KR100527861B1 - 신규의 고밀도 데이터 저장 매체용 시아닌-ｔｃｎｑ 염료 - Google Patents

신규의 고밀도 데이터 저장 매체용 시아닌-ｔｃｎｑ 염료 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식을 가지며, 데이터 저장 매체로 사용되는 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II), 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 중 둘 이상의 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물을 제공한다:
(I)
상기 식에서 Q 및 Q'는 방향족 또는 폴리방향족이고, R1 및 R2가 알킬, 아릴에스테르, 알콕시, 알킬티오, 및 알콕시티오 등으로 이루어진 군에서 선택되고, n이 0, 1, 2, 및 3 중의 하나인 정수를 나타내고, TCNQ-m이 7, 7', 8, 8'-테트라시아노퀴노디메탄 및 그 유도체들을 나타내고, m이 1 또는 2인 정수를 나타낸다. 이들은 적절한 공정을 거쳐 반사 광 기록 매체 및 비반사 형광 광 기록 매체용 기록층 재료로서 사용될 수 있다.

Description

신규의 고밀도 데이터 저장 매체용 시아닌-ＴＣＮＱ 염료{Novel cyanine-TCNQ dye for high density data storage media}
본 발명은 λ=400~800nm의 가시광선 영역에서 상당히 큰 흡광도 및 고형광 양자 효율 (high fluorescent quantum efficiency)을 가지며, 데이터 저장 매체로서 사용되며, 적절한 공정을 거쳐 반사 광 기록 매체 및 비반사 형광 광 기록 매체용 기록층 재료로 사용될 수 있는 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공한다.
최근에는 보다 높은 저장 밀도, 보다 작은 크기 및 보다 저렴한 비용의 저장 매체에 대한 요구가 강하다. 자기 저장 매체가 상기 요건들을 만족시킬 수 없기때문에, 대체물로 광저장 물질이 많이 탐색되고 있다. 유기 염료가 감광제 (photosensitizer) 및 광 기록 매체의 장점 및 특징을 결비하고 있는 것으로 알려져 있고, 이미 고도로 개발되고 전자 산업용으로 개발되었다. 유기 염료의 응용분야로는 예를 들면, 비선형 광학 장치, 광디스크 데이터의 기록 및 표시, 포토레지스트 (photoresist), 에너지의 전달 및 저장 시에 열, 광, 및 전자에 대한 센서 및 인디케이터, 의약 및 생물학 등의 분야가 있다.
시아닌 구조를 가지는 시아닌 블루 (cyanine blue)는 Greville Williams에 의해 1856년에 최초로 합성되었다 (K. Venkataraman (ed), The Chemistry of Synthetic Dyes, Vol.II, pp.1143-1186, Academic Press, New York, 1952). 1875년에 Vogel은 시아닌 블루가 특이한 감광성을 가지는 것을 발견하였다. 그러므로, 원래 직물용 염료로 사용된 시아닌 블루가 상당한 부가가치를 가지는 감광제로 되었다. 시아닌 염료는 구조의 변화에 따라 자외선/가시광선으로부터 적외선까지 이르는 영역에서 감광성을 나타낸다. 그러므로, 시아닌 염료는 사진용 감광제 외에도 전자 산업에서 포토레지스트 또는 광저장 매체용 감광제로서도 사용될 수 있다.
시아닌 TCNQ 복합체는 1967년에 Lupinski 등에 의해 최초로 합성되었다 ("Tetracyanoquinodimethane Derivatives of Cyanine Dyes", Vol. 3, pp.241-250, Molecular Crystals, Great Britain, 1967). 1981년에, Law 등이 광디스크 제조용으로 3,3'-디에틸-12-아세틸-티아테트라시아닌 퍼클로레이트를 최초로 제안하였다 (K. Y. Law, P.S. Vincett, 및 G.E. Johnson, Appl. Phys. Lett., 39, 718 (1981)). 시아닌 염료 및 PVAc (poly(vinyl acetate))를 먼저 혼합한 후, 스핀-코팅하여 (spin-coat) 광 기록 매체를 만들었다. 이런 적용예가 성공한 후에, 미합중국 특허 제5,019,476호, 제5,292,615호, 제5,328,802호, 5,332,608호, 제5,424,171호, 5,455,094호 및 제5,579,150가 등에 개시된 바와 같은 여러 종류의 시아닌 염료가 광디스크용으로 개발되었다. 미합중국 특허 제5,019,476호, 제5,292,615호, 제5,328,802호, 5,332,608호, 제5,424,171호, 및 5,455,094호에서 음이온은 일반적인 통상의 할라이드 (halide)의 하나로서, PF6 및 ClO4 등이다.
폴리메틴 (polymethine) 구조를 갖는 유기 화합물은 광안정성이 나쁘다는 문제점을 가진다. 또한 일반적인 시아닌 염료는 이런 종류의 화합물에 속하기 때문에 동일한 문제점을 가진다. 그러므로, 광안정성을 가진 새로운 유형의 시아닌 염료를 개발할 필요가 있다. 1999년에, 일본 후지필름사에서 도핑법 (doping method)의 이용에 대한 시도가 있었다 (Shin-ichi Morishima 등, Ppn. J.Appl. Phys. Vol. 38 (1999), pp.1634-1637). 염료에 중성 TCNQ 유도체를 첨가하면 염료의 광안정성이 증가되지만, TCNQ가 통상의 유기 용매에 잘 용해되지 않으므로 도핑 염료 제제 (formulation)의 함량은 제한된다. 그러므로 안정 효과 또한 제한된다.
그러므로, 본 발명의 목적은 전술한 문제점을 극복하기 위한 것이다.
상기 문제점을 피하기 위해서, 본 발명은 단파장 (200nm~400nm) 및 근적외선 영역 (800nm~1000nm)에서 고흡광도를 가지며 자외선 및 싱글렛 (singlet) 산소에 의한 염료 손상에 대하여 내성을 나타내는, 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 염료의 산화를 방지할 정도로 높은 산화 포텐셜을 가지고 있는, 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 1차 흡광 위치를 400~800nm의 파장 범위로 조절할 수 있고 고 형광 양자 효율을 가질 수 있는, 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 염료가 우수한 광안정성을 가지기 때문에 어떠한 광안정화제의 첨가도 필요로 하지 않는, 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공하는 것이다 (내광성: 3000 W Xe 램프로 1200분간 조사, CNR ≥ 35dB, 635nm의 파장에서 광디스크에 대한 굴절율 (reflection index)의 변화가 1%보다 작음).
본 발명의 또 다른 목적은 어떠한 광안정화제의 첨가도 필요로 하지 않기 때문에 제조 비용을 줄일 수 있는, 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유기 용매에 대해 보다 높은 용해도를 갖는 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 다음의 화학식 1의 구조를 가지는 데이터 저장 매체용 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 제공한다:
상기 식에서, Q 및 Q'는 방향족 또는 폴리방향족이고, R1 및 R2가 알킬, 아릴에스테르, 알콕시, 알킬티오, 및 알콕시티오 등 중의 하나이고, n은 0, 1, 2, 및 3 중의 하나인 정수를 나타내고, TCNQ-m은 7, 7', 8, 8'-테트라시아노퀴노디메탄 및 그 유도체들이고, m은 1 또는 2인 정수이다. 이러한 염료는 λ=400nm~800nm의 가시광선 영역에서 상당히 많은 흡광도 및 고 형광 양자 효율을 가지며, 적절한 공정을 거쳐 반사 광 기록 매체 및 비반사 형광 광 기록 매체용 기록층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명은 TXNQ 분자와 시아닌 염료를 결합하여 복합체를 형성하는 것으로서, 그 복합체 구조는 광안정성 및 유기 용매에 대해 우수한 용해도를 가진다.
본 발명에서 시아닌-TCNQ 복합 염료의 화학 구조식 (I)은 도 1에 도시된 바와 같고, 화학식 (I)에서 Q 및 Q'는 방향족 또는 폴리방향족이고, R1 및 R2가 알킬, 아릴에스테르, 알콕시, 알킬티오, 및 알콕시티오 등 중의 하나이고, n은 0, 1, 2, 및 3 중의 하나인 정수를 나타내고, TCNQ-m은 7, 7', 8, 8'-테트라시아노퀴노디메탄 및 그 유도체들이고, m은 1 또는 2인 정수이다.
도 2는 상기 화학식 (I)에서, n=1, R1이 -CH2C6H4COOCH3 , R2가 n-부틸기인 시아닌-TCNQ 염료 (II)를 도시한 것이고; 도 3은 n=1, R1 및 R2가 -CH2C6 H4COOCH3인 시아닌-TCNQ 염료 (III)를 도시한 것이고; 도 4는 n=2, R1 및 R2가 -CH2C 6H4COOCH3인 시아닌-TCNQ 염료 (IV)를 도시한 것이다.
본 발명은 시아닌 염료 상에 TCNQ 분자를 결합하여 안정한 전하 이동 복합체를 형성하는 것이다. 상기 복합체는 200nm~400nm 파장의 자외선 영역 및 800nm~1000nm 파장의 근적외선 영역에서 우수한 흡광도를 가지며; 이는 에너지를 이동시키는 전하 이동 및 형광 조사 경로를 통해 화학 결합을 파괴할 수 있는 능력을 가지는 단파장 광원 (파장이 400nm보다 작음)을 제거할 수 있다. 그 외에도, 시아닌-TCNQ 전하 이동 복합체가 통상의 시아닌 할라이드인, 시아닌 ClO4, 시아닌 PF6 복합체의 산화 포텐셜 보다 높은 산화 포텐셜을 가지는데, 이는 산화 포텐셜이 높다는 것은 TCNQ가 시아닌 염료의 주된 부위 (main part)를 공격하는 싱글렛 산소를 보다 잘 저해하는 능력을 보유한다는 것을 의미하기 때문에, 시아닌 염료의 광안정성을 증가시킴으로써 시아닌 염료에 광안정화제를 첨가하는데서 기인하는 문제점을 극복할 수 있다. 본 발명에서는 시아닌 염료를 실시예로 기술한다.
본 발명에서 상기 새로운 유형의 시아닌 TCNQ 복합 염료의 제조 방법은 먼저, 치환된 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트를 합성하는데, 이는 피리딘을 포함하는 벤젠 중에서 메탄올과 4-클로로메틸 벤조일 클로라이드를 40℃~60℃에서 수 시간 반응시킨 후, 염소를 소듐 요오다이드로 치환함으로써 얻었다.
2,3,3-트리메틸-4,5-벤조-3H-인돌과 치환된 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트를 벤젠 중에서 80℃~100℃에서 3~8시간 반응시킨 후에, 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3- 트리메틸-4,5-벤조- 3H-인돌리움 요오다이드를 얻었다. 그 후, 벤젠 중에서 2,3,3-트리메틸 인돌레닌과 요오도부탄을 80℃~100℃에서 3~8시간 반응시켜 1-부틸- 2,3,3- 트리메틸 인돌레닌을 합성했다. 그 후, 무수 아세트산 중에서 N,N'- 디페닐포름아미딘과 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3- 트리메틸-4,5-벤조- 3H-인돌리움 요오다이드를 함께 100℃~120℃에서 1~3시간 반응시켜 화합물 (A)를 얻었다. 그 후, 무수 아세트산 중에서 1-부타닐-2,3,3- 트리메틸인돌레닌, 화합물 (A), 및 소듐 아세테이트를 100℃~120℃에서 1~3시간 가열한 후, 요오다이드를 LiTCNQ로 치환하여 (LiTCNQ의 합성은 L. R. Melby 등, J. Am. Chem. Soc., 84, p.3374, (1962)에 따름) 2-[3-(1,3-디히드로-1,1-디메틸-3-(4'-메톡시카르보닐)- 벤질-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴) -1-프로페닐] 1,1-디메틸-3-부틸- 1H 인돌리움 TCNQ인 화합물 (B)를 얻었다.
본 발명에서, 합성된 새로운 타입의 시아닌 TCNQ 복합 염료는 알콜류 (예를 들면, 메탄올, 에탄올, 및 이소프로필 알콜 등), 케톤류 (아세톤 및 메틸 에틸 케톤 (MEK) 등), 에테르류 (디에틸 에테르, 및 테트라히드로퓨란 등), 클로로포름, 디클로로메탄, 및 DMF 등의 유기 용매에 용해된다. 그러므로, 본 염료는 스퍼트 코팅 (spurt coating), 압연 (roll-pressure) 코팅, 디핑 (dip) 또는 스핀 코팅 등의 방법을 이용하여 시아닌 TCNQ 복합 염료를 포함하는 박막 (thin layer)을 형성할 수 있다. TNCQ 분자를 시아닌 염료에 결합시켜서 안정한 복합체를 형성하는 것이 중요한데, 이는 시아닌 TCNQ 복합체가 통상의 시아닌 할라이드인 시아닌 ClO4, 시아닌 PF6 복합체의 산화 포텐셜 보다 높은 산화 포텐셜을 가지기 때문이며, TCNQ의 산화 포텐셜이 높다는 것은 TCNQ가 시아닌 염료의 주된 부위를 공격하는 싱글렛 산소를 보다 잘 저해하는 능력을 보유한다는 것을 의미한다. 시아닌 염료의 광안정성을 증가시킴으로써 시아닌 염료에 광안정화제를 첨가하는데서 발생하는 문제점을 극복할 수 있다.
본 발명의 새로운 유형의 시아닌 TCNQ 복합 염료는 광 기록 매체 재료로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 은염 사진 (silver salt photo), 복사 기록 및 인쇄용 고성능 민감제로서 사용될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적, 또 다른 목적, 특징, 및 장점들을 명확히 이해하기 위해, 본 발명을 첨부된 도면 뿐만 아니라 하기 실시예들 및 응용예들에 의해 상세하게 설명한다. 다음의 실시예를 이용하여 본 발명의 새로운 유형의 시아닌 TCNQ 복합 염료를 제조하는 방법을 상세히 설명한다.
실시예
[실시예 1, 제조예]
도 2에 도시된 화학 구조식을 갖는 SL 시아닌 TCNQ 염료인 2-[3-(1,3-디히드로-1,1-디메틸-3(4'-메톡시카르보닐) -벤질-2H- 벤즈[e]인돌-2-일리덴) -1-프로페닐] 1,1-디메틸-3-부틸 -1H 인돌리움 TCNQ (약자로 SL-TCNQ)의 제조는 다음과 같은 공정을 통해 이루어진다:
(a) 도 3에 도시된 구조식을 갖는 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트 (약자로 MIB)의 제조:
벤젠 (25mL) 중의 4-클로로메틸벤조일 클로라이드 (TCI Chemical) (1.89g), 메탄올 (0.32g), 및 피리딘 (0.791g) 혼합 용액을 45℃에서 1~3시간 가열하고, 여과하고 증발시켜서 백색 고체를 얻었다. 백색 고체를 아세톤에 용해시키고 소듐 요오다이드 (sodium iodide)를 첨가한 후, 그 혼합물을 40℃에서 3~5시간 가열하고, 여과하고, 디클로로메탄 및 물로부터 추출하고, 증발시켜서 엷은 황색 고체를 얻었다. 수율은 90%이고, 융점은 67℃였다.
(b) 도 4에 도시된 구조식을 갖는 1-부틸-2,3,3-트리메틸 인돌레니늄 요오다이드 (약자로 BII)의 제조:
벤젠 중의 요오도부탄 (TCI Chemical) (2.76g) 및 2,3,3-트리메틸 인돌레닌 (TCI Chemical) (2.38g)의 혼합 용액을 80℃~85℃에서 4시간 가열했다. 그 용액을 증발시키고 에틸 아세테이트로부터 재결정하여 엷은 황색 결정을 얻었다. 수율은 85%이고, 융점은 102℃였다.
(c) 도 5에 도시된 구조식을 갖는 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸 -4,5-벤조-3H-인돌레니늄 요오다이드 (약자로 MBTI)의 제조:
벤젠 중의 MIB (2.76g) 및 2,3,3- 트리메틸-4,5-벤조- 3H-인돌 (TCI Chemical) (1.75g)의 혼합 용액을 80℃~90℃에서 4~8시간 가열했다. 그 용액을 증발시키고 메탄올로부터 재결정하여 엷은 회색 결정을 얻었다. 수율은 75%이고, 융점은 120℃였다.
(d) 도 6에 도시된 구조식을 갖는 중간체 (A)의 제조:
무수 아세트산 (20mL) 중의 MBTI (6.16g) 및 N,N'- 디페닐포름아미딘 (1.12g)의 혼합 용액을 100~120℃에서 2시간 가열했다. 냉각 후, 반응 혼합물을 소듐 퍼클로레이트 (1.41g)의 수용액에 넣어 고체를 얻은 후, 이를 디클로로메탄에 용해시키고, 물로 수회 세척하고, 증발시키고, 에탄올로부터 재결정하여 중간체 (A)를 얻었다. 수율은 70%였다.
(e) 도 2에 도시된 구조식을 갖는 2-[3-(1,3-디히드로-1,1-디메틸-3-(4'-메톡시카르보닐)- 벤질-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴) -1-프로페닐] 1,1-디메틸-3-부틸- 1H 인돌리움 TCNQ (II)인 시아닌 TCNQ 복합 염료 (II)의 제조:
1-(4'-메톡시카르보닐)-2,3,3-트리메틸 -4,5-벤조-3H-인돌 (0.02 몰) 및 에틸 오르토포르메이트 (TCI Chemical) (0.01 몰)을 2구 (two-necked) 플라스크에 넣고, 피리딘으로 용해시킨 후, 110~120℃에서 1~3시간 가열했다. 냉각 후, 반응 혼합물을 LiTCNQ (1.24g)의 수용액에 넣어 고체를 얻고, 메탄올로부터 재결정하여 암적색 결정 (III)을 얻었다. 수율은 70%이고, 융점은 190℃이었다. 도 7은 TCNQ 복합 염료 (II)의 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼 (λmax (EtOH) = 568nm)을 도시한 것이고; 도 8 및 도 9는 시아닌 TCNQ 복합 염료 (II)에 대한 적외선 스펙트럼 및 열중량 스펙트럼 (10℃/분)을 각각 도시한 것이다.
[실시예 2, 제조예]
도 10에 도시된 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III) 화학 구조식을 갖는 1-(4'-메톡시카르보닐)벤질-3,3-트리메틸 -1'-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-3,3'-디메틸인도-2,2'-트리메틴 (trimethine) TCNQ (약자로 S-TCNQ), 즉, S 시아닌 TCNQ 염료의 제조는 다음과 같은 공정을 통해 이루어진다:
(a) 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트 (MIB)의 제조: 우선, 벤젠 중의 4-클로로메틸벤조일 클로라이드 (TCI Chemical) (1.89g, 0.01몰), 메탄올 (0.32g, 0.01몰), 및 피리딘 (0.791g, 0.01몰) 혼합 용액을 40℃에서 3시간 가열하고, 여과하고 증발시켜서 백색 고체를 얻었다. 백색 고체를 아세톤에 용해시키고 소듐 요오다이드 (1.50g)를 첨가한 후, 혼합물을 40℃에서 3시간 가열하고, 여과하고, 디클로로메탄 및 물로부터 추출하고, 증발시켜서 엷은 황색 고체를 얻었다.
(b) 1-(4'-메톡시카르보닐)벤질-2,3,3-트리메틸-4,5-벤조-3H-인돌의 제조:
MEK 중의 MIB (0.01몰) 및 2,3,3-트리메틸-4,5-벤조-3H-인돌 (TCI Chemical) (0.01몰)의 혼합 용액을 80℃에서 3시간 가열했다. 그 용액을 증발시키고 에틸 아세테이트로부터 재결정하여 백색 결정을 얻었다.
(c) 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸-1'-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-3,3'-디메틸인도-2,2'-트리메틴 TCNQ의 제조:
피리딘 중의 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸-4,5-벤조-3H-인돌 (0.02몰) 및 에틸 오르토포르메이트 (TCI Chemical) (0.01몰)의 혼합 용액을 110℃~120℃에서 1~3시간 가열했다. 냉각 후, 반응 혼합물을 LiTCNQ 수용액 (1.24g)의 수용액에 넣어서 고체를 얻고, 메탄올로부터 재결정하여 암적색 결정 (III)을 얻었다. 수율은 73%이고, 융점은 178℃였다. 도 11은 TCNQ 복합 염료 (III)의 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼 (λmax (EtOH) = 568nm)을 도시한 것이고; 도 12 및 도 13은 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 적외선 스펙트럼 및 열중량 스펙트럼 (10℃/분)을 각각 도시한 것이다.
[실시예 3, 제조예]
도 14에 도시된 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV) 화학 구조식을 갖는 1-(4''-메톡시카르보닐)벤질-3,3-디메틸-1'-(4''-메톡시카르보닐) 벤질-3,3'-디메틸인도-2,2'-펜타메틴 TCNQ의 제조는 다음과 같은 공정을 통해 이루어진다:
(a) 치환된 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트 (MIB)를 먼저 제조한 후, 1-1- (4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸인돌레니늄 요오다이드를 제조하고, 마지막으로 3-아닐리노아크릴-알데히드 아닐과 반응시켜 화학식 (IV)의 구조를 갖는 염료를 얻었다.
(b) 도 3에 도시된 화학 구조식을 갖는 메틸 (4-요오도메틸) 벤조에이트 (MIB)의 제조:
벤젠 (25mL) 중의 4-클로로메틸벤조일 클로라이드 (TCI Chemical) (1.89g), 메탄올 (0.32g), 및 피리딘 (0.791g) 혼합 용액을 40℃에서 3시간 가열하고, 여과하고 증발시켜서 백색 고체를 얻었다. 백색 고체를 아세톤에 용해시키고 소듐 요오다이드 (1.50g)를 첨가한 후, 혼합물을 40℃에서 3시간 가열하고, 여과하고, 디클로로메탄 및 물로부터 추출하고, 증발시켜 엷은 황색 고체를 얻었다. 수율은 90%이고, 융점은 67℃였다.
(c) 도 5에 도시된 화학식을 갖는1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸 -4,5-벤조-3H-인돌레니늄 요오다이드 (MBTI)의 제조:
벤젠 중의 MIB (2.76g) 및 2,3,3- 트리메틸-4,5-벤조- 3H-인돌레닌 (TCI Chemical) (1.75g)의 혼합 용액을 80℃~85℃에서 6시간 가열했다. 그 용액을 증발시키고 에틸 아세테이트로부터 재결정하여 엷은 황색 결정을 얻었다. 수율은 71%이고, 융점은 109℃였다.
(d) 1-(4''-메톡시카르보닐) 벤질-3,3-디메틸-1'-(4''-메톡시카르보닐) 벤질-3',3'-디메틸인도-2,2'-펜타메틴 TCNQ (IV)의 제조:
무수 아세트산 (20mL) 중의 1-(4'-메톡시카르보닐) 벤질-2,3,3-트리메틸인돌레니늄 요오다이드 (6.16g), 3-아닐리노아크릴알데히드 아닐 (TCI Chemical) (2.85g) 및 소듐 아세테이트 (1.64g)의 혼합 용액을 100℃에서 2시간 가열했다. 냉각 후, 반응 혼합물을 LiTCNQ의 (1.41g) 수용액에 넣어서 고체를 얻고, 그 고체를 디클로로메탄 중에서 용해하고, 물로 수회 세척하고, 증발시키고, 에탄올로부터 재결정하여 진한 녹색의 결정 (IV)을 얻었다. 수율은 70%이고, 융점은 201℃였다. 도 15는 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)의 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼 (λmax (EtOH) = 649nm)을 도시한 것이고; 도 16 및 도 17은 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 적외선 스펙트럼 및 열중량 스펙트럼 (10℃/분)을 각각 도시한 것이다.
[실시예 4, 응용예]
기록가능한 광디스크의 제조 공정:
새로운 유형의 시아닌 TCNQ 복합 염료 (II) (1.5g) 및 시아닌 염료 (IV) (0.075g)을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 중에서 용해하여 100g의 용액을 만들었다. 염료들을 기판 (blank substrate plate) 상에 스핀 코팅기로 코팅했는데 상세한 공정은 다음과 같다: 디핑 (dipping) 공정은 30~500rpm에서 2~10초간 수행; 스핀 아웃 공정은 1000~3000rpm에서 10~30초간 수행; 베이킹 (baking) 공정은 2000~5000rpm에서 10~30초간 수행되었다.
기판 상에 TCNQ로 코팅된 기록층은 두께가 약 500Å~2000Å이고, 그 후 Au, Ag, Al, Cu, Cr 및 그 합금으로 스퍼터링되어 두께 500Å~1000Å의 반사층을 형성했고; 마지막으로, 반사층과 기록층이 형성되어 있는 기판과 다른 PC 기판 (예를 들면, 0.6mm의 DVD-R 기판)을 함께 결합 (결합 방법: 스핀 코팅법, 스크린 프린팅법, 및 열용융 접착법 (thermomelting glue method 등)) 하여 고밀도 기록가능한 광디스크를 만들었다. 내후성 시험기 (weather-ometer: ATLAS Ci400)를 이용하여 420nm의 파장을 제공하고 3000W의 크세논 램프로 얇은 기록층을 조사하여 얇은 기록층의 염료에 손상을 주었다. 광학 밀도 스펙트로미터 (ETA-OD) 및 Pulstec DDU 1000을 이용하여 박막 (thin layer)의 반사 스펙트럼을 각각 측정하였다; 크세논 램프 조사 시간에 따라 3T CNR 값이 변화했다.
본 발명의 시아닌 TCNQ 염료 (II) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)를 이용하여 기록 저장 매체를 제조하는데 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (II)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 0.5%~20%, 바람직하게는 2%~10%이 될 수 있다. 그러나, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (II), 시아닌 TCNQ 염료 (IV), 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (II)의 중량%는 0.5%~10%, 바람직하게는 1%~5%가 될 수 있다.
본 발명의 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)를 이용하여 기록 저장 매체를 제조하는데 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 0.5%~20%, 바람직하게는 2%~10%이 될 수 있다. 그러나, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (III), 시아닌 TCNQ 염료 (IV), 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (III)의 중량%는 0.5%~10%, 바람직하게는 1%~5%가 될 수 있다.
본 발명의 시아닌 TCNQ 복합 염료를 이용하여 기록 저장 매체를 제조하는데 있어서, 유기 용매로는 다음의 화합물 중의 하나를 선택할 수 있다: 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올, 알콜, 케톤, 에테르, 클로로포름, 디클로로메탄, 및 DMF 등.
도 18은 기판 상에 코팅된 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)의 결합물에 대한 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼을 도시한 것이다.
이런 종류의 화합물들이 200nm~400nm 파장의 자외선 영역 및 800nm~1000nm 파장의 근적외선 영역에서 우수한 흡광도를 가지며; 이는 에너지를 이동시키는 전하 이동 및 형광 조사 경로를 통해 화학 결합을 파괴할 수 있는 능력을 가지는 단파장 광원 (파장이 400nm보다 작음)을 제거할 수 있다. 그 외에도, 시아닌-TCNQ 전하 이동 복합체가 통상의 시아닌 할라이드인 시아닌 ClO4, 시아닌 PF6 복합체의 산화 포텐셜 보다 높은 산화 포텐셜을 가지는데, 산화 포텐셜이 높다는 것은 TCNQ가 시아닌 염료의 주된 부위를 공격하는 싱글렛 산소를 보다 잘 저해하는 능력을 보유한다는 것을 의미한다. 따라서, 시아닌 염료의 광안정성을 증가시킴으로써 시아닌 염료에 광안정화제를 첨가하데서 발생하는 문제를 극복할 수 있다.
도 19는 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)의 결합에 의해 제조된 광디스크의 은 반사층에 대한 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼을 도시한 것이다. 이러한 유형의 구조를 갖는 고밀도 기록가능한 광디스크는 파장에 대한 반사지수를 나타내는 스펙트럼으로부터 측정했을 때 λ=635에서 60% 이상의 굴절율을 나타낸다. 도 20은 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)의 결합에 의해 제조된 광디스크에 대한 내광성 시험에서의 디스크 리딩-라이팅 시험 분석 결과를 도시한 것이다. 도 21은 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)의 결합에 의해 제조된 광디스크에 대한 내광성 시험의 반사 굴절율 스펙트럼을 도시한 것이다. 이것은 본 발명의 시아닌 TCNQ 복합 염료가 고밀도 광디스크 저장 시스템에 성공적으로 적용될 수 있다는 것과 우수한 내광성을 가지므로 어떠한 광안정화제의 첨가도 필요로 하지 않는다는 것을 보여준다.
도 22는 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III)를 이용하여 데이터 저장 매체를 제조하는데 있어서, 551nm의 광원을 조사하여 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III)로부터 얻은 형광 스펙트럼을 도시한 것이다. 형광 기록층 성분은 적어도 시아닌 TCNQ 복합 염료, 폴리머 수지, 및 경계면 접착제 (interfacial glue)를 포함하지만, 광안정화제는 포함하지 않는다.
본 발명은 바람직한 실시예들에 의해 기재되었다. 그러나, 본 발명은 도면에 도시된 특정예 및 상세한 설명에 기재된 예에 제한되지 않는다. 본 발명은 첨부된 청구범위의 정신 및 범위 내의 모든 형태 또는 변형도 포함한다.
본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물 (II, III, 및 IV)을 광 기록 매체 재료로 사용하는 경우, 보다 높은 저장 밀도, 보다 작은 크기 및 보다 저렴한 비용의 저장 매체를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료에 대한 화학 구조식의 기본 골격을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II)에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 합성예에서 약어 MIB로 표시되는 화합물에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 합성예에서 약어 BII로 표시되는 화합물에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 합성예에서 약어 MBTI로 표시되는 화합물에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 합성예에서 반응 중간체 (A)에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II)에 대한 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II)에 대한 적외선 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II)의 열중량 (thermoweighing) 스펙트럼 (10℃/분)을 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 11은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 자외선/가시광선/적외선 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 12는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 적외선 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 13은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)의 열중량 스펙트럼 (10℃/분)을 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV)에 대한 화학 구조식을 도시한 것이다.
도 15는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV)의 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 16은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV)의 적외선 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)의 열중량 스펙트럼 (10℃/분)을 도시한 것이다.
도 18은 기판 상에 코팅된 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 혼합물에 대한 자외선/가시광선/적외선 흡광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 19는 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 혼합물로 제조된 광 디스크의 은 반사층에 대한 자외선/가시광선/적외선 반사 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 20은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 혼합물로 제조된 광디스크에 대한 디스크 리딩-라이팅 (reading-writing) 시험 분석 및 내광성 시험 결과를 도시한 것이다.
도 21은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 혼합물로 제조된 광디스크에 대한 반사 지수 스펙트럼 및 내광성 시험 결과를 도시한 것이다.
도 22는 본 발명에서 551nm을 조사하여 얻은 본 발명의 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III)에 대한 형광 스펙트럼을 도시한 것이다.

Claims (16)

  1. 데이터 저장 매체로 사용되고, 하기 화학식을 가지는 시아닌-TCNQ 복합 염료 (II), 시아닌-TCNQ 복합 염료 (III) 및 시아닌-TCNQ 복합 염료 (IV) 중 둘 이상에 의하여 제조되는 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물:
    (II)
    (III)
    (IV)
    상기 식에서, Q 및 Q'는 방향족 또는 폴리방향족이고,
    시아닌 TCNQ 복합 염료 (II)에서, n= 1이고, R1이 -CH2C6H4COOCH3, R2가 선형 부틸기이고, 시아닌 TCNQ 복합 염료 (III)에서, n= 1이고, R1 및 R2가 모두 -CH2C6H4COOCH3이고; 시아닌 TCNQ 복합 염료 (IV)에서, n= 2이고, R1 및 R2가 모두 -CH2C6H4COOCH3이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 반사층이 Au, Ag, Al, Cu, Cr 및 그 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  6. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (II) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 시아닌 TCNQ 염료 (II)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 0.5~20%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  7. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (II) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 시아닌 TCNQ 염료 (II)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 2~10%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  8. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (II) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (II), 시아닌 TCNQ 염료 (IV) 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (II)의 중량%는 0.5~10%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  9. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (II) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (II), 시아닌 TCNQ 염료 (IV) 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (II)의 중량%는 1%~5%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  10. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 시아닌 TCNQ 염료 (III)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 0.5~20%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  11. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 시아닌 TCNQ 염료 (III)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 중량%는 2~10%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  12. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (III), 시아닌 TCNQ 염료 (IV) 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (III)의 중량%는 0.5%~10%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  13. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 용액 전체 (시아닌 TCNQ 염료 (III), 시아닌 TCNQ 염료 (IV) 및 용매를 포함)에 대한 시아닌 TCNQ 염료 (III)의 중량%는 1%~5%인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  14. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 유기 용매가 2,2,3,3,-테트라플루오로프로판올, 알콜, 케톤, 에테르, 클로로포름, 디클로로메탄, 및 DMF 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  15. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 형광 기록층 성분이 적어도 시아닌 TCNQ 복합 염료, 폴리머 수지, 및 경계면 접착제 (interfacial glue)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
  16. 제 1항에 있어서, 시아닌 TCNQ 염료 (III) 및 시아닌 TCNQ 염료 (IV)의 결합으로부터 얻은 상기 시아닌 TCNQ 복합 염료를 사용하여 데이터 저장 매체 제조 시, 형광 기록층이 어떠한 광안정화제도 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 시아닌-TCNQ 복합 염료 혼합물.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960008725A (ko) * 1994-08-31 1996-03-22 박홍기 전하이동착물을 이용한 광기록 매체
US5574715A (en) * 1990-05-21 1996-11-12 Tdk Corporation Optical recording medium
EP1142961A2 (en) * 2000-04-06 2001-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Dye complex and optical information recording medium
JP2002128753A (ja) * 2000-04-06 2002-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規テトラシアノキノジメタン化合物、該化合物を対アニオンとしたシアニン色素化合物及び該シアニン色素化合物を含む光情報記録媒体
JP2002146220A (ja) * 2000-05-29 2002-05-22 Fuji Photo Film Co Ltd シアニン色素化合物およびこれを含む光情報記録媒体
JP2003020416A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Fuji Photo Film Co Ltd テトラシアノキノジメタン化合物を対アニオンとした特定構造のシアニン色素化合物及び該シアニン色素化合物を含む光情報記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574715A (en) * 1990-05-21 1996-11-12 Tdk Corporation Optical recording medium
KR960008725A (ko) * 1994-08-31 1996-03-22 박홍기 전하이동착물을 이용한 광기록 매체
EP1142961A2 (en) * 2000-04-06 2001-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Dye complex and optical information recording medium
JP2002128753A (ja) * 2000-04-06 2002-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規テトラシアノキノジメタン化合物、該化合物を対アニオンとしたシアニン色素化合物及び該シアニン色素化合物を含む光情報記録媒体
JP2002146220A (ja) * 2000-05-29 2002-05-22 Fuji Photo Film Co Ltd シアニン色素化合物およびこれを含む光情報記録媒体
JP2003020416A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Fuji Photo Film Co Ltd テトラシアノキノジメタン化合物を対アニオンとした特定構造のシアニン色素化合物及び該シアニン色素化合物を含む光情報記録媒体

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