KR100486614B1 - 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 24
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- -1 SiCN Chemical compound 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N N-{[3-(2-benzamido-4-methyl-1,3-thiazol-5-yl)-pyrazol-5-yl]carbonyl}-G-dR-G-dD-dD-dD-NH2 Chemical compound S1C(C=2NN=C(C=2)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CCCN=C(N)N)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(N)=O)=C(C)N=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940126086 compound 21 Drugs 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Abstract
본 발명에 따른 Ⅲ-질화물반도체 발광소자는, n형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 하부접촉층(12)과 p형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 상부접촉층(14) 사이에 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 활성층(13)이 개재되고, 상부접촉층(14) 상에 상부접촉층(14)과 접하는 전극층(15)을 포함하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자로서, 상부접촉층(14)과 전극층(15) 사이에 n형 또는 p형 탄소함유화합물층이 개재되는 것을 특징으로 한다. 일반적으로, Ⅲ-질화물반도체 발광소자에 있어서 p형 질화물반도체의 큰 에너지 밴드갭과 낮은 도핑효율(<5x1017원자수/cm3)로 인하여 p형 질화물반도체 상에 바로 투명전극층을 형성할 경우에 이들 사이에 큰 접촉저항이 생기게 되는데, 이로 인해 소자의 효율성이 떨어지게 된다. 그러나, 본 발명과 같이 p형 질화물반도체와 투명전극층 사이에 고농도 도핑이 가능한 탄소함유화합물층을 개재함으로써 이러한 문제를 해결할 수 있게 된다.
Description
본 발명은 Ⅲ-질화물반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히 p형 질화물반도체로 이루어지는 상부접촉층과 이와 접하는 전극층 사이의 접촉저항을 낮게 하여 활성층에 정공을 효과적으로 공급할 수 있도록 한 Ⅲ-질화물반도체 발광소자에 관한 것이다.
도 1은 종래의 Ⅲ-질화물반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참고하면, 종래의 Ⅲ-질화물반도체 발광소자는, 사파이어 기판(10) 상에, 도펀트가 도핑되지 않은 GaN으로 이루어진 버퍼층(11), n-GaN으로 이루어진 하부접촉층(12), InGaN/GaN의 다중양자우물구조를 가지는 활성층(13), 및 p-GaN으로 이루어진 상부접촉층(14)을 순차적으로 적층한 후에, 하부접촉층(12)이 노출되도록 메사식각하고 상부접촉층(14) 상에 투명전극층(15)을 형성한 다음에, n형 전극(16)과 p형 전극(17)을 형성함으로써 이루어진다.
Ⅲ-질화물반도체 발광소자에 있어서 소자의 효율은 외부인가전력 대비 발생되는 빛의 세기로 정의할 수 있다. 그런데, 상부접촉층(14)을 이루는 p-GaN이 큰 에너지 밴드갭을 가지며(~ 3.3eV) 도핑효율이 5x1017원자수/cm3보다 작아서 좋지 못하기 때문에 이와 접하는 투명전극층(15)과의 사이에 접촉저항이 매우 커서 소자의 효율성이 좋지 않을 뿐만 아니라 같은 빛의 세기를 생성시키기 위해서 더 높은 전압이 필요하게 된다.
상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이의 접촉저항을 줄이기 위해서는 고농도로 도핑된 p-GaN을 형성해야 하나, p-GaN의 큰 밴드갭과 낮은 도핑효율(< 5x1017원자수/cm3)로 인하여 고농도 도핑된 p-GaN을 형성하는 것은 매우 어렵다.
상부접촉층(14)으로 사용되는 p-GaN과 투명전극층(15) 사이의 접촉저항을 줄이기 위해서 여러가지 방법들이 소개된 바 있다. 그 중 하나의 예로서, 상부접촉층(14)을 p-GaN 단일층으로 만드는 것이 아니라 p-GaN/p-InGaN 혹은 p-GaN/p-AlGaN 등의 초격자 구조로 만들어서 초격자구조 안에 압전전계(piezoelectric field)에 의해서 단일 p-GaN층에서 얻을 수 있는 농도보다 훨씬 더 높은 정공농도를 확보하는 방법을 들 수 있다. 그러나, 이러한 구성에서는 정공이 활성층으로 주입되기 전에 초격자 구조내의 수직방향으로 전위장벽을 느끼게 되어 바람직하지 않게 된다.
다른 하나의 예를 더 소개하면, 상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이에 고농도 도핑(＞1020 원자/cm3)이 가능한 GaAs층이나 AlGaAs층을 성장시키는 방법이 있다(미국특허 제6,410,944호). 그러나, 이 경우는 GaAs층이나 AlGaAs층의 밴드갭이 가시광선 영역보다 작기 때문에 활성층(13)에서 발생하는 빛이 GaAs층이나 AlGaAs층에서 대부분 흡수되어 응용분야가 한정되게 된다.
상술한 바와 같이 종래의 Ⅲ-질화물반도체 발광소자는 상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이의 접촉저항이 커서 소자의 효율성이 좋지 못하다는 단점이 있으며, 이를 극복할 수 있는 효과적인 수단이 아직 제시되지 못하고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상부접촉층(14)과 그 위에 접하여 형성되는 전극층 사이의 접촉저항을 줄여서 좋은 효율성을 가지는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물반도체 발광소자는, n형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 하부접촉층과 p형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 상부접촉층 사이에 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 활성층이 개재되고, 상기 상부접촉층 상에 상기 상부접촉층과 접하는 전극층을 포함하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자로서, 상기 상부접촉층과 상기 전극층 사이에 n형 또는 p형 탄소함유화합물층이 개재되는 것을 특징으로 한다.
상기 탄소함유화합물층은 SiC, SiCN, 또는 CN을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 탄소함유화합물층의 n형 도펀트로서 Si, N, As, 또는 P가 사용될 수 있다.
상기 탄소함유화합물층의 p형 도펀트로서 B 또는 Al이 사용될 수 있다.
상기 탄소함유화합물층의 n형 또는 p형 도펀트의 도핑농도는 1×1018~ 1×1022 원자수/cm3 인 것이 바람직하다.
상기 탄소함유화합물층은 5~500Å의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
상기 탄소함유화합물층은 600~1200℃의 온도범위에서 형성되는 것이 바람직하다.
상기 전극층은 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, ITO, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부접촉층과 오믹접촉되는 n형 전극층을 더 구비할 수 있으며, 이 때, 상기 n형 전극층은 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, ITO, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 있어서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일 기능을 수행하는 구성요소를 나타내며 반복적인 설명은 생략한다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 Ⅲ-질화물반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명은 종래기술과 달리 상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이에 n형 또는 p형 탄소함유화합물층(21)이 개재되는 것을 특징으로 한다.
탄소함유화합물층(21)으로는 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘카본나이트라이드(SiCN), 또는 카본나이트라이드(CN)을 포함하는 것을 사용할 수 있으며, 위와 같은 탄소함유화합물(21)은 Si, N, As, 또는 P와 같은 n형 도펀트나 B 또는 Al과 같은 p형 도펀트를 쉽게 1×1018~ 1×1022 원자수/cm3 정도로 고농도 도핑할 수 있기 때문에 전위장벽의 두께를 작게하여 정공이 탄소함유화합물층(21)을 용이하게 터널링할 수 있도록 만들 수 있다.
실리콘 카바이드층은 실리콘과 탄소를 증착기 내에서 반응시킴으로써 얻을 수 있는데, 실리콘 원료로서는 SiH3, Si2H6, DTBSi 등을 사용할 수 있고, 탄소 원료로서는 CBr4 또는 CxHy 등을 사용할 수 있다.
일반적으로 실리콘 카바이드의 성장온도는 1300℃ 이상이지만 GaN 상에 실리콘 카바이드를 너무 높은 온도에서 성장시키면 실리콘 카바이드 성장시에 GaN을 기반으로 하는 소자가 손상을 입게 되므로 실리콘 카바이드의 성장온도는 600~1200℃인 것이 바람직하다.
그리고, 실리콘 카바이드층의 두께가 너무 두꺼워지면 터널링 장벽이 두꺼워지게 되어 바람직하지 않으므로 실리콘 카바이드층의 두께는 5~500Å 정도로 하는 것이 좋다. 이와 같은 실리콘 카바이드층의 도핑농도, 두께, 및 성장온도는 실리콘 카바이드층에 한정되는 것이 아니라 실리콘카본나이트라이드(SiCN)층 또는 카본나이트라이드(CN)층의 형성에도 마찬가지로 적용된다.
투명전극층(15) 및 n형 전극층(16)은 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, ITO, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
도 3은 사이이어 기판 상에 성장된 실리콘 카바이드의 XRD 분석결과이다. 이 때의 성장온도는 1000℃ 였으며, 성장속도는 2Å/sec 이었다. 그리고, 성장된 실리콘 카바이드의 두께는 XRD분석이 가능하도록 5000Å으로 하였으며, 고농도 n도핑을 위한 N 소스로는 NH3가 사용되었으며, 이 때 도핑농도는 터널링이 일어나기에 충분하도록 4.63×1019 원자수/cm3 가 되도록 하였다. 도 3을 참조하면 실리콘 카바이드가 제대로 성장되었음을 알 수 있다.
표1은 일반적인 GaN 기반 LED에 고농도 도핑된 실리콘 카바이드를 약 20Å 성장시켜 소자를 만들었을 때의 전기적 특성을 표로 나타낸 것이다. 이 때 사용된 전극은 ITO 전극이었으며, 실리콘 카바이드 없이 바로 p-GaN 위에 전극이 형성되었을 때에 비하여 실리콘 카바이드층이 있는 경우가 낮은 접촉 저항값을 가짐을 알 수 있다.
| 접촉층 | Vf@20mA[V] | Vf@10㎂[V] | Vr@-10㎂[V] | |
| case 1 | p-GaN | 5.25 | 2.37 | 24.1 |
| case 2 | SiC/p-GaN | 3.65 | 2.35 | 25.1 |
도 4는 n형 실리콘 카바이드층이 상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이에 존재할 때의 개략적인 에너지 밴드다이어그램이다. 도 4를 참조하면, 고농도 도핑된 n형 실리콘 카바이드층이 존재함으로 인해 좀 더 효율적으로 정공이 상부접촉층(14)으로 흘러 들어갈 수 있음을 확인할 수 있다.
도 5는 상부접촉층(14) 상에 바로 투명전극층(15)이 존재하는 경우(a)와 상부접촉층(14)과 투명전극층(15) 사이에 고농도 도핑된 p형 실리콘 카바이드층이 존재하는 경우(b)의 개략적인 에너지 밴드다이어그램이다. 도 5를 참조하면, 고농도 도핑된 p형 실리콘 카바이드층이 존재하는 경우가 좀 더 효율적으로 정공이 상부접촉층(14)으로 흘러 들어갈 수 있음을 확인할 수 있다.
일반적으로, Ⅲ-질화물반도체 발광소자에 있어서 p형 질화물반도체의 큰 에너지 밴드갭과 낮은 도핑효율로 인하여 p형 질화물반도체 상에 바로 투명전극층을 형성할 경우에 이들 사이에 큰 접촉저항이 생기게 되는데, 이로 인해 소자의 효율성이 떨어지게 된다. 그러나, 본 발명과 같이 p형 질화물반도체와 투명전극층 사이에 고농도 도핑이 가능한 탄소함유화합물층을 개재함으로써 이러한 문제를 해결할 수 있게 된다.
도 1은 종래의 Ⅲ-질화물반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 Ⅲ-질화물반도체 발광소자를 설명하기 위한 단면도;
도 3은 사파이어 기판 위에 성장된 실리콘 카바이드의 XRD 분석 그래프;
도 4는 금속/n-SiC/p-GaN 구조의 에너지밴드 다이어그램;
도 5는 금속/p-SiC/p-GaN 구조의 동작원리를 설명하기 위한 에너지밴드 다이어그램이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10: 사파이어 기판 11: 버퍼층
12: 하부접촉층 13: 활성층
14: 상부접촉층 15: 투명전극층
16: n형 전극 17: p형 전극
21: 탄소함유화합물층
Claims (9)
- n형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 하부접촉층과 p형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 상부접촉층 사이에 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 활성층이 개재되고, 상기 상부접촉층 상에 상기 상부접촉층과 접하는 전극층을 포함하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자로서,상기 전극층과 상기 상부접촉층 사이에 n형 탄소함유화합물층이 개재되며,상기 n형 탄소함유화합물층은 상기 전극층으로부터 상기 상부접촉층으로 정공이 터널링되어 전달되도록 5~500Å의 두께를 가지고,상기 n형 탄소함유화합물층은 상기 상부접촉층과 동일한 증착기에서 성장되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- n형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 하부접촉층과 p형 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 상부접촉층 사이에 Ⅲ-질화물반도체로 이루어진 활성층이 개재되고, 상기 상부접촉층 상에 상기 상부접촉층과 접하는 전극층을 포함하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자로서,상기 전극층과 상기 상부접촉층 사이에 탄소함유화합물층이 개재되며,상기 탄소함유화합물층은 SiCN로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 n형 탄소함유화합물층의 n형 도펀트로서 Si, N, As, 또는 P가 사용되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 n형 탄소함유화합물층이 SiC, SiCN, 또는 CN을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 n형 탄소함유화합물층의 n형 도펀트의 도핑농도가 1×1018~ 1×1022 원자수/cm3 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 n형 탄소함유화합물층이 600~1200℃의 온도범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 전극층이 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, ITO, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 하부접촉층과 오믹접촉되는 n형 전극층을 더 구비하며, 상기 n형 전극층이 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, ITO, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물반도체 발광소자.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040014895A KR100486614B1 (ko) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자 |
| TW094104995A TWI261370B (en) | 2004-03-05 | 2005-02-21 | III-nitride semiconductor light emitting device |
| PCT/KR2005/000618 WO2005086244A1 (en) | 2004-03-05 | 2005-03-04 | Iii -nitride semiconductor light emitting device |
| US10/544,271 US7432534B2 (en) | 2004-03-05 | 2005-03-04 | III-nitride semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040014895A KR100486614B1 (ko) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100486614B1 true KR100486614B1 (ko) | 2005-05-03 |
Family
ID=34918706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040014895A KR100486614B1 (ko) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7432534B2 (ko) |
| KR (1) | KR100486614B1 (ko) |
| TW (1) | TWI261370B (ko) |
| WO (1) | WO2005086244A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7772604B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-08-10 | Illumitex | Separate optical device for directing light from an LED |
| US7906357B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | P-type layer for a III-nitride light emitting device |
| US7789531B2 (en) | 2006-10-02 | 2010-09-07 | Illumitex, Inc. | LED system and method |
| US7829358B2 (en) | 2008-02-08 | 2010-11-09 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
| US8148732B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Carbon-containing semiconductor substrate |
| TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
| US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
| US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
| KR20130078281A (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486572A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Sharp Kk | Amorphous thin film light emitting element |
| JP3026087B2 (ja) * | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
| DE69126152T2 (de) * | 1990-02-28 | 1997-11-13 | Toyoda Gosei Kk | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Gallium-Nitrid-Verbindung |
| JP3160914B2 (ja) * | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
| US5306662A (en) * | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
| DE69433926T2 (de) * | 1993-04-28 | 2005-07-21 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung |
| US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
| JPH09266351A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 |
| JPH09266352A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH1065212A (ja) * | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP3735960B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2006-01-18 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US6130001A (en) * | 1997-07-15 | 2000-10-10 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device with continuous organic medium |
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| KR100308921B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2001-09-26 | 김효근 | ｐ형 ＧａＮ계 반도체의 낮은 오믹 접촉 저항 형성을 위한 Ｅｐｉ구조 및 낮은 오믹접촉 저항 형성을 위한 Ｅｐｉ 구조 성장방법 |
| AU2001285375A1 (en) | 2000-09-08 | 2002-03-22 | The Dow Chemical Company | Sequential detection ion chromatography |
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| KR100432246B1 (ko) | 2003-10-10 | 2004-05-20 | 에피밸리 주식회사 | 질화물반도체 발광소자 |
| KR100448352B1 (ko) | 2003-11-28 | 2004-09-10 | 삼성전기주식회사 | ＧａＮ 기반 질화막의 형성방법 |
-
2004
- 2004-03-05 KR KR1020040014895A patent/KR100486614B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-21 TW TW094104995A patent/TWI261370B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-04 WO PCT/KR2005/000618 patent/WO2005086244A1/en active Application Filing
- 2005-03-04 US US10/544,271 patent/US7432534B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060261344A1 (en) | 2006-11-23 |
| TWI261370B (en) | 2006-09-01 |
| WO2005086244A1 (en) | 2005-09-15 |
| US7432534B2 (en) | 2008-10-07 |
| TW200541107A (en) | 2005-12-16 |
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
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