KR100625996B1 - Electro-luminescence display device - Google Patents

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KR100625996B1
KR100625996B1 KR1020040022881A KR20040022881A KR100625996B1 KR 100625996 B1 KR100625996 B1 KR 100625996B1 KR 1020040022881 A KR1020040022881 A KR 1020040022881A KR 20040022881 A KR20040022881 A KR 20040022881A KR 100625996 B1 KR100625996 B1 KR 100625996B1
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박문희
서창수
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은, 기판 상부에 형성된 하나 이상의 층을 갖는 제 1 전극층 및 제 2 전극층, 이들 전극 사이에 배치되는 전계 발광부를 갖는 디스플레이부와; 하나 이상의 단자로 구성되며, 상기 디스플레이부 외곽에 패드부를 갖는 전계 발광 디스플레이 장치에 있어서, 상기 패드부 단자들의 적어도 일부는 하나 이상의 단자 도전층들을 구비하는 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층을 구비하되, 상기 상부 단자 도전층은 상기 제 1 전극층의 투명 전극층과 동일한 층으로만 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention provides a display device comprising: a display unit having a first electrode layer and a second electrode layer having at least one layer formed on the substrate, and an electroluminescent unit disposed between the electrodes; In an electroluminescent display device having one or more terminals and having a pad portion outside the display portion, at least some of the pad portion terminals include an upper terminal conductive layer and a lower terminal conductive layer including one or more terminal conductive layers. The upper terminal conductive layer is provided only with the same layer as the transparent electrode layer of the first electrode layer.

Description

전계 발광 디스플레이 장치{Electro-luminescence display device}Electroluminescent display device

도 1a은 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 개략적인 평면도,1A is a schematic plan view of an organic electroluminescent display device;

도 1b 및 도 1c는 도 1a의 선 A-A를 따라 취한, 종래 기술에 따른 패드부의 일단면도,1B and 1C are end views of a pad section according to the prior art, taken along line A-A of FIG. 1A,

도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 개략적인 평면도,2A is a schematic plan view of an organic electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention;

도 2b는 도 2a의 B에 대한 부분 확대도,2B is an enlarged partial view of B of FIG. 2A,

도 2c는 도 2b의 선 Ⅰ-Ⅰ를 따라 취한 일단면도,FIG. 2C is a cross sectional view taken along line I-I of FIG. 2B;

도 2d 내지 도 2f는 도 2a의 선 C-C를 따라 취한, 패드부의 일단면도,2D-2F are end views of pad portions, taken along line C-C of FIG. 2A,

도 3a는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 디스플레이부의 부분 일단면도,3A is a partial end view of a display unit of an organic electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention;

도 3b 내지 도 3d는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 패드부의 부분 일단면도.3B to 3D are partial end views of a pad portion of an organic electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

100...디스플레이부 110...기판100 ... display 110 ... substrate

120...버퍼층 130...반도체 활성층120 ... buffer layer 130 ... semiconductor active layer

140...게이트 절연층 150...게이트 전극140 gate insulating layer 150 gate electrode

150'...게이트 전극 동일층 160...중간층150 '... gate electrode same layer 160 ... middle layer

170a,b...소스/드레인 전극 170'...소스/드레인 전극동일층170a, b ... source / drain electrodes 170 '... same source / drain electrodes

180...보호층 190, 190a,b...제 1 전극층180 ... protective layer 190, 190a, b ... first electrode layer

190',190'a,b...제 1 전극층 동일층 192...유기 전계 발광부190 ', 190'a, b ... organic electroluminescent part of the same layer of the first electrode layer 192 ...

193', 193'a,b...제 2 전극층 동일층193 ', 193'a, b ... same layer of second electrode layer

본 발명은 전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부에 노출된 패드부 단자들의 부식을 방지하여, FPC(Flexible printed circuit) 또는 COG(chip on glass)와 같은 전기 요소와의 결합력을 증대시켜 작동성 및 내구 연한을 증대하는 전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent display device, and more particularly, to prevent corrosion of pad terminals exposed to the outside, thereby increasing bonding force with an electric element such as a flexible printed circuit (FPC) or a chip on glass (COG). The present invention relates to an electroluminescent display device which increases the operability and the service life.

액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 또는 무기 전계 발광 디스플레이 소자 등 평판디스플레이 장치는 그 구동방식에 따라, 수동 구동방식의 패시브 매트릭스(Passive Matrix: PM)형과, 능동 구동방식의 액티브 매트릭스(Active Matrix: AM)형으로 구분된다. 상기 패시브 매트릭스형은 단순히 애노드와 캐소드가 각각 컬럼(column)과 로우(row)로 배열되어 캐소드에는 로우 구동회로로부터 스캐닝 신호가 공급되고, 이 때, 복수의 로우 중 하나의 로우만이 선택된다. 또한, 컬럼 구동회로에는 각 화소로 데이터 신호가 입력된다. 한편, 상기 액티브 매트릭스형은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이용해 각 화 소 당 입력되는 신호를 제어하는 것으로 방대한 양의 신호를 처리하기에 적합하여 동영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치로서 많이 사용되고 있다.A flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescent display device, or an inorganic electroluminescent display device has a passive matrix passive matrix type (PM) type and an active drive active matrix type depending on the driving method thereof. : AM) type. In the passive matrix type, the anode and the cathode are simply arranged in columns and rows, respectively, so that the cathode is supplied with a scanning signal from a row driving circuit. At this time, only one row of the plurality of rows is selected. In addition, a data signal is input to each pixel in the column driving circuit. On the other hand, the active matrix type is a thin film transistor (TFT) to control the input signal for each pixel is suitable for processing a large amount of signals are used as a display device for implementing a video .

한편, 상기 평판 디스플레이 장치 중 유기 전계 발광 디스플레이 장치는 애노우드 전극과 캐소오드 전극의 사이에 유기물로 이루어진 유기 발광층을 갖는다. 이 유기 전계 발광 디스플레이 장치는 이들 전극들에 애노드 및 캐소드 전압이 각각 인가됨에 따라 애노우드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소오드 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 주입되어, 이 유기 발광층에서 전자와 홀이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라, 유기 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성한다. 풀컬러 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 경우에는 상기 유기 전계 발광 소자로서 적(R), 녹(G), 청(B)의 삼색을 발광하는 화소를 구비토록 함으로써 풀컬러를 구현한다.On the other hand, the organic electroluminescent display device of the flat panel display device has an organic light emitting layer made of an organic material between the anode electrode and the cathode electrode. In the organic electroluminescent display device, as the anode and cathode voltages are applied to these electrodes, holes injected from the anode are moved to the organic light emitting layer via the hole transport layer, and electrons are transferred from the cathode electrode to the electron transport layer. Is injected into the organic light emitting layer via electrons and holes in the organic light emitting layer to recombine to generate excitons, and as the excitons change from the excited state to the ground state, the fluorescent molecules of the organic light emitting layer emit light to form an image. Form. In the full-color organic electroluminescent display device, full color is realized by including pixels emitting three colors of red (R), green (G), and blue (B) as the organic electroluminescent element.

도 1a에는 통상적인 평판 디스플레이 장치, 특히 유기 전계 발광 디스플레이 장치의 개략적인 평면도가 도시되어 있다. 기판(1, 도 2b 참조) 일면 상의 화소 들로 형성되는 디스플레이부(10)와, 디스플레이부(10)의 주변부에 형성된 각종 배선 및 회로부, 예를 들어 전극 전원 공급 라인(11, 13) 및 수직 구동 회로부(12)가 배치되고, 이들 외곽에는 밀봉 기판(미도시)과 함께 밀봉재를 통하여 적어도 디스플레이부(10)를 밀봉하는 밀봉부(30)가 배치된다. 또한, 디스플레이부(10)의 적어도 일측 주변에는 패드부(20)가 배치된다. 1A shows a schematic plan view of a conventional flat panel display device, in particular an organic electroluminescent display device. The display unit 10 formed of pixels on one surface of the substrate 1 (see FIG. 2B), and various wiring and circuit units formed on the periphery of the display unit 10, for example, the electrode power supply lines 11 and 13, and the vertical unit. The driving circuit unit 12 is disposed, and the sealing unit 30 which seals the display unit 10 at least through the sealing material together with the sealing substrate (not shown) is disposed outside these units. In addition, the pad unit 20 is disposed around at least one side of the display unit 10.

패드부(20)는 도 1a의 선 A-A를 따라 취한 도 1b에 도시된 바와 같이, 기판(1) 일면 상에 형성된 버퍼층(2)이 형성되고, 버퍼층(2) 일면 상에는 게이트 절연층(3)과, 중간층(4)이 순차적으로 형성되는데, 이들은 디스플레이부(10)에 형성된 층들과 동일한 층이다. 중간층(4)의 상부에는, 주로 MoW 등으로 형성되는 디스플레이부(10)의 소스/드레인 전극과 동일한 층(5)이 형성되는데, 이 층이 패드부(20)의 단자 역할을 담당한다. As shown in FIG. 1B taken along the line AA of FIG. 1A, the pad part 20 has a buffer layer 2 formed on one surface of the substrate 1, and a gate insulating layer 3 on one surface of the buffer layer 2. And the intermediate layer 4 are sequentially formed, which are the same layers as the layers formed in the display unit 10. On the upper part of the intermediate layer 4, the same layer 5 as the source / drain electrode of the display portion 10 mainly formed of MoW or the like is formed, and this layer serves as a terminal of the pad portion 20.

하지만, 이들 단자들은 습기 및 고온 조건하에 노출되어, 이들 단자부 표면에 산화막(5')이 형성될 수 있다. 이들 산화막은, 예를 들어 FPC 또는 COG와 같은 외부 전기 소자와 단자들간의 원활한 전기적 소통을 방해한다. However, these terminals are exposed under moisture and high temperature conditions, so that an oxide film 5 'may be formed on the surface of these terminal portions. These oxide films hinder the smooth electrical communication between the terminals and external electrical elements such as, for example, FPC or COG.

종래 기술에 따른 패드부의 다른 유형이 도 1c에 도시되어 있다. 통상적으로 전면 발광형의 경우, 애노드 전극층은 반사 전극과 투명 전극의 이중층으로 형성되는데, 이들 이중 애노드 전극층과 동일한 전극층이 패드부의 도전층 최상부를 형성한다. 즉, 도 1c에 도시된 바와 같이, 소스/드레인 전극과 동일한 층(5)의 일면 상에는 보호층(6)이 연장 개재되고, 그 상부에는 애노드 전극층(7,7')이 배설되는데, 애노드 전극층(7)과 소스/드레인 전극과 동일층(5)은 보호층(6)에 형성된 비아홀(6')을 통하여 전기적으로 소통된다. Another type of pad portion according to the prior art is shown in FIG. 1C. In general, in the case of the top emission type, the anode electrode layer is formed of a double layer of a reflective electrode and a transparent electrode, and the same electrode layer as the double anode electrode layer forms the uppermost conductive layer of the pad portion. That is, as shown in FIG. 1C, the protective layer 6 is interposed on one surface of the same layer 5 as the source / drain electrode, and the anode electrode layers 7 and 7 ′ are disposed on the anode electrode layer. (7) and the source / drain electrode and the same layer (5) are electrically communicated through via holes (6 ') formed in the protective layer (6).

하지만, 애노드 전극과 동일한 층(7. 7')은 습기 및 공기에 노출됨으로써, 손상을 입을 가능성이 높다는 문제점을 수반한다. 즉, 통상적으로 애노드 전극의 반사 전극(7)은 반사도를 증대시키기 위하여 Al층 또는 AlNd와 같은 Al합금층이 사용되고, 애노드 전극의 투명 전극(7')으로는 ITO와 같은 금속 산화물층이 주로 사용된다. Al층 또는 AlNd로 구성된 층이 외부에 노출되는 경우, 도 1d 및 도 1e에 도시된 바와 같이, 시간이 경과함에 따라 금속층과 금속 산화물층 사이의 계면에서 갈바닉 현상이 일어나 패드부에 부식 현상이 발생하고, 심한 경우에는 패드부가 떨어져 나갈 수 있다.However, the same layer (7. 7 ') as the anode electrode is accompanied by the problem that it is likely to be damaged by exposure to moisture and air. That is, in general, the Al electrode or Al alloy layer such as AlNd is used to increase the reflectivity of the reflective electrode 7 of the anode electrode, and a metal oxide layer such as ITO is mainly used as the transparent electrode 7 ′ of the anode electrode. do. When an Al layer or a layer composed of AlNd is exposed to the outside, as shown in FIGS. 1D and 1E, a galvanic phenomenon occurs at an interface between the metal layer and the metal oxide layer over time, causing corrosion of the pad part. In severe cases, the pad may fall off.

대한민국공개특허공보 제 2003-58325호에는 투명 전도성 금속층과 알루미늄층 사이에 알루미늄 질화막을 형성하는 접촉 구조가 개시되어 있다. 하지만, 이러한 방법은 별도의 증착 공정을 수반하여야 하는 공정상의 부담을 가질 뿐만 아니라, 알루미늄 질화막 형성시 유기 전계 발광 디스플레이 장치에 손상을 가할 수도 있고, 알루미늄 질화막의 형성은 알루미늄 층의 산화막 형성은 배제시키지만, 갈바닉 현상은 효과적으로 방지하지 못한다는 한계를 나타낸다. Korean Patent Publication No. 2003-58325 discloses a contact structure for forming an aluminum nitride film between a transparent conductive metal layer and an aluminum layer. However, this method not only has a process burden that requires a separate deposition process, but may also damage the organic electroluminescent display device when forming the aluminum nitride film, and the formation of the aluminum nitride film excludes the formation of the oxide layer of the aluminum layer. However, the galvanic phenomenon does not effectively prevent.

또한, 대한민국공개특허공보 제 2003-57122호에는 갈바닉 현상을 방지하기 위해 Mo 등과 같은 희생 전극을 형성하는 방법이 개시되어 있으나, 이 또한, 공정 단계를 추가하여야 한다는 제조상의 부담을 더한다는 점에서 바람직하지 못하다. In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-57122 discloses a method of forming a sacrificial electrode such as Mo to prevent galvanic phenomenon, but this is also preferable in that it adds a manufacturing burden to add a process step. I can't.

또한, 일본특허공개공보 제 2002-33188호에는 외부 취출 전극과 음극층 사이에 난부식성 금속 재료를 배치하는 유기 EL 표시 장치가 개시되어 있다. 이 경우에도, 추가적인 공정을 요구한다는 점에서 공정 원가 및 제작 시간을 증대시킨다는 문제점을 수반한다. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-33188 discloses an organic EL display device in which a hardly corrosive metal material is disposed between an external extraction electrode and a cathode layer. This case also involves the problem of increasing the process cost and manufacturing time in that additional processes are required.

본 발명은, 상기한 문제점을 해소하면서, 전극 단자들의 패드부 부식을 방지하여 내구 연한을 증대시킴과 동시에 전력 소모를 줄이고, 패드부 단자간 저항 차로 인한 디스플레이의 휘도 차이를 방지하며, 공정 상 별도의 부담없이 제조될 수 있는 구조의 전계 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. The present invention, while solving the above problems, to prevent the pad portion corrosion of the electrode terminals to increase the service life and at the same time to reduce the power consumption, to prevent the difference in brightness of the display due to the difference in resistance between the pad terminals, the process separate It is to provide an electroluminescent display device having a structure that can be manufactured without the burden of.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일면에 따르면, 기판 상부에 형성된 하나 이상의 층을 갖는 제 1 전극층 및 제 2 전극층, 이들 전극 사이에 배치되는 전계 발광부를 갖는 디스플레이부와; 하나 이상의 단자로 구성되며, 상기 디스플레이부 외곽에 패드부를 갖는 전계 발광 디스플레이 장치에 있어서, 상기 패드부 단자들의 적어도 일부는 하나 이상의 단자 도전층들을 구비하는 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층을 구비하되, 상기 상부 단자 도전층은 상기 제 1 전극층의 투명 전극층과 동일한 층으로만 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, a display unit having a first electrode layer and a second electrode layer having at least one layer formed on the substrate, and an electroluminescent unit disposed between these electrodes; In an electroluminescent display device having one or more terminals and having a pad portion outside the display portion, at least some of the pad portion terminals include an upper terminal conductive layer and a lower terminal conductive layer including one or more terminal conductive layers. The upper terminal conductive layer is provided only with the same layer as the transparent electrode layer of the first electrode layer.

본 발명의 다른 일면에 따르면, 상기 하부 단자 도전층에는, 상기 디스플레이부의 소스/드레인 전극과 동일한 재료로 형성되는 단자 도전층이 포함되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, the lower terminal conductive layer includes a terminal conductive layer formed of the same material as the source / drain electrodes of the display unit.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 하부 단자 도전층에는, 상기 디스플레이부의 게이트인 전극과 동일한 재료로 형성되는 단자 도전층이 포함되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다. According to another aspect of the present invention, the lower terminal conductive layer includes a terminal conductive layer formed of the same material as the electrode that is the gate of the display unit.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층 사이에는, 상기 디스플레이부 제 1 전극층 하부의 보호층이 연장 개재되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electroluminescent display device, wherein a protective layer under the display unit first electrode layer is interposed between the upper terminal conductive layer and the lower terminal conductive layer.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 연장 개재된 보호층에는 하나 이상 의 비아홀이 형성되고, 상기 투명 도전층과 상기 인접 단자 도전층은 상기 비아홀을 통하여 전기적으로 소통되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, at least one via hole is formed in the extended intervening passivation layer, and the transparent conductive layer and the adjacent terminal conductive layer are electrically communicated through the via hole. Provide the device.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 상부 단자 도전층과 상기 하부 단자 도전층은 서로 밀접하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the invention, the upper terminal conductive layer and the lower terminal conductive layer is provided with an electroluminescent display device, characterized in that in close contact with each other.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 상부 단자 도전층은 ITO 및 IZO 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, the upper terminal conductive layer is provided with an electroluminescent display device, characterized in that at least one of ITO and IZO.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 상기 하부 단자 도전층은 MoW으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.According to another aspect of the invention, the lower terminal conductive layer is provided with an electroluminescent display device, characterized in that composed of MoW.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다 . Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a에는 본 발명의 일실시예에 따른 전계 발광 디스플레이 장치의 개략적인 평면도가 도시되어 있다. 기판(110, 도 2c 참조)의 일면 상부에는 하나 이상의 화소(참조, 도 2c의 "194"는 부화소)들로 구성되는 디스플레이부(100)가 형성되고, 디스플레이부(100)의 외곽으로 적어도 일측에는 하나 이상의 단자로 구성되는 패드부(200)가 배치된다. 2A is a schematic plan view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention. A display unit 100 including one or more pixels (see “194” in FIG. 2C is a subpixel) is formed on one surface of the substrate 110 (see FIG. 2C), and at least outside the display unit 100. On one side, a pad part 200 composed of one or more terminals is disposed.

또한, 도 2a에 도시된 바와 같이 디스플레이부(100)는 밀봉부(300)로 둘러 싸이며, 디스플레이부(100)는 밀봉부(300)에 의하여 밀봉되는데, 밀봉부(300)에 의한 밀봉 영역에는, 디스플레이부(100)의 제 2 전극층(193, 도 2c 참조)과 통전되는 전극 전원 공급 라인(101, 103)이 개재되고, 화소의 제 1 전극층(190, 도 2c 참조)에 전기적 신호를 인가하기 위한 디스플레이부의 소스 전극(170a)과 연결되는 구동 전원 공급 라인(미도시)도 개재되며, 경우에 따라서는 디스플레이(100)의 개개의 화소에 주사 신호를 인가하기 위한 수직 구동 회로부(102)도 개재될 수 있다. 디스플레이부(100)의 개개의 화소에 데이터 신호를 인가하기 위한 수평 구동 회로부(104)가 패드부(200)에 배치될 수도 있다. 도 2a에 도시된 각종 배선 및 회로부의 레이 아웃은 본 발명을 설명하기 위한 일예로서, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, as shown in FIG. 2A, the display unit 100 is surrounded by the sealing unit 300, and the display unit 100 is sealed by the sealing unit 300, and the sealing area by the sealing unit 300 is included. The electrode power supply lines 101 and 103 that are energized with the second electrode layer 193 (see FIG. 2C) of the display unit 100 are interposed therebetween, and an electrical signal is supplied to the first electrode layer 190 (see FIG. 2C) of the pixel. A driving power supply line (not shown) connected to the source electrode 170a of the display unit for application is also interposed, and in some cases, the vertical driving circuit unit 102 for applying a scan signal to each pixel of the display 100. May also be interposed. A horizontal driving circuit 104 for applying a data signal to each pixel of the display unit 100 may be disposed in the pad unit 200. The layout of various wirings and circuit units shown in FIG. 2A is an example for describing the present invention, but the present invention is not limited thereto.

디스플레이부(100)의, 도면 부호 "B"로 지칭된 부분의 개략적인 부분 확대도가 도 2b에 도시되고, 도 2b의 선 Ⅰ-Ⅰ를 따라 취한 단면도가 도 2c에 도시되어 있다. 기판, 예를 들어 글라스 재의 기판(110) 일면 상에는 버퍼층(120)이 개재된다. 버퍼층(120)은 SiO2 등으로 약 3000Å 정도의 두께로 형성된다. A schematic, partially enlarged view of a portion of display unit 100, denoted by "B", is shown in FIG. 2B, and a cross-sectional view taken along line I-I of FIG. 2B is shown in FIG. 2C. A buffer layer 120 is interposed on one surface of the substrate, for example, the substrate 110 of glass material. The buffer layer 120 is formed of SiO 2 or the like to a thickness of about 3000 kPa.

버퍼층(120)의 일면 상에는 반도체 활성층(130)이 형성되는데, 반도체 활성층(130)은 비정질 실리콘층 또는 다결정질 실리콘층으로 형성될 수 있는 등 어느 한 유형에 한정되는 것은 아니다. 도면에서 자세히 도시되지는 않았으나, 반도체 활성층(130)은 N+형 또는 P+형의 도펀트 들로 도핑되는 소스 및 드레인 영역과, 채널 영역으로 구성된다. The semiconductor active layer 130 is formed on one surface of the buffer layer 120, but the semiconductor active layer 130 is not limited to any one type, such as an amorphous silicon layer or a polycrystalline silicon layer. Although not shown in detail in the drawing, the semiconductor active layer 130 is composed of a source and drain region doped with N + or P + type dopants and a channel region.

반도체 활성층(130)의 일면 상부에는 게이트 전극(150)이 형성되는데, 도 2c에 도시된 바와 같이 스캔 라인을 통하여 다른 TFT가 통전되는 경우 데이터 라인으 로부터의 신호가 커패시터를 거쳐 게이트 전극(150)에 인가되는 신호 여부에 따라 채널 영역의 통전 여부가 결정되며, 이를 통해 소스 및 드레인 영역이 소통된다. 게이트 전극(150)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예를 들어 MoW 등과 같은 물질로 형성된다. 반도체 활성층(130)과 게이트 전극(150)과의 절연성을 확보하기 위하여, 예를 들어, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)을 통해 SiO2로 구성되는 게이트 절연층(140)이 반도체 활성층(130)과 게이트 전극(150) 사이에 개재된다. A gate electrode 150 is formed on one surface of the semiconductor active layer 130. When another TFT is energized through the scan line as shown in FIG. 2C, a signal from the data line is passed through a capacitor to the gate electrode 150. Whether the channel region is energized depends on whether a signal is applied to the source region, and the source and drain regions communicate with each other. The gate electrode 150 is formed of a material such as, for example, MoW, in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layers, and processability. In order to ensure insulation between the semiconductor active layer 130 and the gate electrode 150, for example, the gate insulating layer 140 formed of SiO 2 through plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is used as the semiconductor active layer 130. And the gate electrode 150 are interposed.

게이트 전극(150)의 상부에는 중간층(interlayer, 160)이 형성되는데, 중간층은 SiO2, SiNx 등의 물질로 단층 형성되거나 또는 이중층의 형태로 구성될 수도 있다. 중간층(160)의 상부에는 소스/드레인 전극(170a,b)이 형성된다. 소스/드레인 전극(170a,b)은 중간층(160)과 게이트 절연층(140)에 형성되는 콘택홀을 통하여 반도체 활성층의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 소통된다. An interlayer 160 is formed on the gate electrode 150. The intermediate layer may be formed of a single layer or a double layer of a material such as SiO 2 or SiNx. Source / drain electrodes 170a and b are formed on the intermediate layer 160. The source / drain electrodes 170a and b are in electrical communication with the source region and the drain region of the semiconductor active layer, respectively, through contact holes formed in the intermediate layer 160 and the gate insulating layer 140.

소스/드레인 전극(170a,b)의 상부에는 보호층(페시베이션 층 및/또는 평탄화 층, 180)이 형성되어, 하부의 박막 트랜지스터를 보호하고 평탄화시킨다. 본 발명의 일실시예에 따른 보호층(180)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, 무기물 또는 유기물로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 또는 하부에 SiNx 층을 구비하고 상부에 예를 들어 BCB(benzocyclobutene) 또는 아크릴(acryl) 등과 같은 유기물 층을 구비하는 이중층으로 구성될 수도 있다. A passivation layer (passivation layer and / or planarization layer 180) is formed on the source / drain electrodes 170a and b to protect and planarize the thin film transistors below. The protective layer 180 according to an embodiment of the present invention may be formed in various forms. The protective layer 180 may be formed of an inorganic material or an organic material. The protective layer 180 may be formed of a single layer or may include a SiNx layer at a lower portion thereof, for example, It may be composed of a double layer having an organic layer such as benzocyclobutene) or acryl.

보호층(180)의 일면 상에는 제 1 전극층(190)이 배설되는데, 제 1 전극의 일 단은 보호층(180)에 형성된 비아홀(181)을 통하여 하부의 드레인 전극(170a,b)과 접촉한다. 제 1 전극층(190)의 일면 상에는 무기/유기 전계 발광 소자가 배치된다. The first electrode layer 190 is disposed on one surface of the protective layer 180, and one end of the first electrode contacts the lower drain electrodes 170a and b through the via hole 181 formed in the protective layer 180. . An inorganic / organic electroluminescent device is disposed on one surface of the first electrode layer 190.

유기 전계 발광부(192)는 저분자 또는 고분자 유기막으로 구성될 수 있는데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 재료를 적용할 수 있다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다.The organic electroluminescent unit 192 may be formed of a low molecular or polymer organic film. When the low molecular organic film is used, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an organic light emitting layer (EML) An emission layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) may be formed by stacking a single or a complex structure, and the usable organic material may be copper phthalocyanine (CuPc: copper). phthalocyanine), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB A variety of materials can be applied, including tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These low molecular weight organic films are formed by the vacuum deposition method.

고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 유기 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.In the case of the polymer organic film, the structure may include a hole transporting layer (HTL) and an organic light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and polyvinylvinylene (PPV) and polyflu as the light emitting layer. Polymeric organic materials such as ore (Polyfluorene) are used and can be formed by screen printing or inkjet printing.

유기 전계 발광부(192)의 일면 상부에는 제 2 전극층(193)이 전면 증착되는데, 제 2 전극층(193)은 이러한 전면 증착 형태에 한정되는 것은 아니다. 디스플레이부(100) 외측에 배치되는 전극 전원 공급 라인(101, 103; 도 2a 참조)이 배치되고, 제 2 전극층(193)과 전극 전원 공급 라인(101, 103)은 전기적으로 소통될 수 있다. The second electrode layer 193 is deposited on the entire surface of one surface of the organic light emitting unit 192, but the second electrode layer 193 is not limited to the front deposition type. Electrode power supply lines 101 and 103 (see FIG. 2A) disposed outside the display unit 100 may be disposed, and the second electrode layer 193 and the electrode power supply lines 101 and 103 may be electrically communicated with each other.

패드부(200)의 단자들은 디스플레이부(100)의 각종 도전층들로 형성되는 하나 이상의 층을 가지며, 서로 전기적으로 소통되는 상부 단자 도전층 및 하부 단자 도전층으로 형성될 수 있다. 즉, 하부 단자 도전층들은, 예를 들어 게이트 전극 및/또는 소스/드레인 전극들과 동일한 층으로 형성될 수 있고, 이들 하부 단자 도전층들은 디스플레이부(100)의 제 1 전극층(190)과 동일한 층(190', 도 3c 참조)은 제 2 전극층(193)과 동일한 층(193', 도 2d 참조)과 같은 상부 단자 도전층에 의하여 덮일 수 있다.The terminals of the pad unit 200 may have one or more layers formed of various conductive layers of the display unit 100, and may be formed of an upper terminal conductive layer and a lower terminal conductive layer electrically communicating with each other. That is, the lower terminal conductive layers may be formed of, for example, the same layer as the gate electrode and / or the source / drain electrodes, and the lower terminal conductive layers may be the same as the first electrode layer 190 of the display unit 100. The layer 190 ′ (see FIG. 3C) may be covered by an upper terminal conductive layer, such as the same layer 193 ′ (see FIG. 2D) as the second electrode layer 193.

도 2a의 선 C-C를 따라 취한 도 2d 내지 도 2f는, 패드부(200)의 상부 단자 도전층이 제 2 전극층과 동일한 층(193')으로 형성된 경우에 대한 일실시예를 도시한다. 2D to 2F taken along the line C-C of FIG. 2A illustrate an embodiment of the case where the upper terminal conductive layer of the pad portion 200 is formed of the same layer 193 'as the second electrode layer.

도 2d에서 패드부(200)의 하부 단자 도전층은, 디스플레이부(100)의 소스/드레인 전극과 동일한 층(170'), 즉 이들이 형성되는 단계와 동시에 형성된 도전층이다. 예를 들어, 유기 전계 발광 디스플레이 장치가 전면 발광형인 경우, 제 2 전극층(193)은 유기 전계 발광부(192)로부터 생성된 빛의 밀봉 기판(미도시)을 통한 광취출율을 증대시키기 위하여 투명 전극으로 형성되는데, 제 2 전극층(193)이 캐소드 전극으로서 작용하는 경우, 제 2 전극층(193)은 일함수가 작은 재료로 형성된다. 도 2d에 도시된 본 발명의 일실시예는 Ag, Mg 및/또는 이들 하나 이상의 합금 등과 같은 얇은 박막 형태의 금속층이 형성된 후 그 위에 ITO, IZO와 같은 투명 금속 산화물층이 형성된 경우인데, 이러한 이중층 형태의 제 2 전극층을 구성하는 경우, 패드부(200)의 단자들은 외부 습기 및 공기에 노출된다는 점을 고려하여 Mg:Ag 금속층(193a)과 IZO층(193b)으로 구성하는 것이 바람직하다. In FIG. 2D, the lower terminal conductive layer of the pad unit 200 is the same layer 170 ′ as the source / drain electrode of the display unit 100, that is, the conductive layer formed simultaneously with the step of forming them. For example, when the organic electroluminescent display device is a top emission type, the second electrode layer 193 is transparent to increase the light extraction rate through the sealing substrate (not shown) of the light generated from the organic electroluminescence unit 192. Although formed as an electrode, when the second electrode layer 193 functions as a cathode electrode, the second electrode layer 193 is formed of a material having a small work function. One embodiment of the present invention shown in FIG. 2D is a case where a thin metal layer such as Ag, Mg and / or one or more of these alloys is formed, and then a transparent metal oxide layer such as ITO or IZO is formed thereon. In the case of forming the second electrode layer having a shape, it is preferable that the terminals of the pad part 200 are formed of the Mg: Ag metal layer 193a and the IZO layer 193b in consideration of being exposed to external moisture and air.

따라서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상부 단자 도전층(193')도 금속층(193'a)과 금속 산화물층(193'b)의 이중층으로 구성될 수도 있다. 금속층이 외부에 노출되는 경우 발생 가능한 산화막 형성을 방지하기 위하여, 금속층(193'a)을 먼저 형성한 후, 금속 산화물층(193'b)을 그 상부에 형성하는 것이 바람직하다. 하지만, 상부 단자 도전층(193')은 단일층으로 형성될 수도 있는 등, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Accordingly, as shown in FIG. 2D, the upper terminal conductive layer 193 'may also be formed of a double layer of the metal layer 193'a and the metal oxide layer 193'b. In order to prevent oxide film formation that may occur when the metal layer is exposed to the outside, it is preferable to first form the metal layer 193'a, and then form the metal oxide layer 193'b thereon. However, the upper terminal conductive layer 193 'may be formed as a single layer, but the present invention is not limited thereto.

한편, 상부 단자 도전층(193')은 제 2 전극층(193)의 형성과 동시에 형성된다. 예를 들어, 제 2 전극층(193) 증착시 패드부의 단자 영역이 개방 또는 폐쇄된 마스크를 사용함으로써, 상부 단자 도전층(193')은 제 2 전극층(193)의 형성과 동시에 제 2 전극층(193)의 모든 층을 가지도록 또는 일부 층만을 가지도록 형성될 수 있는데, 공정 효율 측면에서 상부 단자 도전층(193')을 제 2 전극층(193)의 모든 층과 동일한 층을 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 하지만, 본 발명의 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.The upper terminal conductive layer 193 'is formed at the same time as the second electrode layer 193 is formed. For example, when the second electrode layer 193 is deposited, the upper terminal conductive layer 193 ′ is formed by using a mask in which the terminal area of the pad portion is open or closed, thereby simultaneously forming the second electrode layer 193 and the second electrode layer 193. It may be formed to have all layers or only a portion of the layer, it is preferable to form the upper terminal conductive layer 193 'to have the same layer as all the layers of the second electrode layer 193 in terms of process efficiency. Do. However, the method of the present invention is not limited thereto.

제 2 전극층(193)과 동일한 층, 즉 상부 단자 도전층(193')이 하부 단자 도전층 상부에 배치되는 형태는 다양하게 고려될 수 있다. 예를 들어, 상부 단자 도전층(193')이 기판(110) 상부에 형성된 소스/드레인 전극과 동일한 층, 즉 하부 단자 도전층(170')과 바로 접하여 이를 감싸는 구조를 취할 수도 있다. 이 경우, 단자 역할을 주도적으로 담당하는 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')과 같은 하부 도전층 및 제 2 전극층과 동일한 층(193')과 같은 상부 단자 도전층이 서로 밀접하기 때문에 도전 과정에서 전기적 저항을 줄일 수 있다는 장점이 있다. 이 때, 외부 습기 및 공기에 의하여 금속 산화물층(193'b)과 금속층(193'a)의 갈바닉 현상을 방지하기 위하여, 금속층(193'a)은 Al이외의 금속 예를 들어, Mg:Ag로, 그리고 금속 산화물층(193'b)은 IZO로 형성하는 것이 바람직하다.The form in which the same layer as the second electrode layer 193, that is, the upper terminal conductive layer 193 ′ is disposed on the lower terminal conductive layer may be variously considered. For example, the upper terminal conductive layer 193 ′ may have a structure in which the upper terminal conductive layer 193 ′ directly contacts the same layer as the source / drain electrode formed on the substrate 110, that is, the lower terminal conductive layer 170 ′. In this case, the conductive process is performed because the lower conductive layer such as the source / drain electrode dominantly responsible for the terminal role and the upper terminal conductive layer such as the same layer 193 'as the second electrode layer are close to each other. The advantage is that the electrical resistance can be reduced. At this time, in order to prevent the galvanic phenomenon of the metal oxide layer 193'b and the metal layer 193'a due to external moisture and air, the metal layer 193'a may be formed of a metal other than Al, for example, Mg: Ag. And the metal oxide layer 193'b is preferably formed of IZO.

상부 단자 도전층(193')이 하부 단자 도전층 상부에 배치되는 다른 유형으로서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')을 보호하도록 하부 단자 도전층으로서의 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')을 형성한 후, 그 일면 상에 디스플레이부(100)의 보호층(180)을 연장 개재시킬 수 있다. 그런 후, 보호층(180)에 비아홀(181)을 형성하고, 이를 통하여 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')과 금속층(193'a)을 도통시킬 수 있다. 이 경우에도 금속층(193'a)은 Al이외의 금속으로 형성되는 것이 바람직하고, Mg:Ag로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.Another type in which the upper terminal conductive layer 193 'is disposed over the lower terminal conductive layer, as shown in FIG. 2E, as the lower terminal conductive layer to protect the same layer 170' as the source / drain electrode. After forming the same layer 170 ′ as the drain electrode, the protective layer 180 of the display unit 100 may be extended and interposed on one surface thereof. Thereafter, a via hole 181 may be formed in the passivation layer 180, and through this, the same layer 170 ′ as the source / drain electrode and the metal layer 193 ′ a may be conducted. Also in this case, the metal layer 193'a is preferably formed of a metal other than Al, more preferably Mg: Ag.

상기 실시예에서, 패드부(200) 단자의 주요 역할을 하부 단자 도전층으로서의 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')이 담당하였으나, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다. 즉, 도 2f에 도시된 바와 같이 디스플레이부(100)의 게이트 전극과 동일한 층(150')이 더 개재될 수 있고, 게이트 전극과 동일한 층(150')만이 또는 함께 하부 단자 도전층으로서 작용할 수도 있다. 제 2 전극층과 동일한 층(193')이 반드시 이중충이어야 하는 것은 아니고, 도 2f에 도시된 바와 같이 IZO층(193'b)과 같이 단일층으로 형성될 수 있으며, 그리고 상기 실시예는 본 발명을 설명하기 위하여 전면 발광형에 대하여 기술되었으나 배면 발광형에도 적용될 수 있는 등, 다양한 구현예를 고려할 수 있다.In the above embodiment, the same layer 170 ′ as the source / drain electrode as the lower terminal conductive layer plays a main role of the terminal of the pad part 200, but the present invention is not limited thereto. That is, as shown in FIG. 2F, the same layer 150 ′ as the gate electrode of the display unit 100 may be further interposed, and only the same layer 150 ′ as the gate electrode may serve as the lower terminal conductive layer. have. The same layer 193 'as the second electrode layer is not necessarily a double layer, and may be formed as a single layer, such as the IZO layer 193'b, as shown in FIG. Although described with respect to the top emission type in order to describe the various embodiments, such as can be applied to the bottom emission type may be considered.

본 발명의 다른 실시예로서, 도 3a 내지 도 3d에는 패드부(200)의 상부 단자 도전층으로 제 1 전극층(190)과 동일한 층(190')을 사용하는 경우가 도시된다. 3A to 3D illustrate the case where the same layer 190 ′ as the first electrode layer 190 is used as the upper terminal conductive layer of the pad part 200.

예를 들어, 유기 전계 발광 디스플레이 장치가 전면 발광형이고, 제 1 전극층이 애노드로 사용되는 경우, 도 3a에 도시된 바와 같이 제 1 전극층(190)은 반사도를 증가시켜, 유기 전계 발광부(192)로부터 생성된 빛의 밀봉 기판(미도시)을 통한 광취출율을 증대시키기 위한 반사 전극(190a), 예를 들어 Al, AlNd 등 얇은 박막 형태의 금속층과, 그 위에 일함수가 큰 ITO, IZO와 같은 투명 금속 산화물층이 형성된다. For example, when the organic electroluminescent display device is a top emission type and the first electrode layer is used as the anode, as shown in FIG. 3A, the first electrode layer 190 increases the reflectivity, thereby the organic electroluminescence unit 192. Reflective electrode 190a for increasing the light extraction rate through the sealing substrate (not shown) of light generated from the thin film type, for example, Al, AlNd, thin metal layer, and ITO, IZO having a large work function A transparent metal oxide layer such as is formed.

이러한 이중층 형태의 제 1 전극층(190)을 구성하는 경우, 고온 고습 환경에 노출될 수 있는 패드부를 구성하는 이종 금속간의 갈바닉 현상으로 인해 패드부(200)가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 도 3b 내지 도 3d에 도시된 바와 같이 상부 단자 도전층으로 제 1 전극층(190)과 동일한 층 중 투명 금속 산화물층(190')만을 하부 단자 도전층으로서 패드부(200)의 소스/드레인 전극과 동일한 층(170') 상부에 배치한다. 패드부 단자들의 상부 단자 도전층으로 투명 금속 산화물층(190')만을 형성하는 데에는, 예를 들어, 디스플레이부(100)의 제 1 전극층 중 금속층(190a)을 형성한 후, 이를 패턴화할 때 패드부에 해당하는 영역까지 습식 에칭하고, 후에 디스플레이부(100)에 투명 금속 산화물층(190')을 증착시키고 패턴화함과 동시에 함으로써 패드부 단자의 상부 단자 도전층으로서의 투명 금속 산화물층을 형성할 수도 있는 등, 다양한 방법이 사용된다. When the first electrode layer 190 of the double layer form is configured, in order to prevent the pad part 200 from being damaged due to the galvanic phenomenon between the dissimilar metals constituting the pad part which may be exposed to a high temperature, high humidity environment, FIGS. As shown in FIG. 3D, only the transparent metal oxide layer 190 ′ of the same layer as the first electrode layer 190 as the upper terminal conductive layer is the same as the source / drain electrode of the pad part 200 as the lower terminal conductive layer. 170 ') at the top. To form only the transparent metal oxide layer 190 ′ as the upper terminal conductive layer of the pad unit terminals, for example, after forming the metal layer 190a of the first electrode layer of the display unit 100, the pad may be patterned. It is also possible to form a transparent metal oxide layer as the upper terminal conductive layer of the pad part terminal by wet etching to the area corresponding to the portion, and subsequently depositing and patterning the transparent metal oxide layer 190 ′ on the display part 100. Etc., various methods are used.

상부 단자 도전층으로서의 투명 금속 산화물층(190')이 패드부(200)의 하부 단자 도전층 상부에 배치되는 형태는 다양하게 고려될 수 있다. 즉, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상부 단자 도전층으로서의 투명 금속 산화물층(190')이, 하부 단자 도전층으로서의 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')과 서로 밀접하는 구조를 취할 수도 있다. 이 경우, 단자 역할을 주도적으로 담당하는 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')과 같은 하부 단자 도전층 및 상부 단자 도전층으로서의 투명 금속 산화물층(190')이 서로 밀접하기 때문에 도전 과정에서 전기적 저항을 줄일 수 있다는 장점이 있다. The shape in which the transparent metal oxide layer 190 ′ as the upper terminal conductive layer is disposed on the lower terminal conductive layer of the pad part 200 may be variously considered. That is, as shown in FIG. 3B, the transparent metal oxide layer 190 ′ as the upper terminal conductive layer may have a structure in which the transparent metal oxide layer 190 ′ is in close contact with the same layer 170 ′ as the source / drain electrode as the lower terminal conductive layer. . In this case, since the lower terminal conductive layer such as the source layer / drain electrode dominantly responsible for the terminal role and the transparent metal oxide layer 190 'as the upper terminal conductive layer are closely connected to each other, The advantage is that the resistance can be reduced.

패드부(200)의 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층의 다른 배치 유형으로서, 도 3c에 도시된 바와 같이 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')을 보호하기 위하여 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')을 형성한 후, 그 일면 상에 디스플레이부(100)의 보호층(180)을 연장 개재시킬 수도 있다. 그런 후, 보호층(180)에 비아홀(181)을 형성하고, 이를 통하여 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')과 투명 금속 산화물층(190')을 도통시킬 수 있다. 이 경우에도 투명 금속 산화물층(190')은 ITO 또는 IZO로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.As another arrangement type of the upper terminal conductive layer and the lower terminal conductive layer of the pad part 200, the same layer as the source / drain electrode to protect the same layer 170 ′ as the source / drain electrode as shown in FIG. 3C. After forming 170 ′, the protective layer 180 of the display unit 100 may be extended to be interposed on one surface thereof. Thereafter, a via hole 181 may be formed in the passivation layer 180, and through this, the same layer 170 ′ as the source / drain electrode and the transparent metal oxide layer 190 ′ may be conductive. Also in this case, the transparent metal oxide layer 190 'is more preferably formed of ITO or IZO.

상기 실시예에서, 패드부(200)의 단자의 주요 역할은 하부 단자 도전층으로서 소스/드레인 전극과 동일한 층(170')이 담당하였으나, 이는 일예로서 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다. 즉, 도 3d에 도시된 바와 같이 하부 단자 도전층으로서 디스플레이부(100)의 게이트 전극(150')과 동일한 층이 더 개재될 수 있고, 게이트 전극(150')만이 담당할 수도 있다. In the above embodiment, the main role of the terminal of the pad part 200 is played by the same layer 170 'as the source / drain electrode as the lower terminal conductive layer, but the present invention is not limited thereto. That is, as shown in FIG. 3D, the same layer as the gate electrode 150 ′ of the display unit 100 may be further interposed as the lower terminal conductive layer, and only the gate electrode 150 ′ may be in charge.

상기 실시예는 본 발명을 설명하기 위하여 전면 발광형에 대하여 기술되었으나 배면 발광형에도 적용될 수 있는 등, 다양한 구현예를 고려할 수 있다. Although the above embodiment has been described with respect to the top emission type to explain the present invention, various embodiments may be considered, such as being applicable to the bottom emission type.

상기한 실시예들은 본 발명을 설명하기 위한 일예들로서, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 상기한 실시예들은 AM 매트릭스 구동형 유기 전계 발광 디스플레이 장치에 대하여 기술되었으나, 무기 전계 발광 디스플레이 장치 및 PM 매트릭스 구동형에도 적용될 수 있는 등, 다양한 변형예를 도출할 수 있다. The above embodiments are examples for describing the present invention, but the present invention is not limited thereto. Although the above embodiments have been described with respect to an AM matrix driven organic electroluminescent display device, various modifications can be derived, such as those applicable to an inorganic electroluminescent display device and a PM matrix driven type.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 패드부 단자들이 외부 습기 및 고온에 노출되는 경우 발생 가능한 산화막으로 인한 패드부의 전기 저항 증대를 방지하고, 패드부 자체의 갈바닉 현상으로 인한 손상을 방지함으로써, 전계 디스플레이 장치의 내구 연한을 증대시킬 수 있다. According to the present invention as described above, the electric field display by preventing the pad portion terminals from increasing the electrical resistance of the pad portion due to the oxide film that can occur when exposed to external moisture and high temperature, and prevent damage due to the galvanic phenomenon of the pad portion itself The service life of the device can be increased.

또한, 본 발명에 따르면, 패드부의 손상을 방지함과 아울러, 패드부 단자들을 하나 이상의 층으로 형성함으로써 FPC 및 COG와 같은 외부 전기 소자와의 결합력 및 전기적 소통을 원활하게 함으로써 전계 발광 디스플레이 장치의 작동성도 증대시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, the operation of the electroluminescent display device by preventing the damage to the pad portion, and by forming the pad terminal terminals in one or more layers to facilitate the coupling force and electrical communication with external electrical elements such as FPC and COG You can also increase the sex.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다 양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art. I can understand. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims (8)

기판 상부에 형성된 하나 이상의 층을 갖는 제 1 전극층 및 제 2 전극층, 이들 전극 사이에 배치되는 전계 발광부를 갖는 디스플레이부와;A display unit having a first electrode layer and a second electrode layer having at least one layer formed on the substrate, and an electroluminescent unit disposed between the electrodes; 하나 이상의 단자로 구성되며, 상기 디스플레이부 외곽에 패드부를 갖는 전계 발광 디스플레이 장치에 있어서,In the electroluminescent display device composed of one or more terminals, having a pad portion outside the display unit, 상기 패드부 단자들의 적어도 일부는 하나 이상의 단자 도전층들을 구비하는 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층을 구비하되, 상기 상부 단자 도전층은 상기 제 1 전극층의 투명 전극층과 동일한 층으로만 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.At least some of the pad part terminals may include an upper terminal conductive layer and a lower terminal conductive layer including one or more terminal conductive layers, and the upper terminal conductive layer may be formed of only the same layer as the transparent electrode layer of the first electrode layer. An electroluminescent display device. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 하부 단자 도전층에는, 상기 디스플레이부의 소스/드레인 전극과 동일한 재료로 형성되는 단자 도전층이 포함되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.The lower terminal conductive layer includes a terminal conductive layer formed of the same material as the source / drain electrodes of the display unit. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부 단자 도전층에는, 상기 디스플레이부의 게이트인 전극과 동일한 재료로 형성되는 단자 도전층이 포함되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.The lower terminal conductive layer includes a terminal conductive layer formed of the same material as the electrode serving as the gate of the display unit. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상부 단자 도전층과 하부 단자 도전층 사이에는, 상기 디스플레이부 제 1 전극층 하부의 보호층이 연장 개재되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.The protective layer under the display unit first electrode layer is interposed between the upper terminal conductive layer and the lower terminal conductive layer. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 연장 개재된 보호층에는 하나 이상의 비아홀이 형성되고, 상기 투명 도전층과 상기 인접 단자 도전층은 상기 비아홀을 통하여 전기적으로 소통되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.At least one via hole is formed in the extended intervening passivation layer, and the transparent conductive layer and the adjacent terminal conductive layer are electrically communicated through the via hole. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상부 단자 도전층과 상기 하부 단자 도전층은 서로 밀접하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.The upper terminal conductive layer and the lower terminal conductive layer are in close contact with each other, characterized in that the electroluminescent display device. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 상부 단자 도전층은 ITO 및 IZO 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.And the upper terminal conductive layer is at least one of ITO and IZO. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 하부 단자 도전층은 MoW으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 디스플레이 장치.And the lower terminal conductive layer is formed of MoW.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10253991A (en) 1997-03-14 1998-09-25 Advanced Display:Kk Liquid crystal display device
KR19990048817A (en) * 1997-12-10 1999-07-05 구자홍 Liquid crystal display manufacturing method and its structure
JPH11282012A (en) 1998-03-30 1999-10-15 Seiko Epson Corp Active matrix substrate and liquid crystal display device
KR20050093606A (en) * 2004-03-20 2005-09-23 삼성에스디아이 주식회사 Electro-luminescence display device and method for producing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10253991A (en) 1997-03-14 1998-09-25 Advanced Display:Kk Liquid crystal display device
KR19990048817A (en) * 1997-12-10 1999-07-05 구자홍 Liquid crystal display manufacturing method and its structure
JPH11282012A (en) 1998-03-30 1999-10-15 Seiko Epson Corp Active matrix substrate and liquid crystal display device
KR20050093606A (en) * 2004-03-20 2005-09-23 삼성에스디아이 주식회사 Electro-luminescence display device and method for producing the same

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