KR100615737B1 - Heater unit and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 사용되는 프로세스 챔버내에 충만한 프로세스 가스에 대하여 충분한 내식성을 갖고, 또한 발열 효율이 우수한 히터 유닛을 제공한다. The present invention provides a heater unit having sufficient corrosion resistance to a process gas filled in a process chamber used in a semiconductor manufacturing process and excellent in heat generation efficiency.

히터 유닛(또는 히터 플레이트)(1)은 제 1 플레이트(2), 제 2 플레이트(3), 시스 히터(4a, 4b), 시스 열전대(5a, 5b) 및 샤프트(6)를 구비한다. 시스 히터(4a, 4b)는 제 1 플레이트(2)에 형성된 제 1 홈(9a, 9b)을 따라 끼워진다. 시스 열전대(5a, 5b)는 제 2 플레이트(3)에 형성된 제 2 홈을 따라 끼워진다. 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)는 제 1 홈(9a, 9b)과 제 2 홈을 서로 대향시켜서 납땜된다. 시스 히터(4a, 4b)와 시스 열전대(5a, 5b)의 단부는 제 2 플레이트(3)의 중앙부에 설치된 관통 구멍(10a, 10b)으로부터 샤프트(6)의 내부로 통과된다.The heater unit (or heater plate) 1 has a first plate 2, a second plate 3, sheath heaters 4a and 4b, sheath thermocouples 5a and 5b and a shaft 6. The sheath heaters 4a and 4b are fitted along the first grooves 9a and 9b formed in the first plate 2. The sheath thermocouples 5a and 5b are fitted along the second grooves formed in the second plate 3. The first plate 2 and the second plate 3 are soldered with the first grooves 9a and 9b and the second grooves facing each other. The ends of the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b pass into the shaft 6 from the through holes 10a and 10b provided in the central portion of the second plate 3.

Description

히터 유닛 및 히터 유닛의 제조 방법{HEATER UNIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME} Heater unit and manufacturing method of heater unit {HEATER UNIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}             

도 1은 본 발명에 따른 일 실시예의 히터 유닛을 도시한 분해 사시도,1 is an exploded perspective view showing a heater unit of one embodiment according to the present invention;

도 2는 도 4 중의 F2-F2를 따라 도시한 히터 유닛의 부분 단면도,2 is a partial cross-sectional view of the heater unit shown along F2-F2 in FIG. 4;

도 3은 도 4 중의 F3-F3을 따라 도시한 히터 유닛의 부분 단면도,3 is a partial cross-sectional view of the heater unit taken along F3-F3 in FIG. 4;

도 4는 도 1에 도시한 히터 유닛의 사시도.4 is a perspective view of the heater unit shown in FIG. 1.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

1 : 히터 유닛 2 : 제 1 플레이트1 heater unit 2 first plate

3 : 제 2 플레이트 4a, 4b : 시스 히터3: 2nd plate 4a, 4b: sheath heater

5a, 5b : 시스 열전대 6 : 샤프트5a, 5b: Sheath thermocouple 6: shaft

8 : 납재 9a, 9b : 제 1 홈8: lead material 9a, 9b: first groove

10a, 10b : 관통 구멍 12 : 제 2 홈10a, 10b: through hole 12: second groove

본 발명은 반도체의 제조 공정에 있어서 반도체 기판을 유지 및 가열하기 위해서 사용되는 히터 유닛 및 이 히터 유닛의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heater unit used for holding and heating a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing process and a method of manufacturing the heater unit.

반도체의 제조 공정에 있어서, 반도체 기판(웨이퍼)의 표면에 집적 회로를 형성하기 위해서, CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학적 증착)이나 PVD(Plasma Vapor Deposition; 플라즈마 증착)라는 성막 처리, 에칭 처리 등이 프로세스 챔버내에서 실행된다. 각 처리에 있어서 웨이퍼 전체에 걸쳐 균질하게 처리되도록, 웨이퍼를 평탄하게 유지하는 동시에, 각 처리에 필요한 온도로 웨이퍼를 가열하는 히터를 매설한 세라믹 히터가 있다. 예컨대, 일본 특허 공개 공보 제 1994-260687 호의 단락 0021-0025 및 도 1에 기재되어 있다. In the semiconductor manufacturing process, in order to form an integrated circuit on the surface of a semiconductor substrate (wafer), a film forming process such as CVD (Chemical Vapor Deposition) or PVD (Plasma Vapor Deposition) is performed. It is run in the chamber. In each process, there is a ceramic heater that keeps the wafer flat and embeds a heater that heats the wafer to a temperature necessary for each process so that the wafer is uniformly processed throughout the wafer. For example, paragraph 0021-0025 of Japanese Patent Laid-Open No. 1994-260687 and FIG. 1 are described.

이 세라믹 히터는, 저항 가열로 발열하는 저항 발열선(히터)을 내장하는 세라믹제의 히터 플레이트와, 이 히터 플레이트를 프로세스 챔버내에 지지하는 지지 로드를 구비한다. 히터에 이용하는 재료로서, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 니켈-크롬 합금을 예시하고 있다. 히터의 단자는 히터 플레이트의 외부 표면에 노출되어 있고, 급전선과 접속되어 있다. 또한, 단자를 둘러싸고 금속관이 히터 플레이트에 매설되어 있다. 금속관에 이용하는 재료로서, 텅스텐이나 몰리브덴을 예시하고 있다. 급전선은 시스 와이어(sheath wire)로 피복되어 있다. 시스 와이어는 금속관과 납땜 접합되어 있다. 또한, 히터 플레이트의 온도를 계측하기 위해서 시스 열전대가 설치되어 있다. 시스 열전대의 선단부는 히터 플레이트에 매설된 금속관에 삽입되어 납땜된다. 그리고, 시스 와이어 및 시스 열전대에 이용하는 재료로서, SUS316, 인코넬(등록상표), 하스텔로이(등록상표)를 예시하고 있다.This ceramic heater is provided with the ceramic heater plate which embeds the resistance heating wire (heater) which generate | occur | produces by resistance heating, and the support rod which supports this heater plate in a process chamber. As a material used for a heater, tungsten, molybdenum, tantalum, and a nickel-chromium alloy are illustrated. The terminal of the heater is exposed on the outer surface of the heater plate and is connected to the feed line. In addition, a metal tube is embedded in the heater plate surrounding the terminal. Tungsten and molybdenum are illustrated as a material used for a metal tube. The feeder is covered with a sheath wire. The sheath wire is soldered to the metal tube. In addition, a sheath thermocouple is provided for measuring the temperature of the heater plate. The tip of the sheath thermocouple is inserted into the metal tube embedded in the heater plate and soldered. And as a material used for a sheath wire and a sheath thermocouple, SUS316, Inconel (registered trademark), and Hastelloy (registered trademark) are illustrated.

또한, 히터의 열전도 효율을 향상시키기 위해서, 히터 플레이트를 금속제로 한 것이 있다. 예컨대, 일본 특허 공개 공보 제 2000-243542 호의 단락 0011-0013 및 도 3에 기재되어 있다. 이 히터 플레이트는 금속제의 상측 베이스와, 하측 베이스와, 이들 사이에 삽입되는 히터를 구비하고 있다. 히터는 금속제의 파이프로 피복된 시스 히터를 채용하고 있다. 상하 베이스는, 이 시스 히터를 삽입한 상태에서, 납땜(brazing), 솔더링(soldering) 및 확산 접합 중 어느 하나에 의해 기밀하게 접합하고 있다. 상하 베이스 및 시스 히터에 사용되는 재료로서, 알루미늄, 알루미늄 합금, 동, 동 합금, 스테인리스강, 니켈기 합금, 메탄 및 티탄 합금을 예시하고 있다. Moreover, in order to improve the heat conduction efficiency of a heater, there exist some which made the heater plate metal. For example, Paragraph 0011-0013 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-243542 and FIG. 3 are described. The heater plate includes a metal upper base, a lower base, and a heater inserted therebetween. The heater employs a sheath heater coated with a metal pipe. The upper and lower bases are hermetically joined by any one of brazing, soldering, and diffusion bonding while the sheath heater is inserted. As a material used for an up-and-down base and a sheath heater, aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, stainless steel, nickel-base alloy, methane, and titanium alloy are illustrated.

세라믹제의 히터 플레이트에 매설하는 히터에 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈을 적용하는 경우, 열에 의한 팽창 계수가 세라믹과 근사하기 때문에, 히터 플레이트의 내부 응력을 억제할 수 있다. 그러나, 텅스텐, 몰리브덴 및 탄탈은 고유 저항값이 니켈-크롬 합금에 비해 작기 때문에 발열 효율이 불량하다. 또한, 니켈-크롬 합금을 히터로서 매설한 경우, 발열 효율은 양호하게 되지만, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈에 비해 융점이 낮은 니켈-크롬 합금을 직접 매립하여 히터 플레이트를 소성할 때에는 세라믹의 재질의 선택 범위가 한정되게 된다.When tungsten, molybdenum and tantalum are applied to a heater embedded in a ceramic heater plate, the thermal expansion coefficient of the heater plate can be suppressed because the coefficient of expansion by heat is close to that of the ceramic. However, tungsten, molybdenum and tantalum have poor heat generation efficiency because the resistivity value is smaller than that of nickel-chromium alloy. In addition, when the nickel-chromium alloy is embedded as a heater, the heat generation efficiency is good, but when the nickel-chromium alloy, which has a lower melting point than tungsten, molybdenum, and tantalum, is directly buried to fire the heater plate, the ceramic material selection range is selected. Becomes limited.

또한, 시스 히터를 금속제의 상하 베이스에 삽입한 히터 플레이트는, 상하 베이스와 시스 히터의 보호 파이프에 동종 재료를 선택함으로써, 열팽창 차이에 따른 변형이 발생하지 않지만, 온도를 계측하기 위한 열전대를 구비하고 있지 않다. 세라믹제의 히터 플레이트와 같이 시스 열전대를 설치하는 것도 가능하지만, 측정 부 이외가 노출되기 때문에, 프로세스 챔버내의 분위기 온도의 영향을 받기 쉬운 동시에, 히터 플레이트의 하면측이 복잡해진다.In addition, the heater plate in which the sheath heater is inserted into the metal upper and lower bases has a thermocouple for measuring the temperature, although deformation due to the difference in thermal expansion does not occur by selecting the same material in the upper and lower bases and the protective pipes of the sheath heater. Not. It is also possible to provide a sheath thermocouple like a ceramic heater plate, but since the measurement part is exposed, the lower side of the heater plate is complicated while being easily affected by the ambient temperature in the process chamber.

본 발명은 사용되는 프로세스 챔버내에 충만한 프로세스 가스에 대하여 충분한 내식성을 갖고, 또한 발열 효율이 우수한 히터 유닛 및 이 히터 유닛의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a heater unit having sufficient corrosion resistance to a process gas filled in a process chamber used and excellent in heat generation efficiency and a method of manufacturing the heater unit.

본 발명에 따른 히터 유닛은, 서로 중첩하여 납땜되는 금속제의 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트와, 제 1 플레이트와 제 2 플레이트의 접합면중 적어도 한쪽에 설치된 제 1 홈을 따라 부설되어 제 2 플레이트의 중앙부에서 제 2 플레이트의 접합면과 반대측으로 연통하는 관통 구멍을 통해 취출되는 시스 히터와, 접합면중 적어도 한쪽에 설치된 제 2 홈을 따라 부설되어 제 2 플레이트의 중앙부에서 제 2 플레이트의 접합면과 반대측으로 연통하는 관통 구멍을 통해 취출되는 시스 열전대와, 관통 구멍을 둘러싸는 통 형상으로 형성되어 관통 구멍으로부터 취출된 시스 히터와 시스 열전대가 내부로 통과되는 샤프트를 구비한다.The heater unit according to the present invention is provided along a first groove provided on at least one of the joining surfaces of the first plate and the second plate, and the first plate and the second plate made of metal, which are soldered so as to overlap each other, so that Sheath heaters taken out through the through-holes communicating from the center part to the opposite side of the joining surface of the second plate, and are laid along a second groove provided in at least one of the joining surfaces, and are joined to the joining surface of the second plate at the center of the second plate. And a sheath thermocouple drawn out through the through hole communicating with the opposite side, and a sheath heater and a sheath thermocouple formed in a cylindrical shape surrounding the through hole and drawn out from the through hole.

홈 가공을 용이하게 하기 위해서, 제 1 홈을 제 1 플레이트에 설치하고, 제 2 홈을 제 2 플레이트에 설치한다. 온도 변화에 의한 열팽창 차이가 발생하지 않도록, 시스 히터의 시스와 시스 열전대의 시스는 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트의 금속 재료와 동일한 재질의 금속 재료를 이용한다. 부식성이 강한 가스 분위기중에서 사용하는 히터 유닛에는, 제 1 플레이트, 제 2 플레이트, 시스 히터의 시스 및 시스 열전대의 시스를 니켈기 내열 합금제로 한다. 또한, 히터의 발열 효율을 향상시키기 위해서, 제 1 홈과 시스 히터의 간극은 납재로 충전한다.In order to facilitate groove processing, the first groove is provided in the first plate, and the second groove is provided in the second plate. The sheath of the sheath heater and the sheath thermocouple sheath use a metal material of the same material as the metal material of the first plate and the second plate so that a difference in thermal expansion due to temperature change does not occur. In the heater unit used in a highly corrosive gas atmosphere, the sheath of the first plate, the second plate, the sheath heater and the sheath thermocouple are made of nickel-based heat-resistant alloy. In addition, in order to improve the heat generating efficiency of the heater, the gap between the first groove and the sheath heater is filled with a brazing filler metal.

본 발명에 따른 히터 유닛의 제조 방법은, 제 1 플레이트에 제 1 홈을 설치하는 제 1 홈 가공 단계와, 제 2 플레이트에 제 2 홈을 설치하는 제 2 홈 가공 단계와, 제 1 홈에 시스 히터를 부설하는 시스 히터 장착 단계와, 제 2 홈에 시스 열전대를 부설하는 시스 열전대 장착 단계와, 제 2 플레이트에 시스 열전대의 온도 측정부를 고정하는 용접 단계와, 제 1 플레이트의 제 1 홈이 형성된 측과 제 2 플레이트의 제 2 홈이 형성된 측중 적어도 한쪽에 제 1 홈과 시스 히터의 간극을 채우고 또한 제 1 플레이트와 제 2 플레이트를 접합하는 충분한 양의 납재를 부착시키는 납재 부착 단계와, 시스 히터의 단부와 시스 열전대의 단부를 제 2 플레이트의 중앙부에 설치한 관통 구멍을 통해 제 2 홈이 형성된 측과 반대측으로 도출된 상태로 제 1 홈과 제 2 홈을 대향시켜서 제 1 플레이트와 제 2 플레이트를 접합시키는 납땜 단계를 구비한다. The manufacturing method of the heater unit which concerns on this invention is a 1st groove processing step of providing a 1st groove in a 1st plate, a 2nd groove processing step of installing a 2nd groove in a 2nd plate, and a sheath in a 1st groove. A sheath heater mounting step of laying a heater, a sheath thermocouple mounting step of laying a sheath thermocouple in a second groove, a welding step of fixing a temperature measuring part of the sheath thermocouple to a second plate, and a first groove of the first plate is formed. A solder material attaching step of filling a gap between the first groove and the sheath heater on at least one of the side and the side where the second groove of the second plate is formed, and attaching a sufficient amount of the solder to join the first plate and the second plate; The first groove and the second groove are opposed to each other in a state in which the second groove is led to the side opposite to the side where the second groove is formed through the through hole provided at the center of the second plate. And a soldering step for joining the first plate and the second plate.

상기 구성의 히터 유닛에 따르면, 시스 히터와 시스 열전대가 외부로 노출되지 않는다. 따라서, 반도체의 제조 공정에 있어서의 부식성이 강한 프로세스 가스가 충만한 프로세스 챔버내에서 사용되는 경우에도, 시스 히터와 시스 열전대가 가스 분위기중에 노출되지 않기 때문에, 내식성이 향상된다.According to the heater unit of the above configuration, the sheath heater and the sheath thermocouple are not exposed to the outside. Therefore, even when used in a process chamber filled with a highly corrosive process gas in the semiconductor manufacturing process, the sheath heater and the sheath thermocouple are not exposed in the gas atmosphere, thereby improving the corrosion resistance.

또한, 시스 히터 및 시스 열전대의 시스 재료에 제 1 플레이트와 제 2 플레이트에 사용하는 금속 재료와 동일한 재질의 금속 재료를 사용하기 때문에, 온도 변화에 의한 열팽창 차이가 시스 히터 및 시스 열전대와 제 1 플레이트 및 제 2 플 레이트 사이에 발생하지 않는다. 따라서, 가열과 방열을 반복하는 조건으로 사용되는 경우에도, 축적되는 피로가 적고 내구성이 우수하다.In addition, since the sheath material of the sheath heater and the sheath thermocouple is made of a metal material of the same material as the metal material used for the first plate and the second plate, the difference in thermal expansion due to temperature change is caused by the sheath heater and the sheath thermocouple and the first plate. And does not occur between the second plate. Therefore, even when used under repeated heating and heat dissipation, the accumulation of fatigue is small and the durability is excellent.

그리고, 제 1 플레이트, 제 2 플레이트, 시스 히터의 시스 및 시스 열전대의 시스를 동일한 재질의 니켈기 내열 합금제로 함으로써, 내열성뿐만 아니라 내식성이 우수한 히터 유닛으로 할 수 있다.Then, the sheath of the first plate, the second plate, the sheath heater and the sheath thermocouple sheath are made of a nickel-based heat-resistant alloy of the same material, so that the heater unit excellent in not only heat resistance but also corrosion resistance can be obtained.

또한, 제 1 홈과 시스 히터와의 간극에 납재가 충전되어 있기 때문에, 시스 히터에서 발생된 열이 효율적으로 제 1 플레이트에 전달된다. 또한, 시스 열전대도 제 1 플레이트와 납재에 의해 접촉하고 있기 때문에, 온도 계측의 응답성이 좋다. 따라서, 시스 열전대에 의해 검출된 온도를 기초로 시스 히터의 발열량을 제어함으로써, 히터 유닛의 온도 및 그 분포를 미세하게 조절할 수 있다.In addition, since the brazing material is filled in the gap between the first groove and the sheath heater, heat generated in the sheath heater is efficiently transferred to the first plate. Moreover, since the sheath thermocouple is also in contact with the first plate and the brazing material, the response of the temperature measurement is good. Therefore, by controlling the amount of heat generated by the sheath heater based on the temperature detected by the sheath thermocouple, the temperature of the heater unit and its distribution can be finely adjusted.

또한, 상기 히터 유닛의 제조 방법에 따르면, 상술한 효과를 갖는 히터 유닛을 용이하게 제조할 수 있다.
Moreover, according to the manufacturing method of the said heater unit, the heater unit which has the above-mentioned effect can be manufactured easily.

본 발명에 따른 일 실시예의 히터 유닛(1)에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 히터 유닛(또는 히터 플레이트)(1)은 제 1 플레이트(2), 제 2 플레이트(3), 시스 히터(4a, 4b), 시스 열전대(5a, 5b) 및 샤프트(6)를 구비한다. 또한, 이들을 히터 플레이트(1)로서 조합한 상태를 도 4에 나타낸다. A heater unit 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. As shown in FIG. 1, the heater unit (or heater plate) 1 includes a first plate 2, a second plate 3, sheath heaters 4a and 4b, sheath thermocouples 5a and 5b and a shaft. (6) is provided. Moreover, the state which combined these as the heater plate 1 is shown in FIG.

제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)는 금속제, 구체적으로는 니켈기 내열 합금제의 원판 형상이다. 니켈기 내열 합금으로서, 인코넬(등록상표), 하스텔로이(등록상표)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 히터 유닛이 사용되는 환경에 따라서는, 스테인리스강, 알루미늄, 알루미늄 합금, 동, 동 합금, 티탄, 티탄 합금 중 하나를 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)에 사용할 수도 있다.The first plate 2 and the second plate 3 have a disk shape made of metal, specifically, nickel-based heat-resistant alloy. As the nickel-based heat resistant alloy, it is preferable to use Inconel (registered trademark) and Hastelloy (registered trademark). Further, depending on the environment in which the heater unit is used, one of stainless steel, aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, titanium, and titanium alloy may be used for the first plate 2 and the second plate 3.

제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)는 외연부에 있어서 핀(7)에 의해 위치 맞추어지고, 납재(8)에 의해 접합된다. 제 1 플레이트(2)는 중앙부와 외연부 근처의 범위에, 소용돌이 형상으로 연속되는 제 1 홈(9a, 9b)이 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에 있어서, 제 1 홈(9a, 9b)은 중앙부와 외연부 근처의 범위의 2개소로 나뉘어 있지만, 하나로 이어질 수도 있고, 복수의 링 형상의 범위로 나뉘어 있을 수도 있으며, 또한 소용돌이 형상 이외의 패턴 형상으로 부설되어 있을 수도 있다.The 1st plate 2 and the 2nd plate 3 are positioned by the pin 7 in the outer periphery part, and are joined by the brazing filler material 8. As for the 1st plate 2, the 1st grooves 9a and 9b which form a spiral form are formed in the range near a center part and an outer edge part. In addition, in the present embodiment, the first grooves 9a and 9b are divided into two places in the range near the center portion and the outer edge portion, but may lead to one, may be divided into a plurality of ring-shaped ranges, and may also be swirled. It may be provided in pattern shapes other than a shape.

제 2 플레이트(3)는 중앙부에, 접합면으로부터 외면으로 연통하는 관통 구멍(10a, 10b)이 시스 히터(4a, 4b)와 시스 열전대(5a, 5b)의 개수에 따라 설치되어 있다. 또한, 이러한 관통 구멍(10a, 10b)은 시스 히터(4a, 4b)와 시스 열전대(5a, 5b)를 모두 통과시킬 수 있는 하나의 구멍이어도 무방하다. 그리고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제 2 플레이트(3)는 제 1 플레이트(2)에 설치된 제 1 홈(9a, 9b)의 양단부에 대응하는 위치로부터 중앙부를 향해 반경방향으로 각각 제 1 홈(9a, 9b)으로의 도입 홈(11)이 설치되어 있다. 이 도입 홈(11)은 각 관통 구멍(10a)까지 서로 교차하지 않도록 배치되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제 2 플레이트(3)의 접합면에 제 2 홈(12)이 설치되어 있다. 제 2 홈(12)은 중앙부의 관통 구멍(10b)으로부터 온도 계측부(13)까지 반경방향으로 연장되어 있다.As for the 2nd plate 3, the through-hole 10a, 10b which communicates from the joining surface to the outer surface at the center part is provided according to the number of the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b. The through holes 10a and 10b may be one hole through which both the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b can pass therethrough. And as shown in FIG. 2, the 2nd plate 3 is a 1st groove | channel respectively radially toward the center part from the position corresponding to both ends of the 1st groove | channel 9a, 9b provided in the 1st plate 2, respectively. Introduction grooves 11 into 9a and 9b are provided. This introduction groove 11 is arrange | positioned so that it may not mutually cross to each through hole 10a. 3, the 2nd groove 12 is provided in the bonding surface of the 2nd plate 3. As shown in FIG. The second groove 12 extends radially from the through hole 10b in the center portion to the temperature measuring portion 13.

시스 히터(4a, 4b)는 저항 가열에 의해 발열하는 히터선(14a)을 금속제의 시스(14b)로 피복한 것이다. 히터선(14a)과 시스(14b)는, 예컨대 산화마그네슘이나 알루미나 등의 세라믹의 분체(14c)가 사이에 충전됨으로써 절연된다. 시스 히터(4a, 4b)는 제 1 홈(9a, 9b)을 따라 끼워 넣어지고, 납땜에 의해 고정된다. 또한, 시스 히터(4a, 4b)는 제 1 홈(9a, 9b)의 양단부에서 제 1 홈(9a, 9b)으로부터 제 2 플레이트(3)의 도입 홈(11)을 따르도록 절곡되고, 또한 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)를 중첩시켰을 때에 관통 구멍(10a)으로부터 단부가 나오도록 절곡되어 있다.The sheath heaters 4a and 4b cover the heater wire 14a which generates heat by resistance heating with a metallic sheath 14b. The heater wire 14a and the sheath 14b are insulated by filling the ceramic powder 14c such as magnesium oxide or alumina between them. The sheath heaters 4a and 4b are fitted along the first grooves 9a and 9b and are fixed by soldering. In addition, the sheath heaters 4a and 4b are bent so as to follow the introduction groove 11 of the second plate 3 from the first grooves 9a and 9b at both ends of the first grooves 9a and 9b. When the 1st plate 2 and the 2nd plate 3 are overlapped, it is bent so that an edge part may protrude from the through-hole 10a.

시스 히터(4a, 4b)와 제 1 홈의 밀착성을 향상시키기 위해서, 제 1 홈(9a, 9b)의 바닥부는 시스 히터(4a, 4b)의 외형에 맞추어 둥글게 가공한다. 시스 히터(4a, 4b)와 제 1 홈(9a, 9b)의 간극이 0.1㎜ 이하인 경우, 시스 히터(4a, 4b)와 제 1 홈(9a, 9b) 사이의 납재(8)가 부족하고, 납땜 불량을 발생할 우려가 있다. 또한, 간극이 0.5㎜ 이상인 경우, 납재(8)가 부족하기 때문에 홈이나 공극이 생기고, 또한 납재(8)로 간극이 채워져도 취화층이 생기기 쉬워지기 때문에, 가열과 방열을 반복함으로써 납땜부에 균열이 발생하기 쉽다. 따라서, 시스 히터(4a, 4b)와 제 1 홈(9a, 9b)의 간극은 0.1mm 내지 0.4㎜ 정도가 되도록 관리하는 것이 바람직하다.In order to improve the adhesion between the sheath heaters 4a and 4b and the first grooves, the bottom portions of the first grooves 9a and 9b are rounded to match the outer shapes of the sheath heaters 4a and 4b. When the gap between the sheath heaters 4a and 4b and the first grooves 9a and 9b is 0.1 mm or less, the brazing filler material 8 between the sheath heaters 4a and 4b and the first grooves 9a and 9b is insufficient. There is a risk of poor soldering. In the case where the gap is 0.5 mm or more, grooves and voids are formed because the brazing filler metal 8 is insufficient, and an embrittlement layer tends to occur even when the gap is filled with the brazing filler metal 8. Cracks are likely to occur Therefore, it is preferable to manage the gap between the sheath heaters 4a and 4b and the first grooves 9a and 9b to be about 0.1 mm to 0.4 mm.

시스 열전대(5a, 5b)는 선단부에 온도 측정부(15a)가 배치되도록 열전대를 금속제의 시스(15b)로 피복한 것이다. 열전대와 시스(15b)는, 예컨대 산화마그네슘이나 알루미나 등의 세라믹의 분체가 사이에 충전됨으로써 절연되어 있다. 시스 열전대(5a, 5b)는 제 2 홈(12)을 따라 끼워 넣어진다. 온도 측정부(15a)는 제 2 플레이트(3)에 용접된다. 시스 열전대(5a, 5b)는 기단부(15c)가 제 2 플레이트(3)의 관통 구멍(10b)으로부터 나오도록 절곡된다. 본 실시예에서는, 시스 히터(4a, 4b)의 개수에 맞추어 각각 하나씩 시스 열전대(5a, 5b)를 배치하고 있다. 히터 유닛(1)의 온도 제어를 보다 정밀도 좋게 실행하기 위해서, 도시한 이외의 위치에도 제 2 홈을 설치하여 시스 열전대를 배치할 수도 있다.The sheath thermocouples 5a and 5b cover the thermocouple with a metallic sheath 15b so that the temperature measuring section 15a is disposed at the tip. The thermocouple and the sheath 15b are insulated by filling, for example, ceramic powder such as magnesium oxide or alumina. The sheath thermocouples 5a and 5b are fitted along the second grooves 12. The temperature measuring unit 15a is welded to the second plate 3. The sheath thermocouples 5a and 5b are bent so that the proximal end 15c comes out of the through hole 10b of the second plate 3. In this embodiment, sheath thermocouples 5a and 5b are arranged one by one in accordance with the number of sheath heaters 4a and 4b. In order to perform temperature control of the heater unit 1 more precisely, a second groove may be provided at positions other than those shown in the drawings, and the sheath thermocouple may be arranged.

시스 히터(4a, 4b) 및 시스 열전대(5a, 5b)의 시스(14b, 15b)는 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)와 동일한 재질의 니켈기 내열 합금으로 제조되는 것이 바람직하지만, 선팽창 계수가 제 1 플레이트(2)나 제 2 플레이트(3)와 근사한 금속제 재료, 예컨대 스테인리스강일 수도 있다. 또한, 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)에 다른 금속 재료가 적용되는 경우에는 그 금속 재료와 동일한 재질의 금속 재료의 시스를 사용하는 것이 바람직하다.The sheath heaters 4a, 4b and the sheaths 14b, 15b of the sheath thermocouples 5a, 5b are preferably made of a nickel-based heat resistant alloy of the same material as the first plate 2 and the second plate 3, but The linear expansion coefficient may be a metal material such as stainless steel, which is close to the first plate 2 or the second plate 3. In addition, when another metal material is applied to the 1st plate 2 and the 2nd plate 3, it is preferable to use the sheath of the metal material of the same material as the metal material.

샤프트(6)는 제 2 플레이트(3)의 중앙부에 설치된 관통 구멍(10a, 10b)을 둘러싸는 원통 형상이다. 관통 구멍(10a, 10b)으로부터 인출된 시스 히터(4a, 4b) 및 시스 열전대(5a, 5b)는 샤프트(6)의 내부로 통과된다. 샤프트(6)와 제 2 플레이트(3)는 용접 또는 납땜 등, 내부와 외부의 기밀을 유지할 수 있는 방법으로 접합되어 있다. The shaft 6 has a cylindrical shape surrounding the through holes 10a and 10b provided in the central portion of the second plate 3. The sheath heaters 4a and 4b and sheath thermocouples 5a and 5b drawn out from the through holes 10a and 10b are passed into the shaft 6. The shaft 6 and the second plate 3 are joined in such a manner as to maintain the airtightness inside and outside, such as welding or soldering.

다음에, 이상과 같이 구성되는 히터 유닛(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 히터 유닛(1)의 제조 방법은 제 1 홈 가공 단계, 제 2 홈 가공 단계, 시스 히터 장착 단계, 시스 열전대 장착 단계, 용접 단계, 납재 부착 단계 및 납땜 단계를 포함한다. 제 1 홈 가공 단계에서, 제 1 플레이트(2)는 제 1 홈(9a, 9b)이 형성된다. 제 2 홈 가공 단계에서, 제 2 플레이트(3)는 제 2 홈(12) 및 도입 홈(11)이 형성된다. 제 1 플레이트(2)는, 제 1 홈 가공 단계 후 시스 히터 장착 단계에서 시스 히터(4a, 4b)가 제 1 홈(9a, 9b)을 따라 부설된다. 제 2 플레이트(3)는, 제 2 홈 가공 단계 후 시스 열전대 장착 단계에서 시스 열전대(5a, 5b)가 제 2 홈(12)을 따라 부설된다. 시스 열전대(5a, 5b)의 온도 측정부(15a)는, 용접 단계에서 온도 계측부(13)에 위치하는 제 2 홈(12)의 말단부에 용접되고, 시스 열전대(5a, 5b)의 기단부(15c)는 제 2 플레이트(3)의 중앙부에 설치된 관통 구멍(10a)으로 통과된다. 제 1 플레이트(2)는, 납재 부착 단계에서 제 1 홈(9a, 9b)이 형성된 접합면에 박형의 납재(8)가 부착된다. 납재(8)의 양은 제 1 홈(9a, 9b)과 시스 히터(4a, 4b)의 간극을 채우고, 또한 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)를 접합하는 충분한 양이다. 또한, 시스 히터(4a, 4b)의 단부를 통과시키는 구멍이 납재(8)에 설치된다. 납땜 단계에서, 시스 히터(4a, 4b)의 단부는 제 2 플레이트(3)의 중앙부에 설치된 관통 구멍(10b)을 통해 제 2 홈(12)이 형성된 측과 반대측으로 취출된다. 이 상태에서, 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)는 제 1 홈(9a, 9b)과 제 2 홈(12)이 각각 형성된 접합면을 맞춘다. 제 1 홈(9a, 9b)과 도입 홈(11)의 위치는 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)의 외연부에 장착되는 위치 결정용의 핀(7)에 의해 맞추어진다. 또한, 관통 구멍(10a, 10b)으로부터 취출된 시스 히터(4a, 4b)와 시스 열전대(5a, 5b)가 통과된 샤프트(6)가 제 2 플레이트(3)에 납재(8)를 삽입하여 고정된다. 이 상태에서, 히터 유닛(1)은 진공로로 넣어져 진공 흡인된 후, 납재(8)가 용융되는 온도까지 가열됨으로써, 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3), 및 제 2 플레이트(3)와 샤프트(6)가 납땜된다. 또한, 제 1 홈(9a, 9b)과 시스 히터(4a, 4b)의 간극은 납재(8)로 충전된다. 또한, 샤프트(6)와 제 2 플레이트(3)의 접합은 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)를 납땜한 후에 용접 등에 의해 접합할 수도 있다.Next, the manufacturing method of the heater unit 1 comprised as mentioned above is demonstrated. The manufacturing method of the heater unit 1 includes a first grooving step, a second grooving step, a sheath heater mounting step, a sheath thermocouple mounting step, a welding step, a solder material attaching step and a soldering step. In the first groove processing step, the first plate 2 is formed with first grooves 9a and 9b. In the second groove processing step, the second plate 3 is formed with a second groove 12 and an introduction groove 11. In the first plate 2, the sheath heaters 4a and 4b are laid along the first grooves 9a and 9b in the sheath heater mounting step after the first groove processing step. In the second plate 3, sheath thermocouples 5a and 5b are laid along the second grooves 12 in the sheath thermocouple mounting step after the second grooving step. The temperature measuring part 15a of the sheath thermocouples 5a and 5b is welded to the distal end of the second groove 12 located in the temperature measuring part 13 in the welding step, and the proximal end 15c of the sheath thermocouples 5a and 5b. ) Passes through the through hole 10a provided in the central portion of the second plate 3. In the first plate 2, the thin solder material 8 is attached to the joint surface on which the first grooves 9a and 9b are formed. The amount of the brazing filler material 8 is a sufficient amount to fill the gap between the first grooves 9a and 9b and the sheath heaters 4a and 4b and to join the first plate 2 and the second plate 3 together. In addition, a hole for passing the ends of the sheath heaters 4a and 4b is provided in the brazing filler material 8. In the soldering step, the ends of the sheath heaters 4a and 4b are taken out to the side opposite to the side where the second groove 12 is formed through the through hole 10b provided in the center portion of the second plate 3. In this state, the first plate 2 and the second plate 3 fit the joint surfaces on which the first grooves 9a and 9b and the second grooves 12 are formed, respectively. The positions of the first grooves 9a and 9b and the introduction grooves 11 are aligned by the positioning pins 7 mounted on the outer edges of the first plate 2 and the second plate 3. In addition, the sheath heaters 4a and 4b taken out from the through holes 10a and 10b and the shaft 6 through which the sheath thermocouples 5a and 5b have passed are fixed with the brazing filler material 8 inserted into the second plate 3. do. In this state, the heater unit 1 is put into a vacuum furnace, vacuum sucked, and then heated to a temperature at which the brazing filler material 8 is melted, whereby the first plate 2, the second plate 3, and the second plate. 3 and the shaft 6 are soldered. Further, the gap between the first grooves 9a and 9b and the sheath heaters 4a and 4b is filled with the brazing filler material 8. In addition, joining of the shaft 6 and the 2nd plate 3 can also be joined by welding, etc. after soldering the 1st plate 2 and the 2nd plate 3.

또한, 도시하지 않지만, 제 1 플레이트(2)의 표면에 반도체 웨이퍼를 흡착하기 위한 배기 홈이나 배기 구멍을 설치하거나, 반도체 웨이퍼를 제 1 플레이트(2)로부터 분리하는 리프트 핀을 통과시키기 위해서 구멍을 설치할 수도 있다. 또한, 제 1 홈(9a, 9b)을 제 1 플레이트(2)에, 제 2 홈(12)을 제 2 플레이트(3)에 설치했지만, 제 1 홈(9a, 9b)과 제 2 홈(12)을 어느 한쪽의 플레이트에 오목하게 설치할 수도 있다. 또한, 제 1 홈(9a, 9b)이나 제 2 홈(12)에 상당하는 슬릿을 설치한 플레이트를 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3) 사이에 삽입하여 납땜할 수도 있다.In addition, although not shown in the drawing, an exhaust groove or an exhaust hole for adsorbing the semiconductor wafer is provided on the surface of the first plate 2, or a hole is formed to pass a lift pin for separating the semiconductor wafer from the first plate 2. You can also install. Further, although the first grooves 9a and 9b are provided in the first plate 2 and the second grooves 12 are provided in the second plate 3, the first grooves 9a and 9b and the second grooves 12 are provided. ) May be recessed on either plate. In addition, a plate provided with slits corresponding to the first grooves 9a and 9b or the second grooves 12 may be inserted between the first plate 2 and the second plate 3 and soldered.

이상과 같이 구성된 히터 유닛(1)에 있어서, 시스 히터(4a, 4b)와 시스 열전대(5a, 5b)는 제 1 플레이트(2)와 제 2 플레이트(3)의 접합면에 설치한 제 1 홈(9a, 9b)과 제 2 홈(12)에 끼워 넣어져 있다. 그리고, 시스 히터(4a, 4b)의 단부와 시스 열전대(5a, 5b)의 기단부(15c)는 제 2 플레이트(3)의 중앙부에 설치한 관통 구멍(10a, 10b)으로부터 취출되고, 샤프트(6)의 내부로 통과되어 있다. 따라서, 시스 히터(4a, 4b) 및 시스 열전대(5a, 5b)가 노출되지 않아, 히터 유닛(1)의 주변이 번잡해지지 않는다. 또한, 시스 히터(4a, 4b)나 시스 열전대(5a, 5b)가 샤 프트(6)의 내부로 통과되어 있기 때문에, 반도체의 제조 공정에 있어서, 부식성이 강한 프로세스 가스로 충만된 프로세스 챔버내에서 사용되는 경우에도, 시스 히터(4a, 4b)나 시스 열전대(5a, 5b)가 가스 분위기중에 노출되지 않는다. 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)가 금속제이기 때문에, 세라믹제의 것에 비해 홈의 가공이 용이한 동시에, 진동이나 충격 혹은 응력 등에 대한 내구성이 우수하고, 납재(8)에 대한 습윤성도 양호하다.In the heater unit 1 comprised as mentioned above, the sheath heater 4a, 4b and the sheath thermocouple 5a, 5b are the 1st groove | channel provided in the joining surface of the 1st plate 2 and the 2nd plate 3; It fits in 9a, 9b and the 2nd groove | channel 12. The end portions of the sheath heaters 4a and 4b and the base end portions 15c of the sheath thermocouples 5a and 5b are taken out from the through holes 10a and 10b provided in the center portion of the second plate 3, and the shaft 6 ) Is passed through. Therefore, the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b are not exposed, and the periphery of the heater unit 1 is not complicated. In addition, since the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b are passed through the shaft 6, in the process of manufacturing a semiconductor, in a process chamber filled with a highly corrosive process gas. Even when used, the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b are not exposed in the gas atmosphere. Since the first plate 2 and the second plate 3 are made of metal, the grooves are easier to process than those made of ceramic, and have excellent durability against vibration, impact, stress, and the like, and wettability with respect to the brazing filler material 8. Is also good.

또한, 시스 히터(4a, 4b)나 시스 열전대(5a, 5b)의 시스(14b, 15b)를 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)의 금속 재료와 동일한 재질의 금속 재료로 하기 때문에, 온도 변화에 따라 시스 히터(4a, 4b) 및 시스 열전대(5a, 5b)와 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3) 사이에 응력이 발생하지 않는다. In addition, since the sheaths 14b and 15b of the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b are made of metal materials of the same material as those of the first and second plates 2 and 3, In accordance with the temperature change, no stress is generated between the sheath heaters 4a and 4b and the sheath thermocouples 5a and 5b and the first plate 2 and the second plate 3.

또한, 시스 히터(4a, 4b)가 제 1 플레이트(2)의 제 1 홈(9a, 9b)에 납땜되어 있기 때문에, 시스 히터(4a, 4b)로부터 제 1 플레이트(2)로의 열전달 효율이 양호하다. 또한, 시스 열전대(5a, 5b)의 온도 측정부(15a)도 제 1 플레이트(2) 및 제 2 플레이트(3)에 납땜에 의해 접촉되어 있기 때문에, 온도 측정의 응답성이 양호하다.In addition, since the sheath heaters 4a and 4b are soldered to the first grooves 9a and 9b of the first plate 2, the heat transfer efficiency from the sheath heaters 4a and 4b to the first plate 2 is good. Do. Moreover, since the temperature measuring part 15a of the sheath thermocouples 5a and 5b also contacts the 1st plate 2 and the 2nd plate 3 by soldering, the response of temperature measurement is favorable.

본 발명에 따른 히터 유닛에 의하면, 히터 유닛과 시스 열전대가 외부에 노출되지 않는다. 반도체의 제조 프로세스에 있어서 부식성이 강한 프로세스 가스가 충만한 프로세스 챔버내에서 사용되는 경우에도, 시스 히터와 시스 열전대가 가스 분위기중에 노출되지 않기 때문에, 내식성이 향상된다.According to the heater unit according to the present invention, the heater unit and the sheath thermocouple are not exposed to the outside. Even when used in a process chamber filled with a highly corrosive process gas in a semiconductor manufacturing process, the sheath heater and the sheath thermocouple are not exposed in the gas atmosphere, thereby improving corrosion resistance.

또한, 시스 히터 및 시스 열전대의 시스 재료에 제 1 플레이트와 제 2 플레이트에 사용하는 금속 재료와 동일한 재질의 금속 재료를 사용하기 때문에, 온도 변화에 의한 열팽창 차이가 시스 히터 및 시스 열전대와 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트 사이에 발생하지 않는다. 따라서, 가열과 방열을 반복하는 조건으로 사용되는 경우에도, 축적되는 피로가 적고 내구성이 우수하다.In addition, since the sheath material of the sheath heater and the sheath thermocouple is made of a metal material of the same material as the metal material used for the first plate and the second plate, the difference in thermal expansion due to temperature change is caused by the sheath heater and the sheath thermocouple and the first plate. And does not occur between the second plate. Therefore, even when used under repeated heating and heat dissipation, the accumulation of fatigue is small and the durability is excellent.

그리고, 제 1 플레이트, 제 2 플레이트, 시스 히터의 시스 및 시스 열전대의 시스를 동일한 재질의 니켈기 내열 합금제로 함으로써, 내열성뿐만 아니라 내식성이 우수한 히터 유닛으로 할 수 있다.Then, the sheath of the first plate, the second plate, the sheath heater and the sheath thermocouple sheath are made of a nickel-based heat-resistant alloy of the same material, so that the heater unit excellent in not only heat resistance but also corrosion resistance can be obtained.

또한, 제 1 홈과 시스 히터와의 간극에 납재가 충전되어 있기 때문에, 시스 히터에서 발생된 열이 효율적으로 제 1 플레이트에 전달된다. 또한, 시스 열전대도 제 1 플레이트와 납재에 의해 접촉하고 있기 때문에, 온도 계측의 응답성이 좋다. 따라서, 시스 열전대에 의해 검출된 온도를 기초로 시스 히터의 발열량을 제어함으로써, 히터 유닛의 온도 및 그 분포를 미세하게 조절할 수 있다.In addition, since the brazing material is filled in the gap between the first groove and the sheath heater, heat generated in the sheath heater is efficiently transferred to the first plate. Moreover, since the sheath thermocouple is also in contact with the first plate and the brazing material, the response of the temperature measurement is good. Therefore, by controlling the amount of heat generated by the sheath heater based on the temperature detected by the sheath thermocouple, the temperature of the heater unit and its distribution can be finely adjusted.

Claims (9)

히터 유닛에 있어서, In the heater unit, 서로 중첩하여 납땜되는 금속제의 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트와,A first plate and a second plate made of metal which are soldered to overlap each other; 상기 제 1 플레이트와 상기 제 2 플레이트의 접합면 중 적어도 하나에 설치된 제 1 홈과, A first groove provided on at least one of a bonding surface of the first plate and the second plate, 상기 제 1 홈을 따라 부설되고, 상기 제 2 플레이트의 중앙부에서 상기 접합면으로 연통하는 관통 구멍을 통해 취출되는 시스 히터와, A sheath heater installed along the first groove and drawn out through a through hole communicating from the central portion of the second plate to the joining surface; 상기 접합면 중 적어도 한쪽에 설치된 제 2 홈과,A second groove provided on at least one of the joining surfaces, 온도 측정부가 상기 접합면의 중앙부로부터 반경방향으로 떨어진 위치에 배치되고, 상기 제 2 홈을 따라 부설되어 중앙부에서 상기 접합면으로부터 상기 제 2 플레이트를 연통하는 관통 구멍을 통해 취출되는 시스 열전대와, A sheath thermocouple disposed at a position radially distant from the center portion of the joining surface and disposed along the second groove and drawn out through a through hole communicating the second plate from the joining surface at the center; 상기 관통 구멍을 둘러싸는 통 형상으로 형성되어 상기 관통 구멍으로부터 취출된 상기 시스 히터와 상기 시스 열전대가 내부로 통과되는 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는And a shaft formed in a cylindrical shape surrounding the through hole, wherein the sheath heater and the sheath thermocouple passed from the through hole are passed therein. 히터 유닛. Heater unit. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 홈은 상기 제 1 플레이트에 설치되고, The first groove is installed in the first plate, 상기 제 2 홈은 상기 제 2 플레이트에 설치되는 것을 특징으로 하는The second groove is installed on the second plate 히터 유닛.Heater unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 시스 히터의 시스는 상기 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트에 사용되는 금속 재료와 동이한 재질의 금속 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는The sheath of the sheath heater is characterized in that it is made of a metal material of the same material as the metal material used for the first plate and the second plate 히터 유닛.Heater unit. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 시스 열전대의 시스는 상기 제 1 플레이트 및 제 2 플레이트에 사용되는 금속 재료와 동일한 재료의 금속 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는The sheath thermocouple sheath is made of a metal material of the same material as the metal material used for the first plate and the second plate. 히터 유닛.Heater unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 플레이트, 상기 제 2 플레이트, 상기 시스 히터의 시스 및 상기 시스 열전대의 시스는 동일한 재질의 니켈기 내열 합금제인 것을 특징으로 하는The sheath of the first plate, the second plate, the sheath heater and the sheath thermocouple are made of a nickel-based heat-resistant alloy of the same material. 히터 유닛.Heater unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 홈과 상기 시스 히터와의 간극에 납재가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는A filler is filled in the gap between the first groove and the sheath heater. 히터 유닛.Heater unit. 히터 유닛의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of a heater unit, 제 1 플레이트에 제 1 홈을 설치하는 제 1 홈 가공단계와,A first groove processing step of installing the first groove on the first plate, 제 2 플레이트에 제 2 홈을 설치하는 제 2 홈 가공단계와.A second groove processing step of installing a second groove on the second plate; 상기 제 1 홈에 시스 히터를 부설하는 시스히터 장착단계와,Sheath heater mounting step of laying a sheath heater in the first groove, 상기 제 2 홈에 시스 열전대를 부설하는 시스 열전대 장착단계와,Sheath thermocouple mounting step of laying a sheath thermocouple in the second groove, 상기 제 2 플레이트의 중앙부로부터 반경방향으로 떨어진 위치에 상기 시스 열전대의 온도 측정부를 고정하는 용접 단계와,A welding step of fixing the temperature measuring part of the sheath thermocouple at a position radially away from the center of the second plate; 상기 제 1 플레이트의 제 1 홈이 형성된 측과 상기 제 2 플레이트의 제 2 홈이 형성된 측 중 적어도 한쪽에 상기 제 1 홈과 상기 시스 히터와의 간극을 채우고, 또한 상기 제 1 플레이트와 상기 제 2 플레이트를 접합하는 충분한 양의 납재를 부착시키는 납재 부착 단계와,A gap between the first groove and the sheath heater is filled in at least one of the side where the first groove of the first plate is formed and the side where the second groove of the second plate is formed, and further, the first plate and the second A solder material attaching step of attaching a sufficient amount of solder material to join the plate, 상기 시스 히터의 단부와 상기 시스 열전대의 단부를 상기 제 2 플레이트의 중앙부에 설치한 관통 구멍을 통해 상기 제 2 홈이 형성된 측과 반대측으로 도출한 상태에서, 상기 제 1 홈과 상기 제 2 홈을 대향시켜서 상기 제 1 플레이트와 상기 제 2 플레이트를 접합시키는 납땜 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는The first groove and the second groove are formed in a state in which the end of the sheath heater and the end of the sheath thermocouple are led to the side opposite to the side where the second groove is formed through a through hole provided in the center portion of the second plate. And a soldering step of joining the first plate and the second plate to face each other. 히터 유닛의 제조 방법. Method of manufacturing the heater unit. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 홈은 소용돌이 형상으로 연속하여 상기 제 1 플레이트에 형성되고, The first groove is continuously formed in the first plate in a spiral shape, 상기 제 1 홈의 단부로부터 중앙부까지 반경방향으로 연장하는 도입홈이, 제 2 플레이트에 더 형성되는 것을 특징으로 하는An introduction groove extending radially from an end portion of the first groove to the center portion is further formed in the second plate. 히터 유닛.Heater unit. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1 홈은 상기 제 2 홈과 입체 교차하는 것을 특징으로 하는Wherein the first groove is three-dimensionally intersected with the second groove. 히터 유닛. Heater unit.
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