KR100573105B1 - Filter shielding electron wave for plasma display panel and the fabrication method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터와 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 투명한 기판;과, 기판의 일면에 형성되는 것으로서, 유전체층으로 된 제1 성분과, 금속층으로 된 제2 성분으로 혼합되어 이루어지며, 기판의 계면으로부터 멀어질수록 유전체층과 금속층의 농도 구배가 상호 반비례되도록 형성되며, 전체적으로 메쉬형의 패턴으로 형성된 MIHL층;을 포함하는 것으로서, 메쉬형의 MIHL층으로 된 전자파 차폐층을 형성함으로써, 전자파 차폐와, 블랙 매트리스의 기능을 공히 수행할 수 있다.The present invention discloses an electromagnetic shielding filter for a plasma display device and a method of manufacturing the same. The present invention comprises a transparent substrate; and formed on one surface of the substrate, the first component of the dielectric layer and the second component of the metal layer is mixed, the concentration gradient between the dielectric layer and the metal layer is farther away from the interface of the substrate It is formed so as to be inversely mutually, the MIHL layer formed in a mesh-like pattern as a whole, by forming an electromagnetic shielding layer of the mesh-like MIHL layer, it is possible to perform both the electromagnetic shielding and the function of the black mattress.
Description
도 1은 종래의 일 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a plasma display device according to a conventional example;
도 2는 종래의 다른 예에 따른 전자파 차폐 필터를 도시한 단면도,2 is a cross-sectional view showing an electromagnetic shielding filter according to another conventional example,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 도시한 분리 사시도,3 is an exploded perspective view illustrating a plasma display device according to an embodiment of the present invention;
도 4 내지 도 6은 도 3의 전자파 차폐 필터를 제조한 이후의 상태를 도시한 것으로서,4 to 6 illustrate a state after the electromagnetic shielding filter of FIG. 3 is manufactured.
도 4는 도 3의 기판상에 MIHL층이 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,4 is a cross-sectional view showing a state after a MIHL layer is formed on the substrate of FIG. 3;
도 5는 도 4의 MIHL층상에 포토 레지스트가 도포된 이후의 상태를 도시한 단면도,5 is a cross-sectional view showing a state after a photoresist is applied on the MIHL layer of FIG. 4;
도 6은 도 5의 포토 레지스트를 제거한 이후의 상태를 도시한 단면도.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a state after removing the photoresist of FIG. 5. FIG.
<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명><Brief description of the major symbols in the drawings>
30...플라즈마 표시 장치 31...패널 조립체30
32...샤시 베이스 33...접착 부재32.
34...회로 부품 35...캐비넷34
300...필터 조립체 310...기판300
320...반사 방지 필름 330...전자파 차폐층320 ...
340...선택 파장 흡수 필름340 ... optional wavelength absorbing film
본 발명의 플라즈마 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 표시 장치로부터 방출되는 전자파를 효과적으로 차폐할 수 있도록 기판상에 형성되는 차폐 수단의 구조와 이에 따른 제조 방법이 개선된 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma display device, and more particularly, to a shielding means formed on a substrate so as to effectively shield electromagnetic waves emitted from the plasma display device, and to improve the manufacturing method thereof. A filter and a method of manufacturing the same.
통상적으로, 플라즈마 표시 장치(plasma display panel)는 복수개의 전극이 코팅된 두 회로 기판상에 방전 가스를 주입하여 봉입한 다음에 방전 전압을 가하고, 이 방전 전압으로 인하여 두 전극 사이에 기체가 발광하게 되면 적절한 펄스 전압을 가하여 두 전극이 교차하는 점에 어드레싱하여 소망하는 숫자, 문자 또는 그래픽을 구현하는 표시 장치를 말한다.Typically, a plasma display panel injects and encapsulates a discharge gas on two circuit boards coated with a plurality of electrodes, and then applies a discharge voltage, thereby causing a gas to emit light between the two electrodes. In other words, it refers to a display device that implements a desired number, letter, or graphic by applying an appropriate pulse voltage to an intersection point of two electrodes.
이러한 플라즈마 표시 장치는 방전 셀에 인가하는 구동 전압의 형식, 예컨대 방전 형식에 따라 직류형과 교류형으로 분류하고, 전극들의 구성 형태에 따라 대향 방전형 및 면 방전형으로 구분할 수 있다.Such a plasma display device may be classified into a direct current type and an alternating current type according to a type of a driving voltage applied to a discharge cell, for example, a discharge type, and may be classified into a counter discharge type and a surface discharge type according to a configuration of electrodes.
직류형 플라즈마 표시 장치는 모든 전극들이 방전 공간에 노출되는 구조로서, 대응 전극들 사이에 전하의 이동이 직접적으로 이루어진다. 반면에, 교류형 플라즈마 표시 장치는 적어도 한 전극이 유전체층에 매립되고, 대응하는 전극들 사이 에 직접적인 전하의 이동이 이루어지지 않는 대신에 유전체층 표면에 방전에 의하여 생성된 이온과 전자가 부착하여 벽 전압(wall voltage)을 형성하고, 유지 전압(sustaining voltage)에 의하여 방전 유지가 가능하다.The direct current plasma display device has a structure in which all electrodes are exposed to the discharge space, and charge is directly transferred between the corresponding electrodes. On the other hand, in the AC plasma display device, at least one electrode is embedded in the dielectric layer, and instead of direct charge transfer between the corresponding electrodes, ions and electrons generated by the discharge adhere to the surface of the dielectric layer so that wall voltage (wall voltage) is formed, and the discharge can be maintained by the sustaining voltage.
한편, 대향 방전형 플라즈마 표시 장치는 단위 화소마다 어드레스 전극과 주사 전극이 대향하여 마련되고, 두 전극간에 어드레싱 방전 및 유지 방전이 일어나는 방식이다. 대신에 면 방전형 플라즈마 표시 장치는 각 단위 화소마다 어드레스 전극과 그에 해당되는 공통 전극과 주사 전극이 마련되어 어드레싱 전극과 유지 방전이 발생하게 되는 방식이다. On the other hand, in the opposite discharge type plasma display device, an address electrode and a scan electrode are provided to face each unit pixel, and addressing discharge and sustain discharge are generated between the two electrodes. Instead, the surface discharge plasma display device is provided with an address electrode, a common electrode, and a scan electrode corresponding to each unit pixel to generate an addressing electrode and a sustain discharge.
도 1을 참조하면, 플라즈마 표시 장치(10)는 패널 조립체(11)와, 상기 패널 조립체(11)의 배면에 설치되는 회로 기판(12)과, 상기 패널 조립체(11)의 전방에 배치되는 필터 조립체(13)와, 상기 패널 조립체(11), 회로 기판(12), 필터 조립체(13)가 수용되는 케이스(14)를 포함하고 있다.Referring to FIG. 1, the plasma display device 10 includes a
상기 필터 조립체(11)는 유리 또는 플라스틱 기판(15)과, 상기 기판(15)의 전면에 부착되는 반사 방지 필름(16)과, 상기 기판(15)의 배면에 형성되는 전자파 차폐층(17)과, 상기 전자파 차폐층(17)의 배면에 부착되는 선택 파장 흡수 필름(18)을 포함하고 있다.The
상기 전자파 차폐층(17)은 플라즈마 표시 장치(10)의 구동중에 플라즈마 발광 및 회로에 의해서 생성되는 전자파를 차폐하기 위하여 형성되는 것이다. The
이를 위하여, 상기 투명 기판(15)의 표면에는 금이나 은같은 금속과, 산화 규소(SiO2)와 같은 유전체를 수십 나노미터의 두께로 반복적으로 증착하여 도전막을 형성하게 된다. 이러한 전자파 차폐층(17)은 도전 라인(19)을 통하여 케이스(14)의 섀시 부분에 연결되어서 접지시키게 된다.To this end, a conductive film is formed on the surface of the
그런데, 이렇게 금속막을 이용하여 형성된 전자파 차폐층(17)은 1 Ω/□ 이하의 도전성을 가져야 가정용 전자파 차폐 규격을 만족하게 된다. 따라서, 소망하는 1 Ω/□ 이하 도전성을 갖게 하기 위해서는 투과성이 매우 떨어지는 문제가 있다. 반대로, 투과성을 높이기 위해서는 도전성이 저하되는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 도전막을 형성시키는 방식으로는 만족할만한 도전성과 투과성을 가지는 전자파 차폐층(17)을 제조하는 것이 용이하지 않다.However, the
이러한 문제점을 해결하기 위하여 종래의 전자파 차폐층은 금속 박판을 에칭하는 방식에 의하여 형성하였다.In order to solve this problem, a conventional electromagnetic shielding layer is formed by etching a thin metal plate.
도 2를 참조하면, 유리 또는 플라스틱 기판(21)의 윗면에는 동박(22)이 부착되어 있다. 상기 동박(22)은 점착제(23)에 의하여 기판(21)상에 부착되어 있으며, 블랙 효과를 얻기 위하여 블랙 산화 처리되어 있다. 상기 동박(22)은 메쉬형의 패턴을 가진 마스크를 이용하여서 소정의 메쉬 패턴으로 형성되어 있다. 이러한 패턴의 형성은 에칭 방식을 통하여 이루어지고 있다. 2, the
그런데, 에칭 방식으로 형성된 전자파 차폐층은 에칭시에 상기 점착제(23)의 일부가 투명 기판(21)의 표면으로부터 박리되거나 녹아서 눌러붙는 현상이 발생하게 되어서, 상기 동박(22) 상에 UV 경화제(24)와 같은 소재를 이용하여 투명화 작업을 해야 하는 단점이 있다. 이렇게 투명화 처리시에는 낮은 공정 수율로 인하여 제조 단가가 상승하는 문제점이 있다.By the way, the electromagnetic wave shielding layer formed by the etching method causes a part of the pressure-
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 패널 조립체로부터 발생되는 전자파를 효과적으로 차폐할 수 있도록 기판상에 금속과, 유전체층을 이용하여 메쉬형의 패턴을 가진 MIHL 층을 형성시키도록 구조와 이를 제조하는 방법이 개선된 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터와 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and to form a MIHL layer having a mesh-like pattern using a metal and a dielectric layer on the substrate to effectively shield the electromagnetic waves generated from the panel assembly. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding filter for a plasma display device and a method for manufacturing the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터는,In order to achieve the above object, the electromagnetic shielding filter for a plasma display device according to an aspect of the present invention,
투명한 기판; 및Transparent substrates; And
투명한 기판의 일면에 형성되는 것으로서,As formed on one surface of the transparent substrate,
유전체층으로 된 제1 성분과, 금속층으로 된 제2 성분으로 혼합되어 이루어지며, 상기 기판의 계면으로부터 멀어질수록 상기 유전체층과 금속층의 농도 구배가 상호 반비례되도록 형성되며,It is formed by mixing the first component of the dielectric layer and the second component of the metal layer, the farther away from the interface of the substrate is formed such that the concentration gradient of the dielectric layer and the metal layer in inverse proportion to each other,
전체적으로 메쉬형의 패턴으로 형성된 MIHL층;을 포함하는 것을 특징으로 한다. It characterized in that it comprises a; MIHL layer formed in a mesh pattern as a whole.
또한, 제1 성분은 SiO2, In2O3, SnO2, MgF2, Al 2O3, TiO2, ZrO2 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 유전성 소재인 것을 특징으로 한다.The first component may be any one or more dielectric materials selected from the group consisting of SiO 2 , In 2 O 3 , SnO 2 , MgF 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 and ITO.
게다가, 제2 성분은 In, Sb, Ag, Au, Cu, Al, Pt, Co, Rh, Ru, Sn, Ir, Ti 및 Ta로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속성 소재로 된 것을 특징으 로 한다.In addition, the second component is characterized in that the at least one metallic material selected from the group consisting of In, Sb, Ag, Au, Cu, Al, Pt, Co, Rh, Ru, Sn, Ir, Ti and Ta. .
더욱이, 상기 제1 및 제2 성분은 상기 기판의 계면으로부터 멀어질수록 상기 제1 성분의 함량은 점차적으로 감소하고, 상기 제2 성분의 함량은 점차적으로 증가되도록 분포된 것을 특징으로 한다.Further, the first and second components are distributed such that the content of the first component gradually decreases and the content of the second component gradually increases as the distance from the interface of the substrate increases.
아울러, 상기 MIHL층은 상기 기판의 계면으로부터 멀어질수록 유전체층으로부터 금속층으로 연속적으로 변하는 계면을 가지는 것을 특징으로 한다.In addition, the MIHL layer has an interface that continuously changes from the dielectric layer to the metal layer as it moves away from the interface of the substrate.
본 발명의 다른 측면에 따른 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터의 제조 방법은,According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing an electromagnetic shielding filter for a plasma display device is provided.
투명한 기판을 준비하는 단계;Preparing a transparent substrate;
상기 투명 기판의 일면에 유전체층으로 된 제1 성분과, 금속층으로 된 제2 성분으로 혼합되어 이루어지며, 상기 기판의 계면으로부터 멀어질수록 유전체층으로부터 금속층으로 계면이 변하는 MIHL층을 형성하는 단계;Forming a MIHL layer formed by mixing a first component of a dielectric layer and a second component of a metal layer on one surface of the transparent substrate, wherein the interface changes from a dielectric layer to a metal layer as it moves away from an interface of the substrate;
상기 MIHL층상에 포토 레지스트를 도포하고, 메쉬형의 패턴을 가지는 포토 마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 단계; 및Applying a photoresist on the MIHL layer, and exposing and developing the photoresist using a photomask having a mesh pattern; And
상기 현상된 기판을 에칭하여 전체적으로 메쉬형의 패턴으로 된 MIHL층을 완성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And etching the developed substrate to complete a MIHL layer having a mesh pattern as a whole.
이하에서 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터와 이의 제조 방법을 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, an electromagnetic wave shielding filter for a plasma display device and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치(30)를 도시한 것이 다.3 illustrates a
도면을 참조하면, 상기 플라즈마 표시 장치(30)는 패널 조립체(31)와, 상기 패널 조립체(31)를 지지하는 샤시 베이스(32)와, 상기 패널 조립체(31)에 대하여 샤시 베이스(32)를 상호 접착시키는 접착 부재(33)와, 상기 샤시 베이스(32)에 설치되는 복수개의 회로 부품(34)과, 상기 패널 조립체(31)와 샤시 베이스(32)를 수용하는 캐비넷(35)를 포함하고 있다. Referring to the drawings, the
상기 패널 조립체(31)는 전면 패널(31a)과, 배면 패널(31b)로 이루어져 있다. 상기 전면 패널(31a)에는 스트립 형태로 된 복수개의 유지 전극과, 상기 유지 전극의 라인 저항을 줄이기 위한 버스 전극과, 이들을 매립하는 전면 유전체층과, 보호막층이 형성되어 있다. 상기 전면 패널(31a)과 대향되게 설치되는 배면 패널(31b)에는 상기 유지 전극과 직교하는 형태로 된 어드레스 전극과, 이를 매립하는 배면 유전체층과, 방전 공간을 한정하고 크로스 토크를 방지하는 격벽과, 상기 격벽의 내측에 도포되는 적,녹,청색의 형광체층이 형성되어 있다.The
상기 샤시 베이스(32)는 전면에 상기 패널 조립체(31)가 설치되어 이를 지지하고, 배면에 회로 부품(34)이 설치되어 있다. The
상기 접착 부재(33)는 상기 샤시 베이스(32)에 대하여 패널 조립체(31)를 접착시키기 위하여 양면 테이프(33a)가 패널 조립체(31)와 샤시 베이스(32) 사이에 개재되어 있다. 또한, 상기 패널 조립체(31)의 배면에는 상기 양면 테이프(33a)와 함께 부착되어서 접착 역할을 함과 동시에 방열이 가능하도록 방열 쉬트(33b)가 마련되어 있다.The
상기 패널 조립체(31)와, 샤시 베이스(32)와, 회로 부품(34)은 프론트 케비넷(35a)과 커버 백(35b)으로 된 캐비넷(35) 내에 장착되어 있다.The
여기서, 상기 패널 조립체(31)의 전면에는 필터 조립체(300)가 배치되어 있다. Here, the
상기 필터 조립체(300)는 유리 또는 플라스틱으로 된 투명 기판(310)과, 상기 투명 기판(310)의 전면에 부착되는 반사 방지 필름(320)과, 상기 기판(310)의 배면에 형성되는 MIHL층(metal insulator hybrid layer)으로 된 전자파 차폐층(330)과, 상기 전자파 차폐층(330)의 배면에 추가적으로 부착되는 선택 파장 흡수 필름(340)을 포함하고 있다.The
상기 반사 방지 필름(320)은 외표면 반사 방지를 방지하기 위하여 AR(anti-reflection) 처리가 되어 있다. 상기 선택 파장 흡수 필름(340)은 화면 발광시 사용되는 불활성 기체의 플라즈마에 의한 근적외선의 불필요한 발광과 590 나노미터 근처의 오렌지광을 차폐하기 위하여 설치되어 있다.The
본 발명의 특징에 따른 전자파 차폐층(330)은 상기 기판(310) 상에 유전체층과 금속층의 상대적인 함량을 조절하여 증착시켜서 이들의 굴절율을 조절하여 외광 반사없이 흡수하는 구조이다. 이러한 원리를 이용하여 형성된 층을 MIHL층이라고 칭한다.
통상적으로, 상기 기판(310) 상에 형성된 전자파 차폐층(330)의 반사율은 다음과 같이 나타낼 수 있다.Typically, the reflectance of the
상기 기판(310)의 굴절율을 n1이라 하고, 상기 전자파 차폐층(330)의 굴절율 을 n2이라고 할 경우에, 계면에서의 입사각이 0도인 반사율은, When the refractive index of the
이다.to be.
상기 수학식 1에서 두 층 사이 계면의 반사율은 두 매질간의 굴절율의 차이가 적을수록 적어짐을 알 수 있으며, 이론적으로 n1 〓 n2일 경우에 계면의 반사가 없다는 결과를 얻을 수 있다. In Equation 1, it can be seen that the reflectance of the interface between the two layers decreases as the difference in refractive index between the two media decreases, and theoretically, when n 1 〓 n 2 , there is no reflection of the interface.
이러한 원리에 입각하여 투명 기판(310)상에 형성된 전자파 차폐층(330)의 구조는 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같다.Based on this principle, the structure of the
도 4는 상기 투명 기판(310)상에 MIHL층(330)이 형성된 이후의 상태를 도시한 것이고, 도 5는 상기 MIHL층(330)의 일면에 포토 레지스트(51)를 코팅한 이후의 상태를 도시한 것이고, 도 6은 상기 포토 레지스트(51)를 제거하여 소망하는 패턴을 가진 전자파 차폐층(330)을 형성한 것을 도시한 것이다. 4 illustrates a state after the
도 4를 참조하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 기판(310)의 배면에는 MIHL층(330)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 4, a
상기 MIHL층(330)은 SiO2, In2O3, SnO2, MgF2, Al
2O3, TiO2, ZrO2 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 유전성 소재로 된 제1 성분과, In, Sb, Ag, Au, Cu, Al, Pt, Co, Rh, Ru, Sn, Ir, Ti 및 Ta로 이루어진 군에서 선택된 어 느 하나 이상의 금속성 소재로 된 제2 성분을 포함하고 있다.
The
상기 MIHL층(330)은 상기 투명 기판(310)과의 계면과 인접할수록 상기 기판(310)과 굴절율이 거의 유사한 유전성 소재로 된 부분(331)과, 상기 투명 기판(310)과의 계면과 멀어질수록 금속성 소재로 된 부분(332)과, 그 사이의 영역에 형성되는 유전성 소재와 금속성 소재의 비율이 점차적으로 변화되는 중간 부분(333)으로 이루어져 있다. 상기 중간 부분(333)은 투명 기판(310)의 계면과 인접한 부분으로부터 멀어질수록 유전성 소재의 농도는 점차적으로 감소하는 반면에, 금속성 소재의 농도는 점차적으로 증가하고 있는 부분이다. As the
이처럼, 상기 중간 부분(333)에는 유전체층과 금속층 사이에 굴절율이 불연속적으로 변하는 계면이 존재하지 않는다. 즉, 상기 투명 기판(310)의 계면으로부터 상기 MIHL층(330)의 표면으로 갈수록 유전체층에서 금속층으로 연속적으로 변하는 계면이 형성되어 있다. 따라서, 계면 사이의 굴절율의 차이가 매우 작다고 할 수 있다. As such, there is no interface in which the refractive index changes discontinuously between the dielectric layer and the metal layer. That is, an interface continuously changing from the dielectric layer to the metal layer is formed from the interface of the
이러한 MIHL층(330)을 형성시키는 방법에 따라, 상기 투명 기판(310)의 계면에는 유전성 소재가 주성분으로 된 부분(331)을 형성하고, 상기 투명 기판(310)에서 멀어질수록 금속성 소재가 주성분으로 된 부분(332)을 형성하는 것이 가능하다. 이처럼, 상기 투명 기판(310)의 계면에서의 굴절율 차이를 최소화하여 계면 반사를 억제할 수 있다. According to the method of forming the
또한, 금속성 소재의 농도가 증가함에 따라서 금속층의 흡광 특성에 의하여 상기 투명 기판(310)의 계면으로부터 입사되는 빛은 소멸되고, 기판(310)의 표면위 로 반사되는 광은 최소화시킬 수가 있다.In addition, as the concentration of the metallic material increases, the light incident from the interface of the
상기 MIHL층(330)을 형성시키는 방법은 다음과 같다. The method of forming the
상기 투명 기판(310)상에 유전성 소재가 주성분으로 된 부분(331)으로부터 금속성 소재가 주성분으로 된 부분(332)으로 연속적으로 변하는 계면이 형성되도록 증착하게 된다.On the
이렇게 유전체층과 금속층과의 농도 구배를 달리하는 MIHL층(330)의 형성은 유전성 소재와 금속성 소재가 증착되는 속도 차이를 조절하는 것에 의하여 가능하다. 증착을 시키는 방법으로는 진공 증착법, 이온빔 보조 증착법, 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법, 이온빔 보조 스퍼터링법, 열 증착법, 플라즈마 보조 증착법, 반응 저전압 이온 플레이팅법등에서 선택된 어느 하나의 증착법에 의하여 가능하다고 할 것이다. The formation of the
이렇게 완성된 MIHL층(330) 상에는 도 5에 도시된 바와 같이 포토리소그래피 공정을 수행하게 된다.The photolithography process is performed on the completed
즉, 상기 MIHL층(330)의 아랫면에는 코터(coater)를 이용하여 포토 레지스트(51)를 코팅하게 된다. 상기 포토 레지스트(51)는 0.5 내지 5 마이크로미터의 두께로 균일하게 코팅이 되어 있다. That is, the
코팅을 한 다음에는, 포토 마스크를 이용하여 노광 및 현상을 실시하게 된다. 이때, 상기 포토 마스크는 피치가 50 내지 500 마이크로미터 정도이고, 선폭은 1 내지 30 마이크로부터 정도를 가지며, 메쉬형의 패턴을 가지고 있다. After coating, exposure and development are performed using a photo mask. In this case, the photomask has a pitch of about 50 to 500 micrometers, a line width of about 1 to 30 micrometers, and has a mesh pattern.
현상이 완료된 다음에는 상기 MIHL층(330)을 에칭하여서 도 6에 도시된 바와 같이 메쉬형 패턴을 가지는 전자파 차폐층을 완성하게 된다. After the development is completed, the
이때, 사용하는 에칭액으로는 HF와, HNO3를 적당량 혼합한 용액을 사용한다. 에칭액의 농도는 HF가 0.5 내지 20 wt ％와, HNO3가 1 내지 50 wt ％의 범위를 가지는 것이 바람직하다. 에칭액이 고농도일 경우에는 선폭의 균일도를 얻기 어려우며, 에칭액이 저농도일 경우에는 에칭 시간이 길어진다.At this time, a solution obtained by mixing an appropriate amount of HF and HNO 3 is used as the etching solution to be used. The concentration of the etching solution is preferably in the range of 0.5 to 20 wt% of HF and 1 to 50 wt% of HNO 3 . If the etching liquid is high concentration, it is difficult to obtain the uniformity of the line width, when the etching liquid is low concentration, the etching time is long.
상기와 같은 방법으로 완성된 전자파 차폐층(330)은 메쉬형의 패턴을 가진 포토 마스크를 사용하게 됨에 따라 이와 상응한 형상을 가지도록 형성되며, 피치(P)는 50 내지 500 마이크로미터 정도이고, 선폭(W)은 1 내지 30 마이크로미터 정도이고, 두께(T)는 0.5 내지 20 마이크로미터 정도이다. The electromagnetic
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어서 특성을 평가하기로 하된, 하기 실시예는 단지 예시적인 것으로서 본 발명의 범위가 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.The following examples, which are intended to evaluate the properties of the present invention by way of the following examples, are merely illustrative and the scope of the present invention is not limited to the following examples.
[실시예 1]Example 1
스퍼터(sputter) 내에 유전성 소재인 SiO2와 금속성 소재인 Al을 각각 타겟으로 하여서 불활성 분위기에서 증착되는 속도 차이를 이용하여 기판(310) 상에 전술한 바와 같이 SiO2와 Al의 농도 구배를 달리한 2 마이크로미터 정도의 두께를 가진 전자파 차폐층을 형성시켰다. 이어서, 포토리소그래피 공정을 통하여 피치가 200 마이크로미터, 선폭이 30 마이크로미터 정도의 메쉬형 패턴을 가진 전자파 차폐층을 제조하였다. As described above, the concentration gradients of SiO 2 and Al on the
[실시예 2]Example 2
메쉬형 패턴으로 된 전자파 차폐층의 두께가 3 마이크로미터이고, 피치가 200, 선폭이 20 마이크로미터 정도로 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조하였다.The electromagnetic shielding layer of the mesh pattern was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electromagnetic shielding layer was 3 micrometers, the pitch was 200, and the line width was about 20 micrometers.
[실시예 3]Example 3
메쉬형 패턴으로 된 전자파 차폐층의 두께가 2 마이크로미터이고, 피치가 250, 선폭이 25 마이크로미터 정도로 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조하였다.The electromagnetic shielding layer of the mesh pattern was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electromagnetic shielding layer was 2 micrometers, the pitch was 250, and the line width was about 25 micrometers.
[실시예 4]Example 4
메쉬형 패턴으로 된 전자파 차폐층의 두께가 1 마이크로미터이고, 피치가 300, 선폭이 30 마이크로미터 정도로 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조하였다.The electromagnetic shielding layer of the mesh pattern was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electromagnetic shielding layer was 1 micrometer, the pitch was 300, and the line width was about 30 micrometers.
[실시예 5]Example 5
메쉬형 패턴으로 된 전자파 차폐층의 두께가 2 마이크로미터이고, 피치가 300, 선폭이 2 마이크로미터 정도로 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조하였다.The electromagnetic shielding layer of the mesh pattern was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electromagnetic shielding layer was 2 micrometers, the pitch was 300, and the line width was about 2 micrometers.
[비교예][Comparative Example]
기판상에 블랙으로 산화처리된 Cu 박판을 점착제를 이용하여 부착한 이후에 에칭 공정을 통하여 메쉬형 패턴을 가진 전자파 차폐층을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐층 상에는 UV 경화제를 코팅하였다. 전자파 차폐층의 두께는 10 마이크로미 터이고, 피치가 250 마이크로미터이고, 선폭이 15 마이크로미터 정도로 형성되였다. After attaching the Cu thin plate oxidized to black on the substrate using an adhesive, an electromagnetic shielding layer having a mesh pattern was manufactured through an etching process. On the prepared electromagnetic shielding layer was coated with a UV curing agent. The electromagnetic shielding layer had a thickness of 10 micrometers, a pitch of 250 micrometers, and a line width of about 15 micrometers.
상기 실시예 1 내지 5와, 비교예에 따라 제조된 전자파 차폐층의 전자파 차폐 효율을 측정하였고, 그 결과는 표 1에 나타내였다. The electromagnetic wave shielding efficiency of the electromagnetic wave shielding layer prepared according to Examples 1 to 5 and Comparative Example was measured, and the results are shown in Table 1.
여기서, 피치, 선폭 및 두께의 단위는 마이크로미터이고, 전자파 차폐층의 차폐율의 단위는 dB이다.Here, the unit of pitch, line width and thickness is micrometer, and the unit of shielding rate of the electromagnetic shielding layer is dB.
일반적으로 전자파 차폐층의 차폐 효율이 40dB 이상이 되면, 만족할만한 차폐 효율을 나타낸다고 할 수 있다. 표 1을 살펴보면, 비교예의 경우와 비교했을때, 본 발명의 실시예 1 내지 5는 공히 규격을 만족하고 있다고 볼 수 있다.In general, when the shielding efficiency of the electromagnetic shielding layer is 40dB or more, it can be said that the satisfactory shielding efficiency. Looking at Table 1, when compared with the case of the comparative example, it can be seen that Examples 1 to 5 of the present invention all satisfy the specifications.
상기 실시예 1 내지 5를 관찰해 보면, 전자파 차폐층의 개구율이 작아질수록, 금속층의 두께가 증가할 수록 전자파 차폐 능력은 향상된다는 것을 알 수 있다.Observing the Examples 1 to 5, it can be seen that as the opening ratio of the electromagnetic shielding layer is smaller and the thickness of the metal layer is increased, the electromagnetic shielding ability is improved.
비교예의 경우에는 일정한 두께 이하의 금속 박판을 가지도록 에칭하기 어렵기 때문에 통상적으로 10 마이크로미터 이상의 금속 박판을 사용하여 에칭함으로써 시각적인 입체 장애가 존재한다. In the case of the comparative example, since it is difficult to etch to have a metal thin plate of a certain thickness or less, there is a visual steric hindrance by etching using a metal thin plate of 10 micrometers or more.
그러나, 본 발명의 실시예 1 내지 5의 경우에는 금속층을 형성시킬때와 유사 한 높은 전도성을 나타내고 있으므로, 메쉬층의 두께를 얇게 하여도 전자파 차폐 특성이 우수하고, 상대적으로 입체적인 시각 장애도 개선할 수가 있다.However, in Examples 1 to 5 of the present invention, since it exhibits high conductivity similar to that of forming a metal layer, even if the thickness of the mesh layer is thin, the electromagnetic shielding property is excellent, and the three-dimensional visual impairment can be improved. There is a number.
상기한 제조 공정으로 제조된 본 발명에 따른 MIHL층으로 된 전자파 차폐층과, 금속 박판을 사용하는 종래의 전자파 차폐층의 블랙 처리시 블랙 정도를 표 2에 나타내었다.Table 2 shows the degree of black at the time of black treatment of the electromagnetic shielding layer made of the MIHL layer according to the present invention manufactured by the above-described manufacturing process, and the conventional electromagnetic shielding layer using a metal thin plate.
여기서, L은 색좌표에서 명도를 나타낸 것이고, a, b는 색좌표에서 색상 정도를 나타내는 것이다.Here, L represents brightness in color coordinates, and a and b represent color degrees in color coordinates.
일반적으로 L의 값이 작을 수록, a와 b의 값이 0에 근접할수록 완전한 블랙이라고 할 수 있다. 상기한 결과에서 알 수 있듯이, 블랙 처리된 종래의 금속 메쉬보다 본 발명에 따른 MIHL 메쉬의 블랙 정도가 더 좋음을 알 수 있다. 이는 외광을 효과적으로 차단할 수 있음을 의미하는 것이다.In general, the smaller the value of L and the closer the values of a and b are to 0, the more complete the black. As can be seen from the above results, it can be seen that the black degree of the MIHL mesh according to the present invention is better than the conventional black metal mesh. This means that it can effectively block external light.
상기와 같이 제조된 전자파 차폐층(330)은 도 3에 도시된 바와 같이 패널 조립체(31)의 전방에 배치된 투명 기판(310)의 전면 또는 배면에 부착시킬 수도 있으며, 더욱 바람직하게는 이러한 별도의 구조물없이 패널 조립체(31)의 표면에 직접적으로 형성시키는 것이다. 이 경우, 별도의 필터 조립체(300)의 조립 공정이 필요없게 되며, 또한 필터 조립체(300)의 부착시의 중량이 수 Kg 정도가 가볍게 된다.The
이상의 설명에서와 같이, 본 발명의 플라즈마 표시 장치용 전자파 차폐 필터와 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. As described above, the electromagnetic wave shielding filter for the plasma display device of the present invention and its manufacturing method can obtain the following effects.
첫째, 메쉬형의 MIHL층으로 된 전자파 차폐층을 형성함으로써, 전자파 차폐와, 블랙 매트리스의 기능을 공히 수행할 수 있다.First, by forming the electromagnetic shielding layer of the mesh type MIHL layer, it is possible to perform both the electromagnetic shielding and the function of the black mattress.
둘째, 메쉬형의 MIHL층으로 된 전자파 차폐층을 형성함으로서, 금속 박판을 기판상에 메쉬 패턴으로 형성시 UV 경화제를 이용하여 투명화 처리 공정이 필요없게 된다. 따라서, 제조 공정이 단순화되고, 수율이 향상해진다.Second, by forming the electromagnetic shielding layer of the mesh type MIHL layer, when forming a thin metal plate in a mesh pattern on the substrate using a UV curing agent, there is no need for a transparent treatment process. Therefore, the manufacturing process is simplified and the yield is improved.
셋째, 메쉬형의 MIHL층으로 된 전자파 차폐층을 형성시 진공 증착이나 스퍼터링과 같은 박막화가 가능한 증착법에 의하여 제조가 가능하므로, 필터 조립체 전체의 두께를 줄일 수 있다.Third, since the electromagnetic wave shielding layer formed of the mesh type MIHL layer can be manufactured by a deposition method capable of thinning such as vacuum deposition or sputtering, the thickness of the entire filter assembly can be reduced.
넷째, 별도의 점착제가 사용되지 않으므로, 정형화된 형상의 메쉬형의 전자파 차폐층을 형성시킬 수가 있다. Fourth, since a separate pressure-sensitive adhesive is not used, it is possible to form a mesh-shaped electromagnetic shielding layer of a standardized shape.
다섯째, 메쉬형의 MIHL층으로 된 전자파 차폐층을 별도의 기판없이 패널 조립체에 직접적으로 형성시킬 경우에는 플라즈마 표시 장치의 두께를 박형화 가능하다.Fifth, when the electromagnetic shielding layer made of the mesh type MIHL layer is directly formed on the panel assembly without a separate substrate, the thickness of the plasma display device can be reduced.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (9)
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