KR100517408B1 - 오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의공조시스템 - Google Patents

오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의공조시스템 Download PDF

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Abstract

고효율의 오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 공조 시스템이 개시되어 있다. 상기 오염 제어 시스템은 물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치 및 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기를 포함한다. 이에 더하여 상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하여 이루어진다. 시간이 지남에 따라 순환수 자체가 오염되는 문제점이 해결된다. 이에 따라 각종 반도체 공정이 수행되는 공간내에 청정화된 공기를 공급해 줌으로써 각종 오염원으로 인한 공정 불량을 제어할 수 있다. 따라서, 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키고, 주기적인 교체가 요구되는 고가의 케미컬 필터를 사용하지 않음으로써 공정을 안정화시키고 가동 원가을 절감할 수 있다.

Description

오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 공조 시스템{Contamination control system and Air-conditioning system of substrate processing apparatus using the same}
본 발명은 오염 제어 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다양한 오염원을 고효율로 동시에 제어할 수 있는 오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 공조 시스템에 관한 것이다.
반도체를 포함한 각종 부품, 전자 제품 등의 생산 공정에서는 각종 입자 오염 물질로 인한 문제가 내재되어 있다. 반도체 설비의 경우 수 ppb 단위의 오염원에 의해서도 공정 수율 및 생산성이 저하되기 때문에, 높은 순도의 기체상 환경이 요구된다. 특히, 반도체 소자 패턴이 미세화됨에 따라 통상의 입자(particle) 오염과 더불어 공기중 분자상 오염(airbone molecular contamination; AMC)이 공정 불량의 원인으로 부각되고 있다. 예를 들어, 오존(O3)에 의한 자연 산화막의 형성, 광증폭형 레지스트에서 암모니아(NH3) 오염에 의해 발생하는 포토레지스트 패턴의 T-Top 프로파일 및 현재 공정에서 큰 이슈가 되고 있는 임계치수 변동(CD variation), 유기물에 의한 게이트 산화막의 내성 저하 등이 이러한 오염원들에 의해 발생하는 현상들이다.
이와 같이 반도체 제조 공정들은 청정한 분위기 하에서 수행되어야 하기 때문에, 반도체 설비는 청정실 내에 설치됨과 동시에, 그 주위나 상부를 적절한 덮개(casing)로 감싸고 설비의 상부에 팬(fan)과 필터를 일체화한 팬·필터·유닛(fan filter unit; FFU)과 같은 청정화 공기 공급 장치를 설치한다. 상기 청정화 공기 공급 장치로부터의 청정화 공기의 다운플로우(down flow) 하에 설비의 각 처리 유닛이 배치된다. 또한, 반도체 설비 내로 유입되는 공기 중에서 O3, NH3, SOx, NOx 및 유기물 등을 제거하기 위하여 상기 청정화 공기 공급 장치의 상부에 별도의 케미컬 필터가 설치되어 있다. 지금까지의 오염 제어는 주로 금속 오염 및 입자 오염에 초점이 맞추어져 왔으나, 공기 필터의 지속적인 개발에 의해 0.1㎛ 이하의 입자까지도 제어가능하게 되었다.
그러나, 케미컬 필터는 고가이면서 수명이 짧기 때문에 주기적인 교체가 필요하여 가동 원가(running cost)를 상승시켜 반도체 생산 원가를 높이는 원인이 되고 있다. 또한, 각각의 오염 성분별로 여러 가지의 케미컬 필터를 설치하여야 하기 때문에 유지 관리가 어렵고, 관리의 어려움으로 인해 케미컬 필터의 수명이 소진되었는데도 이를 계속 사용함으로써 공정 사고를 유발하는 경우도 발생하고 있다. 또한, 새로운 AMC 오염원이 나타날 경우 이를 제어하기 위해 신규 케미컬 필터가 요구되므로, 개발 비용 증가의 문제가 있다.
또한 주변 오염(ambient contamination)으로 총칭되는 클린룸 대기중의 분자상 오염은 화학적으로 눈에 보이지 않는(non-visual) 특성 때문에 오염 제어 기술 관점에서 입자에 비하여 상대적으로 많은 연구 및 제어 시스템 개발이 이루어지지 않고 있다.
한편, 케미컬 필터 대신에 습식 공조 방식의 물분사 시스템(water showering system)을 이용하여 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염원들을 제거하는 방법들이 대한민국 특허 제10-0340334호, 일본국 공개특허 평10-340851호 등에 개시되어 있다.
도 1은 종래 방법에 의한 오염 제어 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 물분사 시스템을 적용하는 오염 제어 시스템은 크게, 물, 바람직하게는 순수(D.I. water)를 미세한 액적(water droplet)으로 분사시키기 위한 다수개의 노즐을 갖는 분사 장치(10), 분사된 액적이 부딪혀서 하방으로 떨어지게 해주는 제거기(eliminator)(20) 및 떨어지는 물을 수집하고 수집된 물이 분사 장치(10)로 제공될 때까지 저장하기 위한 탱크(25)로 이루어진다. 분사 장치(10)로 유입된 공기(Ai)는 제거기(20)를 통과한 후 청정화된 공기(Ao)로 배출된다. 여기서, 파선 화살표는 공기의 흐름을 나타내고 실선 화살표는 물의 흐름을 나타낸다.
펌프(도시하지 않음)에 의해 탱크(25)로부터 공급된 물은 필터(30)를 거쳐 분사 장치(10)로 이동한 후, 상기 분사 장치(10)의 다수개의 노즐을 통해 빠른 속도로 분사된다. 각 노즐에서 분사된 미세 액적은 다공성 플레이트 형상을 갖는 제거기(20)를 통과하면서 분사 장치(10)로 유입된 공기(Ai) 중의 오염물들을 포집하고 제거기(20)의 플레이트들에 부딪혀서 하방으로 떨어진다. 이렇게 떨어진 물은 다시 분사 장치(10)로 공급될 때까지 상기 탱크(25) 내에 저장된다.
상술한 종래의 물분사 시스템에 의하면, 다수개의 노즐을 통해 분사된 물이 형성하는 액적과 부유 분진(suspended dust)과의 충돌 흡착(adsorption) 원리에 의해 오염물이 제거되는 원리를 이용한다. 그러나, 공기 중의 오염물을 포집하면 할수록 탱크(25) 내에 저장되는 물 자체도 계속 오염되기 때문에, 물을 계속 순환해서 사용하면 수질이 저하되고 공기와 물의 오염 차이가 줄어들게 되어 오염을 포집하는 효율이 감소하게 된다. 또한 공기중의 오염을 제거하는데 있어서도 NOx의 경우 60%, 유기물의 경우 50%, 오존의 경우 20% 이하의 제거 효율을 보여 오염 제거 효율에 있어서도 한계가 있는 상태이다. 이러한 오염에 의해 물의 pH 지수는 저하되며 pH 지수가 떨어지면 오염 제거 효율도 동시에 감소된다.
도 2a 및 도 2b에는 오염 제어 시스템의 순환수의 pH 지수와 오염 제거 효율과의 관계를 그래프로 나타내었다. 그래프에서 A1 및 B1 은 순환수의 pH 지수를 나타내고, A2 및 B2는 오염 제거율을 나타낸다. 도면으로부터, 오염 제거 효율은 순환수의 pH와 밀접한 관계가 있음을 확인할 수 있다.
도 3에는 오염 제어 시스템에 의한 오염 제거에 따른 순환수의 pH 변화 그래프를 나타내었다. 그래프로부터 오염이 제거 작업이 진행됨에 따라 순환수의 pH가 점점 높아짐을 확인할 수 있다.
하기 표 1에는 이러한 WSS 시스템에 의한 오염 제거 효율을 나타내었다.
구분 제거효율 풍속 pH
오염원 NH3 81.00% 1.28m/sec 6.17
NOx 64.00%
SOx 88.00%
유기물 50.00%
오존 16.80%
순환수에 의한 지속적인 오염 제거율의 저하 문제를 개선하기 위해서는 탱크 내에 급수관(22)을 통하여 90% 이상의 새로운 물을 계속 공급하고 배수관(24)을 통하여 일정량의 오염된 물을 계속 배수하여 오염을 희석시키고 물의 pH 지수를 유지시켜야 한다. 그러나, 리프레시(refresh)되는 물의 양이 많아지면 펌프(30)의 부하 및 운전 비용이 증가하여 효율성이 떨어지는 단점이 있다. 이와 같이 탱크 내에 물을 계속 공급하지 않으면 물의 pH 지수가 떨어져서 오염 제거 효율이 급격히 감소하기 때문에, 종래의 물분사 시스템은 일정한 오염 제거 효율이 요구되는 반도체 설비의 공조 시스템으로 적용하기 어렵다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 순환수내의 오염원을 빠르게 분해할 수 있어서 순환수의 pH를 일정 수준으로 유지할 수 있기 때문에 높은 오염 제거 효율을 유지하면서 공기 중의 여러 가지 오염원들을 동시에 제어할 수 있는 오염 제거 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 제2 목적은 높은 오염 제거 효율을 유지하면서 공기 중의 여러 가지 오염원들을 동시에 제어하여 기판 처리 장치의 처리 공간 내로 오염물들이 제거된 공기를 공급할 수 있는 반도체 설비 공조 시스템을 제공하는데 있다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,
물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하는 오염 제어 시스템을 제공한다.
상술한 본 발명의 다른 목적은,
청정실 내의 격리된 처리 공간 내에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 공조 시스템에 있어서,
상기 청정실 내의 공기를 유입하는 급기관;
상기 급기관과 연결되고, 유입된 공기와의 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 제거하기 위한 오염 제어 장치;
상기 오염 제어 장치에 의해 오염물들이 제거된 공기의 온도 및 습도 중의 l적어도 한쪽을 조절하기 위한 조절 장치; 및
상기 온도 또는 습도 중의 적어도 한쪽이 조절된 공기를 상기 처리 공간 내로 공급하는 송출관을 구비하며,
상기 오염 제어 장치는
물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템에 의해 달성된다.
상술한 본 발명의 다른 목적은 또한
외기와의 기액 접촉에 의해 상기 외기 중의 오염물들을 제거하기 위한 오염 제어 장치를 구비하는 외기 공조 시스템; 및
상기 오염물들이 제거된 외기를 여과시키기 위한 필터와, 상기 오염물들이 제거된 외기의 온도 및 습도 중의 적어도 한쪽을 조절하기 위한 조절 장치를 포함하며, 상기 오염물들이 제거된 외기를 청정실 내에 배치된 복수개의 기판 처리 장치의 각 처리 공간 내에 직접 공급하기 위한 공급 덕트를 구비하고,
상기 외기 공조 시스템의 오염 제어 장치는,
물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템에 의해서도 달성된다.
본 발명에 의하면, 기액 접촉에 의해 공기 중의 여러 가지 오염원들을 동시에 제어하는 오염 제어 시스템에 공급되는 물에 소정의 첨가제를 포함시킴으로써 물의 pH 지수를 일정한 수준으로 조절할 수 있으며 순환수 자체의 오염을 방지할 수 있기 때문에 일정한 오염 제거 효율을 유지하고, 공기 중의 오염물들을 포집한 물 내의 오염물을 제거하여 물의 오염 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 순환수의 pH를 일정 수준으로 유지시켜 줄 수 있는 첨가제는 빛을 흡수하여 전자 및 정공을 포함하는 활성종을 생성할 수 있는 물질이다. 이러한 첨가제의 바람직한 예로서는 광촉매를 들 수 있다. 광촉매 반응은 광촉매 활성을 지닌 물질에 밴드갭 이상의 에너지를 가함으로써 생성되는 전자/정공 쌍으로부터 산화/환원 반응을 이용한 방법으로, 광촉매에서 얻는 높은 산화/환원 전위는 대부분의 환경 오염 물질을 정화할 수 있어서 대기오염 물질(NOx, SOx, VOC) 제거, 악취 제거, 항균 작용 등이 가능하다.
촉매는 화학 반응에서 자신은 변하지 않고 반응 속도를 변화시키거나 반응을 개시시키는 등의 역할을 수행하는 물질이다. 광촉매는 촉매의 한 종류로서 촉매 작용이 빛에너지를 받아 일어나는 것을 말한다. 대표적인 광촉매로서는 ZnO, CdS, WO3, TiO2 등이 있으며 그 중 TiO2가 가장 활성이 좋다.
반도체 성질을 가지고 있는 촉매인 TiO2에 수중에서 자외선을 조사하면 에너지적으로 여기되어 방출된 전자는 수중의 용존 산소 또는 과산화수소와 반응하여 OH 라디칼을 형성시키고, 또한 TiO2 광촉매 표면의 정공에 의해 OH 라디칼이 형성된다. 이러한 반응을 도 4에 나타난 메카니즘을 참고로 하여 단계별로 나타내면 다음과 같다.
① UV에 의한 TiO2 촉매 반응 과정
TiO2 + hν → e- (방출) + h (TiO2 표면)
② 전자의 반응
e- + O2 → O2 - (super oxide radical)
2O2 - + 2H2O → 2·OH + 2OH- + O2
③ 총 촉매 반응
h+ + OH- → 2·OH
이산화티타늄은 빛(자외선)을 받아도 자신은 변하지 않아 반영구적으로 사용할 수 있다. 또한 산화력이 높은 히드록시 라디칼을 생성하는데, 이는 염소(Cl2) 보다 2.07배, 오존(O3) 대비 1.16배 높은 것이다. 이러한 높은 산화력으로 난분해성 유기 물질을 이산화탄소와 물로 분해하여 처리할 수 있을 뿐만 아니라 중금속 이온도 산화 침전시킬 수 있고, 박테리아, 곰팡이 등의 세포막을 산화, 파괴시켜 살균, 방취 효과도 제공해 준다.
결국, 본 발명에서는 WSS의 순환수에 광촉매와 같은 첨가제를 첨가하는 것에 의해 순환수의 수질 변동을 방지하고 순환수내 첨가제에 의해 오염원 제거 효율을 향상시킬 수 있는 시스템을 제공하는 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다. 다음의 실시예들에서 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 부호로 나타낸다.
<실시예 1>
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 오염 제어 시스템은 크게, 물을 미세한 크기의 액적으로 분사하기 위한 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치(100), 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 제거기(110) 및 상기 분사 장치(100)에 물을 연속적으로 공급하기 위한 순환부(160)를 포함한다.
상기 물은 수돗물, 공업 용수 또는 우물물 등의 일반수를 사용할 수 있으나, 수질 제어를 위해 순수를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 분사 장치(100)는 적어도 하나의 노즐에 일정한 압력을 가하여 물을 분사하는 것이다. 도 2에서, 파선 화살표는 공기의 흐름을 나타낸 것으로, 오염 제어 시스템으로 유입된 공기(Ai)는 제거기(110)를 통과한 후 청정화된 공기(Ao)로 배출된다. 실선 화살표는 순환수의 흐름을 나타낸다.
상기 순환부(160)는 상기 분사 장치(100)에 의해 분사되어 공기와의 기액 접촉에 의해 오염물들을 흡착한 물을 담아 저장하는 탱크(120) 및 상기 탱크(120) 내의 물을 펌핑하여 상기 분사 장치(100)로 다시 공급하기 위한 순환 펌프(125)를 포함한다.
본 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 순환부(160)는 상기 탱크(120) 내에 저장된 물에 급수관(122)을 통하여 새로운 물과 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크(121) 및 일정량의 물을 탱크(120)로부터 배수하기 위한 배수관(124)에 연계되어 배수로 빠져나가는 광촉매를 회수하기 위한 광촉매필터(126)가 설치되어 있다. 공급 탱크(121)는 새로운 물과 배수에 포함되어 빠져나가는 광촉매를 재보충하기 위한 장치이며 광촉매 필터(126)는 배수에 포함되어 빠져나가는 광촉매를 여과하여 재사용할 수 있도록 하기 위한 장치이다.
본 실시예에서 더욱 바람직하게 적용가능한 노즐의 구조, 노즐의 배열 및 물의 공급 방향에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 오염 제어 시스템에 바람직하게 적용가능한 노즐의 구조를 나타내는 단면도 및 정면도이다.
물을 대기로 분사하는 방식으로는 초음파를 이용하여 가습하는 방법, 노즐에 압력을 가하여 분무하는 방법 등 여러 가지가 있다.
가습과 분무를 위해 사용되는 노즐은 홀로우 콘 타입(hollow cone type)의 노즐을 사용하는 것이 바람직하다. 홀로우 콘 타입의 노즐(102)은 오리피스(103) 통과 전에 화살표 방향으로 유입되는 액체의 유동에 회전 운동을 가하여 와류를 형성해 준다. 와류를 형성한 물은 오리피스(103)의 사이즈에 따라 분사각(104)이 설정된다. 이에 따라 분사시 물방물은 회전하며 일정 범위의 각도로 퍼져 물방울이 공기와 접촉하는 물표면(water surface)가 일정하게 형성되어 오염원 포집 효과를 향상시키게 된다.
도 7a 및 7b에는 본 발명의 오염 제어 시스템에 적용가능한 노즐의 배열을 물 표면 영역과 함께 개략도로 나타내었다.
노즐(102)에서 분사된 물방울이 일정한 물표면을 형성하는 특성을 이용하여 노즐을 적절하게 배치하면 공기가 물표면을 통과하는 비율을 조정할 수 있다. 결국, 노즐의 배열 형태에 따라 통과 영역을 최소화하여 물방울과 오염의 접촉을 최적화하는 것이 가능하다. 물론 유효 물표면은 분사 압력에 의해 결정되는 것이므로 운전 조건에 따라 변화할 수 있으나 동일한 운전 조건의 설정시 도 7a에서와 같이 일렬로 배열하는 것보다는 도 7b에서와 같이 지그재그 형태로 배열할 때 더 높은 오염 제거 효율을 얻을 수 있다.
다음, 노즐을 통해 분사되는 물방울의 분사 방향과 공기의 흐름 방향과의 상관 관계를 살펴보기로 한다.
도 8a 내지 8c에는 본 발명의 오염 제어 시스템에 적용가능한 공기 흐름 방향과 물의 공급 방향을 도시한 개략도들이다. 물분사 방향은 공기의 흐름과 같은 방향(도 8a), 반대 방향(도 8b), 수직 방향(8c) 등으로 다양하게 적용가능하다. 다양한 방식 중에서 노즐을 통해 분사되는 액적을 기류(air stream)의 방향과 반대 방향으로 분사하여 물과 공기가 접촉하는 정체 시간(resident time)을 증가시키는 것이 바람직하다. 즉, 공기 중의 오염물들과 물이 접촉하는 시간이 길수록 오염물들이 물에 포집되어질 확률이 증가하기 때문에, 정체 시간이 클수록 오염 제거 효율이 증가한다
습식 공조 방식의 오염 제어 시스템에 있어서 오염 제거 효율을 결정하는 유력한 요인은 물의 pH 지수 및 수질이다. 도 1에 도시한 종래의 오염 제어 시스템에 의하면, 물을 계속 순환해서 사용할수록 수질이 저하되고 pH 지수가 떨어지게 됨으로써 공기와 물의 오염 차이가 줄어들어 오염을 포집하는 효율이 감소하게 된다. 이에 반하여, 도 5에 도시한 본 발명의 오염 제어 시스템에 의하면, 순환부(160)를 통해 계속 순환되는 물의 pH 지수를 첨가제에 의해 일정하게 유지함으로써 오염 포집 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 구조를 갖는 오염 제어 시스템의 동작은 살펴보면, 처리되어질 공기(Ai)가 오염 제어 시스템을 통과하면서 물(순수)과 기액 접촉된다.
즉, 상기 오염 제어 시스템에서는 분사 장치(100)의 적어도 하나의 노즐로부터 물이 미세한 크기의 액적으로 연속적으로 분사되고, 오염 제어 시스템을 통과하는 공기(Ai)와 기액 접촉한다. 분사된 액적의 사이즈는 노즐의 사이즈 및 수압에 의해 결정되는데 이들을 적절하게 조절하여 물을 원하는 사이즈로 분사시킨다. 액적의 사이즈가 작아지면 그만큼 물의 표면적이 넓어져서 오염물의 흡착 효과가 증가하게 되므로, 약 100㎛ 이하의 사이즈로 액적을 분사하는 것이 바람직하다.
각 노즐에서 분사된 미세 액적은 제거기(110)를 통과하면서 공기 중의 오염물들을 포집하고 제거기(110)의 플레이트들에 부딪혀서 하방으로 떨어진다. 제거기(110)는 플라스틱이나 SUS(stainless steel) 재질로 제조되며, 바람직하게는 다공성 플레이트 형상을 갖는다. 즉, 다수의 플레이트를 적층하여 이루어지되 인접하는 플레이트에 형성된 기공끼리 서로 엇갈리도록 설치하여 전방에 설치된 플레이트에 부딪히지 않은 액적 및 오염물이 포집된 액적이 후방에 설치된 플레이트에 의해 포집될 수 있도록 제거기(110)를 형성한다.
제거기(110)로부터 하방으로 떨어진 물은 저장 탱크(120) 내에 모이고, 다시 순환부(160)를 통해 분사 장치(100)로 공급되어 분사된다. 순환되는 물의 양은 펌프(125)에 의해 조정한다.
이와 같이 pH 지수가 제어되고 수질이 향상된 순환수는 분사 장치(100)로부터 분사되어 공기 중의 오염물들을 포집한 후 저장 탱크(120)로 회수되고, 펌프(125)에 의해 연속적으로 순환된다.
상기 제거기(110)로부터 저장 탱크(120)로 회수된 물이 저장 탱크(120) 내에 모이는 동안, 물의 가습 효과로 인하여 상기 저장 탱크(120) 내부의 물이 감소하게 된다. 따라서, 이러한 증발량을 보상하도록 급수관(122)을 통해 저장 탱크(120) 내로 물을 새로 공급한다. 또한, 상기 저장 탱크(120)에 저장된 물을 일정 수위로 유지하기 위하여 일정 비율의 물을 배수관(124)을 통해 배수한다. 종래의 오염 제어 시스템에 의하면, 순환수를 계속 사용하면 pH 지수가 떨어져서 오염 포집 효율이 감소하기 때문에 저장 탱크 내에 90% 이상의 새로운 물을 계속 공급하여 오염을 희석시키고 물의 페하(pH) 지수를 유지시킨다. 이에 따라, 새로운 물의 공급량이 많아져 운전 비용이 증가하는 문제가 있다. 이에 반하여, 본 발명에서는 순환수의 pH지수를 일정하게 유지하기 때문에 급수관(122)을 통해 저장 탱크(120)로 공급되는 새로운 물의 양을 10% 이하로 제어하고 나머지의 물을 계속 순환시켜 사용함으로써, 새로운 물의 과잉 공급을 방지하고 운전 자금을 절감할 수 있다.
<실시예 2>
도 9에는 본 발명의 제2 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도를 나타내었다. 제2 실시예에 의한 오염 제어 시스템은 pH 제어 장치, 유기물 제거 장치, UV 살균장치 등 더 포함하는 것을 제외하고는 상술한 제1 실시예에 도시한 오염 제어 시스템과 동일하다.
본 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 순환부(160)는 새로운 물과 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크(121) 및 배수에 포함된 광촉매를 회수하기 위한 광촉매 필터(126) 외에도, 탱크(120)로부터 분사 장치(100)로 공급되는 순환수의 pH 지수를 측정하기 위한 pH 측정기(135), 순환수의 pH 지수를 설정 범위내로 제어하기 위한 pH 조절 장치(140), 상기 순환수 내의 유기물을 제거하여 수질을 향상시키기 위한 유기물 제거 장치(145) 등을 더 포함한다.
상기 pH 조절 장치(140)는 바람직하게 이온 교환기(ion exchanger)를 포함한다. 이온 교환기는 부족한 극성 이온 성분 또는 과잉 극성 이온을 교체하여 순환수의 pH 지수를 설정 범위 내로 제어하는 역할을 한다. 유기물 제거 장치(145)는 바람직하게 유기 수지로 이루어진다.
본 실시예에 의하면 순환수내에 포함된 광촉매에 의한 pH 조절 작용에 더하여, pH 조절 장치(140)에 의해 pH를 한 번 더 일정하게 유지함으로써 순환수의 오염 포집 효율 감소를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 유기물 제거 장치(145)에 의해 오염 포집으로 증가된 물 내의 유기물을 제거하여 수질을 향상시킴으로써 오염 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 순환부(160)는 순환수를 살균 처리하기 위한 살균 처리 장치(130) 및 순환수를 여과시키기 위한 필터(150)를 포함한다. 바람직하게는, 상기 살균 처리 장치(130)는 자외선 조사 장치이다.
탱크(120) 내의 물은 체류 상태이기 때문에 탱크(120) 및 그 주변부에 잡균이나 수초 등의 미생물들이 번식하기 쉽다. 따라서, 자외선 조사 장치(130)로부터 자외선을 조사하여 저장 탱크(120) 및 그 주변부를 살균 처리함으로써 순환부(160)에서의 미생물 번식을 효과적으로 억제할 수 있다.
<실시예 3-5>
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제3 내지 제5 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도들이다. 제3 내지 제5 실시예에 의한 오염 제어 시스템은 물과 공기가 접촉하는 정체 시간을 늘려서 오염 제거 효율을 증가시키도록 제거기 형태를 변경한 것을 제외하고는 상술한 제1 실시예에 도시한 오염 제어 시스템과 동일하다.
제3 실시예로서 도 10a를 참조하면, 제거기에서 물과 공기가 충분히 반응하여 오염 제거 효율을 증가시킬 수 있도록 적어도 두 개의 제거기(110, 115)를 직렬로 배치한다. 즉, 본 실시예의 오염 제어 시스템은 제1 분사 장치(100), 제1 제거기(110), 제2 분사 장치(105), 제2 제거기(115) 및 순환부(160)로 구성된다.
상기 순환부(160)를 통해 순환되는 물은 제1 분사 장치(100) 및 제2 분사 장치(105)에 동시에 공급되고, 오염 제어 시스템으로 유입된 공기(Ai)는 제1 및 제2 제거기(110, 115)를 통과하면서 기액 접촉에 의해 오염물들이 제거된 후 청정화된 공기(Ao)로 배출된다.
제4 실시예로서 도 10b를 참조하면, 적어도 두 개의 제거기(110, 115)를 병렬로 배치하여 오염 제어 시스템으로 유입된 공기(Ai)가 각각의 제거기(110, 115) 사이에서 와류를 형성되도록 한다. 이와 같이 와류가 형성되면 물이 공기 중의 오염물들을 포집하는 반응 시간이 길어지므로 오염 제거 효율을 증가시킬 수 있다.
제5 실시예로서 도 10c를 참조하면, 오염 제어 시스템으로 유입된 공기(Ai)가 제거기(110)를 통과하면서 와류를 형성하도록 상기 제거기(110)를 벤트 형태로 형성한다. 따라서, 기액 반응 시간을 증가시켜 오염 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
<실시예 6>
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 11을 참조하면, 제6 실시예의 오염 제어 시스템은 제거기(110) 내로 미량의 물, 바람직하게는 순수를 공급 및 분사하여 오염 제거 효율을 향상시키도록 상기 제거기(110)의 내부에 적어도 하나의 물 공급 노즐(155)을 설치한 것을 제외하고는 상술한 제1 실시예에 도시한 오염 제어 시스템과 동일하다. 이와 같이 제거기(110)의 내부로 미량의 물을 공급 및 분사하면 공기와 물이 접촉하는 정체 시간이 극대화되므로, 오염 제거 효율을 크게 증가시킬 수 있다.
<실시예 7>
본 발명의 제7 실시예에 의한 오염 제어 시스템은 순환수로 사용되는 순수를 육각수로 만들어 사용하는 것을 제외하고는 상술한 각 실시예의 오염 제어 시스템과 동일하다.
일반적으로, 나노 클러스터수(nano clustered water)는 약 5개에서 7개 사이의 물분자가 회합된 구조를 가지며, 미세 결합수, 구조수(structured water), 결정수, 육각수 또는 마이크로-클러스터수(micro-clustered water) 등의 여러 가지 이름으로 불리고 있다. 육각수는 보통의 물보다 클러스터의 크기가 1/3 이하로 잘게 나누어져 있기 때문에, 공기와의 접촉 면적의 증가로 공기 내의 가용성 오염물들에 대한 용해도를 증가시켜 오염 제거 효율을 증대시킬 수 있다. 따라서, 오엄 제어 시스템의 순환수를 육각수로 만들어 적어도 하나의 분사 노즐을 통해 분사하면, 높은 오염 제거 효율을 갖는 오염 제어 시스템을 구현할 수 있다.
순수를 육각수로 만드는 방법에는 전기 분해, 냉동, 게르마늄 이온 도입 방법 및 전자석을 이용한 자화 육각수 제조 방법 등을 사용할 수 있다.
<실시예 8>
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 스캐너 및 스테퍼를 포함한 레지스트 노광 장치에 대한 공조 시스템을 나타낸다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에 의한 레지스트 노광 장치의 공조 시스템은 처리 공간(200) 내로 각종 오염원들(O3, NH3, SOx, NOx, 유기물 등)이 제거된 청정화 공기(Ao)를 공급하기 위한 오염 제어 장치(220)를 포함한다.
상기 오염 제어 장치(220)는 상술한 각 실시예에 도시한 오염 제어 시스템과 동일한 구조를 갖는다.
즉, 상기 오염 제어 장치(220)는 도시한 바와 같이, 물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치(100), 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 제거기(110) 및 상기 분사 장치(100)에 물을 연속적으로 공급하기 위한 순환부(160)를 포함한다.
상기 순환부(160)는 상기 분사 장치(100)에 의해 분사되어 공기와의 기액 접촉에 의해 오염물들을 흡착한 물을 담아 저장하는 저장 탱크(120), 새로운 물과 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크(121) 및 배수에 포함된 광촉매를 회수하기 위한 광촉매 필터(126)를 포함한다. 이와 같이, 오염 제거에 사용되는 순환수의 pH 지수를 조절하고 순환수 내의 유기물을 제거함으로써, 공조 시스템의 오염 제거 효율을 크게 높일 수 있다.
바람직하게는, 저장 탱크(120)로 공급되는 새로운 물의 양을 10% 이하로 제어하고 나머지의 물을 계속 순환시켜 사용함으로써, 새로운 물의 과잉 공급을 방지하고 운전 자금을 절약한다.
본 실시예의 오염 제어 장치(220)는 오염 제거 효율을 향상시키기 위하여 상술한 제3 내지 제 6 실시예와 동일한 구조의 제거기(110)를 사용하거나 상술한 제7 실시예와 동일하게 육각수로 이루어진 순환수를 사용할 수 있다.
상술한 구조를 갖는 레지스트 노광 장치의 공조 시스템에 있어서, 처리 공간(200) 상부의 공기는 청정실 필터(205)를 통해 여과된 청정실 공기(Aic)이다. 이러한 상부 공간의 공기(Aic)는 급기관(210)을 경유하여 팬(215)에 의해 오염 제어 장치(220)로 유입된다. 상기 오염 제어 장치(220)를 통과하면서 기액 접촉에 의해 각종 오염원들이 제거된 청정화 공기(Ao)는 송출부(235)로 유도되고, 온도 조절 유닛(temperature control unit; TCU) 및 건조기(dryer)로 구성된 온·습도 조절 장치(225)에 의해 온도 및 습도가 조정된 후 팬(230)에 의해 송출관(236)으로부터 송출되어 처리 공간(200)으로 공급된다. 이와 같이 각종 오염원들이 제거되고 온·습도가 적정 범위로 제어된 청정화 공기(Ao)는 처리 공간(200)의 천장에 위치한 팬·필터·유닛(FFU)과 같은 고성능 필터(도시하지 않음)를 통해 처리 공간(200) 내로 다운플로우된다.
상기 처리 공간(200) 내부의 공기(AiR)는 암모니아(NH3)와 같은 알칼리 성분이 전혀 포함되어 있지 않거나 포함되어 있더라도 극히 미량이기 때문에 재이용이 가능하다. 따라서, 본 실시예에 의한 공조 시스템은 처리 공간(200) 내부의 공기(AiR)를 오염 제어 장치(220)로 유입하기 위한 순환관(245)을 포함한다.
이와 같이 처리 공간(200)으로부터 순환관(245)을 경유하여 팬(215)에 의해 오염 제어 장치(220)로 유입된 공기(AiR)는 오염 제어 장치(220) 내에서 상부 공간의 공기(Aic)와 혼합되고, 혼합된 공기는 기액 접촉에 의해 각종 오염물들이 제거된 후 송출관(236)을 통해 다시 처리 공간(200)으로 보내진다.
바람직하게는, 상기 오염 제어 장치(220)로 유입되는 전체 공기 중 상기 처리 공간(200)으로부터 회수되어 순환관(245)을 통해 공급되는 공기(AiR)를 80% 정도로 조절하고 상기 상부 공간의 공기(Aic)를 20% 정도로 조절한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제8 실시예에 의하면, 상부 공간의 공기(Aic) 및 처리 공간(200)으로부터 회수한 공기(AiR)를 순수에 의한 기액 접촉에 의해 청정화시키고 청정화 공기(Ao)를 다시 처리 공간(200)으로 공급함으로써, 원하는 청정도를 얻을 수 있고 각종 오염원들로 인한 공정 불량을 예방하여 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키고 공정 안정화를 유지할 수 있다. 또한, 2년마다 주기적인 교체가 요구되는 고가의 케미컬 필터를 사용하지 않고 수명이 반 영구적인 오염 제어 장치(220)를 기판 처리 장치의 공조 시스템으로 적용함으로써, 가동 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다.
<실시예 9>
도 13은 본 발명의 제9 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면으로, 도포부 및 현상부를 포함하는 레지스트 스피너(spinner) 장치에 대한 공조 시스템을 나타낸다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 의한 레지스트 스피너 장치의 공조 시스템은 처리 공간(300) 내로 각종 오염원들(O3, NH3, SOx, NOx, 유기물 등)이 제거된 청정화 공기(Ao)를 공급하기 위한 오염 제어 장치(310)를 포함한다.
상기 오염 제어 장치(310)는 상술한 제1 내지 제7 실시예에 개시한 오염 제어 시스템과 동일한 구조를 갖는다.
즉, 상기 오염 제어 장치(310)는 도시한 바와 같이, 물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치(100), 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 제거기(110) 및 상기 분사 장치(100)에 물을 연속적으로 공급하기 위한 순환부(160)를 포함한다.
상기 순환부(160)는 상기 분사 장치(100)에 의해 분사되어 공기와의 기액 접촉에 의해 오염물들을 흡착한 물을 담아 저장하는 저장 탱크(120), 새로운 물과 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크(121) 및 배수에 포함된 광촉매를 회수하기 위한 광촉매 필터(126)를 포함한다. 이와 같이, 오염 제거에 사용되는 순환수의 pH 지수를 조절하고 순환수 내의 유기물을 제거함으로써, 공조 시스템의 오염 제거 효율을 크게 높일 수 있다.
본 실시예의 오염 제어 장치(310)는 오염 제거 효율을 향상시키기 위하여 상술한 제3 내지 제6 실시예와 동일한 구조의 제거기(110)를 사용하거나 상술한 제7 실시예에서와 동일하게 육각수로 이루어진 순환수를 사용할 수 있다.
상술한 구조를 갖는 레지스트 스피너 장치의 공조 시스템에 있어서, 처리 공간(300) 상부의 공기(Aic)가 급기관(305)을 통해 오염 제어 장치(310)로 유입된다. 상기 오염 제어 장치(310)를 통과하면서 기액 접촉에 의해 각종 오염원들이 제거된 청정화 공기(Ao)는 송출부(325)로 유도되고, 온도 조절 유닛(TCU) 및 건조기(dryer)로 구성된 온·습도 조절 장치(315)에 의해 온도 및 습도가 조정된 후 송출관(326)으로부터 송출되어 처리 공간(300)으로 공급된다. 이와 같이 각종 오염원들이 제거되고 온·습도가 적정 범위로 제어된 청정화 공기(Ao)는 처리 공간(300)의 천장에 위치한 팬·필터·유닛(FFU)과 같은 고성능 필터를 통해 처리 공간(300) 내로 다운플로우된다.
본 실시예에 의한 공조 시스템은 처리 공간(300) 내부의 공기(AiR)를 오염 제어 장치(310)로 유입하기 위한 순환관(320)을 포함한다. 상기 처리 공간(300)으로부터 순환관(320)을 경유하여 오염 제어 장치(310)로 유입된 공기(AiR)는 오염 제어 장치(310) 내에서 상부 공간의 공기(Aic)와 혼합되고, 혼합된 공기는 기액 접촉에 의해 각종 오염물들이 제거된 후 송출관(326)을 통해 다시 처리 공간(300)으로 보내진다.
레지스트 스피너 장치는 다른 설비들에 비해 레지스트로 인한 유기 오염이 심하기 때문에, 상기 오염 제어 장치(310)으로 유입되는 전체 공기 중 상기 처리 공간(300)으로부터 회수된 공기(AiR)를 40% 이하로 제어하여 오염 제어 장치(310) 내로 들어가는 오염원을 최소하는 것이 바람직하다.
<실시예 10>
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 외기 공조 시스템을 통과한 외기를 복수개의 기판 처리 장치들이 배치되어 있는 설비단에 직접 공급하는 경우를 나타낸다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 의한 외기 공조 시스템(480)은 복수개의 필터(452), 오염 제어 장치(400) 및 팬(454)으로 구성된다.
상기 오염 제어 장치(400)는 상술한 제1 내지 제6 실시예에 도시한 오염 제어 시스템과 동일한 구조를 가지며, 순환부(160)를 구성하는 펌프(125)에 의해 저장 탱크(120) 내의 물, 바람직하게는 순수를 연속적으로 분사 장치(100)에 공급하여 외기와의 기액 접촉에 의해 외기 중에 포함되어 있는 오염물들을 제거하는 역할을 한다.
상기 순환부(160)는 상기 분사 장치(100)에 의해 분사되어 공기와의 기액 접촉에 의해 오염물들을 흡착한 물을 담아 저장하는 저장 탱크(120), 새로운 물과 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크(121) 및 배수에 포함된 광촉매를 회수하기 위한 광촉매 필터(126)를 포함한다. 이와 같이, 오염 제거에 사용되는 순환수의 pH 지수를 조절하고 순환수 내의 유기물을 제거함으로써, 공조 시스템의 오염 제거 효율을 크게 높일 수 있다. 이에 의하면 순환수의 pH 지수를 일정하게 유지할 수 있으므로, 운전 자금 절약을 위해 저장 탱크(120)로 공급되는 새로운 물의 양을 10% 이하로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에 따른 외기 공조 시스템(480)의 오염 제어 장치(400)는 오염 제거 효율을 향상시키기 위하여 상술한 제3 내지 제6 실시예와 동일한 구조의 제거기(110)를 사용하거나 상술한 제7 실시예에서와 동일하게 육각수로 이루어진 순환수를 사용할 수 있다.
상술한 구조의 오염 제어 장치(400)를 갖는 외기 공조 시스템(480)은 청정실(460)의 외부에 설치된다. 본 실시예에 의하면, 상기 청정실(460) 내에 배치된 설비단, 예를 들어 복수개의 레지스트 처리 장치들로 구성된 설비단에 연결된 공급 덕트(405)를 통해 상기 외기 공조 시스템(480)으로부터 배출된 청정화 외기(Ao)가 상기 설비단에 직접 공급된다.
구체적으로, 외기 공조 시스템(480)으로 유입된 외기(Aio)는 각종 필터(452)들을 통해 먼지가 제거되고 오염 제어 장치(400)에 의해 O3, NH3, SOx, NOx, 유기물 등의 각종 오염원들이 제거된 후, 팬(454)을 통해 공급 덕트(405)로 배출된다.
상기 청정화 외기(Ao)는 공급 덕트(405)를 경유하여 도 14의 B 부분을 확대하여 나타낸 도 15에 도시한 바와 같이, 복수개의 도입구(462)를 통해 각각의 기판 처리 장치에 연결되어 있는 도입구(462)로 도입된다. 상기 도입구(462)로부터 도입된 청정화 외기(Ao)는 건조기(410), HEPA(high efficiency particulate air) 필터 또는 ULPA(ultra low phneumatic air) 필터와 같은 고성능 필터(415) 및 온도 조절 유닛(425)을 차례로 경유하여 온도 및 습도가 제어된 후, 도입관(464)을 통해 각각의 기판 처리 장치 내의 처리 공간(450)으로 공급된다.
이와 동시에, 청정실 필터(435)를 통해 여과되어 청정실(460)의 내부에서 순환되고 있는 청정실 공기(Aic)는 급기관(430)을 경유하여 팬(420)에 의해 각 처리 공간(450)으로 유입된다. 이때, 도시한 바와 같이, 상기 급기관(430)을 공급 덕트(405)와 연결하여 청정실 공기(Aic)의 온도 또는 습도 중의 적어도 한쪽을 조절한 후 각 처리 공간(450)으로 유입할 수 있다.
통상적으로 청정실 필터(435)에 의해 여과된 청정실 공기(Aic)는 NH3, SOx, NOx 등의 오염원들은 제거되지만 오존(O3)이나 유기물 등을 미량 함유하고 있다. 따라서, 설비단에 유입되는 전체 공기 중 청정실 공기(Aic)를 10∼20%로 제어하고 청정화 외기(Ao)를 80∼90%로 제어하여 처리 공간(450)으로 들어가는 오염원을 최소하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제10 실시예에 의하면, 기액 접촉에 의해 오염원들을 제거하는 오염 제어 장치를 갖는 외기 공조 시스템을 통해 청정화된 외기를 청정실 내의 설비단에 직접 공급함으로써 상술한 제8 실시예 또는 제9 실시예에 비해 공정 원가를 더욱 절감할 수 있다.
도 16a 및 16b는 도 5에 나타난 본 발명의 제1 실시예에 따른 오염 제어 시스템에 의한 오염원 제거 효율을 나타내는 그래프이다.
도 16a에서 그래프 a는 벤젠의 제거율을 나타내고, 그래프 b는 톨루엔과 크실렌의 제거 효율을 나타내며 그래프 c는 에칠벤젠의 제거 효율을 나타낸다. 그래프로부터 시간이 지날수록 각종 유기물 오염원의 제거율이 증가하고 있음을 확인할 수 있는데, 이는 순환수의 오염원 제거 효율이 시간이 지나더라도 일정한 수준으로 유지됨을 의미한다.
도 16b는 시간에 따른 NOx 농도 변화를 나타낸 그래프이다. 30분 내에 NOx가 거의 완전하게 제거되는 것을 확인할 수 있는데, 이로부터 광촉매가 높은 오염원 제거 효율을 가지고 있음을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 시간이 지남에 따라 순환수 자체가 오염되는 문제점을 해결하고, 다양한 오염원을 동시에 제어할 수 있는 습식 공조 시스템인 WSS를 한층 더 개발한 고효율 WSS를 개발함으로써 반도체 제조 공정이 진행되는 영역에 유입되는 오염을 사전에 차단할 수 있다. 이에 따라 청정화된 공기를 공급해 줌으로써 각종 오염원으로 인한 불량을 제어할 수 있다.
또한 습식 공조 방식의 오염 제어 시스템을 반도체 설비와 같은 기판 처리 장치의 공조 시스템에 적용함으로써, 설비 내부의 처리 공간에 각종 오염원들(O3, NH3, SOx, NOx, 유기물 등)이 효과적으로 차단된 청정화 공기를 공급할 수 있다. 따라서, 각종 오염원들로 인한 공정 불량을 예방하여 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키고, 주기적인 교체가 요구되는 고가의 케미컬 필터를 사용하지 않음으로써 공정 안정화 및 가동 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 통상적인 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 오염 제어 시스템의 순환수의 pH 지수와 오염 제거 효율과의 관계를 나타낸 그래프들이다.
도 3은 오염 제어 시스템에 의한 오염 제거에 따른 순환수의 pH 변화 그래프이다.
도 4는 광촉매의 기본적인 촉매 반응 메카니즘을 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 오염 제어 시스템에 바람직하게 적용가능한 노즐의 구조를 나타내는 단면도 및 정면도이다.
도 7a 및 7b는 본 발명의 오염 제어 시스템에 적용가능한 노즐의 배열을 물 표면 영역과 함께 도시한 개략도이다.
도 8a 내지 8c에는 본 발명의 오염 제어 시스템에 적용가능한 공기 흐름 방향과 물의 공급 방향을 도시한 개략도들이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 10a 내지 10c는 본 발명의 제3 내지 제5 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도들이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 의한 오염 제어 시스템의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 제9 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 의한 기판 처리 장치의 공조 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 15는 도 14의 B 부분을 확대한 도면이다.
도 16a 및 16b는 도 5에 나타난 본 발명의 제1 실시예에 따른 오염 제어 시스템에 의한 오염원 제거 효율을 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 105 : 분사 장치 110, 115 : 제거기
120 : 저장 탱크 121: 공급 탱크
122 : 급수관 124 : 배수관
125 : 펌프 126: 광촉매 필터
150, 415, 452 : 필터 155 : 공급 노즐
200, 300, 450 : 처리 공간 205, 435 : 청정실 필터
210, 305, 430 : 급기관 235, 325 : 송출부
236, 326 : 송출관 245, 320 : 순환관
405 : 공급 덕트 480 : 외기 공조 시스템
220, 310, 400 : 오염 제어 장치
225, 315 : 온·습도 조절 장치
215, 225, 420, 454 : 팬 460 : 청정실

Claims (34)

  1. 물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
    기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
    상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 광촉매를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 구비하며,
    상기 순환부는
    상기 광촉매 및 상기 오염물들을 포집한 물를 포함하는 순환수를 저장하는 탱크;
    상기 저장 탱크 내에 새로운 물과 상기 광촉매를 공급하기 위한 공급 탱크; 및
    상기 저장 탱크로부터 배수에 포함된 광촉매를 필터링하기 위한 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 광촉매는 ZnO, CdS, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 저장 탱크 내에 공급되는 새로운 물의 양을 전체 순환수양의 10% 이하로 제어하는 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 분사 장치를 이용한 물의 분사는 초음파를 이용한 분사 및 노즐에 압력을 가하여 분무하는 압력 분사중 어느 하나의 방식을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 물분사 전에 와류를 형성할 수 있도록 홀로우 콘 타입을 갖는 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 인접열간에 지그재그형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  11. 제1항에 있어서, 상기 분사되는 물의 방향은 상기 공기의 흐름 방향과 동일한 방향, 반대 방향 및 수직 방향중 어느 하나의 방향인 것을 특징으로 하는 오염 제어 시스템.
  12. 청정실 내의 격리된 처리 공간 내에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 공조 시스템에 있어서,
    상기 청정실 내의 공기를 유입하는 급기관;
    상기 급기관과 연결되고, 유입된 공기와의 기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 제거하기 위한 오염 제어 장치;
    상기 오염 제어 장치에 의해 오염물들이 제거된 공기의 온도 및 습도 중의 적어도 한쪽을 조절하기 위한 조절 장치; 및
    상기 온도 또는 습도 중의 적어도 한쪽이 조절된 공기를 상기 처리 공간 내로 공급하는 송출관을 구비하며,
    상기 오염 제어 장치는
    물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
    기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
    상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 처리 공간 내의 공기를 순환시켜 상기 오염 제어 장치로 공급하기 위한 순환관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 처리 장치가 레지스트 도포 장치인 경우, 상기 오염 제어 장치로 유입되는 전체 공기 중 상기 순환관을 통해 공급되는 공기를 40% 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  15. 제12항에 있어서, 상기 오염 제어 장치의 순환부는 상기 오염물들을 포집한 물을 담아 저장하는 탱크를 더 구비하며, 상기 탱크에는 새로운 물을 공급하기 위한 급수관이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 급수관을 통해 상기 탱크 내에 공급되는 새로운 물의 양을 10% 이하로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  17. 제12항에 있어서, 상기 첨가제는 빛을 흡수하여 전자 및 정공을 포함하는 활성종을 생성할 수 있으며, 생성된 활성종이 순환수내의 오염물을 분해할 수 있는 광촉매인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 광촉매는 ZnO, CdS, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  19. 제12항에 있어서, 상기 순환부는 상기 첨가제 및 오염물들을 포집한 물을 담아 저장하는 탱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  20. 제12항에 있어서, 상기 순환부는 배수에 포함된 광촉매를 필터링 하기 위한 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  21. 제12항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 물분사 전에 와류를 형성할 수 있도록 홀로우 콘 타입을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  22. 제12항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 인접열간에 지그재그형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  23. 제12항에 있어서, 상기 분사되는 물의 방향은 상기 공기의 흐름 방향과 동일한 방향, 반대 방향 및 수직 방향중 어느 하나의 방향인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  24. 외기와의 기액 접촉에 의해 상기 외기 중의 오염물들을 제거하기 위한 오염 제어 장치를 구비하는 외기 공조 시스템; 및
    상기 오염물들이 제거된 외기를 여과시키기 위한 필터와, 상기 오염물들이 제거된 외기의 온도 및 습도 중의 적어도 한쪽을 조절하기 위한 조절 장치를 포함하며, 상기 오염물들이 제거된 외기를 청정실 내에 배치된 복수개의 기판 처리 장치의 각 처리 공간 내에 직접 공급하기 위한 공급 덕트를 구비하고,
    상기 외기 공조 시스템의 오염 제어 장치는
    물을 분사하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 분사 장치;
    기액 접촉에 의해 공기 중의 오염물들을 포집한 물을 트랩하여 하방으로 떨어뜨리기 위한 적어도 하나의 제거기; 및
    상기 분사 장치에 pH 조절을 위한 첨가제를 포함하는 순환수를 공급하기 위한 순환부를 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 상기 청정실 내부의 공기를 상기 복수개의 기판 처리 장치의 각 처리 공간 내에 유입하도록 각각의 기판 처리 장치에 연결된 복수개의 급기관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  26. 제24항에 있어서, 상기 복수개의 기판 처리 장치의 각 처리 공간 내에 유입되는 전체 공기 중에서 상기 오염 제어 장치를 통해 공급되는 외기는 80∼90%로 조절하고 상기 청정실 공기는 10∼20%로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  27. 제24항에 있어서, 상기 오염 제어 장치의 순환부는 상기 오염물들을 포집한 물을 담아 저장하는 탱크를 더 구비하며, 상기 탱크에는 새로운 물을 공급하기 위한 급수관이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  28. 제24항에 있어서, 상기 첨가제는 빛을 흡수하여 전자 및 정공을 포함하는 활성종을 생성할 수 있으며, 생성된 활성종이 순환수내의 오염물을 분해할 수 있는 광촉매인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  29. 제28항에 있어서, 상기 광촉매는 ZnO, CdS, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  30. 제24항에 있어서, 상기 순환부는 상기 첨가제 및 오염물들을 포집한 물을 담아 저장하는 탱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  31. 제24항에 있어서, 상기 순환부는 배수에 포함된 광촉매를 필터링 하기 위한 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  32. 제24항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 물분사 전에 와류를 형성할 수 있도록 홀로우 콘 타입을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  33. 제24항에 있어서, 상기 물의 분사를 위한 노즐은 인접열간에 지그재그형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
  34. 제24항에 있어서, 상기 분사되는 물의 방향은 상기 공기의 흐름 방향과 동일한 방향, 반대 방향 및 수직 방향중 어느 하나의 방향인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 공조 시스템.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7400717B2 (en) * 2004-12-30 2008-07-15 Grape Technology Grap, Inc. Enhanced directory assistance system with voice over IP call handling
BRPI0520640A2 (pt) * 2005-10-18 2009-10-06 Medclan sistema de climatização para a climatização de uma ou várias peças ou de habitáculos fechados
MY149598A (en) * 2006-07-20 2013-09-13 Sanyo Electric Co Air filtering apparatus having foreign material removing mechanism
JP4812633B2 (ja) * 2007-01-12 2011-11-09 三洋電機株式会社 空気除菌装置
EP1953462A3 (en) * 2007-01-30 2010-06-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Air filtering apparatus
CN101290150B (zh) * 2007-04-16 2011-06-08 陈勇达 整流式空气洁净***
KR101173395B1 (ko) 2009-05-28 2012-08-10 웅진코웨이주식회사 수처리 기기용 세척장치
KR101010559B1 (ko) * 2010-05-11 2011-01-24 정영민 습식 공기정화 장치
US20170273325A1 (en) * 2011-01-25 2017-09-28 Vincent Arrigo Counter-Top Produce Storage Chamber
KR101893017B1 (ko) * 2012-01-19 2018-08-29 삼성전자주식회사 가습기
US9566549B1 (en) * 2014-07-25 2017-02-14 Rio Grande Valley Sugar Growers, Inc. Apparatus and method for cleaning gas streams from biomass combustion
CN104971714B (zh) * 2015-06-29 2017-08-01 乐山师范学院 一种可见光催化活性纳米WO3‑TiO2的制备方法
CN105879526A (zh) * 2016-05-31 2016-08-24 上海雾洁环保科技有限公司 空气净化器
KR101991571B1 (ko) * 2017-07-26 2019-06-20 김철준 공기 정화장치
CN108671723B (zh) * 2018-05-17 2020-03-31 江苏大学 一种超声波同步脱硫除尘一体化装置
CN109469954A (zh) * 2018-10-11 2019-03-15 安徽优诺净化科技有限公司 无尘车间换气除尘结构
CN109453592A (zh) * 2018-11-14 2019-03-12 广东科霖环保设备有限公司 一种工业有机废气净化处理***成套装备
CN110090540B (zh) * 2019-04-19 2021-05-14 华南理工大学 一种硅酸钙板生产过程中的废气净化除臭工艺及装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5648048A (en) * 1993-04-09 1997-07-15 Babcock-Hitachi Kabushiki Kaisha Wet-type flue gas desulfurization plant
US5635149A (en) * 1994-06-09 1997-06-03 Abb Environmental Systems Division Of Abb Flakt, Inc. Wet scrubbing method and apparatus for removing sulfur oxides from combustion effluents
JP3241209B2 (ja) * 1994-06-22 2001-12-25 三菱重工業株式会社 排煙脱硫方法
CA2160311A1 (en) * 1995-10-11 1997-04-12 Bechara Safi Method of extracting light volatile solvents from a gaseous effluent by wet-scrubbing a gaseous effluent and biomethanation of the solvent-rich liquid
DE19758526B4 (de) * 1997-08-23 2004-07-15 Lechler Gmbh + Co. Kg Drallsprühdüse
US6153150A (en) * 1998-01-12 2000-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for controlled decomposition oxidation of gaseous pollutants
US20020110511A1 (en) * 2000-11-02 2002-08-15 Jonas Klingspor Horizontal scrubber system
US6843835B2 (en) * 2001-03-27 2005-01-18 The Procter & Gamble Company Air cleaning apparatus and method for cleaning air
TW590789B (en) * 2001-09-14 2004-06-11 Ind Tech Res Inst Method of treating an air stream containing VOCs
KR100476719B1 (ko) * 2002-12-05 2005-03-17 삼성전자주식회사 오염 제어 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 장치의 공조시스템
KR20040075426A (ko) * 2003-02-21 2004-08-30 중소기업진흥공단 나노 이산화티탄을 이용한 유독성 기체의 정화방법

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