EL light emitting cell shown in FIG. 5 will be described in detail with reference to a process of manufacturing the organic EL light emitting cell shown in FIGS. 6A to 6N. Here, the insulating substrate 511 of FIG. 5 is the same as the silicon substrate or the glass substrate in FIG. 6, and similarly, the gate insulating layer 514 is the same as the gate insulating layer, and the gate wirings 515a and 515b are the gate metal layer. The interlayer insulating film 517 is the same as the low dielectric constant insulating film, and the data line 518 represents the filling metal. In addition, the pixel electrode 520 represents an ITO electrode, and the reference electrode 523 may be used in the same meaning as the transparent cathode layer.

도 6a 내지 도 6n은 도 5의 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀을 제조하는 공정을 나타내는 도면이다.6A to 6N are views illustrating a process of manufacturing an organic EL light emitting cell according to the embodiment of the present invention of FIG. 5.

도 6a 내지 도 6n을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀을 제조하는 공정은, 먼저, 실리콘 기판 또는 유리 기판(Glass)(511) 상에 a-Si:H(Hydrogenated amorphous Silicon: 512)을 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)을 이용하여 500Å 정도 증착한다(도 6a 참조).6A to 6N, the process of manufacturing an organic EL light emitting cell according to an embodiment of the present invention firstly, a-Si: H (Hydrogenated amorphous Silicon) on a silicon substrate or a glass substrate (Glass) 511. : 512) is deposited on the order of 500 kV using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) (see FIG. 6A).

이후, PECVD 방법을 사용하여 탈수소 과정을 거치고, ELA(excimer laser annealing)을 통해 500Å 결정화하게 된다(도 6b 참조).Then, the dehydrogenation process is performed by using a PECVD method, and crystallization is performed at 500 Pa by excimer laser annealing (ELA) (see FIG. 6B).

구체적으로, 실리콘 기판(511) 상에 poly-Si TFT를 제작할 때, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 방법을 이용해 400℃ 이하의 저온에서 비정질 규소층(a-Si) 박막을 증착시킨다. PECVD로 a-Si 박막을 증착하는 경우, 박막 내에 다량의 수소(H)가 포함(10% 내외)되기 때문에, a-Si:H(Hydrogenated amorphous Silicon) 박막의 재결정화(recrystallization) 이전에 탈수소(Dehydrogenation) 과정을 거쳐야 한다. 이어서 탈수소 과정을 거친 a-Si 박막(513)을 다결정 규소층으로 재결정화하기 위해 엑시머 레이저빔을 조사(irradiation)하게 된다.Specifically, when fabricating a poly-Si TFT on the silicon substrate 511, using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method to form an amorphous silicon layer (a-Si) thin film at a low temperature below 400 ℃ Deposit. When depositing an a-Si thin film by PECVD, since a large amount of hydrogen (H) is contained (about 10%) in the thin film, dehydrogenation (a) before recrystallization of a-Si: H (Hydrogenated amorphous Silicon) thin film is performed. Dehydrogenation must be performed. Subsequently, the excimer laser beam is irradiated to recrystallize the de-hydrogenated a-Si thin film 513 into the polycrystalline silicon layer.

이후, 상기 재결정화된 다결정 규소층 박막(513) 상에 제1 마스크를 이용하여 패턴을 형성하고 건식 식각을 통해 다결정 규소층인 액티브 층(513a, 513b)을 형성하게 된다(도 6c 참조). 즉, 사진 및 식각 공정으로 상기 다결정 규소층 박막(513)을 트랜지스터와 커패시터 영역으로 분리하게 된다.Thereafter, a pattern is formed on the recrystallized polysilicon layer thin film 513 by using a first mask, and active layers 513a and 513b which are polycrystalline silicon layers are formed through dry etching (see FIG. 6C). That is, the polysilicon layer thin film 513 is separated into a transistor and a capacitor region by a photolithography and an etching process.

다음으로, 상기 다결정 규소층인 액티브 층(513a, 513b) 및 상기 실리콘 기판(511)의 전면에 PECVD 방법을 이용하여 SiO2를 1000Å 정도 증착하여 게이트 절연층(514)을 형성하게 된다(도 6d 참조).Next, the gate insulating layer 514 is formed by depositing about 1000 SiO of SiO 2 on the entire surface of the active layers 513a and 513b which are the polycrystalline silicon layers and the silicon substrate 511 by using a PECVD method (FIG. 6D). Reference).

다음으로, 상기 커패시터 영역 상의 절연층(514)에만 고농도 불순물을 주입한다(도 6e 참조). 즉, 상기 트랜지스터 영역에는 사진 공정을 통해 제2 마스크로서 포토 레지스트(515)를 형성하고, 상기 커패시터 영역 상의 절연층(514) 상에 P+ 불순물을 코팅한다. 실질적으로, 상기 고농도 불순물로는 P+ 이온뿐만 아니라 N+ 이온도 가능하다. 여기서, 도면부호 513b'는 다결정 규소층 박막에 고농도 불순물이 증착된 것을 나타낸다.Next, a high concentration of impurities are injected only into the insulating layer 514 on the capacitor region (see FIG. 6E). That is, the photoresist 515 is formed in the transistor region as a second mask through a photolithography process, and P + impurities are coated on the insulating layer 514 on the capacitor region. In practice, the high concentration impurity may be N + ions as well as P + ions. Here, reference numeral 513b 'indicates that a high concentration of impurities are deposited on the polysilicon layer thin film.

다음으로, 상기 트랜지스터 영역 상의 게이트가 형성될 영역과 상기 커패시터 영역 상에 게이트 금속층(515a, 515b)을 형성하게 된다(도 6f 참조). 즉, 제3 마스크를 사용하여, 사진 공정 및 습식 식각을 통해 AlNd 금속을 3000Å 및 몰리브덴(Mo) 금속을 600Å 정도 증착하여 게이트 금속층(515a, 515b)을 형성하며, 여기서, 도면부호 516a 및 516b는 절연층을 나타낸다.Next, gate metal layers 515a and 515b are formed on the region where the gate is formed on the transistor region and the capacitor region (see FIG. 6F). That is, using the third mask, the gate metal layers 515a and 515b are formed by depositing about 3000 Al of AlNd metal and about 600 을 of molybdenum (Mo) metal through a photolithography process and a wet etching process, wherein reference numerals 516a and 516b refer to FIG. An insulating layer is shown.

따라서, 상기 다결정 규소층 액티브층(513b'), 게이트 절연층(514) 및 게이 트 금속층(515b)이 커패시터를 형성하게 되며, 이때, 상기 다결정 규소층 액티브층(513b')이 기존의 금속이 아닌 다결정 규소층 박막이며, 종래에는 상기 금속이 6000Å 정도 형성되었지만, 상기 다결정 규소층 박막은 1000Å 정도만 형성되면 되므로, 실질적으로 상기 커패시터의 두께가 약 1/6 정도를 줄어들게 된다.Accordingly, the polysilicon layer active layer 513b ', the gate insulating layer 514, and the gate metal layer 515b form a capacitor. In this case, the polysilicon layer active layer 513b' is formed of a conventional metal. The polysilicon layer is not a thin film, and conventionally, the metal is about 6000 mW, but since the polysilicon layer thin film is only about 1000 mW, the thickness of the capacitor is substantially reduced by about 1/6.

다음으로, 상기 게이트 금속층(515a, 515b)을 포함한 게이트 절연층(514) 상부 전면에 B2H6(5%)/H2 P+ 불순물을 도핑한다(도 6g 참조). 즉, 상기 트랜지스터 영역 상에 P+ 불순물을 주입하여, 트랜지스터의 소스/드레인 활성 영역을 형성하게 된다. 여기서, 도면부호 513a'는 P+ 불순물이 주입된 소스/드레인 활성 영역을 나타낸다.Next, B 2 H 6 (5%) / H 2 P + impurities are doped into the entire upper surface of the gate insulating layer 514 including the gate metal layers 515a and 515b (see FIG. 6G). That is, P + impurities are implanted into the transistor region to form a source / drain active region of the transistor. Here, reference numeral 513a 'denotes a source / drain active region into which P + impurities are implanted.

다음으로, 노출된 전면에 저유전율 절연막(ILD: 517)을 증착한다(도 6h 참조). 즉, 상기 노출된 전면에 SiO2를 6000Å 정도 증착하고, 용광로(furnace)에서 열처리하여 활성화된다.Next, a low dielectric constant insulating film (ILD) 517 is deposited on the exposed entire surface (see FIG. 6H). That is, SiO 2 is deposited on the exposed entire surface by about 6000 Å, and is activated by heat treatment in a furnace.

다음으로, 상기 트랜지스터 영역의 소스/드레인 활성 영역에 사진 및 건식 식각 공정을 통해 도면부호 A로 도시된 바와 같은 콘택홀을 형성하게 된다(도 6i 참조).Next, a contact hole as shown by reference numeral A is formed in the source / drain active region of the transistor region through photolithography and a dry etching process (see FIG. 6I).

다음으로, 상기 콘택홀 상에 충진 금속(518)으로서 Mo/AlNd/Mo를 600Å/4000Å/600Å 정도 증착하게 된다(도 6j 참조).Next, Mo / AlNd / Mo is deposited on the contact hole as about 600 kV / 4000 kV / 600 kV as the filling metal 518 (see FIG. 6J).

다음으로, 상기 트랜지스터 영역 상부 및 상기 커패시터 영역 상부에 패시베이션층(519) 및 비아홀을 증착한다(도 6k 참조). 이때, SiN을 6000Å 정도 증착하 고, 상기 패시베이션층(519) 상에 사진 공정 및 건식 식각 공정으로 비아홀을 형성하게 되는데, 상기 비아홀은 이후 형성될 ITO 전극과 상기 트랜지스터 영역의 소스/드레인 활성 영역을 연결하기 위한 것이다.Next, a passivation layer 519 and a via hole are deposited on the transistor region and the capacitor region (see FIG. 6K). In this case, SiN is deposited to about 6000 ,, and via holes are formed on the passivation layer 519 by a photolithography process and a dry etching process. The via holes form a source / drain active region of an ITO electrode and a transistor region to be formed later. It is to connect.

다음으로, 상기 비아홀을 포함하는 상기 패시베이션층(519) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극(520)을 형성한다(도 6l 참조). 이때, 상기 ITO 전극(520)은 사진 및 습식 식각 공정을 통해 1000Å 정도의 저분자 ITO가 증착된다.Next, an indium tin oxide (ITO) electrode 520 is formed on the passivation layer 519 including the via hole (see FIG. 6L). In this case, the ITO electrode 520 is deposited with a low molecular weight ITO of about 1000 kW through a photolithography and a wet etching process.

다음으로, 상기 ITO 전극(520)의 소정 부분을 제외한 영역 상에 아크릴(Acryl: 521)을 코팅하게 된다(도 6m 참조). 즉, 상기 ITO 전극(520)이 형성되는 부분을 제외한 영역을 차단하기 위해 아크릴(521)을 사진 공정에 의해 형성하게 된다.Next, acryl 521 is coated on a region except for a predetermined portion of the ITO electrode 520 (see FIG. 6M). That is, the acrylic 521 is formed by a photo process to block an area except for the portion where the ITO electrode 520 is formed.

다음으로, 상기 ITO 전극(520)이 노출된 부분 상에 유기 EL층(522)을 형성하고, 그 상부에 투명 캐소드층(523)을 증착하여 형성하게 된다(도 6n 참조).Next, an organic EL layer 522 is formed on the portion where the ITO electrode 520 is exposed, and a transparent cathode layer 523 is deposited on the upper portion thereof (see FIG. 6N).

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 발광셀은 전술한 도 1b에 도시된 전면 발광형 발광셀을 제조하는 공정으로서, 상기 투명 캐소드층(523)을 형성한 이후, 후속 공정을 통해 버퍼층 및 투명 플레이트층이 형성되게 된다.Therefore, the organic EL light emitting cell according to the embodiment of the present invention is a process of manufacturing the top-emitting light emitting cell shown in FIG. 1B, and after forming the transparent cathode layer 523, a buffer layer and a subsequent process The transparent plate layer is formed.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 발광표시 장치는, 도 4를 참조하면, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광표시 장치에 있어서, 상기 화소 회로는, 상기 데이터선에 인가되는 데이터 신호에 대응하는 전류를 출력하는 트랜지스터; 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데 이터선으로부터의 데이터 전압을 상기 트랜지스터로 전달하는 스위칭 소자; 상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극 사이에 각각 자신의 제1 전극 및 제2 전극이 접속되어, 상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극에 사이의 전압을 일정기간 유지하는 커패시터; 및 상기 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자를 포함하되, 상기 커패시터의 제1 전극 및 제2 전극은 불순물이 주입된 다결정 규소층 또는 금속층으로 형성되며, 이때, 상기 불순물이 주입된 다결정 규소층은 P+ 고농도 불순물이 주입된 것이 바람직하고, 또한, 상기 다결정 규소층은 절연 기판 상에 형성된 비정질 규소층을 레이저 열처리하여 변환시킨 후, 상기 불순물이 주입되어 형성된 것이다.Meanwhile, referring to FIG. 4, a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of scan lines for transmitting a selection signal, a plurality of data lines for transmitting a data signal, and a plurality of scan lines connected to the scan lines and the data lines. A light emitting display device comprising a pixel circuit, the pixel circuit comprising: a transistor for outputting a current corresponding to a data signal applied to the data line; A switching element transferring a data voltage from the data line to the transistor in response to a selection signal from the scan line; A capacitor having a first electrode and a second electrode connected between the first electrode and the second electrode of the transistor, respectively, to maintain a voltage between the first electrode and the second electrode of the transistor for a predetermined period of time; And a light emitting device that emits light in response to a current output from the transistor, wherein the first electrode and the second electrode of the capacitor are formed of a polycrystalline silicon layer or a metal layer into which impurities are injected, and wherein the polycrystal into which the impurities are injected The silicon layer is preferably implanted with a P + high concentration impurity, and the polycrystalline silicon layer is formed by converting an amorphous silicon layer formed on an insulating substrate by laser heat treatment and then implanting the impurity.

결국, 전술한 바와 같이, 상기 다결정 규소층인 액티브층(513b')이 기존의 금속이 아닌 다결정 규소층 박막으로서, 종래에는 상기 금속이 6000Å 정도 형성되었지만, 상기 다결정 규소층 박막은 1000Å 정도만 형성되면 되므로, 실질적으로 상기 커패시터의 두께가 약 1/6 정도가 되고 유기 EL 발광셀의 두께가 줄어들게 됨으로써, 유기 EL 발광 표시 장치의 대형화에 대처할 수 있게 된다.As a result, as described above, the active layer 513b 'serving as the polysilicon layer is a polysilicon layer thin film which is not a conventional metal. In the conventional art, the metal is about 6000 mW, but the polysilicon layer thin film is only about 1000 mW. Therefore, since the thickness of the capacitor is substantially about 1/6 and the thickness of the organic EL light emitting cell is reduced, it is possible to cope with the enlargement of the organic EL light emitting display device.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it will be appreciated that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.

본 발명에 따르면, 유기 EL 발광셀 내의 커패시터를 박막의 다결정 규소층으 로 형성함으로써, 발광표시 장치인 유기 EL 발광표시 장치의 대형화에 따른 두께 감소 및 고해상도 디스플레이를 실현할 수 있다.According to the present invention, by forming a capacitor in the organic EL light emitting cell as a thin polysilicon layer, it is possible to realize a thickness reduction and a high resolution display according to the enlargement of the organic EL light emitting display device which is a light emitting display device.

Claims (20)

절연 기판;Insulating substrate; 상기 절연 기판 상에 형성되며, 각각 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역으로 분리되는 다결정 규소층;A polysilicon layer formed on the insulating substrate and separated into a transistor region and a capacitor region, respectively; 상기 트랜지스터 영역 및 커패시터 영역의 다결정 규소층 상에 형성되어 있는 게이트 절연막; 및A gate insulating film formed on the polycrystalline silicon layer in the transistor region and the capacitor region; And 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 게이트 배선A gate wiring formed on the gate insulating film 을 포함하되,Including, 상기 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층은 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.And a polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region is implanted with impurities. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불순물은 P+ 고농도 불순물인 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.The impurity is an organic EL light emitting cell, characterized in that the P + high concentration impurity. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다결정 규소층 및 게이트 배선이 각각 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극이 되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.And the polycrystalline silicon layer and the gate wiring become first and second electrodes of the capacitor, respectively. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1 전극의 다결정 규소층은 상기 제2 전극의 게이트 배선의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.The polycrystalline silicon layer of the first electrode is thinner than the thickness of the gate wiring of the second electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커패시터 영역의 게이트 절연막은 유전체로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.And the gate insulating film of the capacitor region is made of a dielectric. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커패시터 영역에 주입된 불순물과 다른 불순물이 상기 트랜지스터영역의 소스/드레인 영역에 주입된 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.And an impurity other than an impurity injected into the capacitor region is injected into a source / drain region of the transistor region. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 트랜지스터 영역의 소스/드레인 영역에 주입되는 불순물은 상기 커패시터 영역에 주입되는 불순물은 서로 다른 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.And the impurities injected into the source / drain regions of the transistor region have different concentrations. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다결정 규소층은 상기 절연 기판 상에 형성된 비정질 규소층을 레이저 열처리하여 변환시킨 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀.The polycrystalline silicon layer is an organic EL light emitting cell, characterized in that by converting the amorphous silicon layer formed on the insulating substrate by laser heat treatment. a) 절연층 상에 비정질 규소층을 증착한 후 다결정 규소층으로 변환하는 단계;a) depositing an amorphous silicon layer on the insulating layer and converting it to a polycrystalline silicon layer; b) 상기 다결정 규소층을 트랜지스터 영역과 커패시터 영역으로 분리하는 단계;b) separating the polycrystalline silicon layer into a transistor region and a capacitor region; c) 상기 다결정 규소층 전면에 절연층을 증착하는 단계;c) depositing an insulating layer over the polycrystalline silicon layer; d) 상기 커패시터 영역 상의 절연층에 제1 불순물을 주입하는 단계;d) implanting a first impurity into the insulating layer on the capacitor region; e) 상기 트랜지스터 영역 상의 게이트가 형성될 영역과 상기 커패시터 영역 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계;e) forming a gate metal layer on the capacitor region and a region where a gate on the transistor region is to be formed; f) 상기 게이트 금속층을 제외한 상기 트랜지스터 영역 상에 제2 불순물을 주입하여 소스/드레인을 형성하는 단계; 및f) forming a source / drain by implanting a second impurity on the transistor region except for the gate metal layer; And g) 상기 트랜지스터 영역과 커패시터 영역 상에 전극부 및 유기 EL 발광층을 형성하는 단계g) forming an electrode portion and an organic EL light emitting layer on the transistor region and the capacitor region; 를 포함하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.Method for producing an organic EL light emitting cell comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 d) 단계는 제1 불순물로 P+ 고농도 불순물을 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.Step d) is a method of manufacturing an organic EL light emitting cell, characterized in that to deposit a high concentration of impurities P + as the first impurity. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 d) 단계의 커패시터 영역 상에 형성된 다결정 규소층 두께는 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.A method of manufacturing an organic EL light emitting cell, characterized in that the thickness of the polycrystalline silicon layer formed on the capacitor region of step d) is 1000 GPa or less. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 a) 단계의 다결정 규소층은 상기 비정질 규소층이 레이저 열처리에 의해 다결정 규소층으로 변환되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.In the polycrystalline silicon layer of step a), the amorphous silicon layer is converted into a polycrystalline silicon layer by laser heat treatment. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 b) 단계는 사진 및 시각 공정에 의해 트랜지스터 영역과 커패시터 영역으로 분리되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.The step b) is a method of manufacturing an organic EL light emitting cell, characterized in that separated by the photoelectric and visual process transistor region and capacitor region. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 d) 단계에서 주입되는 제1 불순물과 상기 f) 단계에서 주입되는 제2 불순물은 서로 다른 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.The first impurity implanted in step d) and the second impurity implanted in step f) have different concentrations. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 다결정 규소층 및 게이트 금속층이 상기 커패시터의 제1 및 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.And the polycrystalline silicon layer and the gate metal layer form first and second electrodes of the capacitor. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 다결정 규소층은 상기 게이트 금속층보다 두께가 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.And the polycrystalline silicon layer is formed to be thinner than the gate metal layer. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 커패시터 영역의 게이트 절연막은 유전체로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 EL 발광셀의 제조 방법.And the gate insulating film of the capacitor region is made of a dielectric. 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광표시 장치에 있어서,A light emitting display device comprising: a plurality of scanning lines for transmitting a selection signal, a plurality of data lines for transmitting a data signal, and a plurality of pixel circuits connected to the scanning lines and the data lines, 상기 화소 회로는,The pixel circuit, 상기 데이터선에 인가되는 데이터 신호에 대응하는 전류를 출력하는 트랜지스터;A transistor for outputting a current corresponding to the data signal applied to the data line; 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 전압을 상기 트랜지스터로 전달하는 스위칭 소자;A switching element transferring a data voltage from the data line to the transistor in response to a selection signal from the scan line; 상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극 사이에 각각 자신의 제1 전극 및 제2 전극이 접속되어, 상기 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극에 사이의 전압을 일정기간 유지하는 커패시터; 및A capacitor having a first electrode and a second electrode connected between the first electrode and the second electrode of the transistor, respectively, to maintain a voltage between the first electrode and the second electrode of the transistor for a predetermined period of time; And 상기 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자A light emitting device that emits light corresponding to the current output from the transistor 를 포함하되,Including but not limited to: 상기 커패시터의 제1 전극 및 제2 전극은 불순물이 주입된 다결정 규소층 또는 금속층으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광표시 장치.The first and second electrodes of the capacitor are formed of a polycrystalline silicon layer or a metal layer implanted with impurities. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 불순물이 주입된 다결정 규소층은 P+ 고농도 불순물이 주입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광표시 장치.The polycrystalline silicon layer implanted with the impurity is formed by implanting a high concentration of impurities P +. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 불순물이 주입된 다결정 규소층은 절연 기판 상에 형성된 비정질 규소층을 레이저 열처리하여 다결정 규소층으로 변환시킨 후, 상기 불순물이 상기 다결정 규소층으로 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광표시 장치.And wherein the polycrystalline silicon layer into which the impurity is implanted is formed by laser-heating an amorphous silicon layer formed on an insulating substrate to convert the polycrystalline silicon layer, and then implanting the impurity into the polycrystalline silicon layer.
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