KR100579827B1 - Photoresist stripping composition and method of forming a pattern using the same - Google Patents

Photoresist stripping composition and method of forming a pattern using the same Download PDF

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Abstract

금속층의 손상을 최소화하고, 포토레지스트성 레지듀의 잔류없이 포토레지스트를 제거하며, 금속의 종류에 관계없이 효과적인 스트립핑 성능을 나타내는 포토레지스트 스트립핑 조성물과 이를 이용한 금속 배선 등의 패턴의 형성방법이 개시되어 있다. 포토레지스트 스트립핑 조성물은 하이드록실 아민 염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드 및 탈이온수를 포함하고, 포토레지스트를 팽윤·약화시키기 위하여 알칸올 아민을 더 포함할 수 있다. 반도체 및 LCD 공정에서 사진 식각 공정을 통하여 금속 패턴을 형성하는 경우, 사용되는 금속의 종류에 관계없이 우수한 폴리머 및 포토레지스트 스트립핑 성능을 달성할 수 있다. 동시에 반도체 장치제조용 기판이나 LCD 장치 제조용 기판에 형성되는 상기 금속패턴을 부식 등에 의해 손상시키지 않고 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다. Photoresist stripping compositions that minimize damage to the metal layer, remove photoresist without residual photoresist residues, and exhibit effective stripping performance regardless of the type of metal, and methods of forming patterns such as metal wirings using the same Is disclosed. The photoresist stripping composition includes a hydroxyl amine salt, an morpholine oxide compound, an alkyl amide, and deionized water, and may further include an alkanol amine to swell and weaken the photoresist. In the case of forming a metal pattern through a photolithography process in semiconductor and LCD processes, excellent polymer and photoresist stripping performance may be achieved regardless of the type of metal used. At the same time, the photoresist can be effectively removed without damaging the metal pattern formed on the semiconductor device manufacturing substrate or the LCD device manufacturing substrate by corrosion or the like.

Description

포토레지스트 스트립핑 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법{PHOTORESIST STRIPPING COMPOSITION AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME}Photoresist Stripping Composition and Pattern Forming Method Using The Same {PHOTORESIST STRIPPING COMPOSITION AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME}

도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of forming a pattern using the composition of the present invention.

도 2a는 포토레지스트 제거 공정을 진행하기 전의 텅스텐 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다.FIG. 2A is a photograph showing a wafer having a tungsten wire before the photoresist removal step is performed. FIG.

도 2b는 본 발명의 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 포토레지스트 제거 공정을 진행한 후의 텅스텐 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다.FIG. 2B is a photograph showing a wafer having a tungsten wiring after the photoresist removal process using the stripping composition according to the ninth embodiment of the present invention. FIG.

도 3a는 포토레지스트 제거 공정을 진행하기 전의 알루미늄 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다.3A is a photograph showing a wafer with aluminum wiring before the photoresist removal step is performed.

도 3b는 본 발명의 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 포토레지스트 제거 공정을 진행한 후의 알루미늄 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다. 3B is a photograph showing a wafer with aluminum wiring after the photoresist removal process using the stripping composition according to Example 9 of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기판 12 : 금속층10 substrate 12 metal layer

14 : 포토레지스트층14 photoresist layer

본 발명은 포토레지스트(PhotoResist: PR) 스트립핑(stripping) 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현저하게 향상된 폴리머 제거능 및 모든 금속층에 적용될 수 있는 활용도가 높은, 포토리소그라피(photolithography)에서 마스크로 사용되는 포토레지스트를 스트립핑하기 위한 조성물 및 상기 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a photoresist (PR) stripping composition and a method of pattern formation using the same, more particularly photolithography, which has a significantly improved polymer removal capability and a high degree of utility for all metal layers. The present invention relates to a composition for stripping a photoresist used as a mask) and a pattern forming method using the composition.

최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 때문에, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 포토리소그라피 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, manufacturing techniques have been developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device. Therefore, as a main technology for improving the integration degree of the semiconductor device, the demand for fine processing technology such as photolithography technology is also becoming more stringent.

상기 포토리소그라피 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 기판(패턴을 형성하기 위한 층들을 포함한다) 상에 유기적인 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층을 형성한 다음 노광 및 현상에 의해 상기 포토레지스트층의 소정 부위를 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서, 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거한다.The photolithography technique, as is well known, forms a photoresist layer using an organic photoresist on a substrate (including layers for forming a pattern) and then exposes the photoresist layer by exposure and development. The site is removed to form a photoresist pattern, and then the remaining photoresist pattern is removed.

여기서 포토레지스트의 제거는 반도체 소자를 제조하기 위한 매우 중요한 공정이다. 반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 공정들, 예컨대 식각 공정(건식 또는 습식) 또는 이온 주입 공정등을 실시한 후에는 마스크로 사용된 레지스트 패턴을 제거해야 한다. 또, 레지스트 패턴이 미스-얼라인된 경우에도 새로운 레지스트 패 턴을 형성하기 위해서 이를 제거해야 한다. 특히 제거되어야 할 레지스트막의 하부에는 서로 다른 다양한 물질막(예: 산화막, 알루미늄막, 구리막, 폴리실리콘막, 실리사이드막 또는 폴리이미드막 등)이 존재한다. 따라서 레지스트 제거 공정의 주요 이슈는 하부막을 부식 등 손상(attacking)시키지 않으면서 가능한 한 빨리 포토레지스트, 폴리머를 기판 표면으로부터 완전하게 제거하는 것이다. Removal of photoresist here is a very important process for manufacturing semiconductor devices. After performing various processes for manufacturing a semiconductor device, such as an etching process (dry or wet) or an ion implantation process, the resist pattern used as a mask must be removed. In addition, even if the resist pattern is misaligned, it must be removed to form a new resist pattern. In particular, various different material films (for example, an oxide film, an aluminum film, a copper film, a polysilicon film, a silicide film, or a polyimide film) exist under the resist film to be removed. Therefore, the main issue of the resist removal process is to completely remove the photoresist and polymer from the substrate surface as soon as possible without damaging the underlying film such as corrosion.

이러한 특성을 만족시킬 수 있는 포토레지스트 스트립핑 조성물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 예를 들면, 대한민국공개특허 제10-1999-0062480호에는 유기아민 화합물, 프로톤성 글리콜 에테르, 비프로톤성 다극성 용제 및 알킬피롤리돈를 포함하는 박리액을 개시하고 있다. Research into photoresist stripping compositions that can satisfy these characteristics is actively underway. For example, Korean Patent Publication No. 10-1999-0062480 discloses a stripping solution containing an organic amine compound, a protic glycol ether, an aprotic polypolar solvent, and an alkylpyrrolidone.

그리고 대한민국 공개특허 10-2000-0016878호에는 포토레지스트 뿐만 아니라 폴리머 제거력이 뛰어나고 하부막을 손상시키지 않는 포토레지스트 제거제 조성물를 제공하기 위하여 알콕시 N-하이드록실알킬 알칸아미드와 쌍극자 모멘트가 3 이상인 극성 물질, 손상 방지제 및 알칸올 아민으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 포토레지스트 제거제 조성물을 개시하고 있다. In addition, Korean Patent Application Publication No. 10-2000-0016878 discloses a photoresist as well as a polar material having an alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide and a dipole moment of 3 or more in order to provide a photoresist remover composition having excellent polymer removal ability and not damaging a lower layer. And one or more compounds selected from the group consisting of alkanol amines.

또한, 대한민국공개특허 제10-2003-15716호에는 적어도 10 중량%의 알콕시 N-히드록시알킬 알칸아미드와 적어도 0.01 중량%의 팽윤제를 포함하고, 필요에 따라 선택적으로 쌍극자 모멘트가 3 이상인 극성 물질, 손상방지제 및 알칸올 아민으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함하는 포토레지스트 스트립핑 조성물을 개시하고 있다. In addition, Korean Patent Publication No. 10-2003-15716 also includes at least 10% by weight of alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide and at least 0.01% by weight of swelling agent, optionally a polar material having a dipole moment of 3 or more. A photoresist stripping composition is further disclosed which further comprises at least one compound selected from the group consisting of anti-damage agents and alkanol amines.

그러나 상술한 종래의 조성물을 사용한 포토레지스트의 스트립핑에서는 상기 금속 등의 피가공물이 부식되어 손상되는 상황이 빈번하게 발생하고 폴리머 제거성능이 부족한 문제점이 있다. 또한, 기판에 형성된 금속물질의 종류에 따라 스트립핑 성능에 차이가 발생하여 사용되는 금속 물질에 따라 스트립핑 조성물을 달리하여야 하는 문제점이 있다. 이러한 문제점은 최근 들어, 금속 배선의 재질이 알루미늄 외에 텅스텐, 구리 등으로 다양화되고 있는 점을 고려할 때 공정의 번거로움과 추가적인 비용발생이 유발할 우려가 있다. However, in the stripping of the photoresist using the above-described conventional composition, a situation in which workpieces such as the metal are corroded and damaged frequently occurs and there is a problem in that the polymer removal performance is insufficient. In addition, there is a problem in that a stripping performance occurs depending on the type of metal material formed on the substrate, and thus the stripping composition needs to be different according to the metal material used. In recent years, in consideration of the fact that the material of the metal wiring is diversified to tungsten, copper, etc. in addition to aluminum, there is a concern that the process is cumbersome and additional costs are caused.

따라서, 상기 금속층의 손상을 최소화하고, 폴리머 제거성능이 우수하고, 기판에 형성된 금속의 종류에 관계없이 효과적인 스트립핑 성능을 나타내는 스트립핑 조성물의 개발이 요구되고 있다.Therefore, there is a need to develop a stripping composition that minimizes damage to the metal layer, has excellent polymer removal performance, and exhibits effective stripping performance regardless of the type of metal formed on the substrate.

본 발명의 제1 목적은, 금속층의 손상을 최소화하고, 폴리머의 잔류 없이 포토레지스트를 제거하며, 금속의 종류에 관계없이 효과적인 스트립핑 성능을 나타내는 포토레지스트 스트립핑 조성물을 제공하는 데 있다.It is a first object of the present invention to provide a photoresist stripping composition which minimizes damage to the metal layer, removes photoresist without residual polymer, and exhibits effective stripping performance regardless of the type of metal.

본 발명의 제2 목적은, 상기 포토레지스트 스트립핑 조성물을 이용하여 기판상에 의도하는 금속 배선 등의 패턴을 정확하게 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 있다.It is a second object of the present invention to provide a method for accurately forming a pattern of an intended metal wiring or the like on a substrate using the photoresist stripping composition.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 조성물은 하이드록실 아민 염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 및 탈이온수를 포함한다. 여기서 포토레지스트를 팽윤·약화시키기 위하여 알칸올 아민을 더 포함시킬 수 있다.The composition of the present invention for achieving the first object comprises a hydroxyl amine salt, oxidized morpholine compound, alkyl amide, and deionized water. The alkanol amine may be further included in order to swell and weaken the photoresist.

상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 패턴 형성 방법은, 피가공물 상에 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층을 사용하는 포토리소그라피를 수행하여 상기 피가공물을 패턴으로 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 스트립핑 조성물을 사용하여 상기 피가공물 상에 잔류하는 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함한다.The pattern forming method of the present invention for achieving the second object, the step of forming a photoresist layer using a photoresist on the workpiece, and performing the photolithography using the photoresist layer to the workpiece Forming a pattern and removing the photoresist layer remaining on the workpiece using the photoresist stripping composition.

본 발명에 의하면, 반도체 및 LCD 공정에서 사진 식각 공정을 통하여 금속 패턴을 형성하는 경우, 사용되는 금속의 종류에 관계없이 우수한 폴리머 및 포토레지스트 스트립핑 성능을 달성할 수 있다. 동시에 반도체 장치제조용 기판이나 LCD 장치 제조용 기판에 형성되는 상기 금속패턴을 부식 등에 의해 손상시키지 않고 포토레지스트 및 폴리머를 효과적으로 제거할 수 있다. According to the present invention, when forming a metal pattern through a photolithography process in semiconductor and LCD processes, it is possible to achieve excellent polymer and photoresist stripping performance regardless of the type of metal used. At the same time, the photoresist and polymer can be effectively removed without damaging the metal pattern formed on the semiconductor device manufacturing substrate or the LCD device manufacturing substrate by corrosion or the like.

즉, 본 발명에 따른 조성물을 사용하면, 포토레지스트 스트립핑에서 발생하는 불량을 최소화할 수 있고, 따라서 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 있다. 결국, 고집적화되고 있는 최근의 반도체 또는 LCD 제조 공정에 효과적으로 대처할 수 있으며, 신뢰성 있는 장치를 경제적으로 생산할 수 있게 된다.That is, using the composition according to the present invention, it is possible to minimize the defects occurring in the photoresist stripping, and thus to accurately form the fine pattern. As a result, it is possible to effectively cope with the recent semiconductor or LCD manufacturing process, which is becoming highly integrated, and to produce a reliable device economically.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 일실시예에 의한 포토레지스트 스트립핑 조성물은 하이드록실 아민 염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 그리고 탈이온수를 가진다. The photoresist stripping composition according to an embodiment of the present invention has a hydroxyl amine salt, an morpholine oxide compound, an alkyl amide, and deionized water.

상기 하이드록실 아민 염은 하이드록실 아민 포스페이트, 하이드록실 아민 설페이트, 하이드록실 아민 클로라이드, 하이드록실 아민 옥살레이트, 하이드록실 아민 시트레이트, 하이드록실 아민 플루오라이드, 하이드록실 아민 나이트레이트를 단독으로 사용하거나 이들을 조합하여 사용할 수 있다. 열거한 하이드록실 아민 염 중에서 기판 또는 기판상의 금속층상에 형성되어 있는 포토레지스트 조성물의 제거능 및 제거속도 제어 측면에서 하이드록실 아민 설페이트를 사용하는 것이 가장 바람직하다.The hydroxyl amine salt may be used alone or in combination with hydroxyl amine phosphate, hydroxyl amine sulfate, hydroxyl amine chloride, hydroxyl amine oxalate, hydroxyl amine citrate, hydroxyl amine fluoride, hydroxyl amine nitrate It can be used in combination. Among the hydroxyl amine salts listed, it is most preferable to use hydroxyl amine sulfate in view of controlling the removal ability and removal rate of the photoresist composition formed on the substrate or the metal layer on the substrate.

상기 하이드록실 아민 염은 약 1 내지 30 중량% 사용한다. 그 함량이 약 1% 미만이면 폴리머 제거력이 저하되며, 함량이 약 30중량%를 초과하면 기판 위의 구조물에 손상을 유발할 수 있다. 상기 하이드록실 아민 염은 건식식각공정에서 생성된 폴리머 제거 및 제거속도를 제어하는 역할을 하며, 보다 바람직하게는 약 5 내지 12 중량% 사용한다.The hydroxyl amine salt is used in about 1 to 30% by weight. If the content is less than about 1%, the polymer removal ability is lowered. If the content is more than about 30% by weight, damage to the structure on the substrate may occur. The hydroxyl amine salt serves to control the removal and removal rate of the polymer produced in the dry etching process, more preferably about 5 to 12% by weight.

상기 산화 모르폴린계 화합물로는 모르폴린-옥사이드, N-메틸모르폴린-N-옥사이드, 또는 이들을 혼합하여 사용할 수 있다. As the oxidized morpholine compound, morpholine oxide, N-methylmorpholine-N-oxide, or a mixture thereof may be used.

상기 산화 모르폴린계 화합물은 포토레지스트성 레지듀를 제거하는 역할을 한다. 상기 산화 모르폴린계 화합물을 약 1 중량% 미만 사용하면 포토레지스트성 레지듀가 잔류하기 때문에 바람직하지 않고, 약 30 중량%를 초과하여 사용하면, 피가공물을 손상시키기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 산화 모르폴린계 화합물은 약 1 내지 30 중량%, 바람직하게는 약 5 내지 25 중량% 사용한다. The oxidized morpholine compound serves to remove photoresist resin. It is not preferable to use less than about 1% by weight of the morpholine-based compound because photoresist resin residues remain, and it is not preferable to use more than about 30% by weight because it damages the workpiece. Therefore, the morpholine oxide compound is used in an amount of about 1 to 30% by weight, preferably about 5 to 25% by weight.

상기 알킬 아마이드로는 N-메틸 아세트아마이드, 디메틸 포름아마이드, 디메틸 아세트아마이드, 디에틸 아세트아마이드, 디프로필 아세트아마이드, 디메틸 프로피온아마이드, 디에틸부틸아마이드, N-메틸-N-에틸 프로피온아마이드, 또는 이들을 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 알킬 아마이드의 함량이 약 10% 미만이 면 포토레지스트의 용해력이 저하될 가능성이 크고 약 70%를 초과하면 구성성분 중의 하나인 하이드록실 아민염의 용해력이 저하되어 스트립핑 조성물 제조과정에 문제가 생긴다. 따라서 상기 알킬 아마이드는 약 10 내지 70 중량%, 보다 바람직하게는 약 20 내지 60 중량% 사용한다.The alkyl amides include N-methyl acetamide, dimethyl formamide, dimethyl acetamide, diethyl acetamide, dipropyl acetamide, dimethyl propionamide, diethylbutylamide, N-methyl-N-ethyl propionamide, or It is preferable to use a combination. If the content of the alkyl amide is less than about 10%, the solubility of the photoresist is likely to be lowered, and if the content of the alkyl amide is greater than about 70%, the solubility of the hydroxyl amine salt, which is one of the components, is lowered, which causes problems in the manufacturing process of the stripping composition. Therefore, the alkyl amide is used at about 10 to 70% by weight, more preferably about 20 to 60% by weight.

상기 탈이온수는 약 20 중량% 미만이면 상기 조성물의 농도가 높아지기 때문에 바람직하지 않고, 약 80 중량%를 초과하면 상기 조성물의 농도가 낮아지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 탈이온수의 함량은 약 20 내지 80 중량%이고, 바람직하게는 약 30 내지 65 중량% 사용한다.The deionized water is not preferable because the concentration of the composition is higher when less than about 20% by weight, and it is not preferable because the concentration of the composition is lowered when it exceeds about 80% by weight. Therefore, the content of the deionized water is about 20 to 80% by weight, preferably about 30 to 65% by weight.

또한 본 발명의 일실시예에 의한 포토레지스트 스트립핑 조성물에는 선택적으로, 알칸올 아민을 더 포함시킬 수 있는데 예를 들면, 모노에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, 3-에톡시프로필아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디글리콜아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 중에서 적어도 하나을 사용한다. 알칸올 아민의 함량은 약 1 중량% 미만이면 스트립핑에 소요되는 시간이 연장되기 때문에 바람직하지 않고, 약 10 중량%를 초과하면 피가공물을 손상시키기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 알칸올 아민의 함량은 약 1 내지 10 중량%이고, 바람직하게는 약 2 내지 8 중량% 이다. 다만, 알칸올 아민을 사용하는 경우 그 첨가량만큼 상기 탈이온수를 적게 사용한다.In addition, the photoresist stripping composition according to an embodiment of the present invention may optionally further include an alkanol amine, for example, monoethanolamine, isopropanolamine, N-methylethanolamine, 3-ethoxypropylamine , At least one of triethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethylamine, diglycolamine, and 2- (2-aminoethoxy) ethanol is used. An alkanol amine content of less than about 1% by weight is not preferable because the time required for stripping is extended, and more than about 10% by weight is not preferable because it damages the workpiece. Therefore, the content of the alkanol amine is about 1 to 10% by weight, preferably about 2 to 8% by weight. However, in the case of using an alkanol amine, the deionized water is used as little as the amount thereof added.

또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 스트립핑 조성물을 이용한 금속 패턴 형성방법을 제공한다. 도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.In addition, the present invention provides a metal pattern forming method using the photoresist stripping composition. 1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of forming a pattern using the composition of the present invention.

이하, 상기 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a pattern formation method using the composition will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a를 참조하면, 금속층(12)이 적층되어 있는 기판(10)을 준비한다. 금속층(12)은 Al, W, Cu, Mo 등의 금속 물질을 사용하여 적층한다. 그리고, 기판(10)은 반도체 장치용 기판 또는 평면 디스플레이용 기판이다.Referring to FIG. 1A, a substrate 10 on which a metal layer 12 is stacked is prepared. The metal layer 12 is laminated using metal materials such as Al, W, Cu, and Mo. The substrate 10 is a substrate for a semiconductor device or a substrate for a flat panel display.

도 1b를 참조하면, 금속층(12) 상에 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층(14)을 코팅한다. 상기 코팅은 주로 스핀-코팅에 의해 이루어진다.Referring to FIG. 1B, the photoresist layer 14 is coated on the metal layer 12 using photoresist. The coating is mainly made by spin-coating.

도 1c를 참조하면, 포토레지스트층(14)을 포토리소그라피를 통하여 포토레지스트 패턴(14a)으로 형성한다. 이에 따라, 소정 부위의 금속층 표면이 노출된다. 이를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIG. 1C, the photoresist layer 14 is formed as a photoresist pattern 14a through photolithography. As a result, the surface of the metal layer of the predetermined portion is exposed. Looking at this in detail.

상기 포토레지스트층 상부에 상기 포토레지스트층의 소정 부위만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 마스크 패턴을 개재한다. 그리고, 자외선 또는 X 선 등과 같은 광을 상기 마스크 패턴을 통하여 상기 포토레지스트층에 조사한다. 이에 따라, 상기 광이 조사된 부위의 포토레지스트층은 상기 광이 조사되지 않은 부위의 포토레지스트층과 다른 용해도를 갖는다. 그리고, 현상액을 사용하여 상기 광이 조사된 부분의 포토레지스트층을 제거한다.(포지티브형 포토레지스트) 이에 따라, 상기 포토레지스트층은 상기 포토레지스트 패턴으로 형성된다.A patterned mask pattern is interposed on the photoresist layer to selectively expose only a predetermined portion of the photoresist layer. Then, light such as ultraviolet rays or X-rays is irradiated to the photoresist layer through the mask pattern. Accordingly, the photoresist layer of the portion irradiated with light has a different solubility from the photoresist layer of the portion not irradiated with the light. Then, the photoresist layer of the portion to which the light is irradiated is removed using a developer. (Positive photoresist) Accordingly, the photoresist layer is formed into the photoresist pattern.

도 1d를 참조하면, 포토레지스트 패턴(14a)을 식각 마스크로 사용하여 상기 노출된 부위의 금속층(12)을 식각한다.Referring to FIG. 1D, the metal layer 12 of the exposed portion is etched using the photoresist pattern 14a as an etching mask.

도 1e를 참조하면, 상기 식각 마스크로 사용한 포토레지스트 패턴(14a)을 스 트립핑한다. 이에 따라, 금속층(14)은 개구 부위를 갖는 금속 패턴층(12a)으로 형성된다. 상기 스트립핑에서는 상기 하이드록실 아민 염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 및 탈이온수로 이루어지는 조성물을 사용하며, 선택적으로 알칸올 아민을 더 포함하여 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 1E, the photoresist pattern 14a used as the etching mask is stripped. Accordingly, the metal layer 14 is formed of the metal pattern layer 12a having the opening portion. In the stripping, a composition consisting of the hydroxyl amine salt, the morpholine oxide compound, the alkyl amide, and the deionized water is used, and may optionally further include an alkanol amine.

이때, 그 조성비는 하이드록실 아민 염 약 1 내지 30 중량%, 산화 모르폴린계 화합물 약 1 내지 30 중량%, 알킬 아마이드 약 10 내지 70 중량%, 및 탈이온수 약 20 내지 80 중량%의 비율로 사용하는 것이 바람직하다. At this time, the composition ratio of about 1 to 30% by weight of hydroxyl amine salt, about 1 to 30% by weight of morpholine oxide compound, about 10 to 70% by weight of alkyl amide, and about 20 to 80% by weight of deionized water It is desirable to.

따라서, 상기 금속 패턴층이 설정된 형태로 정확하게 형성된다. 이는, 상기 스트립핑을 수행할 때 상기 조성물이 상기 금속 패턴층에 영향을 끼치지 않기 때문이다. 그리고, 상기 포토레지스트 패턴을 완전히 제거함으로서 상기 금속 패턴층 상에 포토레지스트성 레지듀는 잔류하지 않는다.Thus, the metal pattern layer is accurately formed in a set shape. This is because the composition does not affect the metal pattern layer when performing the stripping. In addition, the photoresist residue does not remain on the metal pattern layer by completely removing the photoresist pattern.

이하, 본 발명을 실시예들을 통하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

실시예 1Example 1

하이드록실 아민 염 6중량%, 산화 모르폴린계 화합물 12중량%, 알킬 아마이드 52중량%, 탈이온수 30중량%를 혼합하여 포토레지스트 스트립핑 조성물 500g을 제조하였다. 500 g of a photoresist stripping composition was prepared by mixing 6% by weight of hydroxyl amine salt, 12% by weight of morpholine oxide compound, 52% by weight of alkyl amide, and 30% by weight of deionized water.

실시예 2 내지 14Examples 2-14

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 스트립핑 조성물 500g을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같은 비율로 변경하였다(표 1의 수치는 중량%를 나타낸다). 이중 실시예 6 내지 9의 스트립핑 조성물에는 실시예 1에 열거된 조 성물 외에 알칸올 아민을 더 사용하였다.500 g of the stripping composition was prepared in the same manner as in Example 1, but the composition ratio thereof was changed in the same ratio as shown in Table 1 below (values in Table 1 represent% by weight). In the stripping compositions of Examples 6-9, alkanol amines were further used in addition to the compositions listed in Example 1.

비교예 1 내지 6Comparative Examples 1 to 6

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 스트립핑 조성물을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같이 변경하였다. 구체적으로, 비교예 1, 2의 경우 산화 모르폴린계 화합물을 사용하지 않았고, 비교예 3 내지 6에서는 알킬 아마이드를 본 발명에서 제시하는 범위보다 소량 사용하거나, 사용하지 않았다.To prepare a stripping composition in the same manner as in Example 1, the composition ratio was changed as shown in Table 1 below. Specifically, in Comparative Examples 1 and 2, no morpholine oxide compound was used, and in Comparative Examples 3 to 6, the alkyl amide was used in a smaller amount than the range shown in the present invention, or was not used.

구분division 하이드록실- 아민 설페이트Hydroxyl-amine sulfate 메틸 모르폴린 옥사이드Methyl morpholine oxide 디메틸 아세트 아마이드Dimethyl acetamide 탈이온수Deionized water 모노에탄올 아민Monoethanol amine 실시예 1Example 1 66 1212 5252 3030 00 실시예 2Example 2 1212 66 3030 5252 00 실시예 3Example 3 66 1515 4646 3333 00 실시예 4Example 4 77 1414 4444 3535 00 실시예 5Example 5 88 1414 4343 3535 00 실시예 6Example 6 88 1414 4141 3535 22 실시예 7Example 7 88 1414 3939 3535 44 실시예 8Example 8 88 1414 3535 3737 66 실시예 9Example 9 88 1414 3434 3737 77 실시예 10Example 10 77 1010 4343 4040 00 실시예 11Example 11 55 1010 3030 5555 00 실시예 12Example 12 55 1010 4040 4545 00 실시예 13Example 13 1010 2020 2525 4545 00 실시예 14Example 14 1010 2020 1515 5555 00 비교예 1Comparative Example 1 77 00 4343 5050 00 비교예 2Comparative Example 2 55 00 4040 5555 00 비교예 3Comparative Example 3 1414 2828 22 5050 66 비교예 4Comparative Example 4 2020 1010 00 7070 00 비교예 5Comparative Example 5 1010 2020 00 7070 00 비교예 6Comparative Example 6 1515 1515 00 7070 00

시험예 1Test Example 1

기판 상에 텅스텐 박막을 형성하고, 그 위에 포토 레지스트 막을 형성한 후 노광 및 현상, 건식 식각 등을 거쳐 텅스텐 배선을 형성시켜 준비하였다. 상기 준비된 실시예들 및 비교예들에 의한 각 스트립핑 조성물을 사용하여 상기 텅스텐 배 선이 형성된 기판의 포토레지스트 및 폴리머 제거력과 배선막에 대한 손상정도를 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. A tungsten thin film was formed on the substrate, a photoresist film was formed thereon, and then tungsten wiring was formed by exposure and development, dry etching, and the like. Using the stripping compositions according to the prepared examples and comparative examples, the photoresist and polymer removal force of the substrate on which the tungsten wire was formed and the damage degree to the wiring film were evaluated, and the results are shown in Table 2 below. .

하기 표 2 및 표 3에서 포토레지스트 및 폴리머 제거력은 A＞B＞C＞D＞E의 순서로 표시하였다. C는 기존 스트립핑 조성물과 유사한 정도의 포토레지스트 및 폴리머 제거력을 나타내고, B는 기존의 조성물보다 약간 개선된 상태, A는 기존 조성물 보다 훨씬 개선된 폴리머 제거력을 표시하였다. 또한 텅스텐 배선에 대한 손상 정도는 ◎＜ ○＜ △ < × 순으로 나타내었는데 텅스텐 배선의 손상 정도가 가장 큰 것을 ×로 표시하였고 배선 손상이 전혀 없는 것을 ◎로 나타내었고 기존 스트립핑 조성물과 유사한 상태를 ○로 나타내었다.In Tables 2 and 3 below, the photoresist and polymer removal forces are shown in the order A> B> C> D> E. C exhibited a similar degree of photoresist and polymer removal as with existing stripping compositions, B slightly improved over existing compositions, and A showed much improved polymer removal over existing compositions. In addition, the damage degree of tungsten wiring is shown in the order of ◎ <○ <△ <×. The damage degree of tungsten wiring is marked with ×, and no damage is found with ◎. It is represented by (circle).

구분division 폴리머 제거Polymer removal PR 제거PR removal 배선 손상Wiring damage 실시예 1Example 1 BB AA ◎◎ 실시예 2Example 2 CC AA ◎◎ 실시예 3Example 3 BB AA ◎◎ 실시예 4Example 4 BB AA ◎◎ 실시예 5Example 5 AA AA ◎◎ 실시예 6Example 6 BB AA ◎◎ 실시예 7Example 7 BB AA ◎◎ 실시예 8Example 8 BB AA ◎◎ 실시예 9Example 9 AA AA ◎◎ 실시예 10Example 10 CC AA ◎◎ 실시예 11Example 11 AA AA ○○ 실시예 12Example 12 BB AA ◎◎ 실시예 13Example 13 BB AA ○○ 실시예 14Example 14 AA AA ○○ 비교예 1Comparative Example 1 EE AA ◎◎ 비교예 2Comparative Example 2 EE AA ◎◎ 비교예 3Comparative Example 3 BB BB ◎◎ 비교예 4Comparative Example 4 BB CC ◎◎ 비교예 5Comparative Example 5 BB CC ◎◎ 비교예 6Comparative Example 6 BB CC ◎◎

표 2에서 보는 바와 같이 거의 모든 조성물이 기존 스트립핑 조성물을 사용한 경우 보다 동일하거나 우수한 포토레지스트 제거성능을 갖지만 산화 모르폴린계 화합물이 배제된 조성물인 비교예 1, 2의 경우 폴리머 제거 성능이 매우 불량하였다. 또한, 알킬아미이드를 사용하지 않거나 소량 사용한 비교예 3 내지 6의 경우 포토레지스트 제거 성능 및 폴리머 제거성능 모두 우수하지 못한 결과를 나타내고 있음을 확인할 수 있었다. 배선에 대한 손상 정도 역시 개발된 실시예 1 내지 14에 의한 조성물은 모두 기존 스트립핑 조성물과 유사하거나 손상이 적었다. As shown in Table 2, polymer removal performance is very poor in Comparative Examples 1 and 2, in which almost all compositions have the same or better photoresist removal performance than the existing stripping composition but exclude the morpholine-based compound. It was. In addition, in Comparative Examples 3 to 6 without using alkylamide or using a small amount, it was confirmed that the photoresist removal performance and the polymer removal performance were not excellent. The degree of damage to the wiring was also similar to, or less damage to, the existing stripping compositions, all of the compositions according to Examples 1 to 14 developed.

따라서 하이드록실 아민염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 탈이온수를 포함한 실시예들에 의한 조성물은 포토 레지스트 및 폴리머 제거력과 텅스텐배선막에 대한 보호 두 측면에서 기존 스트립핑 조성물보다 우수한 성능을 보인다고 할 수 있다.Therefore, the compositions according to the examples including hydroxyl amine salts, morpholine oxide compounds, alkyl amides, and deionized water show better performance than conventional stripping compositions in terms of both photoresist and polymer removal and protection against tungsten wiring films. can do.

또한, 도 2a는 포토레지스트 제거 공정을 진행하기 전의 텅스텐 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이고, 도 2b는 본 발명의 상기 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 포토레지스트 제거 공정을 진행한 후의 텅스텐 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다.2A is a photograph showing a wafer having a tungsten wiring before the photoresist removing process, and FIG. 2B is a tungsten after the photoresist removing process using the stripping composition according to Example 9 of the present invention. It is a photograph which shows the wafer which has wiring.

도 2a 및 도2b를 참조하면, 텅스텐 배선을 형성하는 과정에서 건식식각 공정이 완료된 후 포토레지스트 스트립 공정이 진행되지 않은 상태의 웨이퍼에는 폴리머 및 포토레지스트 잔류물이 남아 있는 것을 관찰할 수 있지만, 상기 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 스트립 공정을 완료한 경우 폴리머 및 포토레지스트 잔류물이 제거된 것을 확인할 수 있었다.Referring to FIGS. 2A and 2B, it can be observed that polymer and photoresist residues remain on the wafer in which the photoresist strip process is not performed after the dry etching process is completed during the formation of the tungsten wire. When the stripping process was completed using the stripping composition according to Example 9, it was confirmed that the polymer and photoresist residues were removed.

시험예 2Test Example 2

기판 상에 알루미늄 박막, 및 타이타늄 박막을 차례로 증착하고, 그 위에 포토 레지스트 막을 형성한 후 노광 및 현상, 건식 식각 등을 거쳐 알루미늄 배선을 형성시켜 준비하였다. 상기 준비된 실시예들 및 비교예들에 의한 각 스트립핑 조성물을 사용하여 상기 알루미늄 배선이 형성된 기판의 포토레지스트 및 폴리머 제거력과 배선막에 대한 손상정도를 평가하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 평가결과를 나타내는 기호는 상기 표 2에서와 동일하다.An aluminum thin film and a titanium thin film were sequentially deposited on the substrate, and a photoresist film was formed thereon, and then aluminum wiring was formed by exposure and development, dry etching, and the like. Each stripping composition according to the prepared examples and comparative examples was used to evaluate photoresist and polymer removal force of the substrate on which the aluminum wiring was formed, and the degree of damage to the wiring film, and the results are shown in Table 3 below. Symbols indicating the evaluation results are the same as in Table 2 above.

구분division 폴리머 제거Polymer removal PR 제거PR removal 배선 손상Wiring damage 실시예 1Example 1 AA AA △△ 실시예 2Example 2 BB AA △△ 실시예 3Example 3 AA AA ○○ 실시예 4Example 4 AA AA ◎◎ 실시예 5Example 5 BB AA ◎◎ 실시예 6Example 6 BB AA ◎◎ 실시예 7Example 7 AA AA ○○ 실시예 8Example 8 BB AA ◎◎ 실시예 9Example 9 AA AA ◎◎ 실시예 10Example 10 AA AA ◎◎ 실시예 11Example 11 AA AA ○○ 실시예 12Example 12 BB AA ◎◎ 실시예 13Example 13 BB AA ○○ 실시예 14Example 14 AA AA ○○ 비교예 1Comparative Example 1 EE AA ◎◎ 비교예 2Comparative Example 2 EE AA ◎◎ 비교예 3Comparative Example 3 BB BB ◎◎ 비교예 4Comparative Example 4 BB CC ○○ 비교예 5Comparative Example 5 BB CC △△ 비교예 6Comparative Example 6 BB CC ◎◎

표 3에서 보는 바와 같이 실시예에 따른 거의 모든 조성물이 기존 스트립핑 조성물을 사용한 경우 보다 동일하거나 우수한 포토레지스트 제거성능을 갖지만 산화 모르폴린계 화합물이 배제된 조성물인 비교예 1, 2의 경우 폴리머 제거 성능이 매우 불량하였다. 또한, 알킬아미이드를 사용하지 않거나 소량 사용한 비교예 3 내지 6의 경우 포토레지스트 제거 성능 및 폴리머 제거성능 모두 우수하지 못한 결과 를 나타내고 있음을 확인할 수 있었다. 배선에 대한 손상 정도 역시 개발된 실시예 1 내지 14에 의한 조성물은 모두 기존 스트립핑 조성물과 유사하거나 손상이 적었다. As shown in Table 3, polymers were removed in Comparative Examples 1 and 2, in which almost all of the compositions according to the examples had the same or better photoresist removal performance than the existing stripping composition, but exclude the morpholine-based compound. The performance was very poor. In addition, in Comparative Examples 3 to 6 without using alkylamide or using a small amount, it was confirmed that the photoresist removal performance and the polymer removal performance were not excellent. The degree of damage to the wiring was also similar to, or less damage to, the existing stripping compositions, all of the compositions according to Examples 1 to 14 developed.

따라서 하이드록실 아민염, 산화 모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 탈이온수를 포함한 실시예들에 의한 조성물은 포토 레지스트 및 폴리머 제거력과 알루미늄 배선막에 대한 보호 두 측면에서 기존 스트리퍼보다 우수한 성능을 보인다고 할 수 있다.Therefore, the composition according to the embodiments including hydroxyl amine salt, morpholine oxide compound, alkyl amide, and deionized water showed better performance than the conventional stripper in terms of both photoresist and polymer removal ability and protection against aluminum wiring film. have.

또한, 도 3a는 포토레지스트 제거 공정을 진행하기 전의 알루미늄 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이고, 도 3b는 본 발명의 상기 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 포토레지스트 제거 공정을 진행한 후의 알루미늄 배선을 가지는 웨이퍼를 나타내는 사진이다.3A is a photograph showing a wafer having aluminum wiring before the photoresist removing process is performed, and FIG. 3B is an aluminum after the photoresist removing process is performed using the stripping composition according to Example 9 of the present invention. It is a photograph which shows the wafer which has wiring.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 알루미늄 배선을 형성하는 과정에서 건식식각 공정이 왼료된 후 포토레지스트 스트립 공정이 진행되지 않은 상태의 웨이퍼에는 폴리머 및 포토레지스트 잔류물이 남아 있는 것을 관찰할 수 있지만, 상기 실시예 9에 의한 스트립핑 조성물을 사용하여 스트립 공정을 완료한 경우 폴리머 및 포토레지스트 잔류물이 제거된 것을 확인할 수 있었다.Referring to FIGS. 3A and 3B, it can be observed that polymer and photoresist residues remain on the wafer in which the photoresist strip process is not performed after the dry etching process is completed in the process of forming the aluminum wiring. When the stripping process was completed using the stripping composition according to Example 9, it was confirmed that the polymer and photoresist residues were removed.

본 발명에 의하면, 반도체 및 LCD 공정에서 사진 식각 공정을 통하여 금속 패턴을 형성하는 경우, 사용되는 금속의 종류에 관계없이 우수한 폴리머 및 포토레지스트 스트립핑 성능을 달성할 수 있다. 동시에 반도체 장치제조용 기판이나 LCD 장치 제조용 기판에 형성되는 상기 금속패턴을 부식 등에 의해 손상시키지 않고 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다. According to the present invention, when forming a metal pattern through a photolithography process in semiconductor and LCD processes, it is possible to achieve excellent polymer and photoresist stripping performance regardless of the type of metal used. At the same time, the photoresist can be effectively removed without damaging the metal pattern formed on the semiconductor device manufacturing substrate or the LCD device manufacturing substrate by corrosion or the like.

즉, 본 발명에 따른 조성물을 사용하면, 포토레지스트 스트립핑에서 발생하는 불량을 최소화할 수 있고, 따라서 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 있다. 결국, 고집적화되고 있는 최근의 반도체 또는 LCD 제조 공정에 효과적으로 대처할 수 있으며, 신뢰성 있는 장치를 경제적으로 생산할 수 있게 된다.That is, using the composition according to the present invention, it is possible to minimize the defects occurring in the photoresist stripping, and thus to accurately form the fine pattern. As a result, it is possible to effectively cope with the recent semiconductor or LCD manufacturing process, which is becoming highly integrated, and to produce a reliable device economically.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (14)

하이드록실 아민 염; Hydroxyl amine salts; 산화모르폴린계 화합물;Morpholine oxide compounds; 알킬 아마이드; 및 Alkyl amides; And 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.A photoresist stripping composition comprising deionized water. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 하이드록실 아민 염 1 내지 30 중량%; 1 to 30% by weight of hydroxyl amine salt; 산화모르폴린계 화합물 1 내지 30 중량%; 1 to 30% by weight of the morpholine oxide compound; 알킬 아마이드 10 내지 70 중량%; 및 10 to 70 weight percent of alkyl amides; And 탈이온수 20 내지 80 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.A photoresist stripping composition comprising 20 to 80% by weight of deionized water. 제1항에 있어서, 상기 하이드록실 아민 염이 하이드록실 아민 포스페이트, 하이드록실 아민 설페이트, 하이드록실 아민 클로라이드, 하이드록실 아민 옥살레이트, 하이드록실 아민 시트레이트, 하이드록실 아민 플루오라이드, 및 하이드록실 아민 나이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The compound of claim 1, wherein the hydroxyl amine salt is hydroxyl amine phosphate, hydroxyl amine sulfate, hydroxyl amine chloride, hydroxyl amine oxalate, hydroxyl amine citrate, hydroxyl amine fluoride, and hydroxyl amine nitrite. Photoresist stripping composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of a rate. 제 1항에 있어서, 상기 하이드록실 아민 염이 하이드록실 아민 설페이트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The photoresist stripping composition of claim 1 wherein said hydroxyl amine salt is hydroxyl amine sulfate. 제1 항에 있어서, 상기 산화 모르폴린계 화합물이 모르폴린-옥사이드, 및 N-메틸모르폴린-N-옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The photoresist stripping composition of claim 1, wherein the morpholine oxide compound is at least one selected from the group consisting of morpholine-oxide and N-methylmorpholine-N-oxide. 제1 항에 있어서, 상기 알킬 아마이드가 N-메틸 아세트아마이드, 디메틸 포름아마이드, 디메틸 아세트아마이드, 디에틸 아세트아마이드, 디프로필 아세트아마이드, 디메틸 프로피온아마이드, 디에틸부틸아마이드, 및 N-메틸-N-에틸 프로피온아마이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The compound of claim 1, wherein the alkyl amide is N-methyl acetamide, dimethyl formamide, dimethyl acetamide, diethyl acetamide, dipropyl acetamide, dimethyl propionamide, diethylbutylamide, and N-methyl-N-. Photoresist stripping composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of ethyl propionamide. 제1 항에 있어서, 알칸올 아민을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The photoresist stripping composition of claim 1, further comprising an alkanol amine. 제7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 하이드록실 아민 염 1 내지 30 중량%; 1 to 30% by weight of hydroxyl amine salt; 산화모르폴린계 화합물 1 내지 30 중량%; 1 to 30% by weight of the morpholine oxide compound; 알킬 아마이드 10 내지 70 중량%; 10 to 70 weight percent of alkyl amides; 탈이온수 20 내지 80 중량%; 및20 to 80% by weight deionized water; And 알칸올 아민 1 내지 15 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.A photoresist stripping composition comprising 1 to 15% by weight of alkanol amines. 제7 항에 있어서, 상기 알칸올 아민이 모노에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, 3-에톡시프로필아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디글리콜아민, 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.The method of claim 7, wherein the alkanol amine is monoethanolamine, isopropanolamine, N-methylethanolamine, 3-ethoxypropylamine, triethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethylamine, diglycolamine, And it is at least one selected from the group consisting of 2- (2-aminoethoxy) ethanol. 하이드록실아민 설페이트 1 내지 30중량%;1 to 30% by weight of hydroxylamine sulfate; N-메틸모르폴린-N-옥사이드 1 내지 30중량%;1 to 30% by weight of N-methylmorpholine-N-oxide; 디메틸아세트아마이드 10 내지 70중량%; 10 to 70% by weight of dimethylacetamide; 탈이온수 20 내지 80중량%; 및20 to 80% by weight deionized water; And 모노에탄올아민 1 내지 15중량%를 포함하는 포토레지스트 스트립핑 조성물.Photoresist stripping composition comprising 1 to 15% by weight of monoethanolamine. 금속배선이 형성된 기판 상에 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층을 형성하는 단계;Forming a photoresist layer on the substrate on which the metal wiring is formed using photoresist; 상기 포토레지스트층을 사용하는 사진 식각을 수행하여 상기 피가공물을 패턴으로 형성하는 단계; 및Performing photolithography using the photoresist layer to form the workpiece in a pattern; And 하이드록실 아민 설페이트, 산화모르폴린계 화합물, 알킬 아마이드, 및 탈이 온수를 포함하는 포토레지스트 스트립핑 조성물을 사용하여 상기 기판 상에 잔류하는 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.Removing the photoresist layer remaining on the substrate using a photoresist stripping composition comprising hydroxyl amine sulfate, morpholine oxide compound, alkyl amide, and deionized hot water. 제11항에 있어서, 상기 금속 배선이 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method of claim 11, wherein the metal wiring comprises aluminum (Al), copper (Cu), molybdenum (Mo), or tungsten (W). 제11 항에 있어서, 상기 기판이 반도체 장치 제조용 기판 또는 LCD 장치 제조용 기판인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern forming method according to claim 11, wherein the substrate is a substrate for manufacturing a semiconductor device or a substrate for manufacturing an LCD device. 제 11항에 있어서, 상기 포토레지스트 스트립핑 조성물이 알칸올 아민을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The method of claim 11, wherein the photoresist stripping composition further comprises an alkanol amine.
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