KR100576113B1 - Method for fabricating thin film transistor substrate for reflective LCD - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사 효율을 높이는 동시에 고 대비비를 실현할 수 있는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 개시한다. 반사형 액정표시기의 제조방법은, 요철구조의 반사전극이 형성된 기판에 광 배향과 노광이 가능한 폴리신나메이트와 같은 감광성 배향막을 소정 두께로 전면에 도포한다. 그런다음, 감광성 배향막을 소정 온도에서 베이킹한다. 베이킹에 의하여, 반사전극의 부분적 정점에 위치한 감광성 배향막이 골 부분으로 플로우 되어 평탄화가 실현된다. 다음으로, 콘택 등이 필요한 부위들은 노광된 감광성 배향막을 현상하여 제거한다. 이와 동시에 박막 트랜지스터 기판의 배향공정은 완성된다.The present invention discloses a method of manufacturing a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display which can improve reflection efficiency and at the same time realize a high contrast ratio. In the method of manufacturing a reflective liquid crystal display, a photosensitive alignment film such as polycinnamate capable of photo alignment and exposure is coated on the entire surface on a substrate on which a reflective electrode having an uneven structure is formed. Then, the photosensitive alignment film is baked at a predetermined temperature. By baking, the photosensitive alignment film located at the partial apex of the reflective electrode flows to the valley portion to realize flattening. Next, portions requiring contact or the like are developed by removing the exposed photosensitive alignment layer. At the same time, the alignment process of the thin film transistor substrate is completed.

Description

반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법{Method for fabricating thin film transistor substrate for reflective LCD}Method for manufacturing thin film transistor substrate for reflective liquid crystal display {Method for fabricating thin film transistor substrate for reflective LCD}

도 1은 종래의 반사형 액정표시기의 박막 트랜지스터 기판의 부분 단면도.1 is a partial cross-sectional view of a thin film transistor substrate of a conventional reflective liquid crystal display.

도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 기판에서 반사전극의 역할을 설명하기 위한 설명도.FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining a role of a reflective electrode in the thin film transistor substrate of FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 배향막을 평탄화하는 과정을 설명하는 모식도.3 is a schematic diagram illustrating a process of planarizing an alignment layer of a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 배향막을 평탄화하는 과정을 설명하는 모식도.4 is a schematic diagram illustrating a process of planarizing an alignment layer of a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 배향막을 평탄화하는 과정을 설명하는 모식도.FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a process of planarizing an alignment layer of a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to still another embodiment of the present invention. FIG.

본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 요철구조의 반사전극을 갖는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판에 형성되는 배향막의 평탄화에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device, and more particularly, to planarization of an alignment film formed on a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display having a reflective electrode having an uneven structure.

텔레비전이나 컴퓨터용 모니터 등과 같은 표시기에 채용되고 있는 음극선관(CRT)은 중량, 장치공간, 소비 전력 등이 크기 때문에 설치 및 이동시에 제약을 받는다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 액정을 이용하는 액정표시기, 면 방전을 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계 발광을 이용한 표시기 등과 같이 평판 패널을 이용한 표시기들이 제안되었고, 현재 널리 사용되고 있다.Cathode ray tubes (CRTs) employed in displays such as televisions and computer monitors are limited in their installation and movement because of their large weight, device space, and power consumption. In order to compensate for these disadvantages, display panels using flat panel panels, such as liquid crystal displays using liquid crystals, plasma display panels (PDPs) using surface discharge, and displays using electroluminescence, have been proposed and are widely used.

평판표시기들 중 액정표시기는 여타의 평판표시기에 비하여 저 소비전력, 저 전압구동과 함께 고정세화, 풀 컬러표시등 음극선관에 가까운 표시품질이 가능하고, 제조공정의 용이화 등의 이유로 여러 전자 장치들에서 적용되고 있다. Among the flat panel displays, the liquid crystal display has low power consumption, low voltage operation, high definition, full color display, close to the cathode ray tube, and other electronic devices due to the ease of manufacturing process. It is applied in the field.

이러한 액정표시기에는 외부광원을 이용하는 투사형 액정표시기와 외부 광원 대신 자연광을 이용하는 반사형 액정표시기가 있다. Such liquid crystal displays include a projection type liquid crystal display using an external light source and a reflection type liquid crystal display using natural light instead of an external light source.

반사형 액정표시기는 저소비전력 뿐만 아니라 백라이트 장치가 불필요한 박형 경량이고, 옥외에서의 표시가 탁월하다는 장점을 가진다. 이런 특징 때문에 휴대형 기기에는 최적의 조건을 갖추고 있다. The reflective liquid crystal display has the advantages of low power consumption, a thin, light weight requiring no backlight device, and excellent display outdoors. Because of this feature, portable devices have the best conditions.

그러나, 현재의 반사형 액정표시기의 표시화면은 어둡고 고정세 표시 및 컬러 표시에 대응하지 못하기 때문에, 휴대형 기기 중에서도 숫자 등 간단한 패턴 표시만 요구되는 극히 저 가격 상품에만 사용되고 있었다. However, since the display screen of the current reflective liquid crystal display is dark and does not support high-definition display and color display, it has been used only in extremely low price products requiring only simple pattern display such as numbers among portable devices.

문서 뷰어(Document Viewer), 인터넷 뷰어(Internet Viewer)등의 기능을 갖는 휴대형 정보 기기에 반사형 액정표시기를 사용하기 위해서는 반사 휘도의 향상뿐만 아니라, 고정세화, 컬러화가 요구된다. 휴대형 정보 기기에서 주로 문자를 표시하는 단색(monochro) 표시 액정표시기를 보기 쉽게 하려면 반사 휘도 향상과 고 정세화가 요구되고, 그 실현을 위해서는 박막 트랜지스터 등 스위칭 소자를 형성한 액티브 매트릭스 기판이 필요하다. In order to use the reflective liquid crystal display in a portable information device having a function such as a Document Viewer, Internet Viewer, etc., not only the improvement of reflection luminance but also high definition and colorization are required. In order to make a monochromatic display liquid crystal display mainly displaying characters in a portable information device easy to see, reflection luminance improvement and definition are required, and an active matrix substrate including a switching element such as a thin film transistor is required for the realization.

그런데 단색 표시 기기에서는 표시 가능한 정보가 제한되기 때문에 기기 전체의 가격설정이 낮아질 수밖에 없어, 패널 단가가 높은 박막 트랜지스터 채용은 단색 표시 기기에는 치명적이다. However, since the displayable information is limited in a monochromatic display device, the price setting of the entire device is inevitably low, and the adoption of a thin film transistor having a high panel cost is fatal for a monochromatic display device.

또, 장래적으로 휴대 정보 기기에서의 컬러화는 필수여서 단색 표시 기기의 상품수명은 짧다고도 볼 수 있으며, 이에 따라 반사형 액정표시기 개발은 컬러화 방향에서 진행중이다. In addition, in the future, the coloration of the portable information device is essential, and thus, the product life of the monochromatic display device may be short. Accordingly, the development of the reflective liquid crystal display is in progress in the coloration direction.

그런데 패널 기술과 시장의 양면에서 큰 전개가 있으면서도 반사형 컬러 액정표시기는 지금까지 거의 실용화되지 않고 있다. 이유는 밝기와 콘트라스트, 응답속도 측면에서 성능이 부족했기 때문이다. However, despite the large development in both the panel technology and the market, the reflective color liquid crystal display has not been practically used until now. The reason is the lack of performance in terms of brightness, contrast and response speed.

밝기의 향상은 2가지 기술의 조합, 즉 반사전극의 반사효율을 높이는 기술과 초고개구율 기술을 조합함으로써 실현되고 있다. 반사효율을 높이는 기술은 이미 종래의 게스트 호스트 액정에 사용된 바 있으며, 반사기능을 부여한 전극에 미세한 요철을 만들어 반사효율을 최대로 하는 기술은, 미국 특허 번호 5,408,345에 개시되어 있다. The improvement of brightness is realized by the combination of two techniques, namely, the technique of increasing the reflection efficiency of the reflective electrode and the ultra-high opening ratio technique. A technique for improving the reflection efficiency has already been used in the conventional guest host liquid crystal, and a technique for maximizing the reflection efficiency by making fine irregularities in the electrode provided with the reflection function is disclosed in US Patent No. 5,408,345.

이 기술의 핵심은 도 2에 도시한 것처럼, 반사형 액정표시기를 사용하는 외부 환경에서는 모든 방향에서 빛이 입사한다는 가정하에 반사전극(126)에서 반사되는 반사광(점선으로 표시) 사용자가 보는 위치, 즉 정면으로 경로를 바꾸어 모아준다는 것이다. 이러한 구조의 채용은 편평한 반사판에 확산 필름을 사용한 구조에 비하여 약 2배이상 반사율을 향상시켰다. The core of this technology is as shown in Fig. 2, in the external environment using the reflective liquid crystal display, the reflected light (shown in dotted lines) reflected by the reflective electrode 126 under the assumption that light is incident from all directions, the position seen by the user, That is, it changes the path to the front and gathers them. Adoption of such a structure improves the reflectance by about two times or more, compared to the structure using a diffuser film in a flat reflector.

그런데, 고품위의 반사형 액정표시기의 실현을 위해서는, 반사율의 향상외에도, 높은 대비비(contrast)가 요구된다. By the way, in order to realize a high-quality reflective liquid crystal display, in addition to improving the reflectance, a high contrast ratio is required.

요철구조의 반사전극 위에 배향막이 바로 형성되고, 배향막의 표면에 액정이 직접 배향되는 경우, 배향막은 반사전극과 같은 요철 구조를 가지므로, 고품위를 위한 높은 대비비 특성의 키이가 되는 블랙 특성이 필연적으로 저하된다.When the alignment film is directly formed on the reflective electrode of the uneven structure, and the liquid crystal is directly oriented on the surface of the alignment film, the alignment film has the same uneven structure as the reflective electrode, so that the black characteristic, which is a key of high contrast ratio characteristics for high quality, is inevitable. Is lowered.

그러므로, 대비비의 향상을 위하여 도 1에 도시한 것처럼, 평탄화 절연막(128)을 요철구조의 반사전극(126) 위에 도포하여, 평탄화 절연막(128) 위에 배향막을 형성하는 기술이 제안되었다. Therefore, in order to improve the contrast ratio, a technique of forming an alignment layer on the planarization insulating layer 128 by applying the planarization insulating layer 128 to the uneven structure reflective electrode 126 as shown in FIG.

이 기술에 따르면, 평탄화 후 반사전극과 외부 단자를 연결하기 위한 패드 오픈의 필요에 의해 다시 한 번의 포토 공정의 추가가 불가피하다.According to this technique, it is inevitable to add another photo process due to the need for a pad opening for connecting the reflective electrode and the external terminal after planarization.

따라서, 본 발명은 반사형 액정표시기에서 반사막을 평탄화하기 위한 추가 물질의 적용없이 배향막 자체를 이용하여 반사막을 평탄화하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to planarize the reflective film using the alignment film itself without applying an additional material for planarizing the reflective film in the reflective liquid crystal display.

본 발명의 다른 목적은 1회 노광을 통하여 반사막의 평탄화 및 광 배향을 수행할 수 있도록 하는데 있다. Another object of the present invention is to be able to perform planarization and photo alignment of the reflective film through a single exposure.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 따르는 반사형 액정표시기의 제조방법은 요철구조의 반사전극이 상부에 형성된 박막 트랜지스터 기판의 반사전극 표면에 10 cps ~ 50 cps의 점도를 갖는 배향막을 도포하고, 도포된 배향 막을 플로우시키기 위한 포스트 베이킹 공정을 진행한다. 포스트 베이킹 공정의 적용으로 반사전극의 부분적 정점으로부터 골 부분으로 배향막의 플로우가 진행되면서 평탄화가 일어난다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a reflective liquid crystal display according to an aspect of the present invention is an alignment film having a viscosity of 10 cps ~ 50 cps on the surface of the reflective electrode of the thin film transistor substrate formed on the reflective electrode of the uneven structure Is applied, and the post-baking process for flowing the applied orientation film is performed. The application of the post-baking process causes planarization as the flow of the alignment layer proceeds from the partial peak of the reflective electrode to the valley portion.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 반사형 액정표시기의 제조방법은 요철구조의 반사전극이 상부에 형성된 박막 트랜지스터 기판의 반사전극 표면에 10 cps ~ 50 cps의 점도를 갖는 아크릴, 폴리이미드, 폴리아믹 산 배향막을 도포하고, 도포된 배향막을 플로우시키기 위한 포스트 베이킹 공정을 진행한다. 포스트 베이킹 공정의 적용으로 반사전극의 부분적 정점으로부터 골 부분으로 배향막의 플로우가 진행되면서 평탄화가 일어난다.According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing a reflective liquid crystal display includes acrylic, polyimide, and polyamic acid having a viscosity of 10 cps to 50 cps on a reflective electrode surface of a thin film transistor substrate having an uneven structured reflective electrode formed thereon. The alignment film is applied, and a post-baking step for flowing the applied alignment film is performed. The application of the post-baking process causes planarization as the flow of the alignment layer proceeds from the partial peak of the reflective electrode to the valley portion.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 반사형 액정표시기의 제조방법은 요철 구조의 반사전극이 상부에 형성된 박막 트랜지스터 기판의 반사 전극 표면에 폴리신나메이트를 1μm-10μm의 두께로 도포하고, 도포된 폴리신나메이트 막을 플로우 시키기 위한 베이킹 공정을 소정 온도에서 진행한다. 포스트 베이킹 공정의 적용으로 반사전극의 부분적 정점으로부터 골부분으로 폴리신나메이트 막의 플로우가 진행되면서 평탄화가 일어난다. 다음으로, 노광 공정을 실시하여, 패드 전극과의 콘택을 위한 콘택홀 부분과 전기장의 인가에 의하여 액정의 정렬이 일어나는 활성영역(즉, 화소영역)을 각각 노광 및 광 배향한다. 폴리신나메이트 막이 포지티브 형인 경우, 노광을 위하여 사용되는 마스크는, 패드 전극과의 콘택을 위한 콘택홀 부분에 크롬 패턴이 존재하지 않는 투광영역이 위치하고, 도포된 폴리신나메이트 막의 활성영역과 대향하는 마스크의 활성영역에는 편광된 광이 조사되도록 표면에 편광자가 코팅 된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a reflective liquid crystal display, by applying polycinnamate to a thickness of 1 μm-10 μm on a reflective electrode surface of a thin film transistor substrate on which a reflective electrode having an uneven structure is formed. The baking process for flowing the mate film is carried out at a predetermined temperature. The application of the post-baking process causes planarization as the polycinnamate film flows from the partial peak of the reflective electrode to the valley. Next, an exposure process is performed to expose and photoalign the active regions (ie, pixel regions) where the alignment of the liquid crystals occurs by application of a contact hole portion for contact with the pad electrodes and an electric field, respectively. When the polycinnamate film is a positive type, the mask used for exposure is a mask in which a transmissive area where no chrome pattern exists in the contact hole portion for contact with the pad electrode is located and faces the active area of the applied polycinnamate film. In the active region of the polarizer is coated on the surface so that the polarized light is irradiated.

선택적으로, 도포된 폴리신나메이트 막의 활성영역을 광 배향하기 위하여, 별도의 편광자가 구비된 마스크가 사용될 수 있다. Optionally, a mask with a separate polarizer can be used to photo-align the active region of the applied polycinnamate film.

다음으로, 콘택홀 영역에 해당하는 노광된 폴리신나메이트 막을 제거하여, 패드 전극을 노출시키기 위한 현상공정이 실시된다. 여기서, 사용된 폴리신나메이트의 감광성 영역대가 한 파장일 때는 현상공정동안 배향영역이 현상액에 반응하므로, 이 경우 노광량과 현상시간의 세심한 조절이 요구된다. 그리고, 선택된 현상액에 반응하는 영역대와 광 배향을 위한 영역대가 서로 다른 경우에는, 현상공정동안 안정성의 확보를 위하여 서로 다른 파장을 갖는 두 개의 램프가 사용되어야 한다. Next, a developing step for exposing the pad electrode by removing the exposed polycinnamate film corresponding to the contact hole region is performed. Here, when the photosensitive region band of the used polycinnamate is one wavelength, the alignment region reacts to the developing solution during the developing process, and therefore, careful adjustment of the exposure amount and the developing time is required. In the case where the region band for the photoreaction and the region band for the light alignment are different from each other, two lamps having different wavelengths should be used to ensure stability during the developing process.

콘택홀 형성용 마스크의 활성영역에 편광자가 일체형으로 설치된 마스크를 사용하는 경우, 콘택홀 형성 및 광 배향의 동시 수행을 위하여 마스크를 경사지게 하는 것도 가능하다. When using a mask in which polarizers are integrally formed in the active region of the contact hole forming mask, it is also possible to incline the mask to simultaneously perform contact hole formation and photo alignment.

선택적으로, 콘택홀 형성용 마스크의 활성영역에 편광자가 설치되어 있지 않고, 대응 영역에 별도의 편광자가 설치되는 마스크를 사용하는 경우, 이 때, 편광자를 경사지게 하거나 광원을 경사지게 하여 조사할 수 있다. 다음으로, 노광 공정을 실시하여, 패드 전극과의 콘택을 위한 콘택홀 부분과 전기장의 인가에 의하여 액정의 정렬이 일어나는 활성영역(즉, 화소영역)을 각각 노광 및 광 배향한다.Optionally, in the case where a polarizer is not provided in the active region of the contact hole forming mask and a separate polarizer is provided in the corresponding region, the polarizer may be inclined or the light source may be inclined to irradiate. Next, an exposure process is performed to expose and photoalign the active regions (ie, pixel regions) where the alignment of the liquid crystals occurs by application of a contact hole portion for contact with the pad electrodes and an electric field, respectively.

본 발명의 다른 목적과 특징 및 장점들은 첨부한 도면을 참고한 상세한 설명으로부터 보다 분명해질 것이다. Other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명은, 반사율을 높이기 위하여 반사전극의 표면을 마이크로 렌즈 역할을 하는 요철구조로 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 형성하기 위한 모든 실시예에 걸쳐서, 배향막의 표면에 평탄화 절연막을 추가적으로 형성하지 않고도 고 대비비의 달성을 가능하게 하는 여러 가지 반사형 액정표시기의 제조방법을 개시한다.The present invention provides a high contrast ratio without any additional planarization insulating film formed on the surface of the alignment film, in all embodiments for forming a thin film transistor substrate having a concave-convex structure in which the surface of the reflective electrode serves as a micro lens to increase the reflectance. Disclosed are a method of manufacturing various reflective liquid crystal displays that enable the achievement of the above.

본 발명의 실시예에 따른 배향막 형성공정을 설명하기에 앞서, 반사형 액정표시기 패널의 제조에서, 요철 구조의 반사전극을 갖는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Prior to describing an alignment layer forming process according to an exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing a thin film transistor substrate having a reflective electrode having a concave-convex structure in manufacturing a reflective liquid crystal display panel will be described with reference to FIG. 1.

즉, 유리기판과 같은 투광성 또는 차광성의 절연기판(102) 위에 게이트 버스 라인과, 게이트 버스 라인으로부터 연장된 게이트 전극(105), 게이트 절연막(106), 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어지고, 채널층으로 기능하는 반도체 층(108)과, n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(n+ a-Si) 층으로 이루어진 콘택층(110a, 110b)이 형성된다. That is, a gate bus line, a gate electrode 105 extending from the gate bus line, a gate insulating film 106, and amorphous silicon (a-Si) are formed on a transparent or light-shielding insulating substrate 102 such as a glass substrate. The contact layers 110a and 110b are formed of a semiconductor layer 108 serving as a channel layer and an amorphous silicon (n + a-Si) layer doped with n-type impurities at a high concentration.

그런다음, 소오스 버스 라인, 소오스 버스 라인과 일체이고, 소오스 버스 라인으로부터 연장된 소오스 전극(113a)과, 드레인 전극(113b)을 형성한다. 이러한 공정에 의하여 단위 화소영역마다 박막 트랜지스터(Thin film transistor:120, 이하, "TFT"라 칭함)가 형성된 TFT 기판이 준비된다. Then, a source electrode 113a and a drain electrode 113b integral with the source bus line and the source bus line and extending from the source bus line are formed. By this process, a TFT substrate on which thin film transistors 120 (hereinafter referred to as "TFT") are formed for each unit pixel region is prepared.

다음으로, 박막 트랜지스터 기판을 덮는 절연막(122)이 형성되고, 절연막(122) 위의 화소영역에는 절연막에 형성된 콘택홀을 통하여 박막 트랜지스터의 드레인 전극(113b)과 전기적으로 연결되는 반사전극(126)이 형성된다. Next, an insulating film 122 covering the thin film transistor substrate is formed, and a reflective electrode 126 electrically connected to the drain electrode 113b of the thin film transistor through a contact hole formed in the insulating film in the pixel region on the insulating film 122. Is formed.

반사전극(126)을 요철구조로 형성하기 위한 여러 가지 방법이 제안되었는데, 그 중 한 가지는 반사전극의 하부에 형성되는 절연막(122)을 감광성의 유기 절연막을 사용하여 먼저 요철 구조로 형성한 다음, 그 위에 반사전극(126)을 형성하는 방법이다.Various methods for forming the reflective electrode 126 into the uneven structure have been proposed, one of which is to form the insulating film 122 formed on the lower portion of the reflective electrode first using the photosensitive organic insulating film into the uneven structure, The reflective electrode 126 is formed thereon.

요철 구조의 유기 절연막(122) 위에 형성된 반사전극(126)은 유기 절연막(122)의 표면 요철을 따라 동일한 요철 구조를 가지게 된다.The reflective electrode 126 formed on the organic insulating layer 122 having the uneven structure has the same uneven structure along the uneven surface of the organic insulating layer 122.

상기한 방법에 따라 준비한 요철구조의 반사전극을 갖는 기판을 이용하여 블랙 특성이 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위하여 평탄화된 배향막을 형성하는 방법을 첨부한 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.A method of forming a flattened alignment layer in order to manufacture a thin film transistor substrate having excellent black characteristics using a substrate having a reflective electrode having an uneven structure prepared according to the above method will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

<실시예 1><Example 1>

도 3을 참조하면, 요철 구조의 반사전극(126) 위에 폴리이미드와 같은 배향막(132)이 인쇄된다. 여기서, 배향막(132)은 인쇄법으로 원하는 부분에만 형성되기 때문에 구동 드라이브의 입출력 단자를 반사전극에 전기적으로 연결하기 위한 패드 오픈 공정이 생략가능하다. 이와는 달리, 스핀 코팅법은 도 1에 도시된 반사전극(126)을 포함하는 전면에 형성되어, 패드 전극의 오픈을 위한 공정이 필수적으로 수행되어야 하므로, 인쇄법에 비하여 적용이 힘들다.Referring to FIG. 3, an alignment layer 132 such as polyimide is printed on the reflective electrode 126 having the uneven structure. Here, since the alignment layer 132 is formed only on a desired portion by a printing method, a pad opening process for electrically connecting the input / output terminal of the driving drive to the reflective electrode can be omitted. On the other hand, the spin coating method is formed on the front surface including the reflective electrode 126 shown in FIG. 1, so that the process for opening the pad electrode must be performed essentially, and thus it is difficult to apply compared to the printing method.

현재의 실시예 1에서 배향막(132)으로 사용된 폴리이미드는 약 10 cps ~ 50 cps 정도의 점도를 가지고 있어 충분히 유체로서의 역할을 할 수 있다. In the present embodiment 1, the polyimide used as the alignment layer 132 has a viscosity of about 10 cps to 50 cps, and thus may sufficiently function as a fluid.

일반적으로 배향막은 약 400 ~ 800Å의 두께 범위로 형성되지만, 현재의 실시예에서는 배향막(132)을 500 ~ 1,000Å의 두께로 도포한다. 인쇄 설비가 상기한 두께를 한 번에 인쇄하지 못하는 경우, 2회 이상 인쇄를 실시하는 것도 가능하다.In general, the alignment film is formed in a thickness range of about 400 to 800 kPa, but in the present embodiment, the alignment film 132 is applied to a thickness of 500 to 1,000 kPa. If the printing facility cannot print the above thicknesses at one time, it is also possible to print two or more times.

다음으로, 배향막(132)이 도포된 기판을 홧 플레이트에 놓고, 약 100 ~ 130℃의 온도에서 포스트 베이크를 행한다. 도 3에 도시한 것처럼, 포스트 베이크 공정으로, 반사전극(126)의 부분적 정점인 산 부분에 위치한 배향막이 골 부분으로 플로우 되어 평탄화가 이루어진다. 그 후, 포스트 베이크 온도보다 좀 더 높은 온도에서 메인 베이크를 수행하여 이미드화 반응(Imidization)을 진행한다.Next, the board | substrate with which the oriented film 132 was apply | coated was placed in a fin plate, and post-baking is performed at the temperature of about 100-130 degreeC. As shown in FIG. 3, in the post-baking process, the alignment film located at the peak portion of the peak of the reflective electrode 126 flows to the valley portion to planarize. Thereafter, the main bake is performed at a temperature higher than the post bake temperature to proceed with imidization.

포스트 베이크 공정이 완료되면, 러빙 공정과, 후속 조립공정을 수행한다.When the post bake process is completed, the rubbing process and subsequent assembly process are performed.

이처럼, 현재의 실시예 1에 따르면, 배향막을 인쇄법에 의하여 두껍게 형성하고, 두 번의 베이크 공정을 통하여 플로우시켜 평탄화를 이룩하므로써, 평탄화를 위한 막의 형성공정과 패드와의 콘택을 위한 패터닝 공정-감광막의 도포공정, 노광공정, 및 현상공정-을 생략하고도, 높은 반사율과 블랙 특성이 우수한 높은 대비비를 갖는 반사형 액정표시기의 제조가 가능해진다. As described above, according to the present embodiment 1, the alignment film is formed thick by a printing method, and flows through two baking processes to achieve flattening, thereby forming a film for flattening and a patterning process-photosensitive film for contact with the pad. Even if the coating step, the exposure step, and the developing step are omitted, a reflective liquid crystal display having a high contrast ratio and a high contrast ratio excellent in black characteristics can be manufactured.

<실시예 2><Example 2>

한편, 실시예 1에서 사용된 폴리이미드와는 달리 감광성을 갖는 유기막을 평탄화 배향막의 형성에 사용하는 것도 가능하다.On the other hand, unlike the polyimide used in Example 1, it is also possible to use the organic film which has photosensitivity in formation of a planarization oriented film.

10 ~ 50cps의 점도를 갖는 아크릴 수지, 감광성 폴리이미드, 감광성 폴리아믹 산(Polyamic acid) 등의 감광성 유기막을 스핀 코팅의 방법에 의하여 1μm ~ 10 μm 범위의 두께로 앞에서 언급한 마이크로 렌즈 구조의 반사전극을 갖는 기판에 도포한다. 여기서, 적용된 스핀 코터의 회전수는 약 100 rpm ~ 1000 rpm 범위이고, 수초 내지 수십초의 시간동안 상기한 두께에 이르도록 감광성 유기막이 형성된다.The reflective electrode of the microlens structure mentioned above with a thickness in the range of 1 μm to 10 μm by spin coating the photosensitive organic film such as acrylic resin, photosensitive polyimide, photosensitive polyamic acid, etc. having a viscosity of 10 to 50 cps. It applies to the board | substrate which has. Here, the rotation speed of the applied spin coater is in the range of about 100 rpm to 1000 rpm, and the photosensitive organic film is formed to reach the above thickness for a time of several seconds to several tens of seconds.

다음으로, 감광성 유기막이 도포된 기판을 홧 플레이트에 놓고, 소정 온도에 서 포스트 베이크를 행한다. 도 3에 도시한 것처럼, 포스트 베이크 공정으로, 반사전극(126)의 부분적 정점인 산 부분에 위치한 감광성 유기막이 골 부분으로 플로우 되어 평탄화가 이루어진다.Next, the board | substrate with which the photosensitive organic film was apply | coated was placed in a fin plate, and post-baking is performed at predetermined temperature. As shown in FIG. 3, in the post-baking process, the photosensitive organic film located in the peak portion of the peak of the reflective electrode 126 flows to the valley portion to planarize.

다음으로, 패드 전극을 오픈하는 부위를 노광하기 위한 마스크를 이용하여 수백 msec 내지 수천 msec동안 노광한다. 이후, 노광된 부위를 현상하여, 패드를 오픈한다. Next, exposure is performed for several hundred msec to several thousand msec using a mask for exposing a portion where the pad electrode is opened. Thereafter, the exposed part is developed to open the pad.

그 후, 노광되지 않은 부위를 러빙하고, 후속 조립공정을 수행한다. Thereafter, the unexposed portions are rubbed and a subsequent assembly process is performed.

이처럼, 실시예 2에 따르면, 실시예 1에 비하여 공정이 복잡하지만, 별도의 감광막을 도포하지 않고서도 패드 오픈이 가능하므로, 종래의 제조방법에 비하여, 공정이 간단하다. As described above, according to the second embodiment, the process is complicated as compared with the first embodiment, but since the pad can be opened without applying a separate photosensitive film, the process is simpler than the conventional manufacturing method.

<실시예 3><Example 3>

실시예 2에서 제시된 방법은 종래의 방법에 비하여는 장점을 가지지만, 패드 오픈을 위한 패터닝 공정 후에, 배향막의 러빙을 별도로 수행해야 한다.The method presented in Example 2 has advantages over the conventional method, but after the patterning process for opening the pad, the rubbing of the alignment layer must be performed separately.

따라서, 현재의 실시예 3에서는 광 배향재로 가능성을 이미 인정받은 폴리신나메이트(Polycinnamate)를 평탄화 배향막으로 이용한다. Therefore, in the present Example 3, the polycinnamate which has already recognized the possibility as a photo-alignment material is used as a planarization aligning film.

도 4를 참조하면, 요철 구조의 반사 전극(146)이 상부에 형성된 박막 트랜지스터 기판의 전면에 10 ~ 50 cps의 점도를 갖는 폴리신나메이트(142) 막을 1μm-10μm의 두께로 스핀 코팅한다. 여기서, 적용된 스핀 코터의 회전수는 약 100 rpm ~ 1000 rpm 범위이고, 수초 내지 수십초의 시간동안 진행된다. Referring to FIG. 4, a polycinnamate 142 film having a viscosity of 10 to 50 cps is spin-coated to a thickness of 1 μm-10 μm on the front surface of the thin film transistor substrate having the uneven structure reflective electrode 146 formed thereon. Here, the rotation speed of the applied spin coater is in the range of about 100 rpm to 1000 rpm, and proceeds for several seconds to several tens of seconds.

다음으로, 폴리신나메이트 막(142)이 도포된 기판을 홧 플레이트에 놓고, 소 정 온도에서 포스트 베이크를 행한다. 포스트 베이크 공정으로, 반사전극(146)의 부분적 정점인 산 부분에 위치한 폴리신나메이트 막(142)이 골 부분으로 플로우 되어 평탄화가 이루어진다.Next, the board | substrate with which the polycinnamate film 142 was apply | coated was placed in a fin plate, and postbaking is performed at predetermined temperature. In the post-baking process, the polycinnamate film 142 located at the peak portion of the reflective electrode 146 is flowed to the valley portion to planarize.

다음으로, 패드 전극을 오픈하는 부위를 노광하는 동시에 화소영역의 폴리신나메이트 막을 광 배향하기 위한 마스크(200)를 기판 위에 정렬한다. Next, a mask 200 for photoaligning the polycinnamate film in the pixel region is exposed on the substrate while exposing the portion where the pad electrode is opened.

도 4에 도시된 것처럼, 마스크(200)는 입사광을 투과하는 투광영역(202, 204)과 입사광을 차단하는 차광영역(206)으로 구성되고, 패드 전극을 오픈하기 위한 투광영역(202)와는 달리, 배향영역인 화소영역(또는 활성영역)에 해당하는 투광영역(204)에는 광 배향을 위하여 편광필름이 내장된다. 이처럼, 마스크의 배향영역에 편광필름이 일체형으로 설치된 마스크(200)를 사용하는 경우, 패드 오픈 및 광 배향의 동시 수행을 위하여 마스크를 소정 각도로 경사지게 하여 노광공정을 수행하는 것도 가능하다. As shown in FIG. 4, the mask 200 includes light transmitting areas 202 and 204 for transmitting incident light and light blocking areas 206 for blocking incident light, and unlike the light transmitting area 202 for opening the pad electrode. In the transmissive region 204 corresponding to the pixel region (or active region), which is an alignment region, a polarizing film is embedded for optical alignment. As such, when using the mask 200 in which the polarizing film is integrally installed in the alignment area of the mask, it is also possible to perform the exposure process by inclining the mask at a predetermined angle to simultaneously perform the pad opening and the light alignment.

물론, 화소영역의 광 배향을 위하여 특정 파장과 세기를 갖는 편광된 광이 필요하므로, 도 5에 도시한 것처럼, 마스크로부터 분리된 편광 시스템(230)을 사용하는 것도 또한 적용 가능하다.Of course, since polarized light having a specific wavelength and intensity is required for the optical orientation of the pixel region, it is also applicable to use the polarization system 230 separated from the mask, as shown in FIG.

다시, 도 4를 참조하면, 마스크(200)의 정렬이 완료되면, 램프(220)를 구동하여 수백 msec 내지 수천 msec동안 폴리신나메이트 막(142)을 노광한다. Referring again to FIG. 4, when the alignment of the mask 200 is completed, the lamp 220 is driven to expose the polycinnamate film 142 for several hundred msec to several thousand msec.

이후, 패드 부위의 노광된 막을 현상하여 제거하므로써, 패드 부위를 오픈한다. The pad area is then opened by developing and removing the exposed film of the pad area.

여기서, 사용된 폴리신나메이트 막(142)의 감광성 영역대가 한 파장일 때는 현상공정동안 배향영역이 현상액에 반응하므로, 이 경우 노광량과 현상시간의 세심한 조절이 요구된다.Here, when the photosensitive region band of the polycinnamate film 142 used is one wavelength, the alignment region reacts to the developer during the developing process, and therefore, careful adjustment of the exposure amount and the developing time is required.

상기한 공정에 의하여 패드 오픈과 폴리신나메이트 막의 배향이 완료되면, 후속 조립공정을 수행한다.After the opening of the pad and the polycinnamate membrane are completed by the above process, a subsequent assembly process is performed.

한편, 선택된 폴리신나메이트 막의 광 배향을 위한 조사광에 반응하는 파장 영역대와, 패드 오픈을 위한 조사광에 반응하는 파장영역대가 서로 다른 경우에는, 현상공정동안 안정성의 확보를 위하여, 도 5에 도시된 것처럼, 서로 다른 파장을 갖는 두 개의 램프(220)가 사용되어야 한다. 도 5에서, 참조부호 212, 214는 조사광이 투과되는 투광영역이고, 참조부호 216은 조사광이 반사 또는 흡수되는 차광영역이다.On the other hand, when the wavelength range in response to the irradiation light for the light alignment of the selected polycinnamate film and the wavelength range in response to the irradiation light for the pad opening is different, in order to ensure stability during the development process, it is shown in FIG. As shown, two lamps 220 with different wavelengths should be used. In FIG. 5, reference numerals 212 and 214 denote transmissive regions through which irradiated light is transmitted, and reference numeral 216 denotes light-shielding regions through which irradiated light is reflected or absorbed.

도 5에 도시한 배향막 형성방법의 공정은 전단에서 설명된 도 4의 공정 조건과 동일하며, 단지 패드 오픈 영역의 폴리신나메이트 막에는 현상액에 반응하는 제 1 파장을 갖는 제 1 램프를 노광원으로 이용하고, 활성영역의 폴리신나메이트 막에는 패드 오픈 영역의 노광된 부위를 제거하기 위한 현상액에 반응하지 않도록, 제 2 파장을 갖는 제 2 램프를 노광원으로 하여 노광 공정을 수행한다. The process of the alignment film forming method shown in FIG. 5 is the same as the process conditions of FIG. 4 described in the preceding section, except that the polycinnamate film in the pad open area is a light source having a first lamp having a first wavelength in response to the developer. In the polycinnamate film in the active region, an exposure process is performed using a second lamp having a second wavelength as an exposure source so as not to react with a developer for removing the exposed portion of the pad open region.

마스크(210)의 투광영역(214)을 투과한 광은 하부의 편광자(230)를 통과하면서 편광되어 폴리신나메이트 막(142)에 조사되어, 폴리신나메이트 막(142)을 광 배향시킨다. The light transmitted through the light-transmitting region 214 of the mask 210 is polarized while passing through the lower polarizer 230 to be irradiated onto the polycinnamate film 142 to photo-align the polycinnamate film 142.

노광공정이 완료되면, 현상공정을 실시하여, 패드 전극과의 연결부분을 오픈한다. 그 후, 후속 조립공정을 수행한다. When the exposure process is completed, the development process is performed to open the connection portion with the pad electrode. Thereafter, a subsequent assembly process is performed.

한편, 도 4와 도 5의 폴리신나메이트 막은 노광된 부분이 현상액에 의하여 제거되는 포지티브 형인 경우를 예를 들어 설명하였지만, 노광되지 않은 부분이 현상액에 반응하는 네거티브 형인 경우에도 물론 적용이 가능하다. On the other hand, the polycinnamate film of Figs. 4 and 5 has been described in the case where the exposed part is a positive type removed by the developer, for example, it is of course applicable to the case where the unexposed part is a negative type reacting to the developer.

이처럼, 실시예 3에 따르면, 스핀 코팅법을 적용하는 경우에도, 실시예 2에 비하여 러빙공정이 생략되므로, 높은 반사율과 고 대비비를 갖는 반사형 액정표시기의 제조공정이 보다 간단해진다. As described above, according to the third embodiment, even when the spin coating method is applied, since the rubbing process is omitted as compared with the second embodiment, the manufacturing process of the reflective liquid crystal display having high reflectance and high contrast ratio is simplified.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 반사형 액정표시기의 제조방법에 따르면, 배향막을 인쇄법에 의하여 두껍게 형성하고, 두 번의 베이크 공정을 통하여 플로우시켜 평탄화를 이룩하므로써, 평탄화를 위한 막의 형성공정과 패드와의 콘택을 위한 패터닝 공정-감광막의 도포공정, 노광공정, 및 현상공정-을 생략하고도, 높은 반사율과 블랙 특성이 우수한 높은 대비비를 갖는 반사형 액정표시기의 제조가 가능해진다. As described above, according to the method of manufacturing a reflective liquid crystal display of the present invention, the alignment film is formed thick by a printing method, and flows through two baking processes to achieve flattening, thereby forming a film for the flattening process and a pad. Even if the patterning step for contact with the photoresist—a coating step, an exposure step, and a developing step—is omitted, it is possible to manufacture a reflective liquid crystal display having a high contrast ratio and a high contrast ratio excellent in black characteristics.

또한, 감광성의 배향막을 사용하므로써, 별도의 감광막을 도포하지 않고서도 패드 오픈이 가능하므로, 종래의 제조방법에 비하여, 공정이 간단하다. In addition, by using the photosensitive alignment film, the pad can be opened without applying a separate photosensitive film, so that the process is simpler than in the conventional manufacturing method.

아울러, 스핀 코팅법을 적용하는 경우에도, 러빙공정이 생략되므로, 높은 반사율과 고 대비비를 갖는 반사형 액정표시기의 제조공정이 보다 간단해진다. In addition, since the rubbing process is omitted even when the spin coating method is applied, the manufacturing process of the reflection type liquid crystal display having high reflectance and high contrast ratio becomes simpler.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명의 상세한 설명으로부터 통상의 지식을 가진 자에 의하여 그 변형이 가능할 것이다. 따라서, 이하 특허청구범위는 본 발명의 사상과 정신을 벗어나지 않는 한 이러한 변형과 변경을 포함하는 것으로 간주된다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated herein, modifications will be made by those skilled in the art from the detailed description of the present invention. Accordingly, the following claims are to be embraced as including such variations and modifications without departing from the spirit and spirit of the invention.

Claims (12)

박막 트랜지스터를 절연하는 절연막 위의 화소영역에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 일측 단자와 요철 표면을 갖는 반사전극을 포함하는 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate including a reflective electrode having a concave-convex surface and one terminal formed in a pixel area on an insulating layer for insulating the thin film transistor; 상기 반사전극 상에, 패드 영역을 오픈시키고 상기 요철 표면에 대응하는 요철을 갖는 배향막을 선택적으로 형성하는 단계;Opening a pad region on the reflective electrode and selectively forming an alignment film having unevenness corresponding to the uneven surface; 제1 온도에서 상기 배향막을 포스트 베이크하여 상기 배향막을 평탄화하는 단계;Post-baking the alignment layer at a first temperature to planarize the alignment layer; 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 상기 평탄화된 배향막을 메인 베이크하는 단계; 및Main baking the planarized alignment layer at a second temperature higher than the first temperature; And 상기 배향막을 러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.And rubbing the alignment layer. 제 1 항에 있어서, 상기 배향막은 10 ~ 50 cps의 점도를 가지며, 500 ~ 1,000Å의 두께로 인쇄법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 1, wherein the alignment layer has a viscosity of 10 to 50 cps, and is formed by a printing method with a thickness of 500 to 1,000 kPa. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 온도는 100 내지 130℃의 범위인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first temperature is in a range of 100 to 130 ° C. 박막 트랜지스터를 절연하는 절연막 위의 화소영역에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 일측 단자와 요철 표면을 가지는 반사전극을 포함하는 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate formed in a pixel area on an insulating film for insulating the thin film transistor, the substrate including a reflective electrode having a terminal and an uneven surface electrically connected to the thin film transistor; 상기 기판의 전면에 상기 요철 표면에 대응하는 요철을 갖는 감광성 배향막을 형성하는 단계;Forming a photosensitive alignment layer having unevenness corresponding to the uneven surface on the entire surface of the substrate; 상기 감광성 배향막을 베이킹하여, 상기 감광성 배향막을 평탄화하는 단계;Baking the photosensitive alignment layer to planarize the photosensitive alignment layer; 상기 감광성 배향막을 패터닝하여 상기 반사전극의 소정 부분을 노출하는 단계; 및Patterning the photosensitive alignment layer to expose a predetermined portion of the reflective electrode; And 상기 감광성 배향막을 러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.And rubbing the photosensitive alignment layer to form a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display. 제 4 항에 있어서, 상기 감광성 배향막은 아크릴, 폴리이미드 및 폴리아믹 산으로 구성되는 감광성 유기막의 그룹으로부터 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of manufacturing a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to claim 4, wherein the photosensitive alignment layer is selected from a group of photosensitive organic films composed of acryl, polyimide, and polyamic acid. 제 5 항에 있어서, 상기 감광성 배향막은 10 ~ 50 cps의 점도를 가지며, 1 ~ 10 μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 5, wherein the photosensitive alignment layer has a viscosity of 10 to 50 cps and is formed to a thickness of 1 to 10 μm. 박막 트랜지스터를 절연하는 절연막 위의 화소영역에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 일측 단자를 갖고 요철 표면을 가지는 반사전극을 포함하는 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate formed in a pixel region on an insulating film for insulating the thin film transistor, the substrate including a reflective electrode having one terminal electrically connected to the thin film transistor and having an uneven surface; 상기 기판의 전면에 상기 요철 표면에 대응하는 요철을 갖는 감광성 배향막을 소정 두께로 형성하는 단계;Forming a photosensitive alignment layer having a concave-convex surface corresponding to the concave-convex surface to a predetermined thickness on a front surface of the substrate; 상기 감광성 배향막을 베이킹하여, 상기 감광성 배향막을 평탄화하는 단계;Baking the photosensitive alignment layer to planarize the photosensitive alignment layer; 상기 감광성 배향막의 소정 부분을 노광하는 동시에 상기 화소영역의 상기 감광성 배향막을 광 배향하는 단계; 및Exposing a predetermined portion of the photosensitive alignment layer and photoaligning the photosensitive alignment layer in the pixel region; And 상기 노광된 감광성 배향막을 현상하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.And developing the removed photosensitive alignment layer and removing the exposed photosensitive alignment layer. 제 7 항에 있어서, 상기 감광성 배향막은 폴리신나메이트인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.8. The method of manufacturing a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to claim 7, wherein the photosensitive alignment layer is polycinnamate. 제 8 항에 있어서, 상기 폴리신나메이트는 10 ~ 50 cps의 점도를 가지며, 1 ~ 10 μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 8, wherein the polycinnamate has a viscosity of 10 to 50 cps and is formed to a thickness of 1 to 10 μm. 제 7 항에 있어서, 상기 감광성 배향막의 광 배향을 위한 마스크는 상기 화소영역과 대응하는 영역에 상기 마스크와 일체화된 편광필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 7, wherein the mask for photoalignment of the photosensitive alignment layer comprises a polarizing film integrated with the mask in a region corresponding to the pixel region. 제 7 항에 있어서, 상기 감광성 배향막의 광 배향을 위한 마스크는 상기 화 소영역과 대응하는 영역에 상기 마스크와 분리된 편광 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.The method of claim 7, wherein the mask for photoalignment of the photosensitive alignment layer comprises a polarization system separated from the mask in a region corresponding to the pixel region. . 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 마스크는 노광동안 상기 기판에 대하여 경사지게 위치하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법. 12. The method of manufacturing a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to claim 10 or 11, wherein the mask is inclined with respect to the substrate during exposure.
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