KR100504642B1 - 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량평가 방법 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 105
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 290
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 203
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 67
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 54
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 27
- 238000011002 quantification Methods 0.000 claims description 23
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 8
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012470 diluted sample Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/38—Diluting, dispersing or mixing samples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N2015/0675—Comparing suspension before/after dilution
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가 및 저비용·고신뢰성의 세정도 평가가 실현 가능한 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량 평가 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
제1 기판 처리조(20A) 및 제2 기판 처리조(20B) 사이에 잔류액을 회수하는 잔류액 회수용 상부 접시(12) 및 액체 중의 입자 측정을 위한 잔류액 정량 계측조(13)를 설치하고, 제1 기판 처리조(20A)로부터 제2 기판 처리조(20B)로 기판(60)을 기판 반송 수단(50)을 이용하여 반송할 때에 기판(60)으로부터 적하하는 잔류액을 잔류액 회수 상부 접시(12) 및 잔류액 정량 계측조(13)로 회수하여 샘플액을 생성하고, 순수 정량조(14)로 샘플액을 순수 공급원(30)으로부터의 순수로 일정량 묽게 하여 액체 중의 입자 측정기(40)로 측정한다.
Description
본 발명은 전자 장치 등에 이용되는 기판에 대한 청정성 평가 기술 및 세정 기술에 관한 것으로, 특히 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량(이물질 미립자량)의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 세정 대상인 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있는 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량 평가 방법에 관한 것이다.
최근에 있어서의 이동체 통신(모빌) 기기나 멀티미디어 기기의 폭발적인 보급에 수반하여, 이들 기기에 실제 장착되는 시스템 LSI(집적 회로 장치)나 액정 장치 등에 대한 배선 폭의 미세화(파인 피치화)·저비용화가 급선무로 되어 있다. 이와 같은 기술 배경을 근거로 하여 최근에는 시스템 LSI(대규모 집적 회로)나 액정 장치 등에 이용되는 기판에 대해서도 마찬가지로 저렴한 세정 기술의 개발이 필수가 되고 있으며, 이와 같은 요구를 만족하는 세정 기술로서 종래부터 딥식 세정 시스템이 많이 이용되고 있다.
한편, LSI·액정 장치 등에 이용되는 기판의 딥식 세정 시스템에서는 딥식 세정 처리시에 세정 대상인 기판에 부착하는 장치나 약액, 순수(純水) 등으로부터의 입자(이물질 미립자)량의 평가는 모니터 기판을 세정 처리 했을 때의 입자(이물질 미립자)의 부착량에 의거하여, 장치 또는 처리 기판으로부터의 발진량(發塵量)을 평가하는 것이 일반적이다. 또한, 딥식 약액 처리조 및 물세척 처리조의 액중(液中) 입자의 계수 평가는 기판 처리조(약액 처리조 또는 물세척 처리조)로부터 직접 샘플링하는 입자량 평가 기술(제1 종래 기술)에 의해 행해진다.
또한, 다른 종래 기술(제2 종래 기술)로서는 예를 들어 약액 처리조 중의 액체 중의 입자량을 측정하여 발진 상태를 평가하는 입자량 평가 기술도 개시되어 있다.
그리고, 다른 종래 기술(제3 종래 기술)로서는 예를 들어 물세척 처리조 중의 액체 중의 입자량을 측정하는 입자량 평가 기술도 개시되어 있다.
그러나, 제1 종래 기술에는 이하에 언급하는 문제점이 있었다. 우선 제1 문제점은 모니터 기판의 비용이 필요하다는 것이다. 또한 제2 문제점은 모니터 기판을 처리함에 따른 생산 성능 저하이다. 그리고 제3 문제점은 모니터 기판의 표면 상태가 세정 대상 기판의 표면 상태와 동일하지 않아 입자의 종류마다 부착 상황이 달라 평가의 신뢰도가 낮다는 점이다.
또한, 제2 종래 기술에는 이하에 언급하는 문제점이 있었다. 우선 제1 문제점은 세정 대상 기판으로부터의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)이 많은 경우, 액체 중의 입자 측정기가 초기 상태로 회복하지 않는다는 점이다. 또한 제2 문제점은 세정 대상 기판으로부터의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)이 많은 경우, 약액체 중에 과산화수소수(H2O2)량이 많을 때에 기포가 발생하여 액체 중의 입자 측정기로 계수된다는 점이다. 그리고 제3 문제점은 약액 농도가 높은 경우나 고온의 경우에 검출 감도가 낮다는 점이다.
그리고, 제3 종래 기술에는 이하에 언급하는 문제점이 있었다. 우선 제1 문제점은 물세척 처리조에 투입 직후부터 입자(이물질 미립자)의 확산이 발생하기 때문에, 입자의 카운트수가 극단적으로 감소하여 평가가 곤란해진다는 점이다. 그리고 제2 문제점은 물세척 처리조 내의 유량, 처리된 약액의 점성 등에 의해 물세척 처리조 내의 수류가 변화되기 쉽고, 입자의 카운트수에 차이가 발생하여 측정 오차가 크다는 점이다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량(이물질 미립자량)의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 세정 대상 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있는 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량 평가 방법을 제공하는 점에 있다.
청구항 1 기재의 요지는 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 세정 대상 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가가 실현 가능한 입자량 평가 장치로써, 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제1 기판 처리조로부터 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제2 기판 처리조로 세정 대상 기판을 반송할 때에 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 상부 접시와, 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 세정조로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량조와, 상류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 순수 정량조에 순수를 공급하는 순수 공급원과, 상류측에 배치된 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 하류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 잔류액 회수 상부 접시로부터의 샘플액을 상기 순수 정량조 내의 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측조와, 상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정기를 갖는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치에 있다．
또한, 청구항 2 기재의 요지는 상기 제1 기판 처리조 및 상기 제2 기판 처리조 사이에 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수용 상부 접시 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측조를 설치하고, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 세정 대상인 기판을 기판 반송 수단을 이용하여 반송할 때에 상기 세정 대상 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조로 회수하여 샘플액을 생성하고, 상기 순수 공급원으로부터의 순수를 상기 순수 정량조에 공급하여 상기 순수 정량조 내의 샘플액을 일정량 묽게 하여 상기 액체 중의 입자 측정기로 측정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 입자량 평가 장치에 있다.
그리고, 청구항 3 기재의 요지는 상기 순수 공급원은 샘플액의 측정 이전까지는 상기 액체 중의 입자 측정기에 순수를 통수하여 초기 상태를 유지하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 청구항 2 기재의 입자량 평가 장치에 있다．
또한, 청구항 4 기재의 요지는 반복 평가가 가능하도록, 상기 잔류액 회수 상부 접시, 상기 잔류액 정량 계측조 및/또는 상기 순수 정량조의 순수 세정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 입자량 평가 장치에 있다．
그리고, 청구항 5 기재의 요지는 상기 순수 세정 수단은 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조를 세정하기 위한 순수 노즐과, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조의 세정에 사용된 순수를 폐기하는 폐기 배관을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 입자량 평가 장치에 있다．
또한, 청구항 6 기재의 요지는 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가가 실현 가능한 딥식 세정 시스템으로써, 딥식 세정용의 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제1 기판 처리조와, 딥식 세정용의 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제2 기판 처리조와, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상인 기판을 반송하는 기판 반송 수단과, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상인 기판을 반송할 때에 딥식 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 상부 접시와 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 딥식 세정으로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량조와 상류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 순수 정량조에 순수를 공급하는 순수 공급원과 상류측에 배치된 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 하류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 잔류액 회수 상부 접시로부터의 샘플액을 상기 순수 정량조 내의 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측조와 상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정기를 구비한 입자량 평가 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 딥식 세정 시스템에 있다.
그리고, 청구항 7 기재의 요지는 상기 제1 기판 처리조 및 상기 제2 기판 처리조 사이에 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수용 상부 접시 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측조를 설치하고, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상인 기판을 기판 반송 수단을 이용하여 반송할 때에 상기 딥식 세정 대상인 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조로 회수하여 샘플액을 생성하고, 상기 순수 공급원으로부터의 순수를 상기 순수 정량조에 공급하여 상기 순수 정량조 내의 샘플액을 일정량 묽게 해서 상기 액체 중의 입자 측정기로 측정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 6에 기재된 딥식 세정 시스템에 있다.
또한, 청구항 8 기재의 요지는 반복 평가를 할 수 있도록, 상기 잔류액 회수 상부 접시, 상기 잔류액 정량 계측조 및/또는 상기 순수 정량조를 순수를 이용하여 세정하는 순수 세정 수단을 갖고, 상기 순수 세정 수단은 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조를 세정하기 위한 순수 노즐과, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조의 세정에 사용된 순수를 폐기하는 폐기 배관을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 6 또는 청구항 7 기재의 딥식 세정 시스템에 있다.
그리고, 청구항 9 기재의 요지는 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있는 입자 부착량 평가 방법으로써, 딥식 세정용의 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비한 제1 기판 공정과, 딥식 세정용의 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비한 제2 기판 공정과, 상기 제1 기판 공정으로부터 상기 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상인 기판을 반송하는 기판 반송 공정과, 상기 제1 기판 공정으로부터 상기 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상인 기판을 반송할 때 딥식 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 공정과, 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 딥식 세정으로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량 공정과, 상기 순수 정량 공정에 순수를 공급하는 순수 공급 공정과, 상기 잔류액 회수 공정에 의해 규정된 샘플액을 상기 순수 정량 공정에서 이용하는 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측 공정과, 상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 입자 부착량 평가 방법에 있다.
또한, 청구항 10 기재의 요지는 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수 공정 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측 공정을 상기 제1 기판 공정과 상기 제2 기판 공정 사이에 마련하고, 상기 제1 기판 공정의 실행 후에 상기 제2 기판 공정을 실행하기 위해 세정 대상인 기판을 상기 기판 반송 공정을 이용하여 반송할 때, 상기 세정 대상 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 공정 및 상기 잔류액 정량 계측 공정에서 회수하여 샘플액을 생성하는 공정과, 상기 순수 공급 공정으로부터의 순수를 상기 순수 정량 공정에 공급하여 상기 순수 정량 공정 내의 샘플액을 일정량 묽게 하는 동시에, 상기 일정량 묽어진 샘플액을 상기 액체 중의 입자 측정 공정에서 측정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 9 기재의 입자 부착량 평가 방법에 있다.
그리고, 청구항 11 기재의 요지는 상기 순수 공급 공정은 샘플액의 측정 이전까지는 상기 액체 중의 입자 측정 공정에 순수를 통수하여 초기 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 청구항 9 또는 청구항 10에 기재된 입자 부착량 평가 방법에 있다.
또한, 청구항 12 기재의 요지는 반복 평가를 할 수 있도록, 상기 잔류액 회수 공정, 상기 잔류액 정량 계측 공정 및/또는 상기 순수 정량 공정의 실행에 관련한 소정 기기를 순수를 이용하여 세정하는 순수 세정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 입자 부착량 평가 방법에 있다.
이하에 도시한 실시 형태의 특징은 대규모 집적 회로(LSI)·액정 장치 등에 필요로 되는 입자(이물질 미립자)나 금속 불순물, 유기물 등의 미소한 오염이 없는 청정한 세정 대상 기판을 약액 처리하는 딥식 세정 시스템에 있어서, 약액 처리후 또는 물세척 후에 부착한 세정 대상 기판의 표면의 잔류액을 잔류액 회수 상부 접시 및 잔류액 정량 계측조로 회수하여 샘플액을 생성하고, 일정량의 샘플액을 순수 정량조 내의 초기치 측정 완료된 정량 순수 중에 투입하여 액중의 입자수를 측정(즉, 입자량을 정량 평가)함으로써, 세정 대상 기판 상의 세정도를 액체 중의 입자량으로 신뢰성이 좋게, 또한 약액 처리 후에 대해서도 측정할 수 있는 데 있다. 이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 입자량 평가 장치 및 딥식 세정 시스템을 설명하기 위한 모식적 시스템 구성도이다. 도1을 참조하면, 도면 부호 12는 잔류액 회수 상부 접시, 도면 부호 13은 잔류액 정량 계측조, 도면 부호 14는 순수 정량조, 도면 부호 15는 순수 노즐, 도면 부호 16은 순수 배관, 도면 부호 17은 폐기 배관, 도면 부호 20A는 제1 기판 처리조, 도면 부호 20B는 제2 기판 처리조, 도면 부호 30은 순수 공급원, 도면 부호 40은 액체 중의 입자 측정기, 도면 부호 50은 기판 반송 수단, 도면 부호 60은 세정 대상 기판을 각각 나타내고 있다.
본 실시 형태의 딥식 세정 시스템은 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판(60) 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있어 제1 기판 처리조(20A), 제2 기판 처리조(20B), 기판 반송 수단(50), 입자량 평가 장치를 구비하고 있다.
제1 기판 처리조(20A)는 딥식 세정용의 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비하고 있다. 제2 기판 처리조(20B)는 딥식 세정용의 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비하고 있다. 기판 반송 수단(50)은 제1 기판 처리조(20A)로부터 제2 기판 처리조(20B)로 딥식 세정 대상인 기판(60)을 반송한다.
한편, 본 실시 형태의 입자량 평가 장치는 모니터 기판을 사용하는 일없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 세정 대상인 기판(60) 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있는 입자량 평가 장치로써, 잔류액 회수 상부 접시(12), 순수 정량조(14), 순수 공급원(30), 잔류액 정량 계측조(13), 액체 중의 입자 측정기(40), 순수 노즐(15), 순수 배관(16), 폐기 배관(17)을 구비하고 있다.
잔류액 회수 상부 접시(12)는 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제1 기판 처리조(20A)로부터 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제2 기판 처리조(20B)로 세정 대상 기판(60)을 반송할 때 세정 대상 기판(60)의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성한다. 즉, 희석하기 위한 샘플액을 정량 측정하여 입자를 계수 평가하므로, 세정 대상 기판(60) 상의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 또한 정밀도도 향상하는 등의 효과를 발휘한다. 순수 정량조(14)는 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 세정조로써, 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 낸다.
순수 공급원(30)은 상류측에 배치된 순수 정량조(14)에 연통한 상태에서 순수 정량조(14)에 순수를 공급하고, 샘플액의 측정 이전까지는 액체 중의 입자 측정기(40)에 순수를 통수하여 초기 상태를 보유 지지한다. 즉, 희석하기 위한 순수량 및 샘플액을 정량 측정하여 입자를 계수 평가하므로, 세정 대상 기판(60) 상의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 또한 정밀도도 향상하는 등의 효과를 발휘한다.
잔류액 정량 계측조(13)는 상류측에 배치된 잔류액 회수 상부 접시(12) 및 하류측에 배치된 순수 정량조(14)에 순수 배관(16)을 거쳐서 연통한 상태에서 잔류액 회수 상부 접시(12)로부터의 샘플액을 순수 정량조(14)내의 순수 중에 일정량 적하한다. 즉, 기준값을 측정하고 있는 일정량의 순수를 보유 지지하는 순수 정량조(14) 중에 샘플액을 잔류액 정량 계측조(13)로부터 투입하기 때문에, 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)의 감소, 기포의 발생 등에 의한 측정 오차를 억제한 상태에서의 정량 평가가 가능하다.
액체 중의 입자 측정기(40)는 순수 중에 일정량 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행한다. 이와 같이, 제1 기판 처리조(20A)(약액 처리조 또는 물세척 처리조)에서의 세정 대상 기판(60)의 세정 후의 세정 대상 기판(60) 표면 상의 잔류액을 평가에 이용함으로써, 세정 대상 기판(60) 상의 세정도를 액체 중의 입자량으로 신뢰성이 좋게, 또한 약액 처리 후에 대해서도 측정할 수 있게 된다.
순수 노즐(15)은 잔류액 회수 상부 접시(12) 및/또는 잔류액 정량 계측조(13)를 세정하고, 폐기 배관(17)은 잔류액 회수 상부 접시(12) 및/또는 잔류액 정량 계측조(13)의 세정에 사용된 순수를 폐기한다.
이와 같은 입자량 평가 장치는 제1 기판 처리조(20A) 및 제2 기판 처리조(20B) 사이에 잔류액을 회수하는 잔류액 회수용 상부 접시 및 액체 중의 입자 측정을 위한 잔류액 정량 계측조(13)를 설치하고, 제1 기판 처리조(20A)로부터 제2 기판 처리조(20B)로 세정 대상인 기판(60)을 기판 반송 수단(50)을 이용하여 반송할 때에 세정 대상 기판(60)으로부터 적하하는 잔류액을 잔류액 회수 상부 접시(12) 및 잔류액 정량 계측조(13)로 회수하여 샘플액을 생성하고, 순수 공급원(30)으로부터의 순수를 순수 정량조(14)에 공급하여 순수 정량조(14) 내의 샘플액을 일정량 묽게 해 액체 중의 입자 측정기(40)로 측정하도록 구성되어 있다.
다음에 딥식 세정 시스템의 동작(입자량 평가 방법)에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 딥식 세정 시스템은 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판(60) 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있고, 제1 기판 공정, 제2 기판 공정, 기판 반송 공정, 잔류액 회수 공정, 순수 정량 공정, 순수 공급 공정, 잔류액 정량 계측 공정, 액체 중의 입자 측정 공정을 구비한 입자량 평가 방법을 실행한다.
제1 기판 공정은 제1 기판 처리조(20A)가 실행하는 공정으로써, 딥식 세정용 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비하고 있다. 제2 기판 공정은 제2 기판 처리조(20B)가 실행하는 공정으로써, 딥식 세정용 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비하고 있다. 기판 반송 공정은 기판 반송 수단(50)이 실행하는 공정으로써, 제1 기판 공정으로부터 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상인 기판(60)을 반송한다. 잔류액 회수 공정은 잔류액 회수 상부 접시(12)가 실행하는 공정으로써, 제1 기판 공정으로부터 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상 기판(60)을 반송할 때에 딥식 세정 대상 기판(60)의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성한다. 순수 정량 공정은 순수 정량조(14)가 실행하는 공정으로써, 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 딥식 세정이고, 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 낸다. 순수 공급 공정은 순수 공급원(30)이 실행하는 공정으로써, 순수 정량 공정에 순수를 공급한다. 잔류액 정량 계측 공정은 잔류액 정량 계측조(13)가 실행하는 공정으로써, 잔류액 회수 공정에 의해 규정된 샘플액을 순수 정량 공정에서 이용하는 순수 중에 일정량 적하한다. 액체 중의 입자 측정 공정은 액체 중의 입자 측정기(40)가 실행하는 공정으로써, 순수 중에 일정량 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행한다. 또한, 순수 공급 공정은 샘플액의 측정 이전까지는 액체 중의 입자 측정 공정에 순수를 통수하여 초기 상태를 보유 지지한다.
이와 같은 논리 구성의 딥식 세정 시스템은, 잔류액을 회수하는 잔류액 회수 공정 및 액체 중의 입자 측정을 위한 잔류액 정량 계측 공정을 제1 기판 공정과 제2 기판 공정 사이에 마련하고, 제1 기판 공정의 실행 후에 제2 기판 공정을 실행하기 위해 세정 대상인 기판(60)을 기판 반송 공정을 이용하여 반송할 때에, 세정 대상 기판(60)으로부터 적하하는 잔류액을 잔류액 회수 공정 및 잔류액 정량 계측 공정에서 회수하여 샘플액을 생성하는 공정과, 순수 공급 공정으로부터의 순수를 순수 정량 공정에 공급하여 순수 정량 공정 내의 샘플액을 일정량 묽게 하는 동시에, 일정량 묽어진 샘플액을 액체 중의 입자 측정 공정에서 측정하는 공정을 실행한다.
구체적으로는, 세정 대상인 기판(60)이 제1 기판 처리조(20A)로 처리되어 다음의 제2 기판 처리조(20B)로 이동할 때, 적하하는 잔류액을 잔류액 회수 상부 접시(12) 및 잔류액 정량 계측조(13)로 회수하여 샘플액을 생성하고, 잔류액 정량 계측조(13)로 정량 계측을 행한다. 그 때까지, 순수 정량조(14)는 순수를 정량 채우고, 순수 중의 입자 측정을 행하여 대기 상태로 한다. 대기 완료후 순수 정량조(14)에 연통하는 순수 배관(16)을 통과시켜 샘플을 정량 투입후, 액체 중의 입자 측정기(40)로 측정을 행한다. 그 후, 잔류액 회수 상부 접시(12)와 잔류액 정량 계측조(13)는 순수 노즐(15)로 세정되어 다음의 잔류액 회수를 행한다. 세정에 사용된 순수는 순수 노즐(15)에 의한 세정시에 사용하는 폐기 배관(17)에 의해 폐기된다. 또, 본 실시 형태에서는 이 일련의 흐름을 나타내기 위해 1세트분의 모델을 그리고 있으나, 세정 대상 기판(60)의 처리 택트타임이 짧은 경우는 복수로 할 필요가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면 이하에 언급하는 효과를 발휘한다. 우선 제1 효과는 고감도·저비용으로 또한 신뢰성이 높은 세정도 평가를 기판 로트마다 행할 수 있다는 점이다. 또한 제2 효과는 세정 대상 기판(60) 상의 잔류 이물질량을 파악 할 수 있어, 그 결과 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)의 저감 개선 대책이 행해져 수율 향상에 기여한다는 점이다. 그리고 제3 효과는 LSI나 액정 등의 장치의 수율 저하의 주요인인 세정 대상 기판(60)으로의 입자(이물질 미립자)를 제거하는 딥식 세정 방식에 본 실시 형태를 적용함으로써, 세정 대상 기판(60) 상의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)을 저감할 수 있어, 그 결과 제조 비용의 저감 및 생산성의 안정화를 꾀할 수 있다는 점이다.
또, 본 발명이 상기 각 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에 있어서 각 실시 형태는 적절히 변경될 수 있는 것은 명백하다. 또한 상기 구성 부재의 수, 위치, 형상 등은 상기 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명을 실시함에 있어서 다음 적합한 수, 위치, 형상 등으로 할 수 있다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 있다.
본 발명은 이상과 같이 구성되어 있으므로, 이하에 언급하는 효과를 발휘한다. 우선 제1 효과는 고감도·저비용으로 또한 신뢰성이 높은 세정도 평가를 기판 로트마다 행할 수 있다는 것이다. 또한 제2 효과는 세정 대상 기판 상의 잔류 이물질량을 파악할 수 있어, 그 결과 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)의 저감 개선 대책이 행해져 수율 향상에 기여한다는 것이다. 그리고 제3 효과는 LSI나 액정 등의 장치의 수율 저하의 주요인인 세정 대상 기판으로의 입자(이물질 미립자)를 제거하는 딥식 세정 방식에 본 발명을 적용함으로써, 세정 대상 기판 상의 입자 부착량(이물질 미립자 부착량)을 저감할 수 있어, 그 결과 제조 비용의 저감 및 생산성의 안정화를 꾀할 수 있다는 것이다.
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 입자량 평가 장치 및 딥식 세정 시스템을 설명하기 위한 모식적 시스템 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
12 : 잔류액 회수 상부 접시
13 : 잔류액 정량 계측조
14 : 순수 정량조
15 : 순수 노즐
16 : 순수 배관
17 : 폐기 배관
20A : 제1 기판 처리조
20B : 제2 기판 처리조
30 : 순수 공급원
40 : 액체 중의 입자 측정기
50 : 기판 반송 수단
60 : 세정 대상 기판
Claims (12)
- 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 세정 대상 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가가 실현 가능한 입자량 평가 장치이며,약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제1 기판 처리조로부터 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제2 기판 처리조로 세정 대상 기판을 반송할 때에 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 상부 접시와,순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 세정조로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량조와,상류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 순수 정량조에 순수를 공급하는 순수 공급원과,상류측에 배치된 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 하류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 잔류액 회수 상부 접시로부터의 샘플액을 상기 순수 정량조 내의 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측조와,상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정기를 갖는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치．
- 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 처리조 및 상기 제2 기판 처리조 사이에 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수용 상부 접시 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측조를 설치하고, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 세정 대상 기판을 기판 반송 수단을 이용하여 반송할 때에 상기 세정 대상 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조로 회수하여 샘플액을 생성하고, 상기 순수 공급원으로부터의 순수를 상기 순수 정량조에 공급하여 상기 순수 정량조 내의 샘플액을 일정량 묽게 하여 상기 액체 중의 입자 측정기로 측정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치．
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 순수 공급원은 샘플액의 측정 이전까지는 상기 액체 중의 입자 측정기에 순수를 통수하여 초기 상태를 유지하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치 ．
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 반복 평가가 가능하도록, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조의 순수 세정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치 ．
- 제4항에 있어서, 상기 순수 세정 수단은 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조를 세정하기 위한 순수 노즐과, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조의 세정에 사용된 순수를 폐기하는 폐기 배관을 갖는 것을 특징으로 하는 입자량 평가 장치 ．
- 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가가 실현 가능한 딥식 세정 시스템이며,딥식 세정용 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제1 기판 처리조와,딥식 세정용 약액 처리조 및/또는 물세척 처리조를 구비한 제2 기판 처리조와,상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상 기판을 반송하는 기판 반송 수단과,상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상 기판을 반송할 때에 딥식 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 상부 접시와 순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 딥식 세정으로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량조와 상류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 순수 정량조에 순수를 공급하는 순수 공급원과 상류측에 배치된 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 하류측에 배치된 상기 순수 정량조에 연통한 상태에서 상기 잔류액 회수 상부 접시로부터의 샘플액을 상기 순수 정량조 내의 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측조와 상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정기를 구비한 입자량 평가 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 딥식 세정 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 기판 처리조 및 상기 제2 기판 처리조 사이에 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수용 상부 접시 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측조를 설치하고, 상기 제1 기판 처리조로부터 상기 제2 기판 처리조로 딥식 세정 대상 기판을 기판 반송 수단을 이용하여 반송할 때에 상기 딥식 세정 대상 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조로 회수하여 샘플액을 생성하고, 상기 순수 공급원으로부터의 순수를 상기 순수 정량조에 공급하여 상기 순수 정량조 내의 샘플액을 일정량 묽게 하여 상기 액체 중의 입자 측정기로 측정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 딥식 세정 시스템.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 반복 평가가 가능하도록, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및 상기 잔류액 정량 계측조를 순수를 이용하여 세정하는 순수 세정 수단을 갖고,상기 순수 세정 수단은 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조를 세정하기 위한 순수 노즐과, 상기 잔류액 회수 상부 접시 및/또는 상기 잔류액 정량 계측조의 세정에 사용된 순수를 폐기하는 폐기 배관을 갖는 것을 특징으로 하는 딥식 세정 시스템.
- 모니터 기판을 사용하는 일 없이 실제 액체 중의 입자 부착량의 고정밀도 정량 평가가 가능하며, 딥식 세정 대상인 기판 상의 입자 부착량과의 상관 관계를 구하기 쉽고, 저비용·고신뢰성의 세정도 평가를 실현할 수 있는 입자 부착량 평가 방법이며,딥식 세정용의 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비한 제1 기판 공정과,딥식 세정용의 약액 공정 및/또는 물세척 공정을 구비한 제2 기판 공정과,상기 제1 기판 공정으로부터 상기 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상 기판을 반송하는 기판 반송 공정과,상기 제1 기판 공정으로부터 상기 제2 기판 공정으로 딥식 세정 대상 기판을 반송할 때 딥식 세정 대상 기판의 표면으로부터 적하하는 잔류액을 회수하여 샘플액을 생성하는 잔류액 회수 공정과,순수 중의 입자 측정을 행하기 위한 딥식 세정으로써 일정량의 순수를 채운 대기 상태를 만들어 내기 위한 순수 정량 공정과,상기 순수 정량 공정에 순수를 공급하는 순수 공급 공정과,상기 잔류액 회수 공정에 의해 규정된 샘플액을 상기 순수 정량 공정에서 이용하는 순수 중에 일정량 적하하는 잔류액 정량 계측 공정과,상기 순수 중에 일정량 상기 샘플액이 적하된 용액을 이용하여 액체 중의 입자의 계수 평가를 행하는 액체 중의 입자 측정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 입자 부착량 평가 방법.
- 제9항에 있어서, 잔류액을 회수하는 상기 잔류액 회수 공정 및 액체 중의 입자 측정을 위한 상기 잔류액 정량 계측 공정을 상기 제1 기판 공정과 상기 제2 기판 공정 사이에 마련하고,상기 제1 기판 공정의 실행 후에 상기 제2 기판 공정을 실행하기 위해 세정 대상 기판을 상기 기판 반송 공정을 이용하여 반송할 때, 상기 세정 대상 기판으로부터 적하하는 잔류액을 상기 잔류액 회수 공정 및 상기 잔류액 정량 계측 공정에서 회수하여 샘플액을 생성하는 공정과,상기 순수 공급 공정으로부터의 순수를 상기 순수 정량 공정에 공급하여 상기 순수 정량 공정 내의 샘플액을 일정량 묽게 하는 동시에, 상기 일정량 묽어진 샘플액을 상기 액체 중의 입자 측정 공정에서 측정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 입자 부착량 평가 방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 순수 공급 공정은 샘플액의 측정 이전까지는 상기 액체 중의 입자 측정 공정에 순수를 통수하여 초기 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 입자 부착량 평가 방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 반복 평가를 할 수 있도록, 상기 잔류액 회수 공정 및 상기 잔류액 정량 계측 공정의 실행에 관련한 소정 기기를 순수를 이용하여 세정하는 순수 세정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 입자 부착량 평가 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99-156608 | 1999-06-03 | ||
| JP15660899A JP3148201B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | パーティクル量評価装置ならびにディップ式洗浄システムおよびパーティクル付着量評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010006829A KR20010006829A (ko) | 2001-01-26 |
| KR100504642B1 true KR100504642B1 (ko) | 2005-08-03 |
Family
ID=15631468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0013957A KR100504642B1 (ko) | 1999-06-03 | 2000-03-20 | 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량평가 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6446645B1 (ko) |
| JP (1) | JP3148201B2 (ko) |
| KR (1) | KR100504642B1 (ko) |
| TW (1) | TW451336B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100672632B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2007-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
| JP2012204947A (ja) | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 情報処理装置及びプログラム |
| CN103149199B (zh) * | 2012-12-25 | 2015-05-27 | 北京城市排水集团有限责任公司 | 水质急性毒性高通量快速测定试剂盒制作及使用方法 |
| CN103954493B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-06-08 | 广东电网公司电力科学研究院 | 燃煤飞灰中碳黑颗粒与残焦的分离及定量测定方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136339A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置 |
| JPH02157077A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-15 | Nec Corp | バブリング洗浄装置 |
| JPH02285635A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハキャリア洗浄装置 |
| JPH05291226A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nippon Steel Corp | 循環濾過による洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH07283190A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Nippon Steel Corp | 蒸気洗浄装置 |
| JPH07326599A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
| JPH11233477A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| JP2678367B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1997-11-17 | 信越半導体 株式会社 | 蒸気洗浄装置 |
| JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JPH0737850A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| US6241827B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15660899A patent/JP3148201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-17 TW TW089104904A patent/TW451336B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-20 KR KR10-2000-0013957A patent/KR100504642B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-01 US US09/584,752 patent/US6446645B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136339A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置 |
| JPH02157077A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-15 | Nec Corp | バブリング洗浄装置 |
| JPH02285635A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハキャリア洗浄装置 |
| JPH05291226A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nippon Steel Corp | 循環濾過による洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH07283190A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Nippon Steel Corp | 蒸気洗浄装置 |
| JPH07326599A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
| JPH11233477A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW451336B (en) | 2001-08-21 |
| JP3148201B2 (ja) | 2001-03-19 |
| US6446645B1 (en) | 2002-09-10 |
| JP2000343048A (ja) | 2000-12-12 |
| KR20010006829A (ko) | 2001-01-26 |
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