KR100529432B1 - Apparatus for cleaning substrate of semiconductor - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판의 세정 장치에 관한 것으로, 개시된 반도체 기판 세정 장치는 베스 내부에 설치된 승강 리프트와, 승강 리프트의 상단에 연결되어 반도체 기판을 흡착하는 척과, 세정 및 건조 공정 중에 승강 리프트를 구동하여 베스 내에서 반도체 기판을 승강시키는 구동 수단과, 승강되는 반도체 기판을 향하여 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐과, 초순수가 분사되는 상태에서 반도체 기판을 향하여 소닉 웨이브를 분사하여 반도체 기판의 필름 속에 흡수된 오염물들과 파티클들을 제거하는 메가소닉 분사 노즐과, 승강되는 반도체 기판을 향하여 IPA를 분사하여 반도체 기판 상면의 잔류 파티클과 초순수를 제거하는 IPA 분사 노즐과, 승강되는 반도체 기판을 향하여 건조용 가스를 분사하여 건조시키는 가스 분사 노즐을 포함하며, 메가소닉과 IPA를 사용하여 반도체 기판을 세정 및 건조시킴으로써 종래 기술과는 달리 반도체 기판을 회전시키지 않음으로써 주위 환경에 영향을 주지 않고, 반도체 기판에 묻은 파티클들을 IPA의 휘발성을 이용하여 막을 형성한 후 제거함으로서 세정 효과가 향상되어 반도체 소자의 수율이 향상되는 이점이 있다.The present invention relates to a cleaning apparatus for a semiconductor substrate, and the disclosed semiconductor substrate cleaning apparatus includes a lifting lift installed inside a bath, a chuck connected to an upper end of the lifting lift to suck a semiconductor substrate, and driving a lifting lift during a cleaning and drying process. Driving means for elevating the semiconductor substrate in the bath, an ultrapure water spray nozzle for injecting ultrapure water toward the elevating semiconductor substrate, and a contaminant absorbed into the film of the semiconductor substrate by spraying sonic wave toward the semiconductor substrate in the state where the ultrapure water is injected. Megasonic spray nozzle for removing the particles and particles, IPA sprayed toward the elevating semiconductor substrate, IPA spray nozzle for removing residual particles and ultrapure water from the upper surface of the semiconductor substrate, and drying gas sprayed toward the elevating semiconductor substrate Megasonic including drying gas injection nozzle And the IPA is used to clean and dry the semiconductor substrate, unlike the prior art, by not rotating the semiconductor substrate without affecting the surrounding environment, and by removing the particles on the semiconductor substrate by forming a film using the volatility of the IPA The cleaning effect is improved, so that the yield of the semiconductor device is improved.

Description

반도체 기판의 세정 장치{APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR}Cleaning device for semiconductor substrates {APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR}

본 발명은 반도체 기판의 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메가소닉(Magasonic)과 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol; 이하 "IPA"라 함)을 사용하여 반도체 기판을 세정 및 건조하도록 한 반도체 기판의 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for a semiconductor substrate, and more particularly, to a semiconductor substrate for cleaning and drying the semiconductor substrate using megasonic and isopropyl alcohol (hereinafter referred to as "IPA"). It relates to a cleaning device.

주지와 같이, 최근 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 패턴의 크기 및 패턴들 사이의 간격이 매우 작아지고 있다. 이러한 미세 패턴을 구비하는 반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서, 반도체 기판, 즉 웨이퍼의 표면에 흡착된 오염입자를 제거하는 세정공정은 매우 중요하다고 할 수 있다. 이는, 웨이퍼의 표면에 오염입자가 존재할 경우 후속 공정시 패턴불량이 유발될 수 있으며, 오염입자가 도전막으로 이루어진 미세 패턴들 사이에 존재할 경우에는 반도체 소자의 오동작이 유발될 수 있기 때문이다. 따라서, 웨이퍼 표면에 존재하는 오염입자는 고집적 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 개선시키기 위하여 세정공정을 통하여 반드시 제거되어야 한다.As is well known, as semiconductor devices have recently been highly integrated, the size of the patterns and the spacing between the patterns have become very small. In the process of manufacturing a semiconductor device having such a fine pattern, it can be said that the cleaning process of removing contaminant particles adsorbed on the surface of the semiconductor substrate, that is, the wafer, is very important. This is because, when contaminant particles are present on the surface of the wafer, pattern defects may be caused in a subsequent process, and when the contaminant particles are present between fine patterns made of a conductive film, malfunction of the semiconductor device may be caused. Therefore, contaminants present on the wafer surface must be removed through a cleaning process in order to improve the yield and reliability of the highly integrated semiconductor device.

이와 같은 세정공정을 위한 종래 기술에 따른 세정 장치는 여러 가지 방식이 적용되어 있으며, 이러한 세정 장치들 중의 하나로서 화학처리제를 이용한 브러쉬 공정과 메가소닉(Magasonic)을 이용한 건조 공정을 포함하는 세정 장치(예, 상표명 IPEC 7700)가 있다.The cleaning apparatus according to the prior art for such a cleaning process is applied in a number of ways, one of such cleaning apparatus including a cleaning process including a brush process using a chemical treatment agent and a drying process using a megasonic (Magasonic) Yes, trade name IPEC 7700).

상기 브러쉬 공정 및 건조 공정을 포함하는 세정 장치를 이용한 세정 과정을 보다 상세히 설명하면, 먼저 웨이퍼 기판에 화학처리제를 분사한 상태에서 브러쉬로 기판 표면의 유기물(파티클 등)을 제거하며, 이후 스핀 린스 건조 공정을 통해 반도체 기판을 건조시켜 세정 공정을 완료한다.The cleaning process using the cleaning apparatus including the brush process and the drying process will be described in more detail. First, the organic matter (particles, etc.) on the surface of the substrate is removed with a brush in a state in which a chemical treatment agent is injected onto the wafer substrate, and then spin rinsed The semiconductor substrate is dried through the process to complete the cleaning process.

여기서, 스핀 린스 건조 공정은 웨이퍼 기판을 세척한 후에 강한 회전을 통하여 웨이퍼 기판의 표면 물기를 제거하는 공정으로서, 이를 위한 세정 장치는 세정 챔버의 내부에 반도체 기판을 흡착하는 척(Chuck)이 설치되고, 척을 회전시킬 수 있도록 구동 수단이 구비되며, 세정 챔버의 일측에 초순수(D.I water)를 분사할 수 있도록 노즐이 설치되고, 세정 챔버의 다른 일측에 고주파수의 소닉 웨이브를 분사할 수 있도록 메가소닉 암이 설치된다.Here, the spin rinse drying process is a process of removing the surface moisture of the wafer substrate through a strong rotation after cleaning the wafer substrate, the cleaning apparatus for this is provided with a chuck that sucks the semiconductor substrate inside the cleaning chamber A driving means is provided to rotate the chuck, and a nozzle is installed at one side of the cleaning chamber to spray ultra pure water, and megasonic to spray a high frequency sonic wave at the other side of the cleaning chamber. The arm is installed.

스핀 린스 건조 공정은 구동 수단에 의하여 회전되는 척의 원심력을 이용하여 반도체 기판 상의 물기를 밖으로 밀어내는 방식으로 진행되는데, 이때 초순수가 먼저 반도체 기판 상에 분사된 상태에서 소닉 웨이브가 분사되고, 최종적으로 다시 초순수가 분사된다. 소닉 웨이브에 의하여 필름 속에 흡수된 오염물들과 파티클들이 동시에 제거되며, 초순수는 반도체 기판을 최종적으로 세정하는 최종 린스 기능을 발휘한다. 물론 최종적으로 분사된 초순수는 척의 강한 회전에 따라 깨끗이 제거된다.The spin rinse drying process is performed by pushing out the moisture on the semiconductor substrate by using the centrifugal force of the chuck rotated by the driving means, in which the sonic wave is sprayed with the ultrapure water first sprayed onto the semiconductor substrate, and finally again. Ultrapure water is injected. Contaminants and particles absorbed in the film by the sonic wave are simultaneously removed, and ultrapure water has a final rinse function that finally cleans the semiconductor substrate. Of course, the final injection of ultrapure water is removed by the strong rotation of the chuck.

그러나, 상기한 바와 같이 스핀 건조 공정을 포함하는 종래 기술에 따른 세정공정은 척의 강한 회전에 의하여 반도체 기판의 주변에 파티클이 날리는 현상과 초순수가 튀기는 현상 등이 수반되어 반도체 소자의 수율을 저하시키는 요인을 제공하는 문제점이 있었다.However, the cleaning process according to the prior art including the spin drying process, as described above, causes the particles to fly around the semiconductor substrate due to the strong rotation of the chuck and the phenomenon that the ultrapure water is splashed to reduce the yield of the semiconductor device. There was a problem to provide.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안한 것으로, 메가소닉과 IPA를 사용하여 반도체 기판을 세정 및 건조시켜 반도체 기판을 회전시키지 않음으로써 주위 환경에 영향을 주지 않도록 한 반도체 기판의 세정 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve such a conventional problem, and a cleaning apparatus for a semiconductor substrate, which does not affect the surrounding environment by not rotating the semiconductor substrate by cleaning and drying the semiconductor substrate using megasonic and IPA. The purpose is to provide.

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이와 같은 목적들을 실현하기 위한 본 발명에 따른 반도체 기판의 세정 장치는, 반도체 기판의 세정 및 건조 공정을 위한 세정 장치에 있어서, 베스 내부에 설치된 승강 리프트와, 상기 승강 리프트의 상단에 연결되어 상기 반도체 기판을 흡착하는 척과, 상기 세정 및 건조 공정 중에 상기 승강 리프트를 구동하여 상기 베스 내에서 상기 반도체 기판을 승강시키는 구동 수단과, 상기 베스의 하부에서 상기 승강 리프트에 의해 상승되는 반도체 기판을 향하여 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐과, 상기 초순수가 분사되는 상태에서 상기 반도체 기판을 향하여 소닉 웨이브를 분사하여 상기 반도체 기판의 필름 속에 흡수된 오염물들과 파티클들을 제거하는 메가소닉 분사 노즐과, 상기 초순수 및 소닉 웨이브의 분사 후 상기 승강 리프트에 의해 상승하는 상기 반도체 기판을 향하여 IPA를 분사하여 상기 반도체 기판 상면의 잔류 파티클과 상기 초순수를 제거하는 IPA 분사 노즐과, 상기 IPA의 분사 후 상기 승강 리프트에 의해 상승하는 상기 반도체 기판을 향하여 건조용 가스를 분사하여 건조시키는 가스 분사 노즐을 포함한다.In the cleaning apparatus for a semiconductor substrate according to the present invention for realizing the above objects, a cleaning apparatus for a cleaning and drying process of a semiconductor substrate, comprising: a lift lift provided in a bath, and connected to an upper end of the lift lift to the semiconductor; Ultrapure water toward the chuck for adsorbing the substrate, the driving means for driving the lift lift to lift the semiconductor substrate in the bath during the cleaning and drying process, and the semiconductor substrate lifted by the lift lift under the bath. An ultrapure water jet nozzle for injecting, a megasonic jet nozzle for injecting sonic waves toward the semiconductor substrate while the ultrapure water is jetted, and removing contaminants and particles absorbed in the film of the semiconductor substrate, and the ultrapure water and sonic wave After the injection of the lifting by the lifting lift IPA injection nozzle for spraying the IPA toward the semiconductor substrate to remove the residual particles and the ultrapure water on the upper surface of the semiconductor substrate, and spraying drying gas toward the semiconductor substrate rising by the lifting lift after the injection of the IPA And a gas injection nozzle for drying.

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본 발명의 실시예로는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 실시예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 보다 잘 이해할 수 있게 된다.There may be a plurality of embodiments of the present invention. Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. This embodiment allows for a better understanding of the objects, features and advantages of the present invention.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판 세정 장치의 구성도로서, 화학처리제를 이용한 브러쉬 공정과 메가소닉(Magasonic)을 이용한 건조 공정을 포함하는 세정 장치에 있어서, 메가소닉을 이용한 건조 공정의 수행을 위한 세정 장치, 즉 건조 장치로 적용될 수 있다.1 and 2 are schematic diagrams of a semiconductor substrate cleaning apparatus according to the present invention, in which a cleaning apparatus including a brush process using a chemical treatment agent and a drying process using a megasonic is provided. It can be applied as a cleaning device, i.

본 발명에 따른 반도체 기판 세정 장치는, 베스(110) 내부의 대략 중앙 영역에 구동 수단(120)에 의하여 작동하는 승강 리프트(130)가 설치되고, 승강 리프트(130)의 상단에 반도체 기판(W)을 흡착하는 척(140)이 연결 각도가 조절 가능하게 연결되며, 승강 리프트(130)와 척(140)의 연결 부위에 구동 수단(120)에 의하여 작동하여 상기 연결 각도를 조절하는 각도 조절 모터(150)가 설치되고, 상기 중앙영역을 향하여 질소(N2)를 분사하는 한 쌍의 질소 분사 노즐(160, 165)이 베스(110)의 측벽 상부에 설치되며, 상기 중앙 영역을 향하여 IPA를 분사하는 한 쌍의 IPA 분사 노즐(170, 175)이 베스(110) 측벽의 질소 분사 노즐(160, 165) 하부에 설치되고, 상기 중앙 영역을 향하여 소닉 웨이브를 분사하는 메가소닉 분사 노즐(180)이 베스(110) 측벽의 IPA 분사 노즐(170, 175) 하부에 설치되며, 상기 중앙 영역을 향상하여 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐(190)이 베스(110) 측벽의 메가소닉 분사 노즐(180) 하부에 설치된다.In the semiconductor substrate cleaning apparatus according to the present invention, the lifting lift 130 that is operated by the driving means 120 is installed in an approximately center region inside the bath 110, and the semiconductor substrate W is disposed on the upper end of the lifting lift 130. Chuck 140 is adsorbed to connect the adjustable angle, the angle adjustment motor to operate by the drive means 120 to the connection portion of the lift lift 130 and the chuck 140 to adjust the connection angle 150 is installed, a pair of nitrogen injection nozzles 160, 165 for injecting nitrogen (N2) toward the central region is installed on the side wall of the bath 110, and the IPA is injected toward the central region A pair of IPA spray nozzles 170 and 175 are installed below the nitrogen spray nozzles 160 and 165 on the sidewalls of the bath 110, and the megasonic spray nozzles 180 spraying the sonic wave toward the central region are provided. Installed under the IPA injection nozzles 170 and 175 on the sidewalls of the bath 110, Ultra-pure water spray nozzle 190 to the center region to increase the group injected ultrapure water is provided at the lower bath 110 megasonic injection nozzle 180 of the side wall.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 기판의 세정 장치에 의한 반도체 기판의 세정 과정을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the cleaning process of the semiconductor substrate by the cleaning apparatus of the semiconductor substrate according to the present invention configured as described above will be described in detail.

먼저, 별도의 세정 장치를 이용하여 반도체 기판에 화학처리제를 분사한 상태에서 브러쉬로 기판 표면의 유기물(파티클 등)을 제거하며, 건조 공정의 진행을 위하여 반도체 기판을 본 발명의 세정 장치로 이송한다.First, in a state in which a chemical treatment agent is sprayed onto a semiconductor substrate using a separate cleaning apparatus, organic matter (particles, etc.) on the surface of the substrate is removed with a brush, and the semiconductor substrate is transferred to the cleaning apparatus of the present invention for the progress of the drying process. .

이때, 이송 장치는 반도체 기판(W)을 베스(110) 내부에 위치하는 척(140)의 상부에 안착시키며, 척(140)은 반도체 기판(W)의 뒷면을 흡착하여 취부한다.In this case, the transfer apparatus seats the semiconductor substrate W on the upper portion of the chuck 140 located inside the bath 110, and the chuck 140 sucks and mounts the rear surface of the semiconductor substrate W.

구동 수단(120)에 의하여 승강 리프트(130)가 하강 구동되어 척(140)을 베스(110)의 하부로 하강시키며, 이때 구동 수단(120)에 의하여 각도 조절 모터(150)가 구동되어 반도체 기판(W)이 메가소닉 분사 노즐(180)과 초순수 분사 노즐(190)을 향하도록 각도가 조절된다.The lifting lift 130 is driven downward by the driving means 120 to lower the chuck 140 to the lower portion of the bath 110. In this case, the angle adjusting motor 150 is driven by the driving means 120 to drive the semiconductor substrate. The angle is adjusted so that (W) faces the megasonic spray nozzle 180 and the ultrapure water spray nozzle 190.

초순수 분사 노즐(190)은 베스(110)의 중앙 영역에 배치된 반도체 기판(W)을 향하여 초순수를 분사하며, 반도체 기판(W)에 초순수가 분사되는 상태에서 메가소닉 분사 노즐(180)은 소닉 웨이브를 반도체 기판(W)을 향하여 분사한다. 이때 소닉 웨이브에 의하여 필름 속에 흡수된 오염물들과 파티클들이 동시에 제거된다.The ultrapure water spray nozzle 190 sprays ultrapure water toward the semiconductor substrate W disposed in the center region of the bath 110, and the megasonic spray nozzle 180 is sonic in a state where ultrapure water is injected onto the semiconductor substrate W. The wave is sprayed toward the semiconductor substrate W. At this time, contaminants and particles absorbed into the film by the sonic wave are simultaneously removed.

다음으로, 구동 수단(120)에 의하여 승강 리프트(130)가 상승 구동되어 척(140)을 베스(110)의 상부쪽으로 상승시키며, 이때 구동 수단(120)에 의하여 각도 조절 모터(150)가 구동되어 반도체 기판(W)이 베스(110)의 바닥면과 수평을 이루도록 각도가 조절된다.Next, the lift lift 130 is driven upward by the drive means 120 to raise the chuck 140 toward the upper portion of the bath 110, and the angle adjustment motor 150 is driven by the drive means 120. The angle is adjusted such that the semiconductor substrate W is horizontal with the bottom surface of the bath 110.

이때, IPA 분사 노즐(170, 175)은 베스(110)의 중앙 영역에 배치된 반도체 기판(W)을 향하여 IPA를 분사하며, 분사된 IPA에 의하여 반도체 기판(W) 상면의 잔류 파티클과 초순수가 제거된다. 여기서 IPA의 분사는 소정 주기를 두고 분사 및 정지를 반복하며, 이로서 반도체 기판(W)에 묻은 파티클을 타격하여 막을 형성하여 제거시킨다.At this time, the IPA spray nozzles 170 and 175 spray the IPA toward the semiconductor substrate W disposed in the center region of the bath 110, and the remaining particles and the ultrapure water of the upper surface of the semiconductor substrate W are sprayed by the sprayed IPA. Removed. In this case, the IPA is repeatedly sprayed and stopped at predetermined intervals, thereby striking the particles on the semiconductor substrate W to form and remove a film.

최종적으로, 구동 수단(120)에 의하여 승강 리프트(130)가 상승 구동되어 척(140)을 베스(110)의 최상부로 상승시키며, 이때 질소 분사 노즐(160, 165)은 반도체 기판(W)을 건조시키기 위하여 베스(110)의 중앙 영역을 향하여 건조용 가스로서 질소를 분사하여 반도체 기판(W)을 건조시킨다.Finally, the lift lift 130 is driven up by the drive means 120 to raise the chuck 140 to the top of the bath 110, wherein the nitrogen injection nozzles 160 and 165 lift the semiconductor substrate W. To dry, the semiconductor substrate W is dried by spraying nitrogen toward the central region of the bath 110 as a drying gas.

상기에서는 본 발명의 일 실시예에 국한하여 설명하였으나 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다고 하여야 할 것이다.In the above description, but limited to one embodiment of the present invention, it is obvious that the technology of the present invention can be easily modified by those skilled in the art. Such modified embodiments should be included in the technical spirit described in the claims of the present invention.

전술한 바와 같이 본 발명은 메가소닉과 IPA를 사용하여 반도체 기판을 세정 및 건조시킴으로써 종래 기술과는 달리 반도체 기판을 회전시키지 않음으로써 주위 환경에 영향을 주지 않는다.As described above, the present invention does not affect the surrounding environment by rotating the semiconductor substrate, unlike the prior art, by cleaning and drying the semiconductor substrate using megasonic and IPA.

또한, 반도체 기판에 묻은 파티클들을 IPA의 휘발성을 이용하여 막을 형성한 후 제거함으로서 세정 효과가 향상되어 반도체 소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.In addition, by removing the particles deposited on the semiconductor substrate after forming a film using the volatility of the IPA, the cleaning effect is improved to improve the yield of the semiconductor device.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판 세정 장치의 구성도.1 and 2 are configuration diagrams of a semiconductor substrate cleaning apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

W : 반도체 기판 110 : 베스W: semiconductor substrate 110: bath

120 : 구동 수단 130 : 승강 리프트120: drive means 130: lifting lift

140 : 척 150 : 각도 조절 모터140: chuck 150: angle adjustment motor

160, 165 : 질소 분사 노즐 170, 175 : IPA 분사 노즐160, 165: nitrogen injection nozzle 170, 175: IPA injection nozzle

180 : 메가소닉 분사 노즐 190 : 초순수 분사 노즐180: megasonic spray nozzle 190: ultrapure water spray nozzle

Claims (9)

반도체 기판의 세정 및 건조 공정을 위한 세정 장치에 있어서,In the cleaning apparatus for the cleaning and drying process of the semiconductor substrate, 베스 내부에 설치된 승강 리프트와,A lifting lift installed inside the bath, 상기 승강 리프트의 상단에 연결되어 상기 반도체 기판을 흡착하는 척과,A chuck connected to an upper end of the lift lift to suck the semiconductor substrate; 상기 세정 및 건조 공정 중에 상기 승강 리프트를 구동하여 상기 베스 내에서 상기 반도체 기판을 승강시키는 구동 수단과,Driving means for elevating the semiconductor substrate in the bath by driving the elevating lift during the cleaning and drying process; 상기 베스의 하부에서 상기 승강 리프트에 의해 상승되는 반도체 기판을 향하여 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐과,An ultrapure water spray nozzle for injecting ultrapure water toward a semiconductor substrate that is lifted by the lifting lift from the bottom of the bath; 상기 초순수가 분사되는 상태에서 상기 반도체 기판을 향하여 소닉 웨이브를 분사하여 상기 반도체 기판의 필름 속에 흡수된 오염물들과 파티클들을 제거하는 메가소닉 분사 노즐과,A megasonic spray nozzle which sprays a sonic wave toward the semiconductor substrate in the state where the ultrapure water is sprayed to remove contaminants and particles absorbed in the film of the semiconductor substrate; 상기 초순수 및 소닉 웨이브의 분사 후 상기 승강 리프트에 의해 상승하는 상기 반도체 기판을 향하여 IPA를 분사하여 상기 반도체 기판 상면의 잔류 파티클과 상기 초순수를 제거하는 IPA 분사 노즐과,An IPA injection nozzle for spraying IPA toward the semiconductor substrate rising by the lifting lift after the injection of the ultrapure water and the sonic wave to remove residual particles and the ultrapure water from the upper surface of the semiconductor substrate; 상기 IPA의 분사 후 상기 승강 리프트에 의해 상승하는 상기 반도체 기판을 향하여 건조용 가스를 분사하여 건조시키는 가스 분사 노즐을 포함하는 반도체 기판의 세정 장치.And a gas injection nozzle for spraying and drying a drying gas toward the semiconductor substrate rising by the lift lift after the injection of the IPA. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 승강 리프트와 상기 척은 각도 조절 모터에 의하여 연결 각도가 조절 가능하게 연결되며, 상기 반도체 기판의 승강시 상기 구동 수단은 상기 각도 조절 모터를 구동하여 상기 연결 각도를 조절하는 것을 특징으로 한 반도체 기판의 세정 장치.The elevating lift and the chuck are connected to each other so that the connection angle is adjustable by an angle adjusting motor, and when the elevating of the semiconductor substrate, the driving means drives the angle adjusting motor to adjust the connecting angle. Cleaning device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 분사 노즐은 상기 건조용 가스로서 질소를 분사하는 것을 특징으로 한 반도체 기판의 세정 장치.And said gas injection nozzle injects nitrogen as said drying gas. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 분사 노즐은 상기 베스의 측벽 상부에 설치되며, 상기 IPA 분사 노즐은 상기 베스 측벽의 상기 가스 분사 노즐 하부에 설치되고, 상기 메가소닉 분사 노즐은 상기 베스 측벽의 상기 가스 분사 노즐 하부에 설치되며, 상기 초순수 분사 노즐은 상기 베스 측벽의 상기 메가소닉 분사 노즐 하부에 설치된 것을 특징으로 한 반도체 기판의 세정 장치.The gas injection nozzle is installed above the side wall of the bath, the IPA injection nozzle is installed under the gas injection nozzle of the side wall of the bath, the megasonic injection nozzle is installed below the gas injection nozzle of the side wall of the bath And the ultrapure water jet nozzle is disposed under the megasonic jet nozzle on the side wall of the bath. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가스 분사 노즐과 IPA 분사 노즐은 각각 한 쌍이 설치되고, 상기 메가소닉 분사 노즐과 초순수 분사 노즐은 각각 하나씩 설치된 것을 특징으로 한 반도체 기판의 세정 장치.And a pair of gas injection nozzles and an IPA injection nozzle, respectively, and one megasonic injection nozzle and one ultrapure water injection nozzle are respectively provided. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 IPA 분사 노즐은 소정 주기를 두고 분사 및 정지를 반복하여 상기 반도체 기판에 묻은 파티클을 타격하여 막을 형성하여 제거하는 것을 특징으로 한 반도체 기판의 세정 장치.And the IPA spray nozzle repeats spraying and stopping at predetermined intervals to blow particles formed on the semiconductor substrate to form and remove a film. 삭제delete 삭제delete 삭제delete