KR100582870B1 - 유기 난반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자 패턴의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 하기 화학식 1로 표시되는 스티렌-아크릴레이트계 공중합체를 포함하는 광흡수제;가교 반응에 의하여 막을 형성할 수 있는 가교제;상기 가교제의 가교 반응을 촉진하기 위한 촉매; 및용매를 포함하며,상기 광흡수제 100 중량부에 대하여, 상기 가교제의 함량은 2 내지 20 중량부이고, 상기 촉매의 함량은 3 내지 50 중량부이며, 상기 용매의 함량은 500 내지 10,000 중량부인 것인 유기 난반사 방지막 형성용 조성물.[화학식 1]상기 화학식 1에서, a, b 및 c는 각 반복단위의 개수로서 각각 독립적으로 10 내지 400 이고, R1 및 R3은 탄소수 1 내지 5개의 저급 알킬기이며, R2는 수소 혹은 메틸기이고, X는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 5 개의 저급 알킬기, 또는 할로겐기이며, n은 1 내지 5의 정수이다.
- 제1항에 있어서, 상기 스티렌-아크릴레이트계 공중합체를 구성하는 각 반복단위 개수의 비율인 a : b : c는 0.2∼0.8 : 0.1∼0.5 : 0.1∼0.5인 것인 유기 난반사 방지막 형성용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 용매는 시클로헥산, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 유기 난반사 방지막 형성용 조성물.
- 삭제
- (a) 제1항에 따른 유기 난반사 방지막 형성용 조성물을 피식각층 상부에 도포하는 단계;(b) 피식각층 상부에 도포된 유기 난반사 방지막 형성용 조성물을 열경화하여 유기 난반사 방지막을 형성하는 단계;(c) 형성된 유기 난반사 방지막 상부에 포토레지스트를 도포하고 소정 패턴으로 노광한 다음, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및(d) 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 유기 난반사 방지막 및 피식각층을 식각하여, 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 유기 난반사 방지막 형성용 조성물을 열경화하는 과정은 150℃ 내지 300℃에서 1 내지 5분 동안 가열하여 수행되는 것인 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 노광 공정은 F2 레이저, ArF, KrF, 원자외선, E-빔, X-선 및 이온빔으로 이루어진 군으로부터 선택되는 광에 의하여 수행되는 것인 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 반도체 소자.
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