KR100500067B1 - 에폭시수지조성물및반도체장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 결정성 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기질 충전제 및 결정성 에폭시 수지의 에폭시기와 페놀 수지의 페놀성 수산기를 반응시켜 얻어진 반응 생성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 성형성 및 접착성이 우수하고, 공극, 금속선 누출 등의 결함이 없는 성형을 가능케하며, 이 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치는 신뢰성이 높다.

Description

에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 {Epoxy Resin Composition and Semiconductor Device}
본 발명은 성형성이 우수하고 접착성이 양호하여, 반도체 장치를 봉지하는 등의 경우에 공극 등의 성형 불량이 생기지 않는 에폭시 수지 조성물 및 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물에 의해 봉지된 반도체 장치에 관한 것이다.
최근에, 에폭시 수지 조성물의 납땜 리플로우(reflow) 내성을 개선하기 위하여, 비페닐형 에폭시 수지를 사용하게 되었다. 이와 같은 비페닐형 에폭시 수지는, 결정성이 있고 저점도이므로 대량으로 무기질 충전제가 첨가될 수 있기 때문에 저흡수화가 가능할 뿐만 아니라 각종 기재와의 접착성도 양호하여 바람직하게 사용하게 되었다.
그러나, 상기 비페닐형 에폭시 수지는, 한편으로는 결정성이 강하여 혼련이 불충분할 경우 비페닐형 에폭시 수지가 쉽게 결정으로 석출되며, 또한 비페닐형 에폭시 수지가 용융될 경우 점도가 매우 낮아져서 혼련시 고르게 되지 않아, 혼련이 불충분하게 되는 문제가 있어서, 그 결과 성형물의 내부에 쉽게 공극이 생기게 된다. 즉, 신뢰성이 양호한 성형물이 수득되지 않는 결점을 갖게 되어, 이같은 문제에 대한 해결이 요망되어 왔다.
본 발명은 상기의 요망에 따른 것으로서, 성형성이 좋고 상술한 종래의 문제점을 해결한 에폭시 수지 조성물 및 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과 비페닐형 에폭시 수지 등의 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지 및 무기질 충전제를 필수 성분으로 하는 에폭시 수지 조성물에, 다시 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지와의 반응 생성물을 배합함으로서, 혼련시에 결정성 에폭시 수지가 결정화하여 석출되거나 용융시에 저점도화되지 않아 성형성이 대폭 개선될 수 있다는 점과, 이로 인해 각종 기판과의 접착성이 양호할 뿐 아니라 성형성이 우수한 에폭시 수지 조성물이 수득되어 이와 같은 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치가 높은 신뢰성을 가지고 있다는 점, 그리고 이 경우 상기 반응 생성물 형성 전의 결정성 에폭시 수지를 포함한 전체 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 3 내지 30 ％와 페놀 수지 중의 페놀성 수산기가 반응하는 비율로 반응 생성물을 함유시키는 것이 유효함을 알아내고 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은,
(1) 결정성 에폭시 수지, 페놀성 수지, 무기질 충전제 및 결정성 에폭시 수지의 에폭시기와 페놀 수지의 페놀성 수산기를 반응시켜 얻어진 반응 생성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물,
(2) 상기 반응 생성물 형성 전의 결정성 에폭시 수지를 포함한 전체 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 3 내지 30 ％와 페놀 수지 중의 페놀성 수산기가 반응하는 비율로 반응 생성물을 함유하는 (1)에 기재된 에폭시 수지 조성물, 및
(3) (1) 또는 (2)에 기재된 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치를 제공한다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명하면, 본 발명에서 주성분으로 사용되는 결정성 에폭시 수지로서는, 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시기를 가지고, 액정 구조를 가지며 결정성이 양호한 저점도의 에폭시 수지가 적합하게 사용되고, 구체적인 예로는 하기 화학식의 화합물이 있다.
식 중, -OG는 를 나타낸다.
본 발명에서는, 에폭시 수지로서 상기 결정성 에폭시 수지 이외에 다른 에폭시 수지를 배합할 수 있다. 다른 에폭시 수지로서는, 종래부터 공지된 1 분자당 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것이면 어떠한 것도 사용이 가능하며, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 시클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들 다른 에폭시 수지의 배합량은, 에폭시 수지 전체의 30 중량 ％ 이하, 통상 0 내지 30 중량 ％, 특히 0 내지 15 중량 ％정도로 하는 것이 좋다.
이들 에폭시 수지 중의 총 염소 함유량은, 1,500 ppm 이하, 특히 1,000 ppm 이하가 바람직하다. 또한, 120 ℃에서 50 중량 ％의 에폭시 수지 농도에서는, 20 시간 동안 추출되는 추출수 염소가 5 ppm 이하가 바람직하다. 총 염소 함유량이 1,500 ppm을 초과하거나 추출수 염소 함유량이 5 ppm를 초과하면, 반도체의 내습 신뢰성이 저하되는 경우가 있다.
그리고, 페놀 수지 경화제로서는, 1 분자 중에 페놀성 수산기가 2 개 이상 있으면 어떠한 것도 사용 가능하며, 예를 들면 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 나프탈렌형 페놀 수지, 시클로펜타디엔형 페놀 수지 등을 들 수 있으며, 이 중에서도 하기 화학식의 페놀성 수산기를 함유하는 것이 바람직하게 사용된다.
식 중, n은 0 또는 1 내지 5의 정수를 나타낸다.
상기 페놀 수지는, 추출되는 염소 이온 또는 나트륨 이온 등의 이온 농도가 모두 10 ppm 이하, 특히 5 ppm 이하가 바람직하다.
상기 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지 경화제의 혼합 비율은, 에폭시기 1 몰에 대하여 페놀성 수산기가 0.5 내지 1.6 몰, 특히 0.6 내지 1.4 몰의 범위가 적합하다. 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합 비율이 0.5 몰 미만인 경우에는, 수산기가 부족하여 에폭시기의 단독 중합 비율이 높아지므로 유리 전이온도가 낮아지는 경우가 있고, 또한 1.6 몰을 초과하는 경우에는 페놀성 수산기의 비율이 높아지므로, 반응성이 저하될 뿐 아니라, 가교 밀도가 낮아서 충분한 강도가 얻어지지 않는 경우가 있다.
본 발명에서는, 상기 결정성 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제에 추가하여 수지 성분으로서 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기와 페놀 수지 중의 페놀성 수산기가 반응하여 이루어지는, 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 예비 반응 생성물을 다시 배합하기 때문에, 상기 반응 생성물은 성형성 개선을 위한 중요 성분이다.
이 경우, 상기 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 예비 반응 생성물은, 미리 소정량의 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지를 필요에 따라, 예를 들면 후술하는 촉매의 존재 하에서 용매 중에서 또는 벌크 상태로 반응시킴으로서 수득할 수 있다.
또, 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지를 혼련기 등의 혼련 장치에 의해 혼련할 때에 촉매를 첨가하여 혼련 중에 반응시킴으로서 수득할 수 있으며, 경우에 따라서는 무촉매로 고온하에서 충분히 혼련하여 반응시킴으로써 수득할 수도 있다.
이 경우, 상기 반응시의 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합비는, 결정성 에폭시 수지 100부(중량부, 이하 같음)에 대하여 페놀 수지가 50 내지 200부, 특히 100 내지 200부의 범위가 바람직하다. 50부 미만이면 에폭시기의 수가 너무 많아져서 반응시에 에폭시기만의(에폭시기 간의) 중합이 일어나서, 반응 생성물 및 그것을 배합한 조성물의 점도가 높아질 수 있고, 200부를 초과하면 에폭시기가 반응 생성물 중에 잔존하는 확율이 감소하여, 수산기만을 갖는 생성물이 되고, 다시 에폭시 수지를 첨가해야만 하는 경우가 있다.
또한, 예비 반응 생성물을 수득할 때의 촉매로서는, 예를 들면 인계, 이미다졸 유도체, 시클로아미딘계 유도체 등을 사용할 수 있으나, 그 중에서도 인계 촉매가 바람직하며, 특히 트리페닐포스핀이 부반응을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다.
상기 촉매의 배합량은, 예비 반응 생성물을 수득하는데 사용되는 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량 100부에 대하여 0.01 내지 10부가 적합하다.
상기 반응에 있어서, 용매를 사용할 때는, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤계 용매 또는 톨루엔 등의 방향족계 용매 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 용매의 사용량은, 예비 반응 생성물을 수득하기 위해 사용되는 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량 100부에 대하여 500부 이하, 특히 50 내지 400부 정도가 바람직하다.
상기 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 반응 조건은, 반응 온도는 50 내지 120 ℃, 특히 100 ℃ 이하가 바람직하며, 반응 시간은 반응 온도에 따라 달라지지만, 5 내지 30 분, 특히 10 내지 20 분이면 충분하다. 또한, 용매 중에서 또는 벌크 상태로 반응시킬 경우는, 겔화를 방지하기 위해 반응 온도와 반응 시간을 엄밀히 조절하는 것이 바람직하다. 반응 종료 후에, 신속히 반응 생성물을 꺼내고 냉각하는 것이 바람직하다.
이와 같은 반응으로 수득되는 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 반응 생성물은, 예를 들면 결정성 에폭시 수지로서 비페닐형 에폭시 수지, 페놀 수지로서 페놀아르알킬 수지를 사용한 경우에, 반응의 초기 단계에서 반응이 정지된 상태이고, 반응 후에 에폭시 당량의 변화 등으로 인해, 에폭시 수지를 A, 페놀 수지를 B로 했을 경우, 예를 들면 A-B형, A-B-A형, B-A-B형 등으로 표시되는 분자 중에 에폭시기와 페놀성 수산기의 적어도 한쪽, 바람직하게는 양쪽이 잔존하고 있는 하기 화학식 화합물이 생성되는 것으로 생각된다.
식 중, n은 1 내지 5의 정수이다.
상기 반응 생성물의 배합량은, 이 반응 생성물 형성 전의 반응 생성물 제조 재료인 결정성 에폭시 수지 및 상기 주 성분인 결정성 에폭시 수지로 이루어지는, 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 조제에 사용되는 전체 결정성 에폭시 수지 중의 전체 에폭시기의 3 내지 30 ％( 중량 ％ 또는 몰 ％ 어느 것도 가능하다), 특히 5 내지 25 ％에 대하여, 페놀 수지 중의 페놀성 수산기가 반응하는데 상당하는 양이다. 따라서, 이와 같은 반응 생성물의 양이 되도록 페놀 수지 및 이것과 반응하는 결정성 에폭시 수지의 양을 조정하고, 또한 반응을 조정하는 것이 바람직하다. 배합량이 전체 에폭시기의 3 ％ 미만과 페놀성 수산기가 반응하는데 상당하는 양인 경우에는, 결정성 에폭시 수지가 혼련 후에 결정화하여 석출되기 쉬워지고 수지의 균일성이나 성형성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 상기 30 ％를 초과하는 반응량에서는, 점도가 높아져서 무기질 충전제의 고충전화가 곤란해져서, 응력 특성이 저하될 뿐 아니라, 흡습성이 커져서 리플로우성이 나빠지는 경우가 있다.
또한, 상기 반응에 있어서, 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 반응량을 상기 범위로 조정하는 방법으로서는, 미리 소정량의 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지를 배합하고, 에폭시기의 반응량이 상기의 값이 되는 비교적 초기 단계에서 반응을 정지시키는 방법을 채택할 수 있다.
또한, 예비 반응 생성물을 수득했을 때, 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 반응량이 상기 30 ％를 초과하는 경우는, 결정성 에폭시 수지, 페놀 수지와 그 예비반응 생성물의 혼합물에 다시 결정성 에폭시 수지를 첨가하여, 그 예비 반응 생성물의 배합량이, 상기 전체 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 3 내지 30 ％가 페놀 수지 중의 페놀성 수산기와 반응하는데 상당하는 양이 되도록 임의로 조정한다.
본 발명에 사용되는 무기질 충전제로서는, 통상 에폭시 수지 조성물에 배합되는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 볼밀(ball mill) 등으로 분쇄한 용융 실리카 또는 화염 용융함으로서 수득되는 구상 실리카, 졸 겔법 등으로 제조되는 구상 실리카, 결정 실리카, 산화 알루미늄, 질산붕소, 질화 알루미늄, 질화 규소, 산화 마그네슘, 규산마그네슘 등이 사용된다. 또, 반도체 소자가 발열이 큰 소자인 경우, 열전도율이 가능한 한 크고, 동시에 팽창 계수가 작지 않은 산화 알루미늄, 질산붕소, 질화 알루미늄, 질화규소 등을 충전제로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 용융 실리카 등과 혼합하여 사용하여도 좋다.
또한, 더욱 정밀한 장치를 봉지하기 위해서는, 175 ℃에서의 용융 온도가 200 포아즈(poise) 이하, 특히 100 포아즈 이하의 에폭시 수지 조성물이 바람직하다. 그 때문에 무기질 충전제로서는, 구상으로 최밀 충전이 가능한 입도 분포를 갖는 것이 바람직하며, 이 때문에 무기질 충전제의 입도 분포는, 평균 입경(예를 들면, 레이저 회절법 등에 의한 중량 평균)이 4 내지 30 ㎛이고, 최대 입경이 74 ㎛ 이하, 특히 최대 입경이 50 ㎛ 이하인 점도 분포를 갖고, 비표면적이 2.5 ㎡/g 이하, 특히 1.0 내지 3.0 ㎡/g인 것이 바람직하다.
무기질 충전제의 사용량은, 상기의 반응 생성물과 결정성 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량 100부에 대하여, 통상 550 내지 1,000부, 특히 750 내지 950부가 적합하며, 550부 미만에서는 팽창계수를 충분히 내릴 수가 없고, 흡수율도 많아져서 납땜 리플로우 시의 온도에서 패키지(package)에 균열이 생기는 경우가 있으며, 1,000부를 초과하면 점도가 너무 높아져서 성형되지 않은 경우가 있다.
본 발명의 조성물에는 경화 촉진제를 배합하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면 인계, 이미다졸 유도체, 시클로아미딘계 유도체 등을 사용할 수 있다.
경화 촉진제의 배합량은, 상기의 반응 생성물과 에폭시 수지와 페놀 수지의 합계량 100부에 대하여 0.01 내지 10부가 적합하다.
본 발명의 조성물에는, 그 이외의 임의 성분을 필요에 따라 첨가할 수 있으며, 예를 들면 임의 성분으로서 난연화를 목적으로 브롬화 에폭시 수지 또는 산화안티몬 유도체, 점도를 내리는 목적으로 종래부터 공지된 n-부틸글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 스티렌옥시드, t-부틸페닐글리시딜에테르, 디시클로펜타디엔디에폭시드, 페놀, 크레졸, t-부틸페놀와 같은 희석제를 첨가할 수 있다.
또한, 실란 커플링제, 티탄계 커플링제, 알루미늄계 커플링제 등의 커플링제 또는 카본블랙 등의 착색제, 비이온계 계면활성제, 불소계 계면활성제, 실리콘 오일 등의 습윤 향상제 또는 소포제 등도 경우에 따라서는 첨가할 수 있다. 또한, 이들의 임의 성분의 첨가량은, 본 발명의 효과를 방해하지 않은 범위에서 통상량으로 할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물의 제조 방법으로서는, 상기한 각 원료를 고속 혼합기 등을 사용하여 균일하게 혼합한 후, 2 개의 롤 또는 연속 혼련 장치 등으로 충분히 혼련하는 것이 좋으나, 특히 결정성 에폭시 수지, 페놀 수지, 상기 반응 생성물과의 혼합물을 수득할 때에 결정성 에폭시 수지를 후첨가하여 조정하지 않고 그 예비 반응 생성물을 상술한 양으로 포함하는 혼합물로 하여, 여기에 무기질 충전제 및 다른 임의 성분을 배합, 혼련하는 것이 바람직하며, 이로 인해, 그 반응 생성물에서 1 분자 중에 에폭시기 및 페놀성 수산기의 양쪽을 갖는 성분의 비율이 높아지고 더욱 성형성이 우수한 에폭시 수지 조성물이 수득된다는 효과가 있다. 또한, 혼련 온도는 50 내지 110 ℃, 혼련 시간은 3 내지 10 분이 바람직하다.
혼련 후, 얇게 시트화하여, 냉각, 분쇄함으로써 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다. 이 경우, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 일반용 성형 수지로서 사용되는 이외에, 특히 박형 패키지 등의 반도체 장치의 봉지재로서 적합하게 사용된다. 이 경우, 반도체 장치의 봉지는, 트랜스퍼(transfer) 성형 등의 공지의 성형법에 의해 165 내지 185 ℃, 1 내지 3 분의 성형 조건에서 성형할 수 있다.
[실시예]
이하, 합성예, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 아래 실시예로 제한되는 것은 아니다. 또한, 각 예에서의 부는 모두 중량부이다.
<합성예 1>
비페닐형 에폭시 수지(YX 4000 HK, 유화 쉘사 제품) 46.5부, 경화제로서 페놀아르알킬 수지(밀렉스(Mylex) 225-3L, 미쓰이 토아쯔사 제품) 53.6부, 트리페닐포스핀 0.2부를 측량하여 혼련기에 넣고, 70 ℃에서 15 분간 혼련하였다. 혼련 후, 반응 수지를 시트상으로 얇게 하여 냉각하였다. 냉각 후, 에폭시 당량을 측량한 결과, 반응 전에는 386이었던 것이 415로 되었으며, 당초의 비페닐형 에폭시 수지 중의 에폭시기의 약 7 ％가 페놀아르알킬 수지 중의 페놀성 수산기와 반응한 반응 생성물이 포함되어 있는 혼합물인 것으로 확인되었다(반응 생성물 함유 혼합물 (1)).
<합성예 2>
합성예 1과 동일한 원료를 측량하여, 혼련기에 넣고 70 ℃에서 30 분간 반응시킨 결과, 에폭시 당량이 515인 용융 혼합물을 수득하였다. 이와 같은 에폭시 당량에 의해, 수득된 혼합물은 당초의 비페닐형 에폭시 수지 중의 에폭시기의 약 25％가 페놀아르알킬 수지 중의 페놀성 수산기와 반응한 반응 생성물이 포함되어 있는 혼합물인 것으로 확인되었다(반응 생성물 함유 혼합물 (2)).
<합성예 3>
합성예 1과 완전히 동일한 배합으로, 반응 시간을 3 분간으로 한 결과, 에폭시 당량이 342인 용융 혼합물을 수득하였다. 이와 같은 에폭시 당량에 의해, 수득된 혼합물은 당초의 비페닐형 에폭시 수지 중의 에폭시기의 약 1％ 이하가 페놀아르알킬 수지 중의 페놀성 수산기와 반응한 반응 생성물이 포함되어 있는 혼합물인 것으로 확인되었다(반응 생성물 함유 혼합물 (3)).
<합성예 4>
합성예 1과 완전히 동일한 배합으로, 반응 시간을 40 분간으로 한 결과, 에폭시 당량이 594인 용융 혼합물을 수득하였다. 이와 같은 에폭시 당량에 의해, 수득된 혼합물은 당초의 비페닐형 에폭시 수지 중의 에폭시기의 약 35 ％가 페놀아르알킬 수지 중의 페놀성 수산기와 반응한 반응 생성물이 포함되어 있는 혼합물인 것으로 확인되었다(반응 생성물 함유 혼합물 (4)).
<합성예 5>
합성예 1과 완전히 동일한 조건에서 하기의 에폭시 수지와 페놀 수지를 반응시켜 반응 생성물을 수득하였다. 에폭시 당량에 의해, 수득된 혼합물은 당초의 비페닐형 에폭시 수지 중의 에폭시기의 약 18 ％가 페놀아르알킬 수지 중의 페놀성 수산기와 반응한 반응 생성물이 포함되어 있는 혼합물인 것으로 확인되었다(반응 생성물 함유 혼합물 (5)).
[화학식 5]
에폭시 수지
경화제
밀렉스 225-3L 미쓰이 토아쯔사 제품 42.9부
반응율 18 ％
<실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3>
상기 합성예에서 수득된 반응 생성물 함유 혼합물(수지 조성물)을 미분쇄한 것을 사용하여, 이것에 표 1에 표시된 각 성분을 측량하여, 고속 혼합기로 혼합한 후, 연속 혼합 장치로 균일하게 용융 혼련하고, 냉각, 분쇄함으로써, 5 종류의 에폭시 수지 조성물을 수득하였다. 또한, 비교를 위하여 합성예 1과 동일한 비페닐형 에폭시 수지 46.5부, 경화제 53.6부를 측량하여 혼합하고, 반응시키지 않고 그대로 수지 성분으로서 사용하여, 에폭시 수지 조성물을 수득하였다.
이들의 에폭시 수지 조성물에 대하여, 다음 (가) 및 (나)의 여러 시험을 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(가) 스파이럴 플로우(spiral flow)
EMM I 규격에 준한 금형을 사용하여 175 ℃, 70 kg/㎠, 성형 시간 120 초의 조건으로 측정하였다.
(나) 성형성
각 샘플을 사용하여 알루미늄 모의(模擬) 소자를 탑재한 QFP 패키지(14 x 20 x 2.7 mm)를 성형 조건 175 ℃, 70 kg/㎠의 조건에서 10 패키지 봉지했을 때의 성형성을 관찰하였다. 외부 공극, 내부 공극, 비충전과 같은 성형 불량이 발생한 패키지를 불량으로 판정하였다. 또한, 동시에 금속 선의 누출 상태도 관찰하여, 변형 유무를 조사하였다.
표 1의 결과에 의해, 본 발명의 에폭시 수지 조성물(실시예 1 내지 3)은, 성형성이 우수하고, 접착성이 양호하여 신뢰성이 우수한 경화물을 제공하는 것으로 확인되었다.
배합조성(부) 실시예 비교예
1 2 3 1 2 3
반응 생성물 함유 혼합물 (1) (2) (5) - (3) (4)
수지 성분의 합계 배합량 100 100 100 100 100 100
용융 실리카 800 800 800 800 800 800
카본 블랙 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5
실란 커플링제*1 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5
카르나바 왁스 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5
트리페닐포스핀 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
스파이럴 플로우(cm) 115 98 108 128 120 38
공극 발생 패키지 0/10 0/10 0/10 8/10 5/10 0/10
금속선 누출 없음 없음 없음 있음 있음 있음
* 1 신에츠 가가꾸고교 가부시끼가이샤 제품 KBM 403; γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 성형성 및 접착성이 우수하고, 공극, 금속선 누출 등의 결함이 없는, 성형을 가능케 하고, 이 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지한 반도체 장치는 신뢰성이 높다.

Claims (3)

  1. 결정성 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기질 충전제 및 결정성 에폭시 수지의 에폭시기와 페놀 수지의 페놀성 수산기를 반응시켜 얻어진 반응 생성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응 생성물 형성 전의 결정성 에폭시 수지를 포함하는 전체 결정성 에폭시 수지 중의 에폭시기의 3 내지 30 ％에 페놀성 수산기를 반응시켜 이루어진 반응 생성물을 함유하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 2항에 기재된 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치.
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