KR100565212B1 - Automatic tuning method for system clock signal - Google Patents
Automatic tuning method for system clock signal Download PDFInfo
- Publication number
- KR100565212B1 KR100565212B1 KR1020040085923A KR20040085923A KR100565212B1 KR 100565212 B1 KR100565212 B1 KR 100565212B1 KR 1020040085923 A KR1020040085923 A KR 1020040085923A KR 20040085923 A KR20040085923 A KR 20040085923A KR 100565212 B1 KR100565212 B1 KR 100565212B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dram
- test
- read
- clock frequency
- system clock
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/04—Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
- G06F1/08—Clock generators with changeable or programmable clock frequency
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/10009—Improvement or modification of read or write signals
- G11B20/10222—Improvement or modification of read or write signals clock-related aspects, e.g. phase or frequency adjustment or bit synchronisation
- G11B20/1024—Improvement or modification of read or write signals clock-related aspects, e.g. phase or frequency adjustment or bit synchronisation wherein a phase-locked loop [PLL] is used
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 중앙처리장치를 사용하는 시스템에서 최적의 시스템 클럭주파수를 자동으로 튜닝하는 기술에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 시스템 부팅시 기 설정된 피엘엘 값으로 클럭주파수를 설정하여 디램을 대상으로 리드/라이트 테스트를 수행하는 제1과정과; 상기 테스트 결과 디램의 영역에서 리드/라이트 오류가 발생하지 않으면, 원래의 클럭주파수를 그대로 사용하여 시스템을 부팅시키는 제2과정과; 상기 테스트 결과 리드/라이트 오류가 발생하면, 상기 피엘엘 값을 순차적으로 변경하면서 디램 테스트를 반복적으로 수행하여 클럭주파수를 적절히 변경시킨 후 시스템을 부팅시키는 제3과정에 의해 달성된다.The present invention relates to a technique for automatically tuning the optimal system clock frequency in a system using a central processing unit. The present invention includes a first process of performing a read / write test on a DRAM by setting a clock frequency to a preset PEL value when a system is booted; A second process of booting the system using the original clock frequency if a read / write error does not occur in a region of the DRAM as a result of the test; When a read / write error occurs as a result of the test, a third process of booting the system after appropriately changing the clock frequency by repeatedly performing a DRAM test while sequentially changing the PEL value is performed.
Description
도 1은 본 발명의 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법이 적용되는 시스템의 블록도.1 is a block diagram of a system to which an autotuning method for a system clock signal of the present invention is applied.
도 2는 본 발명에 의한 본 발명의 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법의 처리과정을 나타낸 신호 흐름도.2 is a signal flow diagram illustrating a process of an autotuning method for a system clock signal of the present invention according to the present invention.
도 3은 도 2에서 디램 테스트 과정에 대한 상세 신호 흐름도.3 is a detailed signal flow diagram illustrating a DRAM test process in FIG. 2.
도 4a는 도 3에서 바이트 단위로 패턴을 체크하는 처리과정을 나타낸 신호 흐름도. 4A is a signal flowchart illustrating a process of checking a pattern in units of bytes in FIG. 3.
도 4b는 도 3에서 하프 워드 단위로 패턴을 체크하는 처리과정을 나타낸 신호 흐름도.FIG. 4B is a signal flowchart illustrating a process of checking a pattern in units of half words in FIG.
도 4c는 도 3에서 워드 단위로 패턴을 체크하는 처리과정을 나타낸 신호 흐름도.4C is a signal flowchart illustrating a process of checking a pattern in units of words in FIG. 3.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*** *** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***
1 : 중앙처리장치 2 : 부트롬1: central processing unit 2: bootrom
3 : 디램 4 : 발진기3: DRAM 4: oscillator
5 : 비휘발성 메모리5: nonvolatile memory
본 발명은 중앙처리장치를 사용하는 시스템에서 최적의 시스템 클럭주파수를 자동으로 튜닝하는 기술에 관한 것으로, 특히 시스템에서 자체적으로 메모리 리드/라이트 테스트를 실시하여 신뢰성 있는 시스템 클럭주파수를 확보할 수 있도록 한 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a technique for automatically tuning an optimal system clock frequency in a system using a central processing unit. In particular, the system performs a memory read / write test on its own to ensure a reliable system clock frequency. The present invention relates to an auto tuning method for a system clock signal.
일반적으로, 중앙처리장치는 사용하는 모든 시스템(예: PC, Embedded System 등)에서는 시스템 클럭신호를 기반으로 모든 동작이 이루어진다. In general, the central processing unit performs all operations based on the system clock signal in all the systems (eg, PC, embedded system, etc.).
외부의 발진기로부터 인가된 클럭신호가 위상동기루프(PLL: Phase Lock Loop)에 의해 시스템에 필요한 상기 시스템 클럭신호로 변경되고, 시스템의 각부에서는 그 시스템 클럭신호(PLL 주파수)를 적절히 분주하여 사용하게 된다.The clock signal applied from the external oscillator is changed to the system clock signal required for the system by a phase lock loop (PLL), and each part of the system divides the system clock signal (PLL frequency) appropriately. do.
일반적으로, PLL 주파수는 시스템 개발시 시스템의 안정성 및 성능을 보장할 수 있도록 여러번의 트레이드 오프(Trade-off)를 거쳐 결정되며, 한번 결정된 값은 양산 후 거의 변경되지 않는다. In general, the PLL frequency is determined through several trade-offs to ensure the stability and performance of the system during system development, and the determined value is hardly changed after mass production.
이와 같이 종래의 시스템에 있어서는 양상 단계에서 시스템 클럭신호의 주파수가 적절한 값으로 설정되어 출시된 후에는 변경할 수 없게 되어 있으므로, 시스템은 안정적으로 운용하는데 어려움이 있었다.As described above, in the conventional system, since the frequency of the system clock signal is set to an appropriate value and cannot be changed after being released, the system has difficulty in operating stably.
왜냐하면, 제품 양산 단계에서 결정된 시스템 클럭신호의 주파수 값은 제품 출하 후, 부품의 노화나 주변환경(습도, 온도 등)의 변화에 따라 적절하게 변경해 줄 필요가 있기 때문이다. 특히 차량용 및 군수용 장비의 경우 구동환경이 매우 열 악하므로 시스템 클럭 주파수의 작은 오차에도 시스템이 다운되거나 오동작하는 경우가 발생되기 때문이다. This is because the frequency value of the system clock signal determined at the product mass production stage needs to be changed appropriately according to the aging of the product and the change of the surrounding environment (humidity, temperature, etc.). In particular, in the case of vehicle and military equipment, the driving environment is very poor, so that even if a small error of the system clock frequency causes the system to go down or malfunction.
따라서, 본 발명의 목적은 시스템 부팅시 신뢰성 있는 시스템 클럭주파수를 확보하기 위하여, 중앙처리장치가 부트로더(Bootloader) 전체 영역에 대해 리드/라이트(read/write) 테스트를 실시하고, 그 테스트 결과에 따라 시스템 클럭주파수를 적절히 조절하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to perform a read / write test on the entire area of the boot loader in order to secure a reliable system clock frequency at the time of system booting. The system clock frequency is adjusted accordingly.
본 발명에 의한 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법은, 시스템 부팅시 기 설정된 PLL 값으로 클럭주파수를 설정하여 디램을 대상으로 리드/라이트 테스트를 수행하는 제1과정과; 상기 테스트 결과 디램의 영역에서 리드/라이트 오류가 발생하지 않으면 상기 시스템 클럭 주파수가 올바른 것으로 판단하여 시스템이 정상 부팅 모드로 동작하도록 하는 제2과정과; 상기 테스트 결과 리드/라이트 오류가 발생하면 시스템 클럭 주파수가 올바르지 않은 것으로 판단한 후, 상기 PLL 값을 순차적으로 낮추어 가면서 디램(DRAM)(3)에 대한 테스트를 반복적으로 수행하여 올바른 PLL 값을 찾아내는 제3과정으로 이루어지는 것으로, 이와 같이 이루어지는 본 발명의 오토 튜닝 처리과정을 첨부한 도 1 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.An auto-tuning method for a system clock signal according to the present invention includes a first step of performing a read / write test on a DRAM by setting a clock frequency to a preset PLL value at system boot time; A second step of determining that the system clock frequency is correct and operating the system in a normal booting mode if a read / write error does not occur in a region of the DRAM as a result of the test; If a read / write error occurs as a result of the test, the system clock frequency is determined to be incorrect, and then the PLL value is sequentially lowered to repeatedly perform a test on the DRAM 3 to find a correct PLL value. It will be described in detail with reference to Figures 1 to 4 attached to the process of the auto-tuning process of the present invention made as described above.
먼저, 도 1은 본 발명의 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법이 적용되는 시스템의 구성을 나타낸 것으로, PLL 데이터를 저장하기 위한 비휘발성 메모리(1)가 추가된 것을 알 수 있다. 상기 비휘발성 메모리(5)는 플래시 메모리 또는 EEPROM으로 구현할 수 있다. 만약, 부트롬(Bootrom)(2)이 리드/라이트 가능한 플래시 메모리 또는 EEPROM으로 구현된 경우에는 상기와 같이 비휘발성 메모리(1)를 별도로 사용하지 않고 그의 일부 영역을 이용하여 구현할 수 있다.First, FIG. 1 shows a configuration of a system to which an autotuning method for a system clock signal of the present invention is applied, and it can be seen that a
도 2는 본 발명의 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝 방법의 전반적인 처리과정을 나타낸 것이다.Figure 2 shows the overall processing of the auto-tuning method for the system clock signal of the present invention.
부팅시 기 설정된 PLL 값(PLL Data)으로 클럭주파수를 설정하여 디램(3)을 대상으로 리드/라이트 테스트를 수행한다. At boot time, the clock frequency is set to the preset PLL value (PLL Data) to perform read / write tests on the DRAM (3).
상기 디램(3)에 대한 테스트 결과 디램(3)의 모든 영역에서 리드/라이트 오류가 발생하지 않고 리드/라이트 동작이 안정적으로 이루어지면, 시스템 클럭 주파수가 올바른 것으로 판단하여 시스템이 정상 부팅 모드로 동작하도록 한다. As a result of the test of the DRAM 3, if the read / write operation is stably performed without a read / write error in all regions of the DRAM 3, the system clock frequency is determined to be correct and the system operates in a normal boot mode. Do it.
하지만, 상기 테스트 결과 리드/라이트 오류가 발생하면, 시스템 클럭 주파수가 올바르지 않은 것으로 판단하여 상기 PLL 값을 순차적으로 낮추어 가면서 디램(3)에 대한 테스트를 반복적으로 수행한다.However, if a read / write error occurs as a result of the test, the system clock frequency is determined to be incorrect, and the test for the DRAM 3 is repeatedly performed while sequentially decreasing the PLL value.
상기 반복적인 디램(3) 테스트를 통해 올바른 PLL 값을 찾으면, 이를 상기 비휘발성 메모리(5)에 저장하여 다음의 시스템 부팅시에는 변경된 PLL 설정값을 이용하도록 한다. 따라서, 다음의 시스템 부팅 때부터 상기와 같이 디램(3)에 대한 테스트를 실시하지 않고도 올바른 시스템 클럭 주파수를 사용할 수 있게 된다.If the correct PLL value is found through the repeated DRAM 3 test, it is stored in the
도 3은 신뢰성 있는 시스템 클럭주파수를 확보하기 위하여, 상기 디램(3)을 대상으로 테스트하는 과정을 나타낸 것이다. 3 shows a process of testing the DRAM 3 in order to secure a reliable system clock frequency.
여기에서는 비트 패턴 매칭(Bit Pattern Matching) 방법을 사용하였는데, 이 는 상기 디램(3)에 특정 패턴을 라이트한 후 다시 그 패턴을 리드(read)하여 서로 동일한지 비교하는 방법이다.In this case, a bit pattern matching method is used, which is a method of writing a specific pattern to the DRAM 3 and reading the pattern again to compare the same.
여기서 사용되는 패턴은 데이터를 비트 단위로 크로스하여 라이트/리드한 후 반대로 크로스하여 라이트/리드하고, 이와 같은 원리로 라이트/리드하되 액세스 단위로 바이트(8bit), 하프 워드(16bit), 워드(32bit) 단위로 디램(3)을 액세스하여 테스트하게 되므로, 가능한 모든 메모리의 리드/라이트 오류를 찾을 수 있게 된다. The pattern used here is to cross / write data by bit, and then to write / read by cross, and to write / read by the same principle. Since the DRAM 3 is accessed and tested in units of, the read / write error of all possible memories can be found.
도 4a, 4b, 4c는 상기 바이트, 하프 워드, 워드 단위로 디램(3)을 액세스하여 테스트하는 과정을 나타낸 것으로, 원리는 동일하므로 도 4a를 예로하여 설명하면 다음과 같다.4A, 4B, and 4C illustrate a process of accessing and testing the DRAM 3 in units of bytes, half words, and words. Since the principles are the same, the following description will be given using FIG. 4A as an example.
바이트 어드레스를 초기화 한 후 바이트 어드레스로 바이트 패턴 데이터를 라이트한다. 이어서, 상기 바이트 어드레스로 상기 바이트 패턴을 리드하여 비교하는 방식으로 라이트/리드 테스트를 실시한다.After the byte address is initialized, the byte pattern data is written to the byte address. Subsequently, a write / read test is performed by reading and comparing the byte pattern to the byte address.
이후에도 상기 바이트 어드레스를 1비트 시프트시키고 크로스 패턴의 순서를 바꿔서 상기와 같이 라이트/리드 테스트를 실시한다.Thereafter, the byte address is shifted by one bit and the order of the cross patterns is changed to perform the write / read test as described above.
상기와 같은 바이트 단위의 라이트/리드 테스트 동작을 디램(3)의 마지막 영역까지 반복 실시하여 그때마다 라이트/리드된 바이트 패턴이 서로 일치하는 것으로 판명되면, 현재 시스템 클럭 주파수가 올바른 것으로 판단한다.If the above write / read test operation in units of bytes is repeated to the last region of the DRAM 3 and it is found that the write / read byte patterns coincide with each other at that time, it is determined that the current system clock frequency is correct.
하지만, 상기에서 바이트 패턴이 서로 일치하지 않는 것으로 판명되면, 바이트 패턴을 시프트시키고 처음 단계로 복귀하여 상기와 같은 테스트 과정을 수행한다.However, if the byte patterns are found to be inconsistent with each other, the byte pattern is shifted and the process returns to the first step to perform the above test procedure.
상기 설명에서는 시스템 부팅시 시스템 클럭신호를 위한 오토 튜닝하는 것을 예로하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것이 아니라 리셋 등에 의해 부팅되는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.In the above description, an example of auto tuning for a system clock signal during system booting has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto and may be similarly applied to booting by a reset.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 부트로더 전체 영역에 대해 리드/라이트 테스트를 실시하고 그 테스트 결과에 따라 시스템 클럭주파수를 적절히 조절 함으로써, 사용자의 별다른 수고 없이 시스템 부팅시 신뢰성 있는 시스템 클럭주파수를 확보할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention performs a read / write test on the entire area of the boot loader and appropriately adjusts the system clock frequency according to the test result, thereby ensuring a reliable system clock frequency at the time of system booting without user's trouble. It can work.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040085923A KR100565212B1 (en) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | Automatic tuning method for system clock signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040085923A KR100565212B1 (en) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | Automatic tuning method for system clock signal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100565212B1 true KR100565212B1 (en) | 2006-03-30 |
Family
ID=37180066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040085923A KR100565212B1 (en) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | Automatic tuning method for system clock signal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100565212B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11354062B2 (en) | 2019-11-18 | 2022-06-07 | SK Hynix Inc. | Memory system and operation method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000018822A (en) * | 1998-09-04 | 2000-04-06 | 윤종용 | Bus clock frequency transferring method |
-
2004
- 2004-10-26 KR KR1020040085923A patent/KR100565212B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000018822A (en) * | 1998-09-04 | 2000-04-06 | 윤종용 | Bus clock frequency transferring method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11354062B2 (en) | 2019-11-18 | 2022-06-07 | SK Hynix Inc. | Memory system and operation method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7447959B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same | |
US8799725B2 (en) | Macro and command execution from memory array | |
US9785382B2 (en) | Method and apparatus for read retry sequence for boot ROM | |
KR20010070149A (en) | Microcontroller incorporating an electrically rewritable non-volatile memory | |
KR100717110B1 (en) | Rom data patch circuit, embedded system including the same and method of patching rom data | |
EP1331643B1 (en) | Differential flash memory programming technique | |
KR100634356B1 (en) | Memory system safely loading main data and data loading method thereof | |
KR100565212B1 (en) | Automatic tuning method for system clock signal | |
US20060023544A1 (en) | Semiconductor device | |
US6349057B2 (en) | Read protection circuit of nonvolatile memory | |
JP4683617B2 (en) | Microcomputer and microcomputer optimization method | |
JP2012155363A (en) | Semiconductor device | |
CN113590209B (en) | Chip starting control method, chip and electronic equipment | |
CN114171106A (en) | Read-write calibration method and circuit | |
CN111696614B (en) | Control test circuit and control test method for non-volatile memory redundant storage | |
US20060282626A1 (en) | Memory device and method of controlling operation of the memory device | |
US7389445B2 (en) | Circuit for detecting abnormal operation of memory and integrated circuit and method for detecting abnormal operation | |
JP3497066B2 (en) | Data write / read method in flash memory and storage device using flash memory | |
US20050068842A1 (en) | Electronic device, nonvolatile memory and method of overwriting data in nonvolatile memory | |
CN109814888A (en) | NandFlash controller EFUSE replaces method and device | |
US11809273B2 (en) | Method for detecting flash memory module and associated system on chip | |
KR100623372B1 (en) | Method for verifying sdram addressing system of mobile phone and mobile phone thereof | |
JP4601968B2 (en) | IC card and IC card program that eliminates data integrity check | |
US20070168775A1 (en) | Programmable Memory Test Controller | |
JP2000163321A (en) | Method and device for processing data and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |