KR100576220B1 - 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈 - Google Patents

평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 평면 광도파로(PLC)형 광 트랜시버(optical transceiver) 모듈에 관한 것으로, 상향 및 하향에 각각 서로 다른 파장을 이용하는 다이플렉스 광 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로는 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로는 단일모드 도파로로 구성된다. 또한, 상향 한 파장 및 하향 두 파장 이상을 이용하는 트리플렉스 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로는 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로는 단일모드 도파로로 구성된다. 트렌치를 형성할 때 발생되는 불규칙성에 의해 박막필터의 정렬 오차가 발생하여도 수광부에 연결되는 광도파로가 발광부에 연결되는 광도파로보다 넓게 형성되기 때문에 수광부쪽으로 광신호가 전달되는 과정에서 손실이 최소화된다.
평면 광도파로, 광 트랜시버, 파장 선택, 박막필터, 트리플렉스

Description

평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈{Planer light wave circuit type optical transceiver module}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 광도파로(PLC)형 광 트랜시버 모듈을 설명하기 위한 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 광도파로를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 "A" 부분의 상세도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면 광도파로(PLC)형 광 트랜시버 모듈을 설명하기 위한 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 120: 기판
210, 250: 광도파로
220, 260a, 260b: 제 1 내지 제 3 광도파로
270: 클래드
310, 330, 320: 발광부
350: 수광부
360a, 360b: 제 1 및 제 2 수광부
400: 트렌치
450, 460a, 460b: 박막필터
500: 광섬유
본 발명은 다이플렉스(diplex) 또는 트리플렉스(triplex) 구조의 광 트랜시버, 이더넷 폰(Ethernet PON), 기가비트 폰(gigabit PON) 등에 응용될 수 있는 광 트랜시버 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 파장분할다중송신(Wavelength Division Multiplexing; WDM) 방식의 평면 광도파로(Planar Lightwave Circuit; PLC)형 광 트랜시버 모듈에 관한 것이다.
최근들어 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 상용화 단계까지 개발되었으며, 저가형 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 광통신 가입자망에 많이 활용될 것으로 전망된다.
이러한 광 트랜시버 모듈는 상향 및 하향에 각각 서로 다른 파장을 사용하는 ATM(Asynchronous Transfer Mode) PON(Passive Optical Network) 통신용 다이플렉스(diplex) 트랜시버 및 상향 한 파장과 서로 다른 하향 두 파장을 사용하는 BPON(Broadband PON) 통신용 트리플렉스(triplex) 트랜시버에 응용될 수 있으며, 향후 이더넷 폰(Ethernet PON) 및 기가비트 폰(gigabit PON)에도 응용될 것으로 보인다.
종래 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 발광부, 수광부 및 단일모드 도파 로들로 구성되며, 실리콘(silicon)과 같은 반도체 소재나 세라믹 소재의 기판에 집적된다. 하나의 광도파로는 발광부를 향하도록 기판에 형성되며, 다른 하나의 광도파로는 수광부를 향하도록 기판에 형성된다. 이 때 광도파로들은 소정 부분에서 서로 인접하도록 배치되며, 인접된 부분에는 파장에 따라 광신호를 수광부나 발광부로 보내기 위한 박막필터(Thin Film Filter; TFF)가 설치된다.
상기와 같이 구성된 광 트랜시버 모듈에서 상기 박막필터는 기판에 형성되는 트렌치(trench)에 삽입된다. 그런데 트렌치가 대개 소잉(sawing) 공정으로 형성되기 때문에 공정의 특성상 정교하게 형성되기 어렵다. 즉, 트렌치의 위치, 간격 등이 불규칙하게 형성될 수 있다.
박막필터의 반사면은 두 광도파로가 인접하는 지점에 정확하게 정렬되어야만 광섬유로부터 전달되는 광신호가 손실되지 않고 수광부로 전달될 수 있다. 그러나 상기와 같이 트렌치가 정확하게 형성되지 않으면 박막필터의 반사면이 정확히 정렬되지 않기 때문에 벗어난 각도 만큼의 다른 파장이 선택되어 수광부로 진행하는 광신호의 손실이 발생된다.
박막필터의 위치에 따른 광신호의 손실 범위를 1 ㏈ 이하로 유지하기 위해서는 입사각에 따라 다르지만 심한 경우(입사각이 큰 경우) 박막필터의 위치를 ±1 ㎛ 오차 범위 이내로 조절해야 하는 어려움이 있다. 더욱이, 트리플렉스 구조의 광 트랜시버와 같이 박막필터를 두개 이상 삽입해야 하는 경우 박막필터의 삽입 및 정렬에 많은 시간과 노력이 필요하게 된다.
본 발명의 목적은 파장 선택용 박막필터의 정렬 오차에 따른 손실을 효과적으로 방지할 수 있는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 향후 활용이 기대되는 트리플렉스 구조의 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 기판; 상기 기판에 도입된 발광부 및 수광부; 코어와 클래드로 이루어지며 상기 발광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 1 광도파로; 코어와 클래드로 이루어지며 상기 수광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 2 광도파로; 상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 인접하는 부분에 위치되며, 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키는 필터를 포함하되, 상기 제 1 광도파로가 단일모드 도파로로 구성되고, 상기 제 2 광도파로가 다중모드 도파로로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 기판; 상기 기판에 도입된 발광부; 상기 기판에 도입된 다수의 수광부; 코어와 클래드로 이루어지며 상기 발광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 1 광도파로; 코어와 클래드로 이루어지며 상기 다수의 수광부를 향하도록 상기 기판에 각각 형성된 다수의 제 2 광도파로; 상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 인접하는 부분에 각각 위치되며, 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키는 필터들을 포함하되, 상기 제 1 광도파로가 단일모드 도파로로 구성되고, 상기 제 2 광도파로가 다중모드 도파로로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 광도파로의 코어 폭이 상기 제 1 광도파로의 코어보다 크며, 상기 제 2 광도파로의 코어가 상기 제 1 광도파로의 코어보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 3 내지 15 ㎛ 의 간격으로 인접된 것을 특징으로 한다.
상기 필터가 상기 기판에 형성된 트렌치에 삽입되며, 상기 트렌치가 100 내지 200 ㎛의 깊이 및 15 내지 50 ㎛의 폭으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 상향 및 하향에 각각 서로 다른 파장을 이용하는 다이플렉스 광 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로가 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로가 단일모드 도파로로 구성된다. 또한, 상향 한 파장 및 하향 두 파장 이상을 이용하는 트리플렉스 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로가 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로가 단일모드 도파로로 구성된다. 본 발명의 광 트랜시버 모듈은 파장 선택용 박막필터의 정렬 오차가 발생하여도 수광부쪽으로 진행하는 광신호의 손실이 방지된다.
그러면 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈을 설명하기 위한 개략도로서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
본 실시예에 따른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 상향 및 하향에 각각 서로 다른 파장을 이용하는 다이플렉스 구조로서, 반도체 소재나 세라믹 소재로 이루어지는 기판(100)에 집적된다. 상기 기판(100)의 일측에는 발광부(310 및 330)가 설치되고, 다른 일측에는 수광부(350)가 설치된다. 또한, 상기 기판(100)에는 상기 발광부(310 및 330)를 향하도록 제 1 광도파로(210)가 형성되며, 상기 수광부(350)를 향하도록 제 2 광도파로(250)가 형성된다. 이 때 상기 제 1 광도파로(210)와 제 2 광도파로(250)는 소정 부분(A 부분)에서 일정한 간격(g1)을 두고 서로 인접되며, 상기 제 1 광도파로(210)와 제 2 광도파로(250)가 인접되는 부분(A 부분)에는 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키기 위한 박막필터(450)가 설치된다. 상기 박막필터(450)는 상기 기판(100)에 소잉 공정 등으로 형성된 트렌치(400)에 삽입된다.
상기 발광부(310 및 330)는 레이저 다이오드와 같은 발광 소자(310)와 레이저를 감지하는 모니터링 포토 다이오드와 같은 모니터링 소자(330)를 포함하며, 상기 수광부(350)는 포토 다이오드와 같은 수광 소자(350)를 포함한다. 도면에는 수광부(350)와 발광부(310 및 330)가 기판(100)의 측부에 각각 형성되었으나, 필요에 따라 위치를 서로 바꿀 수도 있으며, 임의의 다른 위치에 설치할 수도 있다.
상기 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 기판(100) 상에 반도체, 실리카, 폴리머 등으로 형성된 클래드(270)와, 상기 클래드(270) 내에 예를 들어, 사각형의 단면을 가지도록 형성된 코어(210 및 250)로 구성된다. 이 때 단일모드 도파로로로 구성되는 상기 제 1 광도파로(210)의 폭(W1)은 대략 2 내지 10 ㎛ 정도이며, 다중모드 도파로로 구성되는 상기 제 2 광도파로(250)의 폭(W2)은 상기 제 1 광도파로(210)의 폭(W1)보다 1 내지 100 ㎛ 큰 3 내지 110 ㎛ 정도이다. 또한, 상기 제 1 광도파로(210)와 상기 제 2 광도파로(250)는 16 내지 90도의 각도(θ)로 배치된다.
본 실시예에서 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250)는 인접되는 부분(A 부분)에서 서로 접촉하지 않고 일정 간격(g1) 이격된다. 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250)가 접촉되면 단일모드 도파로로 구성되는 제 1 광도파로(210)와 다중모드 도파로로 구성되는 제 2 광도파로(250)가 만나는 지점에서 발광부(310 및 330)로부터 출력된 광신호가 손실될 수 있다. 이를 방지하기 위해 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250) 사이가 일정 간격(g1) 이격되도록 한다. 이 때 간격(g1)은 3 내지 15 ㎛ 정도가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 간격(g1)이 대략 10 ㎛ 내외로 유지되면 제 1 광도파로(210)의 두께(H1)와 제 2 광도파로(250)의 두께(H2)가 거의 같아도 손실은 크게 증가하지 않는다. 그러나 이러한 손실의 발생을 보다 신뢰성 있게 방지하기 위해서는 다중모드 도파로로 구성되는 제 2 광도파로(250)의 두께(H2)를 단일모드 도파로로 구성되는 제 1 광도파로(210)의 두께(H1)보다 두껍게 만드는 것이 바람직하다.
상기 박막필터(450)는 10 내지 40 ㎛의 두께를 가진다. 또한, 상기 박막필터(450)가 삽입되는 트렌치(400)의 깊이는 대략 100 ㎛ 이상, 바람직하게는 100 내지 200 ㎛ 정도가 되도록 형성하며, 폭(g2)은 상기 박막필터(450)의 두께보다 5 내지 10 ㎛ 정도 크게 예를 들어, 15 내지 50 ㎛ 정도가 되도록 형성한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈의 동 작을 설명하면 다음과 같다.
상기 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250) 중 어느 하나의 광도파로, 예를 들어, 상기 제 1 광도파로(210)에 광섬유(500)가 결합되어 외부로부터 광신호가 입력되거나, 내부에서 발생된 광신호가 외부로 출력된다. 즉, 상기 제 1 광도파로(210)를 통해 입력되는 광신호는 파장에 따라 상기 박막필터(450)에 반사되어 상기 수광부(350)로 전달되며, 상기 발광부(310 및 330)에서 발생된 광신호는 상기 박막필터(450)를 투과하여 상기 제 1 광도파로(210)를 통해 광섬유(500)로 출력된다.
일반적으로 소잉 공정으로 30 ㎛ 이내의 폭을 가지는 트렌치(400)을 정교하게 형성하기는 매우 어려운 것으로 알려져 있다. 본 실시예에서도 소잉 공정으로 30 ㎛ 이하의 폭을 가지는 트렌치(400)을 형성함에 있어 트렌치(400)의 위치, 폭 등이 다소 불규칙하게 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 트렌치(400)에 삽입되는 박막필터(450)의 정렬 오차가 발생될 수 있다.
그러나 본 발명은 상기 제 2 광도파로(250)가 다중모드 도파로로 구성되기 때문에 상기 박막필터(450)의 정렬 오차가 발생하여도 광신호가 손실되지 않고 수광부(350)로 전달될 수 있다. 즉, 상기 제 2 광도파로(250)가 20 내지 100 ㎛의 넓은 폭을 가지는 다중모드 도파로로 구성됨으로써 상기 박막필터(450)에 반사된 광신호가 거의 손실되지 않고 상기 제 2 광도파로(250)로 입사될 수 있다. 트렌치(400) 형성 위치의 변화 폭은 상기 제 1 및 제 2 광도파로(210 및 250)가 만나는 각도(θ)에 의해서 달라질 수 있으나, 다중모드 도파로로 구성되는 상기 제 2 광도파로(250)의 폭(W2)과 단일모드 도파로로 구성되는 상기 제 1 광도파로(210)의 폭(W1)의 차이에 의해 박막필터의 정렬 오차가 어느 정도 여유를 갖게 된다.
실질적으로, 트렌치(400)을 형성할 때 발생되는 불규칙성에 의해 박막필터(450)의 정렬 오차가 대략 10 ㎛ 정도 발생하여도 상기 제 2 광도파로(250)의 폭(W2)과 제 1 광도파로(210)의 폭(W1)의 차이가 10 ㎛ 정도이기 때문에 제 2 광도파로(250)로 광신호가 전달되는 과정에서 손실이 발생되지 않게 된다.
한편, 본 발명은 상기 제 2 광도파로(250)의 폭(W2)을 넓게 형성함으로써 이에 연결되는 수광부(350)를 구성함에 있어 넓은 수광 면적을 가지는 수광 소자를 채용하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평면 광도파로(PLC)형 광 트랜시버 모듈을 설명하기 위한 개략도이다.
본 실시예에 따른 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈은 상향 한 파장 및 하향 두 파장 이상을 이용하는 트리플렉스 구조로서, 반도체 소재나 세라믹 소재로 이루어지는 기판(120)에 집적된다. 상기 기판(120)의 일측에는 발광부(320)가 설치되고, 다른 일측에는 제 1 및 제 2 수광부(360a 및 360b)가 설치된다. 또한, 상기 기판(120)에는 상기 발광부(320)를 향하도록 제 1 광도파로(220)가 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 수광부(360a 및 360b)를 향하도록 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)가 각각 형성된다. 이 때 상기 제 2 광도파로(260a) 및 상기 제 3 광도파로(260a 및 260b)는 소정 부분(B 및 C 부분)에서 각각 일정한 간격을 두고 상기 제 1 광도파로(220)와 인접되며, 상기 제 1 광도파로(210)와 제 2 광도파로(260a) 그리고 상기 제 1 광도파로(210)와 제 3 광도파로(260b)가 인접되는 부분(B 및 C 부분)에는 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키는 박막필터(460a 및 460b)가 각각 설치된다. 상기 박막필터(460a 및 460b)는 상기 기판(120)에 소잉 공정 등으로 형성된 소정 깊이의 트렌치(도시안됨)에 각각 삽입된다.
상기 발광부(320)는 레이저 다이오드와 같은 발광 소자와 레이저를 감지하는 모니터링 포토 다이오드와 같은 모니터링 소자를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 수광부(360a 및 360b)는 포토 다이오드와 같은 수광 소자를 포함한다.
상기 제 1, 제 2 및 제 3 광도파로(220, 260a 및 260b)는 상기 기판(120) 상에 반도체, 실리카, 폴리머 등으로 형성된 클래드와, 상기 클래드 내에 예를 들어, 사각형의 단면을 가지도록 형성된 코어로 구성된다. 이 때 단일모드 도파로로로 구성되는 상기 제 1 광도파로(220)의 폭은 대략 2 내지 10 ㎛ 정도이며, 다중모드 도파로로 구성되는 상기 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)의 폭은 상기 제 1 광도파로(220)의 폭보다 1 내지 100 ㎛ 큰 3 내지 110 ㎛ 정도이다. 또한, 상기 제 1 광도파로(220)와 상기 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)는 16 내지 90°의 각도로 배치된다.
상기 제 1 광도파로(220)와 상기 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)는 인접되는 부분(B 및 C 부분)에서 서로 접촉하지 않고 일정 간격 이격된다. 이 때 이격되는 간격은 3 내지 15 ㎛ 정도가 되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 광신호 의 손실을 보다 신뢰성 있게 방지하기 위해서는 다중모드 도파로로 구성되는 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)의 두께를 단일모드 도파로로 구성되는 제 1 광도파로(220)의 두께보다 두껍게 만드는 것이 바람직하다.
상기 박막필터(460a 및 460b)는 10 내지 40 ㎛의 두께를 가진다. 또한, 상기 박막필터(460a 및 460b)가 삽입되는 트렌치의 깊이는 대략 100 ㎛ 이상, 바람직하게는 100 내지 200 ㎛ 정도가 되도록 형성하며, 폭은 상기 박막필터(460a 및 460b)의 두께보다 5 내지 10 ㎛ 정도 크게 예를 들어, 15 내지 50 ㎛ 정도가 되도록 형성한다.
상기 제 1 수광부(360a)는 BPON에서 화상 및 음성 신호에 특화되어 사용이 예상되는 E-band (Enhanced band, 1550 내지 1560 nm) 대역의 하향 신호를 수광하고, 상기 제 2 수광부(360b)는 1480 내지 1500 nm 대역의 일반 데이터 신호를 수광하며, 상기 발광부(320)는 1260 내지 1360 nm 대역의 상향 신호를 발광한다.
E-band 하향 신호는 수광 신호가 최소 -10 dBm 수준으로 최소 -24 dBm 수준인 일반 데이터 신호보다 강도가 세다. 따라서 1480 내지 1500 nm 대역의 데이터 신호가 E-band로 혼신(cross talk)되는 비율은 약 -20 dB 이하이지만, 반대로 E-band 신호가 1480 내지 1500 nm 대역으로 혼신되는 비율은 약 -40 dB 정도이다.
일반적으로 상용되는 박막필터의 경우 파장에 따른 혼신 비율이 약 -40 dB 정도 이지만, 실제의 광 트랜시버 제작 시에는 광도파로 굴절률이 설계치와 다른 경우가 많기 때문에 필터 하나로 -40 dB의 혼신 비율을 얻기 힘들다. 이러한 상황에서 본 발명은 비교적 혼신 비율에 여유가 있는 E-band 하향 신호를 제 2 광도파 로(260a)에 연결된 제 1 수광부(360a)로 입력되도록 한다. 즉, 1260 내지 1500 nm 파장 대역의 광신호는 투과시키고, 1550 내지 1560 nm 파장 대역의 광신호는 반사시키는 박막필터(460a)를 상기 제 1 광도파로(210)와 제 2 광도파로(260a)가 인접하는 부분(B 부분)의 트렌치에 삽입하고, 1260 내지 1310 nm 와 1550 내지 1560 nm 파장 대역의 광신호는 투과시키고, 1480 내지 1500 nm 파장 대역의 광신호는 반사시키는 박막필터(460b)를 상기 제 1 광도파로(210)와 제 3 광도파로(260b)가 인접되는 부분(C 부분)의 트렌치에 삽입하여 제 2 광도파로(260a)를 통해 제 1 수광소자(360a)에 1480 내지 1500 nm 파장 대역의 광신호가 도달하도록 한다.
이러한 구조는 제 1 및 제 2 수광부(360a 및 360b)에 연결되는 제 2 및 제 3 광도파로(260a 및 260b)의 폭을 상기 제 1 광도파로(220)보다 넓게 형성함으로써 박막필터(460a 및 460b)의 정렬 오차에 따른 광신호의 손실을 효과적으로 방지하는 동시에 파장에 따라 요구되는 혼신 비율을 효율적으로 유지할 수 있도록 한다. 또한, 발광부(320)와 제 1 및 제 2 수광부(360a 및 360b)가 서로 마주보지 않고 30도 이상의 각도, 바람직하게는 30 내지 90도의 각도를 유지하도록 배치함으로써 발광부(320)에서 발광된 광신호가 직접 수광부(360a 및 360b)로 전달되는 혼신비율을 낮출 수 있다.
이상, 구체적인 실시예들을 통하여 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능한 것으로 이해되어야 함이 명백하다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면 상향 및 하향에 각각 서로 다른 파장을 이용하는 다이플렉스 광 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로가 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로가 단일모드 도파로로 구성된다. 또한, 상향 한 파장 및 하향 두 파장 이상을 이용하는 트리플렉스 트랜시버 모듈에서 수광부에 연결되는 광도파로가 다중모드 도파로로 구성되고, 발광부에 연결되는 광도파로가 단일모드 도파로로 구성된다. 따라서 트렌치을 형성할 때 발생되는 불규칙성에 의해 박막필터의 정렬 오차가 발생하여도 수광부에 연결되는 광도파로가 발광부에 연결되는 광도파로보다 넓게 형성되기 때문에 수광부쪽으로 광신호가 전달되는 과정에서 손실이 발생되지 않는다. 그러므로 광 트랜시버 모듈의 제작이 용이하여 수율을 증가시킬 수 있으므로 광 트랜시버의 가격을 효과적으로 낮출 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판에 도입된 발광부 및 수광부;
    코어와 클래드로 이루어지며 상기 발광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 1 광도파로;
    코어와 클래드로 이루어지며 상기 수광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 2 광도파로;
    상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 인접하는 부분에 위치되며, 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키는 필터를 포함하되,
    상기 제 1 광도파로가 단일모드 도파로로 구성되고, 상기 제 2 광도파로가 다중모드 도파로로 구성된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  2. 기판;
    상기 기판에 도입된 발광부;
    상기 기판에 도입된 다수의 수광부;
    코어와 클래드로 이루어지며 상기 발광부를 향하도록 상기 기판에 형성된 제 1 광도파로;
    코어와 클래드로 이루어지며 상기 다수의 수광부를 향하도록 상기 기판에 각각 형성된 다수의 제 2 광도파로;
    상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 인접하는 부분에 각각 위치되며, 파장에 따라 광신호를 투과시키거나 반사시키는 필터들을 포함하되,
    상기 제 1 광도파로가 단일모드 도파로로 구성되고, 상기 제 2 광도파로가 다중모드 도파로로 구성된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 발광부는 1260 내지 1360 ㎚ 파장 대역의 광신호를 발광하며, 상기 다수의 수광부는 1550 내지 1560 ㎚ 파장 대역 및 1480 내지 1500 ㎚ 파장 대역의 광신호를 수신하는 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 다수의 수광부는 상기 발광부에 대해 30 내지 90도의 각도를 유지하도록 배치된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 광도파로의 코어 폭이 상기 제 1 광도파로의 코어보다 큰 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 광도파로의 코어가 상기 제 1 광도파로의 코어보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 광도파로와 상기 제 2 광도파로가 3 내지 15 ㎛ 의 간격으로 인접된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 필터가 상기 기판에 형성된 트렌치에 삽입된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 트렌치가 100 내지 200 ㎛의 깊이 및 15 내지 50 ㎛의 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 평면 광도파로형 광 트랜시버 모듈.
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