KR100608329B1 - 이미지센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 광특성을 향상시키는 이미지센서(Image Sensor)의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 수광영역이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한 후, 상기 층간절연막 상에 소정 형상의 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선을 포함한 층간절연막 상에 수광영역과 대응되는 부위를 한정하는 감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 층간절연막을 소정 깊이만큼 건식 식각하는 단계; 상기 감광막패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물 상에 제1산화막 및 상기 제1산화막보다 높은 밀도를 갖는 제2산화막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2산화막과 제1산화막을 건식 식각하여 상기 금속 배선과 상기 식각된 층간절연막 각각의 측벽에 제1, 제2산화막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 보호막 및 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 상기 제2산화막보다 높은 밀도를 갖는 평탄화층을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1은 종래의 기술에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2는 종래의 기술에 따른 문제점을 나타내는 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도.
-도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명-
31 : 반도체 기판 32 : 소자격리막
33 : 포토다이오드 34 : 층간절연막
35 : 금속배선 36 : 감광막패턴
37 : 제1산화막 38 : 제2산화막
37a : 제1산화막 스페이서 38a : 제2산화막 스페이서
39 : 보호막 40 : 칼라필터
41 : 평탄화층 42 : 마이크로렌즈
A : 제2산화막 스페이서에서 전반사되는 빛의 경로
A′: 제1산화막 스페이서에서 전반사되는 빛의 경로
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 이미지센서의 광특성을 향상시키기 위한 이미지센서(Image Sensor)의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서(Image Sensor)는 광학 영상(Optical Image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device ; CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS) 이미지센서는 제어 회로(Control Circuit) 및 신호처리회로(Signal Processing Circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(Pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 이미지센서(Image Sensor)는 외부로부터 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 칼라필터가 배열되어 있으며, 칼라필터어레이(Color Filter Array ; CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직(Logic)회로 부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다.
따라서, 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼라필터 상에 마이크로렌즈(Microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
종래의 이미지센서의 제조방법에 대하여 도 1을 참조하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.
종래의 이미지센서의 제조방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저, 반도체 기판(11)에 소자간의 전기적인 절연을 위한 소자격리막(12)을 형성한 후, 상기 소자격리막(12)에 의해 정의된 상기 반도체 기판(11)의 액티브영역에 게이트전극(미도시)을 형성한다.
다음으로, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 반도체 기판(11) 내에 포토다이오드(13)로 이루어진 수광영역을 형성한 후, 소오스/드레인 및 센싱노드(미도시)를 형성하기 위한 이온주입을 실시한다.
그리고, 상기 결과물 상에 층간절연막(14)을 형성하고 나서, 상기 층간절연막(14) 상에 소정 형상의 금속배선(15)을 형성한다. 이어, 상기 금속배선(15)을 포함한 층간절연막(14) 상에 수광영역과 대응되는 부위를 한정하는 감광막패턴(미도시)을 형성한다. 그런 후, 상기 감광막패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 층간절연막(14)을 소정 깊이만큼 건식 식각하고 나서, 상기 감광막패턴을 제거한다.
그런다음, 상기 결과물 상에 보호막(16)을 형성한다. 이 때, 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이에 층간절연막을 형성하고 최종 금속배선 상부에 보호막을 형성하는데, 도 1에서는 하나의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.
이어, 상기 보호막(16) 상에 칼라 이미지 구현을 위한 세 가지 종류의 칼라필터(17)를 형성한 후, 상기 칼라필터(17)를 포함한 전면에 평탄화층(18)을 형성한다. 여기서, 상기 평탄화층(18)은 상기 칼라필터(17)가 형성되면 그 단차에 의해 평탄도가 불량해지므로 상기 칼라필터(17) 상부에 형성될 마이크로렌즈가 단위 픽셀마다 모양이 상이하게 형성되어 균일성(Uniformity)이 저하되는 것을 방지하는 역할을 한다.
이후, 상기 평탄화층(18) 상에 광집속율을 증가시키기 위해 마이크로렌즈(Microlens)(19)를 형성한다. 이때, 도 1에서 화살표로 나타낸 것은 마이크로렌즈(19)에서 굴절되어 수광영역(13)으로 입사되는 빛의 경로를 나타낸 것이다.
도 2는 종래의 기술에 따른 문제점을 나타내는 단면도이다.
종래의 기술에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈(Microlens)(29)에서 굴절되어 비스듬히 입사되는 빛 중 포토다이오드(23)로 이루어진 수광영역을 벗어나는 빛이 발생하여 광감도가 저하되는 문제점이 발생된다. 또한, 상기 수광영역을 벗어난 빛이 다른 화소영역으로 입사되면 크로스 토크(Crosstalk) 현상 등이 일어나 이미지센서의 광특성이 저하되는 문제점이 발생된다.
도 2에서 미설명된 도면부호 21은 반도체 기판, 22는 소자격리막, 24는 층간절연막, 25는 금속배선, 26은 보호막, 27은 칼라필터, 28은 평탄화층을 각각 나타낸 것이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 마이크로렌즈에서 굴절되어 입사되는 빛이 수광영역을 벗어나는 것을 방지하여, 광감도를 향상시키는 것은 물론, 빛이 다른 화소영역으로 입사됨을 방지하여 크로스 토크(Crosstalk) 현상 등이 발생됨을 방지하여 이미지센서의 광특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서의 제조방법은 수광영역이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한 후 상기 층간절연막 상에 상기 수광영역과 중첩되지 않게 소정 형상의 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선을 포함한 층간절연막 상에 수광영역과 대응되는 부위를 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 층간절연막의 노출된 부분을 소정 깊이만큼 건식 식각하는 단계; 상기 감광막패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물 상에 제1산화막과 상기 제1산화막보다 높은 밀도를 갖는 제2산화막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2산화막과 제1산화막을 건식 식각하여 상기 금속 배선의 측벽과 상기 식각된 층간절연막의 측벽에 제1 및 제2산화막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 보호막 및 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 상기 제2산화막보다 높은 밀도를 갖는 평탄화층을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화층 상의 상기 수광 영역과 대응하는 부분에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 층간절연막의 건식 식각 공정은 2,000~50,000Å의 두께만큼 식각하며, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용하며, 상기 제1산화막으로는 LTO(Low Temperature Oxide)를 이용하고, 상기 제2산화막으로는 PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 이용하여 100~300℃의 온도에서 각각 50~2,000Å의 두께로 형성하고, 상기 제2산화막과 제1산화막의 건식 식각 공정은, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용하며, 상기 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이마다 층간절연막을 형성하고 나서, 각각의 층간절연막의 소정 부분을 건식 식각한 후, 상기 식각된 층간절연막과 금속배선 각각의 측벽에 상기 제1, 제2산화막 스페이서를 형성하는 공정을 2회 이상 반복 실시하고, 상기 평탄화층으로는 HDP-USG(High Density Plasma-Undoped Silicate Glass), 1.5~10의 유전상수를 갖는 유기결합물, 산화막, 질화막 및 질산화막 중 어느 하나를 이용하는 것이고, 상기 평탄화층은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 스핀-온(Spin-on) 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성한다.
본 발명에 따르면, 수광영역을 벗어나려는 빛을 층간절연막과 금속배선 각각의 측벽에 형성된 산화막 스페이서에서 전반사시켜 수광영역에 집광시킴으로써, 크로스 토크(Crosstalk) 현상 등을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 광감도를 향상시킬 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저, 반도체 기판(31)에 소자간의 전기적인 절연을 위한 소자격리막(32)을 형성한 후, 상기 소자격리막(32)에 의해 정의된 상기 반도체 기판(31)의 액티브영역에 게이트전극(미도시)을 형성한다.
다음으로, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 반도체 기판(31) 내에 포토다이오드(33)로 이루어진 수광영역을 형성한 후, 소오스/드레인 및 센싱노드(미도시)를 형성하기 위한 이온주입을 실시한다.
그리고, 상기 결과물 상에 층간절연막(34)을 형성하고 나서, 상기 층간절연막(34) 상에 소정 형상의 금속배선(35)을 형성한다. 이어, 상기 금속배선(35)을 포함한 층간절연막(34) 상에 수광영역과 대응되는 부위를 한정하는 감광막패턴(36)을 형성한다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 층간절연막(34)을 소정 깊이만큼 건식 식각한다. 여기서, 상기 층간절연막(34)의 건식 식각 공정은 2,000~50,000Å의 두께만큼 식각하며, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용한다. 상기에서 층간절연막(34)을 2,000Å 이하로 식각하면 집광 효율이 저하되며, 50,000Å 이상 식각하면 막의 두께가 감소되어 절연특성이 저하될 뿐만 아니라 심하면 반도체 기판(31)에 형성된 포토다이오드(33)가 노출될 수도 있다.
그리고나서, 상기 감광막패턴을 제거한 후, 상기 결과물 상에 제1산화막(37)과 제2산화막(38)을 차례로 형성한다. 여기서, 상기 제2산화막(38)으로는 상기 제1산화막(37) 보다 높은 밀도를 갖는 산화막을 이용하며, 예컨대, 상기 제1산화막(37)으로는 LTO(Low Temperature Oxide)를 이용하고, 상기 제2산화막(38)으로는 상기 LTO에 비해 상대적으로 밀도가 높은 PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 이용한다. 또한, 상기 제1산화막(37)과 제2산화막(38)은 100~300℃의 온도에서 각각 50~2,000Å의 두께로 형성한다. 상기에서 제1산화막(37)과 제2산화막(38)을 100℃ 이하의 온도에서 형성하면 성막 특성이 저하되며 300℃ 이하의 온도에서 형성하면 금속배선(35)이 열에 의해 손상될 수도 있다. 또한, 제1산화막(37)과 제2산화막(38)을 각각 50Å 이하의 두께로 형성하면 집광 효율이 저하되고 2,000Å 이상의 두께로 형성하면 어레이의 집적도가 저하된다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제2산화막과 제1산화막을 건식 식각하여 상기 금속 배선(35)과 상기 식각된 층간절연막(34) 각각의 측벽에 제1, 제2산화막 스페이서(37a , 38a)를 형성한다. 여기서, 상기 상기 제2산화막과 제1산화막의 건식 식각 공정은, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용한다. 이때, 상기 제2산화막과 제1산화막을 한꺼번에 건식 식각하는 대신, 제1산화막을 형성한 다음, 이를 건식 식각하여 제1산화막 스페이서(37a)를 형성하고, 이후, 제2산화막을 형성한 다음, 이를 건식 식각하여 제2산화막 스페이서(38a)를 형성하여도 된다.
한편, 서로 다른 밀도를 갖는 매질을 빛이 통과할 경우, 밀도가 큰 매질에서 밀도가 작은 매질로 빛이 통과할 때에는 입사각보다 굴절각이 크다. 이때, 입사각이 점차 증가되면 어느 임계치에서는 굴절광선이 두 매질의 경계면을 따라 진행하게 되고, 더욱 커지면 굴절광선이 없어지고 빛은 모두 전반사된다. 즉, 굴절각이 90°일때의 빛의 입사각을 임계각(Critical Angle)이라 하며, 입사각이 임계각보다 크면 빛은 전반사하게 되는 것이다.
이러한 원리를 이용하여 수광영역을 벗어나려는 빛을 수광영역에 집광시키기 위해, 상기 제1, 제2산화막 스페이서(37a, 38a)에 있어서, 상기 제2산화막 스페이서(38a)를 상기 제1산화막 스페이서(37a)보다 높은 밀도를 갖는 물질로 형성한 것이다.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 결과물 상에 보호막(39)을 형성한다. 한편, 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이마다 층간절연막을 형성하고 나서, 상기 각각의 층간절연막의 소정 부분을 건식 식각한 후, 상기 식각된 층간절연막과 금속배선 각각의 측벽에 상기 제1, 제2산화막 스페이서(37a, 38a)를 형성하는 공정을 2회 이상 반복 실시한다. 그런 다음, 최종 금속배선의 상부에 보호막을 형성하는데, 본 발명에서는 하나의 금속배선(35)을 사용하는 경우를 도시하였다.
그리고, 상기 보호막(39) 상에 칼라 이미지 구현을 위한 세 가지 종류의 칼라필터(40)를 형성한 후, 상기 결과물 전면에 상기 제2산화막보다 높은 밀도를 갖는 평탄화층(41)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화층(41)으로는 HDP-USG(High Density Plasma-Undoped Silicate Glass), 1.5~10의 유전상수를 갖는 유기결합물, 산화막, 질화막 및 질산화막 중 어느 하나를 이용하여 입사되는 빛이 상기 제2산화막 스페이서(38a)에 대해 전반사가 되도록 유도한다. 또한, 상기 평탄화층(41)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 스핀-온(Spin-on) 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성한다. 상기에서 평탄화층(41)의 유전 상수가 1.5 이하가 되면 기계적 강도가 저하되고 10 이상이 되면 기생 커패시턴스가 증가되는 문제점이 발생된다.
여기서, 상기 평탄화층(41)은 상기 칼라필터(40)가 형성되면 그 단차에 의해 평탄도가 불량해지므로 상기 칼라필터(40) 상부에 형성될 마이크로렌즈가 단위 픽셀마다 모양이 상이하게 형성되어 균일성(Uniformity)이 저하되는 것을 막기 위함이다.
그리고나서, 상기 평탄화층(41) 상에 광집속율을 증가시키기 위해 마이크로렌즈(Microlens)(42)를 형성한다. 그러면, 상기 마이크로렌즈(42)에서 굴절되어 비스듬히 입사되는 빛 중 수광영역을 벗어나는 빛이 발생하더라도, 상기 빛이 제2산화막 스페이서(38a)에서 전반사되어 수광영역으로 집광되거나, 상기 제2산화막 스페이서(38a)를 통과한 다음, 상기 제1산화막 스페이서(37a)에서 전반사되어 수광영역으로 집광된다.
도 3d에서 미설명된 도면부호 A는 제2산화막 스페이서에서 전반사되는 빛의 경로, A′은 제1산화막 스페이서에서 전반사되는 빛의 경로를 각각 나타낸 것이다.
상기와 같은 공정을 통해 제조되는 본 발명에 따른 이미지센서는 빛의 일탈로 인하여 발생되는 크로스토크를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 광감도를 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 금속배선 및 식각된 층간절연막 각각의 측벽에 전반사가 일어나도록 밀도가 서로 다른 두개의 산화막 스페이서를 형성함으로써, 마이크로렌즈에서 굴절되어 입사되는 빛 중에서 수광영역을 벗어나려는 빛을 상기 산화막 스페이서에서 전반사시켜 수광영역으로 집광시킴으로써, 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다. 동시에, 빛이 다른 화소영역으로 입사되는 것을 방지할 수 있으므로, 크로스 토크(Crosstalk) 현상 등을 방지할 수 있고, 결과적으로, 이미지 센서의 광특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (8)
- 수광영역이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한 후 상기 층간절연막 상에 상기 수광영역과 중첩되지 않게 소정 형상의 금속배선을 형성하는 단계;상기 금속배선을 포함한 층간절연막 상에 수광영역과 대응되는 부위를 노출시키는 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 감광막패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 층간절연막의 노출된 부분을 소정 깊이만큼 건식 식각하는 단계;상기 감광막패턴을 제거하는 단계;상기 결과물 상에 제1산화막과 상기 제1산화막보다 높은 밀도를 갖는 제2산화막을 차례로 형성하는 단계;상기 제2산화막과 제1산화막을 건식 식각하여 상기 금속 배선의 측벽과 상기 식각된 층간절연막의 측벽에 제1 및 제2산화막 스페이서를 형성하는 단계;상기 결과물 상에 보호막 및 칼라필터를 형성하는 단계;상기 결과물 전면에 상기 제2산화막보다 높은 밀도를 갖는 평탄화층을 형성하는 단계; 및상기 평탄화층 상의 상기 수광 영역과 대응하는 부분에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 층간절연막의 건식 식각 공정은 2,000~50,000Å의 두께만큼 식각하며, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1산화막으로는 LTO(Low Temperature Oxide)를 이용하고, 상기 제2산화막으로는 PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1산화막과 제2산화막은 100~300℃의 온도에서 각각 50~2,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제2산화막과 제1산화막의 건식 식각 공정은, 식각 가스로서 CxHyFz(x, y, z는 0, 또는, 자연수) 가스에 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 염소(Cl2) 및 BCl3 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 첨가한 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이마다 층간절연막을 형성하고 나서, 각각의 층간절연막의 소정 부분을 건식 식각한 후, 상기 식각된 층간절연막과 금속배선 각각의 측벽에 상기 제1, 제2산화막 스페이서를 형성하는 공정을 2회 이상 반복 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 평탄화층으로는 HDP-USG(High Density Plasma-Undoped Silicate Glass), 1.5~10의 유전상수를 갖는 유기결합물, 산화막, 질화막 및 질산화막 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 평탄화층은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 스핀-온(Spin-on) 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
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