KR100501228B1 - 유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 전계발광소자의 유기 전계발광층 및 음극 전극을 격벽과 메탈마스크를 사용하지 않고 하전방식으로 형성한 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유기 전계발광층 및 음극 전극의 고정세 패턴화가 가능하고, 유기 전계발광층과 음극 전극 증착시 하부에 격벽을 형성하지 않은 상태에서 증착이 가능하므로 공정을 단축시키며 코스트를 개선할 수 있다.

Description

유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법{Organic electroluminescence device and fabricating method thereof}
본 발명은 유기 전계발광소자(organic electroluminescence device : OELD, 이하, "유기 EL 소자"라 칭함) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 전계발광소자의 유기 전계발광층 및 음극 전극을 격벽과 메탈마스크를 사용하지 않고 하전방식으로 형성한 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 표시장치(디스플레이)의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있다. 이러한 문제를 해결할 가능성이 있는 디스플레이로서 최근 유기 발광 재료를 사용한 유기 EL 소자가 많은 주목을 받고 있다.
유기 EL 소자는 저전압구동, 자기발광, 높은 발광 효율, 경량박형, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있고, 발광물질을 선택하여 풀 칼라 발광이 가능하여 차세대 평판 디스플레이 기술 중의 하나로서 기술개발이 활발하게 진행되고 있다.
유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자 (exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상이다.
이러한 현상을 이용한 유기 EL 소자는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 기본적인 구조를 갖고 있다. 도 1은 통상의 유기 EL 소자의 나타내는 개략도이고, 도 2는 도 1에서의 A-A'로 절단된 면을 나타내는 개략 단면도이다.
유기 EL 소자의 기본적인 구성은, 투명기판(2)과, 상기 투명기판(2) 상부에 스트라이프 형태로 일렬로 배열된 양극 전극(4)과, 상기 양극 전극(4) 상에 적층되어 형성된 유기 전계발광층(10) 및 상기 유기 전계발광층(10) 상에서 양극 전극과 교차하고 띠 모양으로 형성된 음극 전극(12)인 금속 전극이 순서적으로 적층된 구조이다. 또한 유기 전계발광층(10) 및 음극 전극(12)을 적층하기 위한 상기 음극 전극(12)들 사이에 동일한 띠 모양으로 형성된 격벽(8)과, 양극 전극(4)들 간의 전기적 절연을 하기 위한 절연막(6)을 구비한다. 그리고, 시인성 향상을 위해 외광의 난반사를 최소화하고, 입사 자외선 차단을 위하여 투명기판(2) 하면에 광학 필름으로 형성된 폴라라이저(14)를 구비한다.
유기 전계발광층(10)은, 양극 전극(4)으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공 수송층(hole transport layer); 양극 전극(4)과 음극 전극(12)으로부터 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 발광이 일어나는 영역인 발광층(emitting layer); 및 음극 전극(12)으로부터 공급되는 전자의 원활한 수송을 위한 전자 수송층(electron transport layer)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 경우에 따라서는 소자 내에 정공 및 전자의 주입이 원활하게 하기 위한 정공 주입층(hole injection layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 적층할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 유기 EL 소자는 다음의 단계들을 거쳐 제조된다. 먼저, 투명의 유리기판(2) 상에 진공 증착법을 이용하여 양극용 투명전극(4)를 증착하고, 사진식각법(photolithography)으로 패터닝(patterning)한다. 이후, 절연막(6)을 사진식각법으로 형성한 후, 유기 전계발광층(10)과 금속전극(12)의 분리를 위한 격벽(8)을 마찬가지의 사진 식각법으로 형성한다. 여기에 유기 전계발광층(10, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 등의 발광용도의 화합물 포함)과 음극 전극(12)을 메탈 마스크를 이용하여 차례로 증착시킨다.
그러나 상기 종래의 유기 EL 소자의 문제점은 유기 전계발광층(10)과 음극 전극(12)의 증착시 이들의 분리를 위한 격벽(8)을 형성하고, 이들의 패턴이 형성된 메탈마스크를 이용하여 증착하기 때문에, 상기 메탈 마스크로 인한 미세한 패턴 형성이 어려워 고정세 소자 제작에 문제가 있다. 또한 메탈마스크 텐션(Tension)시 위치 정밀도 문제 및 소자의 대형화로 인한 메탈마스크 쳐짐 현상이 발생된다. 그리고 격벽의 구조도 스캔 라인(Scan Line)의 분리를 위해서 돌출형(Overhang)의 형상을 유지해야 하는 어려움이 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 종래 유기 EL 소자의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 격벽 및 메탈마스크를 사용하지 않고 유기 전계발광층 및 음극 전극을 고정세의 패턴으로 형성한 유기 EL 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명기판; 상기 투명기판 상에 형성된 스트라이프 형태의 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 광도전성 물질을 포함한 광도전막; 상기 광도전막 상의 소정의 위치에 형성된 절연막; 상기 절연막 사이에 형성되어 외부의 인가 전압에 의해 광을 방사하는 유기 전계발광층; 및 상기 유기 전계발광층 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 유기 EL 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 EL 소자에서, 상기 유기 전계발광층은 하전 방식에 의해 형성하는 것이 바람직하며, 하전은 전하 형성장치에 의할 수 있다.
본 발명에서의 상기 광도전성 물질은 폴리스티렌 1∼10중량%, 2,4-DMPBT 와 같은 전자 도너(doner) 물질 1.5∼2.5중량%, 9-플루오레논과 같은 전자 억셉터(acceptor) 물질 0.05∼0.35중량%, 계면활성제 0.001∼0.01중량%를 포함하여 조성된 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 투명기판 상에 스트라이프 형태로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 광도전성 물질을 포함한 광도전막을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상의 소정의 위치에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 사이에 외부의 인가 전압에 의해 광을 방사하는 유기 전계발광층을 하전방식에 의해 형성하는 단계; 및 상기 유기 전계발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 EL 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 EL 소자에 있어, 상기 유기 전계발광층을 하전방식에 의해 형성하는 단계는, 상기 광도전막과 절연막 위를 음 또는 양의 극성을 갖도록 하전하는 단계; 상기 하전된 광도전막과 절연막상의 유기 전계발광층을 형성하고자 하는 위치에 자외선을 노광하는 단계; 상기 극성과 동일한 극성으로 하전시킨 유기 발광 화합물을 증착하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 하전단계, 노광단계, 및 증착단계를 순차적으로 반복하여 행하여 목적하는 적색, 녹색 또는 청색 유기 전계발광층을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자에 있어, 상기 제2 전극도 유기 전계발광층을 형성하는 방법과 마찬가지로 하전방식에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예들에 대한 설명을 통하여 보다 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 3 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 EL 소자의 개략 단면도이고, 도 4는 본 발명의 상기 유기 전계발광소자의 제조 방법을 설명하는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 유기 EL 소자는 투명기판(102)과 상기 투명기판(102) 상에 형성된 소정 간격의 스트라이프 형태의 투명의 양극 전극(104)과, 상기 양극 전극(104) 상에 형성된, 빛을 받으면 전하가 도통되는 광도전성 물질을 포함한 광도전막(106)과, 상기 광도전막(106) 상의 소정의 위치에 형성된 절연막(108)과, 상기 절연막(108) 사이에 형성되어 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 적층되어 형성된 유기 전계발광층(110)과, 상기 유기 전계발광층(110) 상에 상기 양극 전극(104)과 교차하고 띠 모양으로 형성된 금속의 음극 전극(112)을 구비한다.
유기 EL 소자는 투명기판(102) 상에 일함수(work function)가 높은 투명전극(104)과 일함수가 낮은 금속전극(112) 사이에 유기 전계발광층(110)이 삽입되는 구조로 형성된다. 일함수가 높은 투명전극(104)은 정공을 주입하는 양극 전극(Anode)으로 사용되고, 일함수가 낮은 금속전극(112)은 전자를 주입하는 음극 전극(Cathode)으로 사용된다. 이 때 투명전극(104)은 발광된 빛이 발광소자 외부로 발산되게 하기 위하여 기판과 한쪽 전극은 발광파장영역에서 빛의 흡수가 거의 없는 투명한 물질을 사용한다. 이로써 투명전극(104)의 재료로서는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 도핑한 인듐 주석 산화물(Iidium Tin Oxide : ITO)가 사용된다.
상기 광도전막(106)을 구성하는 광도전성 물질은 폴리스티렌 1∼10중량%, 전자 도너 물질 1.5∼2.5중량%, 전자 억셉터 물질 0.05∼0.35중량%, 계면활성제 0.001∼0.01중량%를 포함하여 조성된 것이 바람직하다.
상기 전자 도너 물질은 예컨대, 1,4-디(2,3-메틸페닐)-1,4-디페닐부타트리엔 (2,4-DMPBT), 2,5-DMPBT, 3,4-DMPBT 또는 2-DMPBT 등의 전자 공여체를 사용할 수 있고, 전자 억셉터 물질은 9-플루오레논, 3-니트로-9-플로오레논 또는 2,7-디니트로-9-플루오레논 등의 전자 수용체를 사용할 수 있다. 또한 계면활성제는 통상의 시판되는 계면활성제를 사용할 수 있다.
상기 유기 전계발광층(110)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층으로 구성되며, 풀 칼라 발광을 위하여 각각의 화소의 원하는 부위에 녹색(G), 청색(B), 적색(R)의 발광재료를 적층한다.
상기 구성을 가진 본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 4를 참조하면, 우선 투명기판(102) 상에 진공 증착법을 이용하여 양극용 투명전극(4)를 증착 또는 스퍼터링 방법으로 형성한 후, 사진식각법으로 패터닝하여 일정한 간격을 갖는 스트라이프 형태로 형성한다.그 다음에 상기 광도전성 물질을 포함한 광도전막(106)을 사진식각법으로 형성한다. 그위에 도 4a에 도시된 바와 같은 각각의 화소의 전기적 절연을 위한 절연막(108)을 사진식각법에 의해 형성한다.
절연막(108)이 형성되면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 광도전막(106)과 절연막(108) 상부를 전하형성장치(120)를 이용하여 양전하로 하전시킨다. 또한 전하형성장치(120)를 이용하여 음전하로 하전시킬 수도 있다.
그다음에 도 4c와 같이, 포토마스크(122)를 사용하여 유기 발광층을 형성하고자 하는 부분을 노광한다. 이 때 포토 마스크(122)는 오픈부 및 차단부를 구비하며, 자외선(UV)에 의한 노광은 오픈부를 통하여 하전시킨 광도전막(106)과 절연막(108) 상에 조사되며, 노광부위에서는 광도전막(106)의 광도전성 물질에 의해 전하가 도통되어 양전하가 소멸된다.
노광 후, 도 4d와 같이, 상기 막에 하전된 극과 동일한 극으로 하전시킨 유기화합물을 상기 노광 공정에 의해 전하가 소멸된 부위에 증착하여 유기 전계발광층(110R, 110G, 110B)를 각각 형성한다.
예컨대, 우선 적색을 발광할 수 있는 유기 화합물을 마찰전기를 일으키는 스프레이 건에 의해 하전시킨 후 증착하여 적색 유기 전계발광층(110R)을 형성한다. 이와 같이, 적색 유기 화합물을 증착시 양전하로 하전시킴으로써 노광되지 않은 광 도전성막(106)과 절연막(108) 상에는 극간 척력에 의해 상기 적색 유기 화합물이 형성되지 않고 노광된 영역에만 증착되도록 한 것이다. 이러한 과정을 통하여 적색 유기 전계발광층(110R)을 종래의 격벽의 사용없이 고정세 패턴으로 형성할 수 있다. 적색 유기 전계발광층(110R)은 증착되어 곧바로 하전된 양전하가 광도전막(106)에 도통되어 극성을 상실한다(미도시). 따라서, 또다시 하전단계, 노광단계를 반복할 필요없이 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 순차적으로 적층할 수 있고, 계속하여, 음극 전극(112)도 동일한 극으로 하전시켜 극간 척력을 이용하여 형성할 수 있다.
그 후, 도 4e, 4f 및 4g와 같이, 상기 하전단계, 노광단계 및 증착단계를 순차적으로 반복하여 행하여, 다른 화소 부위에 녹색 또는 청색 유기 전계발광층(110G, 110B) 및 음극 전극(112)을 형성한다.
상기 구성을 통한 유기 발광층(110)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 순차적으로 적층하여 구성된 것으로, 각각의 적색, 녹색 및 청색의 유기 전계발광층(110R, 110G, 110B)은 상기 각 층별로 두께를 조절함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 각각의 화소 부위에 적색, 녹색 또는 청색의 발광층을 형성하지 않고, 청색의 단일 발광층을 형성한 후 파장을 조절할 수 있는 색변환 물질(color change material: CCM)을 적층하는 등의 다른 풀 칼라 구현 방식을 위한 유기 전계발광층(110)을 형성할 수도 있다.
이상에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 유기 전계발광소자 및 그 제조방법은 유기 전계발광소자의 유기 전계발광층 및 음극 전극을 하전 방식을 통하여 형성함으로써 종래의 메탈마스크 사용으로 인한 문제점을 해결하여 유기 전계발광층 및 음극 전극의 고정세 패턴화가 가능하고, 유기 전계발광층과 음극 전극 증착시 하부에 격벽을 형성하지 않은 상태에서 증착이 가능하므로 공정을 단축시키며 코스트를 개선할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 격벽을 사용하여 유기 전계발광층과 음극 전극을 증착한 종래의 유기 전계발광소자를 나타내는 개략도.
도 2는 도 1에서의 A-A'로 절단된 면을 나타내는 개략 단면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 전계발광소자의 개략 단면도.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 전계발광소자의 제조 방법을 설명하는 단면도.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
2, 102 : 투명기판 4, 104 : 양극 전극
6, 108 : 절연막 8 : 격벽
10, 110 : 유기 전계발광층 12, 112 : 음극 전극
14 : 폴라라이저 106 : 광도전막
120 : 전하형성장치

Claims (8)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성된 스트라이프 형태의 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성된 광도전성 물질을 포함한 광도전막;
    상기 광도전막 상의 소정의 위치에 형성된 절연막;
    하전 방식에 의해 상기 절연막 사이에 형성되어 외부의 인가 전압에 의해 광을 방사하는 유기 전계발광층; 및
    상기 유기 전계발광층 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 광도전성 물질은 폴리스티렌 1∼10중량%, 2,4-DMPBT 와 같은 전자 도너 물질 1.5∼2.5중량%, 9-플루오레논과 같은 전자 억셉터 물질 0.05∼0.35중량%, 계면활성제 0.001∼0.01중량%를 포함하여 조성된 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.
  4. 투명기판 상에 스트라이프 형태로 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 광도전성 물질을 포함한 광도전막을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상의 소정의 위치에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막 사이에 외부의 인가 전압에 의해 광을 방사하는 유기 전계발광층을 하전방식에 의해 형성하는 단계; 및
    상기 유기 전계발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유기 전계발광층을 하전방식에 의해 형성하는 단계는,
    상기 광도전막과 절연막 위를 음 또는 양의 극성을 갖도록 하전하는 단계;
    상기 하전된 광도전막과 절연막상의 유기 전계발광층을 형성하고자 하는 위치에 자외선을 노광하는 단계;
    상기 극성과 동일한 극성으로 하전시킨 유기 발광 화합물을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하전단계; 노광단계; 및 증착단계를 순차적으로 반복하여 행하여 적색, 녹색 또는 청색의 유기 전계발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 제2 전극을 하전방식에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 광도전성 물질은 폴리스티렌 1∼10중량%, 2,4-DMPBT 와 같은 전자 도너 물질 1.5∼2.5중량%, 9-플루오레논과 같은 전자 억셉터 물질 0.05∼0.35중량%, 계면활성제 0.001∼0.01중량%를 포함하여 조성된 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000028844A (ko) * 1998-10-05 2000-05-25 가네꼬 히사시 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법
JP2001060494A (ja) * 1999-06-16 2001-03-06 Nec Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2003086366A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Brother Ind Ltd 表示装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000028844A (ko) * 1998-10-05 2000-05-25 가네꼬 히사시 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법
JP2001060494A (ja) * 1999-06-16 2001-03-06 Nec Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2003086366A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Brother Ind Ltd 表示装置の製造方法

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