KR100538446B1 - 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고흡수율을 가지는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서에 관한 것이다.
본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 검출회로(ROIC:Read Out IC) 기판(1)의 상부에 형성된 반사금속층(2); 상기의 기판(1) 위에 형성된 적어도 한 쌍 이상의 앵커(anchor)(3); 상기 반사금속층(2)과 에어갭(Air gap)을 사이에 두고 앵커(3)에 의해 지지되어 있는 제 1 절연막층(4); 상기 제 1 절연막층(4) 위에 패턴화된 열전도선(5); 상기의 열전도선(5)을 포함하는 제 1 절연막층(4) 위에 형성된 제 2 절연막층(6); 및 상기 제 2 절연막층(6) 위에 형성된 흡수투과층(7)을 포함하는 단위 픽셀로 이루어진 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서와 그 제조방법에 관한 것으로서, 검출회로의 기판(1)위에 ROIC 회로와의 콘택 패드(9) 및 반사금속층(2)을 증착하는 제 1단계; 상기 반사금속층(2) 위에 희생층(10)을 도포하는 제 2단계; 하드마스크(hardmask)(11)를 이용하여 콘택 패드(9)과 열전도선(5)이 연결되는 앵커(anchor) 부분을 식각하는 제 3단계; 상기 제 3단계의 하드마스크(11)를 제거하고 제 1 절연막층(4)을 증착하는 제 4단계; 비아를 형성하는 제 5단계; 상기의 콘택 패드(9)과 연결되도록 열전도선(5)을 형성하는 제 6단계; 상기 제 5단계에 의해 증착된 제 1 절연막층(4)과 제 6단계에 의해 형성된 열전도선(5) 위에 제 2 절연막층(6)을 증착하는 제 7단계; 상기 제 2 절연막층(6) 위에 흡수투과층(7)을 형성하는 제 8단계; 및 릴리즈(release) 공정에 의하여 희생층(10)을 애싱(ashing)하여 에어갭을 형성하는 제 9단계를 포함하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 열적 성질 뿐만 아니라 적외선 분광학적 접근을 통하여 적외선의 흡수율을 높일 수 있는 광학 상수를 도출하고, 티타늄 또는 비정질 실리콘 볼로미터를 사용하여 λ/4 에어터널에서 공명 흡수하도록 하는 단순한 2층 구조의 적외선 센서를 제공함으로써 별도의 집광렌즈 없이 적외선의 중심 파장대에서 90% 이상의 흡수율을 가지며 유효 흡수면적(fill factor)이 80%이상인 고흡수율의 적외선 센서를 간단한 공정으로 제조할 수 있다는 장점이 있다.

Description

2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법{Uncooled infrared sensor with 2-layer structure and its manufacturing method}
본 발명은 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 적외선 흡수투과층과 절연막 및 티타늄 또는 비정질 실리콘으로 이루어진 열전도선이 적외선 유효 흡수면적(fill factor)이 최적으로 되는 면적비로 구성된 상부층과 검출회로(ROIC:Read Out IC) 기판에 증착되어 있는 반사금속층으로 이루어진 하부층 및 반사된 적외선을 공명흡수하는 진공 상태의 에어갭으로 이루어진 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서에 관한 것이다.
적외선 센서는 작동 원리에 따라 크게 양자형(photon)과 열형(thermal)으로 나눌 수 있는데, 양자형은 주로 반도체 재료로서 특성은 좋으나 액체 질소 온도(-193℃)에서 작용한다는 단점이 있는 반면에, 열형 재료들은 반도체에 비해 성능은 다소 떨어지지만 상온에서 동작한다는 장점이 있다. 따라서 냉각이 필요한 양자형 재료들은 주로 군수용의 목적으로 연구되고 있으며, 비냉각형인 열형 재료들은 민수용으로 주로 사용되고 있다. 그리고 이 열형 적외선 센서는 일반적으로 볼로미터(Bolometer), 열전쌍(Thermocouple), 초전기(Pyroelectric)형의 3가지 형태로 나눌 수 있다. 초전기 센서는 검출력은 좋지만 생산량이 제한적이고, 볼로미터와 열전쌍은 초전기형보다는 검출력이 낮지만 검출기 회로와 함께 실리콘 웨이퍼 상에 모노리딕으로 제조되므로 생산성이 좋기 때문에 민수용으로 널리 개발되고 있다.
이 중에서 볼로미터형 적외선 센서는 물체에서 방사되는 적외선을 흡수하여 열에너지로 바뀔 때 그로 인한 온도상승으로 전기저항이 변화하는 것을 측정한다. 종래의 볼로미터는 미국특허 제5,300,915호에 도시된 것과 같이 통상적으로 부상된 검출레벨과 이를 지지하는 지지레벨 및 하부레벨로 이루어져 있다. 그러나 검출레벨에 지지역할을 하는 지지레벨이 함께 형성되어 있어서 적외선을 흡수하는 전체면적이 줄어들게 되므로 최대의 흡수면적(fill factor)을 얻을 수 없었다.
이에 따라 한국공개특허 제2000-0046517호, 한국등록특허 제10-0299642호 및 미국특허 제6,448,557호에서는 적외선 반사층이 존재하는 3층 구조의 볼로미터형 적외선 센서를 개시하였고, 미국특허 제5,367,167호에서는 큰 도전 통로를 가지는 셀 어레이를 기술하였으며, 미국특허 제6,441,374호에서는 열 분리 구조를 가지며 흡수율이 높은 적외선 센서에 대해 개시하는 등 적외선 센서의 감도 및 흡수면적을 높이기 위한 연구가 계속 진행되고 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 연구들은 전기적 성질 및 열적 성질에 의존하는 것으로서, 적외선 분광학적인 접근을 통한 고흡수율을 가지는 적외선 센서의 구조 설계에 관한 연구에는 미흡한 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 두 물질 사이의 표면에서의 광학적 특성은 광학 상수에 의해 결정되므로 광학 상수를 결정하여 적외선 흡수층과 볼로미터를 포함하는 상부층와 검출회로에 반사금속층이 증착된 하부층 및 상기 상부층과 하부층 사이에서 반사된 적외선을 공명흡수하는 에어갭으로 이루어진 2층 구조의 고흡수율 볼로미터형 적외선 센서를 설계하여 적외선 중심 파장대에서 95% 이상의 흡수율을 가지도록 하는 비냉각형 적외선 센서를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 검출회로(ROIC:Read Out IC) 기판(1)의 상부에 형성된 반사금속층(2); 상기의 기판(1) 위에 형성된 적어도 한 쌍 이상의 앵커(anchor)(3); 상기 반사금속층(2)과 에어갭(Air gap)을 사이에 두고 앵커(3)에 의해 지지되어 있는 제 1 절연막층(4); 상기 제 1 절연막층(4) 위에 패턴화된 열전도선(5); 상기의 열전도선(5)을 포함하는 제 1 절연막층(4) 위에 형성된 제 2 절연막층(6); 및 상기 제 2 절연막층(6) 위에 형성된 흡수투과층(7)을 포함하는 단위 픽셀로 이루어진 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서와 그 제조방법에 의해 달성된다.
이하 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 1은 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀을 나타낸 개념도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 적외선 센서 단위 픽셀의 단면도이다.
본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀은 2층 구조로서 그 크기는 50×50㎛이며, 구조적으로는 크게 상부층과 하부층 및 상기 상부층과 하부층 사이에 존재하는 에어갭으로 나눌 수 있다.
먼저, 검출회로(ROIC:Read Out IC) 기판(1)과 그 위에 형성된 반사금속층(2)으로 이루어진 하부층이 있다. 이 때 반사금속층(2)은 티타늄(Ti) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어져 있고, 그 두께는 1500Å 이상이 되도록 하여 바람직하게는 2500±500Å가 되도록 한다.
다음, 상기 하부층과 상부층 사이를 연결하는 한 쌍 이상의 앵커(3)와 에어갭(Air gap)이 있는데, 이 에어갭은 1∼3.5㎛의 높이를 가지며 진공 상태로 이루어져 있다.
그 다음으로 전기적 보호막 역할을 하는 제 1 절연막층(4)과 그 위에 패턴화된 열전도선(5), 상기 열전도선(5)을 포함하는 제 1 절연막층(4) 위에 형성된 제 2 절연막층(6) 및 상기 제 2 절연막층(6) 위에 형성된 흡수투과층(7)으로 이루어진 상부층이 있다. 그리고, 이 상부층에는 제조공정상 에칭 시간을 단축시키고 단위 픽셀의 물리적 응력을 해소시키기 위한 5㎛이내의 지름을 가지는 에치홀(etch hole)(8)과 열절연을 위해 폭 5㎛ 이내의 열절연용 컷(cut)(12)이 형성되어 있다. 여기에서 상기 제 1 절연막층(4)과 제 2 절연막층(6)의 두께는 300∼1500Å의 범위를 가지며 SiO2로 이루어져 있다.
상기 제 1 절연막층(4)과 제 2 절연막층(6) 사이에 형성되어 있는 열전도선(5)은 티타늄(Ti) 또는 반도체성 물질인 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어져 있는데, 이 때 비정질 실리콘은 P(phosphorus)과 같은 물질로 도핑되어 있다. 그리고, 티타늄으로 이루어져 있을 경우에는 적외선이 투과하는 유효 흡수면적(fill factor)이 50% 이상이 되도록 면적비가 구성되며, 비정질 실리콘으로 이루어져 있을 경우에는 전체 면적비가 80% 이상이 되도록 설계한다. 따라서, 상기 열전도선(5)은 두께 200∼2500Å로 패턴화되고, 그 패턴 폭은 3∼9㎛가 되도록 한다. 또한 도 1에 도시한 바와 같이 열전도선(5)이 앵커(3)와 연결되는 부분인 사각형 면적의 크기는 5×5∼10×10㎛가 되도록 한다. 그리고, 최상부에 증착되는 흡수투과층(7)은 티타늄(Ti)으로 이루어지며, 그 두께는 40∼70Å가 되도록 하여 적외선이 센서 표면을 투과하는 순간에 최대의 흡수율을 가지도록 한다.
그리고, 본 발명의 적외선 센서의 단위 픽셀을 이루는 각 층의 열시상수(Thermal Time Constant)는 33msec이내인 것으로 한다. 여기에서 열시상수란 센서가 일정한 온도로 증가한 후 다시 초기 온도의 37%(1/e=0.37)까지 도달되는데 걸리는 시간을 의미하는 것으로서 "열시상수=열용량/열전도도"로 나타낼 수 있다. 사람의 시각으로 한 화면을 본 후 다른 화면을 보았을 때, 두 화면간의 시간차가 33msec 이상이 되면 잔상이 남게 되므로, 열시상수가 이보다 작은 값이어야 한다.
본 발명에 의한 적외선 센서는 셀 자체가 흡수층으로 작용하므로 흡수면적이 넓고 상부층에서 흡수된 적외선이 하부층의 반사금속층(2)에 의해 반사되면 흡수층에서 재흡수가 일어날 수 있도록 하여 적외선 흡수율을 높일 수 있는 구조이다. 이 때 도 2에서 나타낸 바와 같이 적외선 흡수투과층(7)에서부터 반사금속층(2)까지의 거리가 λ/4가 되도록 에어터널을 설계하는데, 흡수된 적외선의 파장은 λ/4 에어터널에서 공명 흡수되는 정상파를 형성하면서 최대의 흡수율을 가지게 된다.
이와 같은 본 발명에 의한 적외선 센서의 흡수율은 다음의 수학식에 의해 도출되었다.
다음, 도 3은 본 발명에 의한 적외선 센서의 흡수율을 나타낸 그래프로서, 적외선 파장 8∼12㎛ 범위에서 90% 이상의 흡수율을 가지며 10.5㎛ 파장에서는 97%의 고흡수율을 가짐을 알 수 있다.
다음으로, 도 4a 내지 도4j는 본 발명에 의한 적외선 센서의 제조방법을 나타낸 것이다. 본 발명의 적외선 센서는 검출회로의 기판(1)위에 콘택 패드(9) 및 반사금속층(2)을 증착하는 제 1단계; 상기 반사금속층(2) 위에 희생층(10)을 도포하는 제 2단계; 하드마스크(hardmask)(11)를 이용하여 콘택 패드(9)와 열전도선(5)이 연결되는 앵커(anchor) 부분을 식각하는 제 3단계; 상기 제 3단계의 하드마스크(11)를 제거하고 제 1 절연막층(4)을 증착하는 제 4단계; 비아를 형성하는 제 5단계; 상기의 콘택 패드(9)과 연결되도록 열전도선(5)을 형성하는 제 6단계; 상기 제 5단계에 의해 증착된 제 1 절연막층(4)과 제 6단계에 의해 형성된 열전도선(5) 위에 제 2 절연막층(6)을 증착하는 제 7단계; 상기 제 2 절연막층(6) 위에 흡수투과층(7)을 형성하는 제 8단계; 및 릴리즈(release) 공정에 의하여 희생층(10)을 애싱(ashing)하여 에어갭을 형성하는 제 9단계를 포함하여 이루어 진다.
상기 제조 공정을 보다 자세하게 살펴보면 다음과 같다. 도 4a의 실리콘 웨이퍼를 포함하는 기판(1)에 스퍼터링 공정에 의해 콘택 패드(9) 및 반사금속층(2)을 증착하는 제 1단계를 거친 후, 에어갭을 형성시키기 위하여 폴리이미드(polyimide) 또는 스핀 온 폴리머를 포함하는 재질로 이루어진 희생층을 스핀 코팅(spin coating)법에 의하여 도포한다(제 2단계, 도 4c). 다음, 도 4d에 나타낸 것과 같이 하드마스크(hardmask)(11)를 이용하여 콘택 패드과 열전도선(5)이 연결되는 앵커(anchor) 부분을 식각하는 제 3단계 공정이 수행되는데, 이 때의 하드마스크(11)는 SiO2를 포함하는 재질을 사용하여 PECVD(Plasma-Enhanced CVD)법에 의하여 증착한다. 도 4e는 상기 제 3단계의 하드마스크를 제거하고 PECVD법에 의하여 제 1 절연막층을 증착하는 제 4단계를 나타낸 것이며, 그 다음 비아를 형성하는데(제 5단계) CF4, CHF4 또는 Ar을 이용한 플라즈마 식각법에 의해 이루어진다(도 4f). 그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이 기판(1) 위에 형성된 콘택 패드(9)과 연결될 수 있도록 열전도선(5)을 형성하는 제 6단계는 스퍼터링에 의해 열전도선 금속을 증착하는 단계; 포토리소그래피 공정에 의해 원하는 열전도선 패턴을 형성하는 단계; 및 애싱(ashing)하는 단계를 포함하여 이루어진다. 열전도선(5)이 형성되면 도 4h와 같이 상기 제 5단계에 의해 증착된 제 1 절연막층(4)과 제 6단계에 의해 형성된 열전도선(5) 위에 제 2 절연막층(6)을 증착하게 되는데, 이 제 7단계는 PECVD법에 의해 절연막을 증착하는 단계; 포토리소그래피 공정에 의해 원하는 부위에만 절연막을 남기고 식각하는 단계; 및 애싱하는 단계를 포함하여 이루어진다. 그 다음 최상부층인 흡수투과층(7)을 형성하고(8단계, 도 4i), 마지막으로 O2 플라즈마 애싱 공정을 포함하는 릴리즈(release) 공정에 의하여 희생층(10)을 애싱하여 도 4j에 도시된 바와 같이 에어갭을 형성하는 제 9단계로 이루어 진다.
따라서, 본 발명의 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 및 그 제조방법은 광학 상수를 도출하고, 흡수된 적외선이 λ/4 에어터널에서 공명 흡수되도록 하는 볼로미터형 2층 구조의 적외선 센서를 제공함으로써 별도의 집광렌즈 없이 적외선의 중심 파장대에서 90% 이상의 흡수율을 가지며 유효 흡수면적(fill factor)이 80%이상인 고흡수율의 적외선 센서를 간단한 공정으로 제조할 수 있도록 함으로써 생산성을 향상시켜 산업용 검사 장비 뿐만 아니라 온도 분해능이 작은 정밀 측정 장비로도 활용할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 의한 적외선 센서의 단위 픽셀을 나타낸 개념도.
도 2는 도 1에 나타낸 적외선 센서 단위 픽셀의 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 적외선 센서의 흡수율을 나타낸 그래프.
도 4a 내지 도4j는 본 발명에 의한 적외선 센서의 제조방법을 나타낸 개념도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기판 2 : 반사금속층
3 : 앵커(anchor) 4 : 제 1 절연막층
5 : 열전도선 6 : 제 2 절연막층
7 : 흡수투과층 8 : 에치홀
9 : 콘택 패드 10 : 희생층

Claims (25)

  1. 검출회로(ROIC:Read Out IC) 기판(1);
    상기 기판(1)의 상부에 형성된 반사금속층(2);
    상기의 기판(1) 위에 형성된 적어도 한 쌍 이상의 앵커(anchor)(3);
    상기 반사금속층(2)과 에어갭(Air gap)을 사이에 두고 앵커(3)에 의해 지지되어 있는 제 1 절연막층(4);
    상기 제 1 절연막층(4) 위에 패턴화된 열전도선(5);
    상기의 열전도선(5)을 포함하는 제 1 절연막층(4) 위에 형성된 제 2 절연막층(6); 및
    상기 제 2 절연막층(6) 위에 형성된 흡수투과층(7)
    을 포함하는 단위 픽셀로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반사금속층(2)은 티타늄(Ti) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반사금속층(2)의 두께는 2500±500Å임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 에어갭의 높이는 1∼3.5㎛임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 절연막층(4)과 제 2 절연막층(6)은 SiO2로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  6. 제 1항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 절연막층(4)과 제 2 절연막층(6)의 두께가 300∼1500Å임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 절연막층(4), 제 2 절연막층(6) 및 흡수투과층(7)에는 열절연을 위해 폭 5㎛ 이내의 열절연용 커트(cut)가 형성되어 있음을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 절연막층(4), 제 2 절연막층(6) 및 흡수투과층(7)에는 지름 5㎛ 이내의 에치홀(etch hole)이 형성되어 있음을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 절연막층(4)과 제 2 절연막층(6) 사이에 형성되어 있는 열전도선(5)은 티타늄(Ti) 또는 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  10. 제 1항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 열전도선(5)은 두께 200∼2500Å로 패턴화됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  11. 제 1항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 열전도선(5)의 패턴 폭은 3∼9㎛임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 흡수투과층(7)은 티타늄(Ti)으로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  13. 제 1항 또는 제 12항에 있어서,
    상기 흡수투과층(7)의 두께는 40∼70Å임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 적외선 센서의 단위 픽셀을 이루는 각 층의 열시상수(Thermal Time Constant)는 33msec이내임을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서.
  15. 검출회로의 기판(1)위에 콘택 패드(9) 및 반사금속층(2)을 증착하는 제 1단계;
    상기 반사금속층(2) 위에 희생층(10)을 도포하는 제 2단계;
    하드마스크(hard mask)(11)를 이용하여 콘택 패드과 열전도선(5)이 연결되는 앵커(anchor) 부분을 식각하는 제 3단계;
    상기 제 3단계의 하드마스크(11)를 제거하고 제 1 절연막층(4)을 증착하는 제 4단계;
    비아를 형성하는 제 5단계;
    상기의 콘택 패드(9)과 연결되도록 열전도선(5)을 형성하는 제 6단계;
    상기 제 5단계에 의해 증착된 제 1 절연막층(4)과 제 6단계에 의해 형성된 열전도선(5) 위에 제 2 절연막층(6)을 증착하는 제 7단계;
    상기 제 2 절연막층(6) 위에 흡수투과층(7)을 형성하는 제 8단계; 및
    릴리즈(release) 공정에 의하여 희생층(10)을 애싱(ashing)하여 에어갭을 형성하는 제 9단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 콘택 패드 및 반사금속층(2)을 증착하는 제 1단계는 스퍼터링 공정에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2단계의 희생층(10)은 폴리이미드(polyimide) 또는 스핀 온 폴리머를 포함하는 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  18. 제 15항 또는 제 17항에 있어서,
    상기 희생층(10)은 스핀 코팅(spin coating)법에 의하여 도포됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 제 3단계의 하드마스크(11)는 SiO2를 포함하는 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  20. 제 15항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 하드마스크(11)는 PECVD(Plasma-Enhanced CVD)법에 의하여 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  21. 제 15항에 있어서,
    상기 제 4단계의 제 1 절연막층(4)은 PECVD법에 의하여 증착됨을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  22. 제 15항에 있어서,
    상기 비아를 형성하는 제 5단계는 CF4, CHF4 또는 Ar을 이용한 플라즈마 식각법에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  23. 제 15항에 있어서,
    상기 열전도선(5)을 형성하는 제 6단계는
    스퍼터링에 의해 열전도선 금속을 증착하는 단계;
    포토리소그래피 공정에 의해 원하는 열전도선 패턴을 형성하는 단계; 및
    애싱하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  24. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2 절연막층(6)을 증착하는 제 7단계는
    PECVD법에 의해 절연막을 증착하는 단계;
    포토리소그래피 공정에 의해 원하는 부위에만 절연막을 남기고 식각하는 단계; 및
    애싱하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  25. 제 15항에 있어서,
    상기 제 9단계의 릴리즈 공정은 O2플라즈마 애싱 공정에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 2층 구조의 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
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