KR100572304B1 - Deposition equipment for semiconductor device manufacturing - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수개의 웨이퍼가 안착되는 다단히팅테이블을 구비하여 연속적으로 공정을 실시하게 하는 반도체장치 제조용 증착설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device which has a multi-stage heating table on which a plurality of wafers are seated so as to perform a process continuously.

본 발명에 의한 반도체장치 제조용 증착설비는 일측에 웨이퍼투입구가 형성되고 내부를 가로지르는 실드에 의해 독립된 상부공간에 증착공정을 실시하는 가공부가 설치된 챔버와, 상기 챔버의 내부에서 다수개의 웨이퍼가 층을 이루며 안착되고 각각의 상기 웨이퍼를 가열하는 다단히팅테이블 및 상기 웨이퍼에 상기 증착공정이 실시되도록 상기 다단히팅테이블을 상기 가공부를 향해 승하강시키는 승하강장치를 포함하여 이루어진다.The deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a chamber in which a wafer inlet is formed at one side, and a processing unit for performing a deposition process in an independent upper space is formed by a shield crossing the inside, and a plurality of wafers are formed in the chamber. And a multistage heating table for seating and heating each wafer, and a lifting device for lifting and lowering the multistage heating table toward the processing unit so that the wafer is subjected to the deposition process.

따라서, 설비의 처리량을 증가시키고, 설비의 구성이 간단해지며, 설비를 설치하기 위한 설치면적이 감소되고, 설비의 유지보수를 용이하게 실시하게 하여 설비의 유지보수에 요구되는 시간 및 비용을 절감하게 하는 효과를 갖는다.Therefore, the throughput of the equipment is increased, the configuration of the equipment is simplified, the installation area for installing the equipment is reduced, and the maintenance of the equipment is easily performed, thereby reducing the time and cost required for the maintenance of the equipment. Has an effect.

Description

반도체장치 제조용 증착설비Deposition equipment for semiconductor device manufacturing

본 발명은 반도체장치 제조용 증착설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수개의 웨이퍼가 안착되는 다단히팅테이블을 구비하여 연속적으로 공정을 실시하게 하는 반도체장치 제조용 증착설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device for continuously performing a process by having a multi-stage heating table on which a plurality of wafers are seated.

일반적으로 웨이퍼는 사진, 이온확산, 식각, 증착 등의 공정을 반복적으로 수행하여 반도체장치인 칩으로 제조된다.In general, a wafer is manufactured into a chip, a semiconductor device, by repeatedly performing a process such as photographing, ion diffusion, etching, and deposition.

이중 상기 증착공정(Deposition Process)는 진공상태에서 증착시키고자 하는 물질을 원자형태로 증발시키고, 웨이퍼 상에 분포시킴으로써 화학반응을 일으키지 않고 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 공정이다.The deposition process is a process of forming a thin film on the wafer without causing a chemical reaction by evaporating the material to be deposited in a vacuum in atomic form and distributing it on the wafer.

즉, 상기 증착공정은 통상적으로 상기 웨이퍼를 가열한 후, 증착시킬 물질을 원자 상태로 상기 웨이퍼 상에 분포시킴으로써 실시되며, 이를 위하여 반도체장치 제조용 증착설비가 구성되었다.That is, the deposition process is typically performed by heating the wafer and then distributing the material to be deposited on the wafer in an atomic state, and for this purpose, a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device is constructed.

도 1을 참조하여 설명하면, 종래의 반도체장치 제조용 증착설비(10)는 증착공정을 실시하는 챔버(11)를 구비하고 있고, 상기 챔버(11)의 내부에 웨이퍼(1)가 안착되는 웨이퍼지지판(12)이 설치되어 있으며, 상기 웨이퍼지지판(12)은 상기 챔버(11)의 내벽과 오링(13)에 의해 실링되어 있다.Referring to FIG. 1, a conventional deposition apparatus 10 for manufacturing a semiconductor device includes a chamber 11 for performing a deposition process, and a wafer support plate on which a wafer 1 is seated inside the chamber 11. 12 is provided, and the wafer support plate 12 is sealed by an inner wall of the chamber 11 and an O-ring 13.

상기 웨이퍼지지판(12)의 하부에는 상기 웨이퍼지지판(12)을 가열하는 가열판(14)이 설치되어 있고, 상기 가열판(14)으로부터 발생한 열을 상기 웨이퍼지지판(12)으로 전달하도록 백사이드가스라인(15)이 설치되어 있으며, 이는 상기 백사이드가스라인(15)의 내부를 순환하는 가스를 열전달의 매개체로 이용하여 상기 가열판(14)으로부터 상기 웨이퍼지지판(12)으로 열을 전달하기 위함이다.The lower side of the wafer support plate 12 is provided with a heating plate 14 for heating the wafer support plate 12, the backside gas line 15 to transfer the heat generated from the heating plate 14 to the wafer support plate 12 ) Is installed to transfer heat from the heating plate 14 to the wafer support plate 12 using gas circulating in the backside gas line 15 as a heat transfer medium.

그리고, 상기 웨이퍼지지판(12) 상에 안착된 상기 웨이퍼(1)가 가열되는 온도를 조절하도록 상기 가열판(14)의 온도를 측정하는 열전온도계(16)가 상기 가열판(14)에 설치되어 있으며, 상기 열전온도계(16)가 상기 반도체장치 제조용 증착설비(10)에 구비된 제어부(도시하지 않음)에 연결되어 상기 가열판(14)의 온도를 조절할 수 있다.In addition, a thermoelectric thermometer 16 for measuring the temperature of the heating plate 14 to adjust the temperature at which the wafer 1 seated on the wafer support plate 12 is heated is provided in the heating plate 14, The thermoelectric thermometer 16 may be connected to a controller (not shown) provided in the deposition apparatus 10 for manufacturing the semiconductor device to adjust the temperature of the heating plate 14.

또한, 상기 가열판(14)의 하부에는 냉각수라인(17)이 설치되어 있으며, 이는 과열된 상기 가열판(14)을 냉각시켜 상기 웨이퍼(1)의 가열온도를 조절하기 위함이다.In addition, a cooling water line 17 is installed below the heating plate 14 to cool the heated plate 14 to control the heating temperature of the wafer 1.

그리고, 상기 챔버(11)의 상부 내측에는 상기 웨이퍼(1)에 증착공정을 실시하도록 가공부(18)가 설치되어 있다.In addition, a processing unit 18 is installed inside the upper portion of the chamber 11 to perform a deposition process on the wafer 1.

한편, 도 2를 참조하여 설명하면, 종래의 다른 반도체장치 제조용 증착설비(20)는 증착공정이 실시되는 챔버(21)와, 상기 챔버(21)의 내부에 웨이퍼(1)가 안착되는 웨이퍼지지판(22)이 설치되어 있다.Meanwhile, referring to FIG. 2, another conventional deposition apparatus 20 for manufacturing a semiconductor device includes a chamber 21 in which a deposition process is performed, and a wafer support plate on which a wafer 1 is seated inside the chamber 21. (22) is provided.

상기 웨이퍼지지판(22)의 하부에는 상기 웨이퍼지지판(22)을 가열하는 가열판(23)이 설치되어 있고, 상기 가열판(23)으로부터 발생한 열을 상기 웨이퍼지지판(22)으로 전달하도록 백사이드가스라인(24)이 설치되어 있으며, 이는 상기 백사이드가스라인(24)의 내부를 순환하는 가스를 열전달의 매개체로 이용하여 상기 가열판(23)으로부터 상기 웨이퍼지지판(22)으로 열을 전달하기 위함이다.The lower part of the wafer support plate 22 is provided with a heating plate 23 for heating the wafer support plate 22, and a backside gas line 24 to transfer heat generated from the heating plate 23 to the wafer support plate 22. ) Is installed to transfer heat from the heating plate 23 to the wafer support plate 22 using gas circulating in the backside gas line 24 as a heat transfer medium.

그리고, 상기 웨이퍼지지판(22) 상에 안착된 상기 웨이퍼(1)가 가열되는 온도를 조절하도록 상기 가열판(23)의 온도를 측정하는 열전온도계(25)가 상기 가열판(23)에 설치되어 있으며, 상기 열전온도계(25)가 상기 반도체장치 제조용 증착설비(20)에 구비된 제어부(도시하지 않음)에 연결되어 상기 가열판(23)의 온도를 조절할 수 있다.In addition, a thermoelectric thermometer 25 for measuring the temperature of the heating plate 23 is installed in the heating plate 23 to adjust the temperature at which the wafer 1 seated on the wafer support plate 22 is heated. The thermoelectric thermometer 25 may be connected to a controller (not shown) provided in the deposition apparatus 20 for manufacturing the semiconductor device to adjust the temperature of the heating plate 23.

또한, 상기 가열판(23)의 하부에는 냉각수라인(26)이 설치되어 있으며, 이는 과열된 상기 가열판(23)의 온도를 조절하기 위함이다.In addition, the cooling water line 26 is installed below the heating plate 23, which is to control the temperature of the heating plate 23 is overheated.

그리고, 상기 챔버(21)의 상부 내측에는 상기 웨이퍼(1)에 증착공정을 실시하도록 가공부(27)가 설치되어 있다.In addition, a processing unit 27 is installed inside the upper portion of the chamber 21 to perform a deposition process on the wafer 1.

또한, 상기 가열판(23)의 하부에는 상기 백사이드가스라인(24)과, 상기 열전온도계(25) 및 상기 냉각수라인(26)이 내부에 설치된 지지봉(28)이 연결되어 있으며, 상기 지지봉(28)의 하단에는 상기 웨이퍼지지판(22)과 상기 가열판(23)의 조립체를 승하강시키도록 승하강부(29)가 설치되어 있다.In addition, the lower side of the heating plate 23 is connected to the backside gas line 24, the thermoelectric thermometer 25 and the support rod 28 is installed therein, the support rod 28 A lowering portion 29 is provided at the lower end of the lower portion to raise and lower the assembly of the wafer support plate 22 and the heating plate 23.

이는 상기 웨이퍼지지판(22)에 안착된 상기 웨이퍼(1)를 승하강시켜 상기 가공부(27)와의 거리를 조절하기 위함이다.This is to adjust the distance from the processing unit 27 by raising and lowering the wafer 1 seated on the wafer support plate 22.

그리고, 상기 가열판(23)과 상기 챔버(21)의 내벽에 양 단이 각각 연결된 벨로우즈관(30)이 상기 지지봉(28)을 둘러싸며 설치되어 있고, 상기 벨로우즈관(30)은 상기 챔버(21)의 내부공간을 외부와 독립시킨다.In addition, a bellows pipe 30 connected to both ends of the heating plate 23 and the inner wall of the chamber 21 surrounds the support rod 28, and the bellows pipe 30 is the chamber 21. Inner space of) is separated from outside.

그러나, 종래의 반도체장치 제조용 증착설비(10)(20)들은 상기 챔버(11)(21)의 내부에 1개의 상기 웨이퍼(1)가 안착된 후, 가열되고 증착공정이 실시되므로 설비의 처리량이 저하되는 문제점이 있었다.However, in the conventional deposition apparatus 10 and 20 for manufacturing a semiconductor device, since one wafer 1 is seated inside the chambers 11 and 21, heating and a deposition process are performed. There was a problem of deterioration.

또한, 설비의 처리량을 증가시키키 위하여 다수개의 설비를 설치하는 경우 전체설비를 설치하기 위한 설치면적이 증가하게 되고, 또한 설비에 필요한 유틸리티(Utility), 즉 냉각수라인(17)(26)과, 열전온도계(16)(25)와, 백사이드가스라인(15)(24) 등이 구성된 배관의 배선이 매우 복잡하게 되는 문제점이 있었다.In addition, in the case of installing a plurality of facilities to increase the throughput of the facility, the installation area for installing the entire facility is increased, and the utility required for the facility, that is, the cooling water lines 17 and 26, There has been a problem in that the wiring of the pipe including the thermoelectric thermometers 16 and 25 and the backside gas lines 15 and 24 becomes very complicated.

그리고, 설비의 보수에 있어서도 설비의 구성이 복잡하고, 넓은 면적에 설치되어 있으므로 많은 시간 및 비용이 요구되어 손실이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, in the maintenance of a facility, since the structure of the facility is complicated and is installed in a large area, there is a problem that a lot of time and cost are required and loss occurs.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 다수개의 웨이퍼가 동시에 안착되는 다단히팅테이블을 구비하여 설비의 구성을 간단하게 하고, 설비의 처리량을 증가시키며, 설비를 설치하기 위한 설치면적을 줄이고, 설비의 유지보수에 요구되는 시간 및 비용을 절감하게 하는 반도체장치 제조용 증착설비를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above conventional problems, the object of which is to provide a multi-stage heating table in which a plurality of wafers are seated at the same time to simplify the configuration of the equipment, increase the throughput of the equipment, install The present invention provides a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device, which reduces the installation area and reduces the time and cost required for the maintenance of the equipment.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체장치 제조용 증착설비는, 일측에 웨이퍼투입구가 형성되고 내부를 가로지르는 실드에 의해 독립된 상부공간에 증착공정을 실시하는 가공부가 설치된 챔버와, 상기 챔버의 내부에서 다수개의 웨이퍼가 층을 이루며 안착되고 각각의 상기 웨이퍼를 가열하는 다단히팅테이블 및 상기 웨이퍼에 상기 증착공정이 실시되도록 상기 다단히팅테이블을 상기 가공부를 향해 승하강시키는 승하강장치를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a chamber in which a wafer injection hole is formed at one side and a processing unit for performing a deposition process in an independent upper space by a shield crossing the inside thereof, And a multistage heating table for seating a plurality of wafers in layers and heating each of the wafers, and a lifting device for lifting and lowering the multistage heating table toward the processing unit to perform the deposition process on the wafers.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체장치 제조용 증착설비(40)에는 공정이 실시되는 챔버(41)가 설치되어 있다.Referring to FIG. 3, a chamber 41 in which a process is performed is provided in a deposition apparatus 40 for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention.

상기 챔버(41)는 일측에 웨이퍼투입구(42)가 형성되고, 상기 웨이퍼투입구(42)에 근접하여 웨이퍼(1)를 상기 챔버(41)의 내부로 로딩/언로딩하는 웨이퍼이송장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.The chamber 41 has a wafer inlet 42 formed at one side thereof, and a wafer transfer device (not shown) for loading / unloading the wafer 1 into the chamber 41 in proximity to the wafer inlet 42. Not installed).

이때, 상기 웨이퍼이송장치는 반도체장치 제조설비에 있어 널리 사용되는 장치이고, 당업자에게 있어 이해가 용이하므로 설명하지 않는다.At this time, the wafer transfer device is a device widely used in the semiconductor device manufacturing equipment, it will not be described because it is easy for those skilled in the art to understand.

그리고, 상기 챔버(41)에는 상기 챔버(41)의 내부를 가로지르는 실드(43)가 설치되어 있으며, 상기 실드(43)에 의해 상기 챔버(41)는 독립된 2개의 공간으로 구분되고, 상기 실드(43)의 상부에는 상기 웨이퍼(1)에 증착시킬 물질을 원자 상태로 상기 웨이퍼(1) 상에 분포시킴으로써 박막을 형성하는 증착공정을 실시하도록 가공부(44)가 설치되어 있다.The chamber 41 is provided with a shield 43 that traverses the inside of the chamber 41, and the chamber 41 is divided into two independent spaces by the shield 43. On the upper portion of the 43, a processing unit 44 is provided so as to perform a deposition process for forming a thin film by distributing the material to be deposited on the wafer 1 on the wafer 1 in an atomic state.

한편, 상기 실드(43)의 하부에는 다수개의 상기 웨이퍼(1)가 층을 이루며 안착되고, 각각의 상기 웨이퍼를 가열하는 다단히팅테이블(45)이 설치되어 있다.On the other hand, under the shield 43, a plurality of wafers 1 are laid down in layers, and a multi-stage heating table 45 for heating each wafer is provided.

상기 다단히팅테이블(45)은 상기 웨이퍼(1)가 각각 안착되도록 층을 이루며 설치된 다수개의 웨이퍼지지판(46)과, 상기 웨이퍼지지판(46)을 가열하도록 상기 웨이퍼지지판(46)의 하부에 각각 설치된 가열판(47)을 구비하고 있다.The multi-stage heating table 45 is provided with a plurality of wafer support plates 46 arranged in layers so that the wafers 1 are respectively seated, and lower portions of the wafer support plates 46 to heat the wafer support plates 46. The heating plate 47 is provided.

또한, 상기 가열판(47)를 냉각하는 냉각수라인과, 상기 가열판(47)으로부터 상기 웨이퍼지지판(46)으로 가스를 열전달매체로 하여 열을 전달하는 백사이드가스라인 및 상기 가열판(47)의 온도를 측정하는 열전온도계가 내부에 설치된 케이블튜브(48)가 각각의 상기 가열판(47)에 연결되어 설치되어 있다.In addition, the temperature of the cooling water line for cooling the heating plate 47, the backside gas line for transferring heat from the heating plate 47 to the wafer support plate 46 as a heat transfer medium, and the temperature of the heating plate 47 are measured. The cable tube 48 is installed inside the thermoelectric thermometer is connected to each of the heating plate 47 is installed.

이때, 상기 웨이퍼지지판(46)과 상기 가열판(47)에 연결되도록 설치된 상기 냉각수라인과 백사이드가스라인 및 열전온도계는 종래의 설비와 동일한 구성이므로 도시하지 않았다.At this time, the cooling water line, the backside gas line, and the thermoelectric thermometer installed to be connected to the wafer support plate 46 and the heating plate 47 are not shown because they have the same configuration as the conventional equipment.

그리고, 상기 다단히팅테이블(45)의 하부에는 상기 웨이퍼(1)에 상기 증착공정이 실시되도록 상기 다단히팅테이블(45)을 상기 가공부(44)를 향해 승하강시키는 승하강장치(49)가 설치되어 있다.In addition, a lowering device 49 for lowering and lowering the multistage heating table 45 toward the processing unit 44 to perform the deposition process on the wafer 1 is provided below the multistage heating table 45. It is installed.

상기 승하강장치(49)는 상기 다단히팅테이블(45)의 하부에 설치된 가열판(47)을 지지하고, 상기 챔버(41)의 하부를 관통하여 외부로 노출된 지지봉(50)을 구비하고 있다.The elevating device 49 supports a heating plate 47 provided at a lower portion of the multi-stage heating table 45, and includes a supporting rod 50 exposed through the lower portion of the chamber 41 to the outside.

그리고, 상기 지지봉(50)을 둘러싸며 형성되고, 상기 다단히팅테이블(45)의 하부에 설치된 가열판(47)과 상기 챔버(41)에 양 끝단이 각각 연결되어 상기 챔버(41)의 내부공간을 격리시키는 벨로우즈관(51)을 구비하고 있으며, 또한 상기 지지봉(50)을 승하강시키는 동력원을 구비하여 상기 다단히팅테이블(45)을 승하강시키는 승하강부(52)를 구비하고 있다.In addition, both ends are connected to the heating plate 47 and the chamber 41 formed at the lower portion of the multi-stage heating table 45 to surround the support bar 50 to form an internal space of the chamber 41. The bellows pipe | tube 51 which isolate | separates is provided, and the elevating part 52 which raises and lowers the said multistage heating table 45 is provided with the power source which raises and lowers the said support bar 50, and is provided.

이때, 상기 벨로우즈관(51)은 상기 벨로우즈관(51)의 일측단을 가압하는 고정판(53)에 의해 상기 챔버(41)의 내벽에 고정된다.At this time, the bellows pipe 51 is fixed to the inner wall of the chamber 41 by a fixing plate 53 for pressing one end of the bellows pipe 51.

그리고, 상기 동력원으로는 구동모터를 사용하거나, 실린더를 사용하여 상기 승하강부(52)를 구성하는 것이 바람직하고, 이는 일반적으로 승하강동작을 실시하는 장치에 사용되고 있으며, 이는 당업자에게 있어 당연한 사실이므로 구체적인 설명을 하지 않는다.In addition, it is preferable to use the driving motor or the cylinder to configure the lifting unit 52 as the power source, which is generally used in a device for performing the lifting operation, which is natural for those skilled in the art. Do not give specific explanations.

한편, 상기 실드(43)는 상기 다단히팅테이블(45) 상에 위치한 상기 웨이퍼(1)에 상기 증착공정을 실시할 수 있도록 상기 다단히팅테이블(45)의 직경에 대응하여 형성되고, 상기 다단히팅테이블(45)이 통과하는 것이 가능한 실드홀(54)이 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the shield 43 is formed corresponding to the diameter of the multi-stage heating table 45 to perform the deposition process on the wafer (1) located on the multi-stage heating table 45, the multi-stage heating It is preferable that a shield hole 54 through which the table 45 can pass is formed.

또한, 상기 반도체장치 제조용 증착설비(40)는 상기 승하강장치(49) 및 상기 웨이퍼이송장치의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어부(도시하지 않음)를 더 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the deposition apparatus 40 for manufacturing a semiconductor device preferably further includes a control unit (not shown) for applying a control signal to control operations of the elevating device 49 and the wafer transfer device.

여기서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 상기 반도체장치 제조용 증착설비(40)의 동작관계에 대해 설명하면, 먼저 상기 웨이퍼(1)는 다수개가 상기 웨이퍼이송장치에 의해 상기 웨이퍼투입구(42)를 통과하여 상기 다단히팅테이블(45)에 안착되어 로딩되고, 상기 다단히팅테이블(45)은 각각의 상기 웨이퍼(1)를 가열한다.Herein, an operation relationship of the deposition apparatus 40 for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described. First, a plurality of the wafers 1 may be formed by the wafer transfer device. Passed through and seated on the multi-stage heating table 45, the multi-stage heating table 45 heats each of the wafer (1).

그리고, 상기 제어부로부터 제어신호를 인가받은 상기 승하강장치(49)는 상기 다단히팅테이블(45)을 상승시키고, 상기 다단히팅테이블(45)에 안착된 상기 웨이퍼(1)는 상기 가공부(44)의 하부에 위치하게 된다.In addition, the lifting device 49 receiving a control signal from the controller raises the multi-stage heating table 45, and the wafer 1 seated on the multi-stage heating table 45 is the processing unit 44. Will be located underneath.

상기 가공부(44)는 상기 웨이퍼(1)에 상기 증착공정을 실시하고, 공정이 끝나면 상기 승하강장치(49)는 상기 다단히팅테이블(45)을 하강시킨다.The processing unit 44 performs the deposition process on the wafer 1, and when the process is completed, the elevating device 49 lowers the multi-stage heating table 45.

이때, 상기 웨이퍼이송장치는 상기 웨이퍼투입구(42)를 통해 상기 증착공정을 마친 상기 웨이퍼(1)를 언로딩하고, 상기 다단히팅테이블(45)의 하단에 안착된 다른 웨이퍼(1)를 상기 다단히팅테이블(45)의 상단으로 이송하여 안착시킨다.In this case, the wafer transfer device unloads the wafer 1 having completed the deposition process through the wafer inlet 42, and stacks another wafer 1 seated at the bottom of the multi-stage heating table 45. Transfer to the top of the heating table 45 to be seated.

그리고, 상기 웨이퍼이송장치는 또 다른 웨이퍼(1)를 상기 다단히팅테이블(45)의 하단으로 로딩하여 안착시킨 후, 상기 동작을 반복하여 증착공정을 연속하여 실시한다.Then, the wafer transfer device loads another wafer 1 to the lower end of the multi-stage heating table 45 to be seated, and then repeats the above operation to continuously perform the deposition process.

따라서, 다수개의 상기 웨이퍼가 상기 다단히팅테이블에 안착되어 연속적으로 상기 증착공정이 실시되므로 처리량을 증가시킬 수 있고, 1개의 설비에서 연속하여 공정을 실시하므로 설비의 구성이 간단해지며, 설치면적이 감소되고, 설비의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있다.Therefore, a plurality of the wafers are seated on the multi-stage heating table, so that the deposition process is carried out continuously, so that the throughput can be increased, and since the process is continuously performed in one facility, the configuration of the facility is simplified and the installation area It is reduced, and maintenance of a facility can be performed easily.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 증착설비에 의하면 설비의 처리량을 증가시키고, 설비의 구성이 간단해지며, 설비를 설치하기 위한 설치면적이 감소되고, 설비의 유지보수를 용이하게 실시하게 하여 설비의 유지보수에 요구되는 공수 및 비용을 절감하게 하는 효과를 갖는다.As described above, according to the deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the throughput of the equipment is increased, the configuration of the equipment is simplified, the installation area for installing the equipment is reduced, and the maintenance of the equipment is easily performed. This reduces the labor and cost required for the maintenance of the equipment.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상범위내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

도 1은 종래의 반도체장치 제조용 증착설비를 나타낸 부분단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a deposition apparatus for manufacturing a conventional semiconductor device.

도 2는 종래의 다른 반도체장치 제조용 증착설비를 나타낸 부분단면도이다.2 is a partial sectional view showing another conventional deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체장치 제조용 증착설비를 나타낸 부분단면도이다.3 is a partial cross-sectional view showing a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing

1 : 웨이퍼(Wafer)1: Wafer

10, 20, 40 : 반도체장치 제조용 증착설비10, 20, 40: deposition equipment for semiconductor device manufacturing

11, 21, 41 : 챔버(Chamber) 12, 22, 46 : 웨이퍼지지판11, 21, 41: Chamber 12, 22, 46: Wafer support plate

13 : 오링(O-ring) 14, 23, 47 : 가열판13: O-ring 14, 23, 47: heating plate

15, 24 : 백사이드가스라인(Back-side Gas Line)15, 24: Back-side Gas Line

16, 25 : 열전온도계 17, 26 : 냉각수라인16, 25: thermoelectric thermometer 17, 26: cooling water line

18. 27, 44 : 가공부 28, 50 : 지지봉18. 27, 44: machining part 28, 50: support rod

29, 52 : 승하강부 30, 51 : 벨로우즈관29, 52: lifting section 30, 51: bellows pipe

42 : 웨이퍼투입구 43 : 실드(Shield)42: wafer inlet 43: shield

45 : 다단히팅테이블 48 : 케이블튜브(Cable-tube)45: multi-stage heating table 48: cable tube (Cable-tube)

49 : 승하강장치 53 : 고정판49: lifting device 53: fixed plate

54 : 실드홀(Shield-hole)54: shield-hole

Claims (5)

일측에 웨이퍼투입구가 형성되고, 내부를 가로지르는 실드에 의해 두 개의 공간으로 구분되는 챔버;A chamber in which a wafer inlet is formed at one side and divided into two spaces by a shield crossing the inside; 상기 실드의 상부에 설치되며, 웨이퍼 상에 증착시킬 물질을 상기 웨이퍼 상에 분포시키는 가공부;A processing unit disposed on the shield and distributing a material to be deposited on the wafer on the wafer; 상기 챔버의 내부에서 다수개의 웨이퍼가 층을 이루며 안착되어 각각의 상기 웨이퍼를 가열하며, 상단에 위치한 웨이퍼로부터 연속적으로 증착공정이 이루어지는 다단히팅테이블;A multi-stage heating table in which a plurality of wafers are laid in layers in the chamber to heat each wafer, and a deposition process is continuously performed from a wafer located at an upper end thereof; 상기 다단히팅테이블의 하단에 위치한 웨이퍼를 상기 다단히팅테이블의 상단으로 이송하는 웨이퍼이송장치; 및A wafer transfer device for transferring a wafer positioned at a lower end of the multi-stage heating table to an upper end of the multi-stage heating table; And 상기 다단히팅테이블의 상단에 안착된 웨이퍼에 상기 증착공정이 실시되도록 상기 다단히팅테이블을 상기 가공부를 향해 승하강시키는 승하강장치;An elevating device for elevating the multi-stage heating table toward the processing unit to perform the deposition process on the wafer seated on the upper end of the multi-stage heating table; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 증착설비.Deposition equipment for manufacturing a semiconductor device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실드는 상기 다단히팅테이블 상에 위치한 상기 웨이퍼에 상기 증착공정을 실시할 수 있도록 상기 다단히팅테이블의 직경에 대응하여 형성되고, 상기 다단히팅테이블이 통과하는 것이 가능한 실드홀이 형성된 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 증착설비.The shield is formed to correspond to the diameter of the multi-stage heating table to perform the deposition process on the wafer located on the multi-stage heating table, characterized in that the shield hole through which the multi-stage heating table can pass Deposition equipment for manufacturing the semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다단히팅테이블은,The multi-stage heating table, 상기 웨이퍼가 각각 안착되도록 층을 이루며 설치된 다수개의 웨이퍼지지판;A plurality of wafer support plates installed in layers so that the wafers are respectively seated; 상기 웨이퍼지지판을 가열하도록 상기 웨이퍼지지판의 하부에 각각 설치된 가열판; 및Heating plates respectively provided below the wafer support plates to heat the wafer support plates; And 각각의 상기 가열판에 연결되고, 상기 가열판를 냉각하는 냉각수라인과, 상기 가열판으로부터 상기 웨이퍼지지판으로 열을 전달하는 백사이드가스라인 및 상기 가열판의 온도를 측정하는 열전온도계가 내부에 설치된 케이블튜브;A cable tube connected to each of the heating plates, a cooling water line cooling the heating plate, a backside gas line transferring heat from the heating plate to the wafer support plate, and a thermoelectric thermometer measuring the temperature of the heating plate; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 증착설비.Deposition equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 승하강장치는,The lifting device, 상기 다단히팅테이블의 하부에 설치된 가열판을 지지하고, 상기 챔버의 하부를 관통하여 외부로 노출된 지지봉;A support rod supporting a heating plate installed at a lower portion of the multi-stage heating table and exposed to the outside through a lower portion of the chamber; 상기 지지봉을 둘러싸며 형성되고, 상기 다단히팅테이블의 하부에 설치된 가열판과 상기 챔버에 양 끝단이 각각 연결되어 상기 챔버의 내부공간을 격리시키는 벨로우즈관; 및A bellows tube formed around the support rod and connected to both ends of the heating plate and the chamber installed at the lower portion of the multi-stage heating table to insulate the internal space of the chamber; And 상기 지지봉을 승하강시키는 동력원을 구비하여 상기 다단히팅테이블을 승하강시키는 승하강부;An elevating unit provided with a power source for elevating the supporting rod to elevate the multi-stage heating table; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 증착설비.Deposition equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 벨로우즈관의 일측단을 가압하여 상기 챔버에 고정시키는 고정판이 설치된 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 증착설비.And a fixing plate is installed to press one end of the bellows tube to fix the bellows tube to the chamber.
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