KR100485751B1 - 웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 - Google Patents
웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100485751B1 KR100485751B1 KR10-2001-0088238A KR20010088238A KR100485751B1 KR 100485751 B1 KR100485751 B1 KR 100485751B1 KR 20010088238 A KR20010088238 A KR 20010088238A KR 100485751 B1 KR100485751 B1 KR 100485751B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- diw
- spin dryer
- line
- hot
- supply line
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 스핀 드라이어의 오염 방지구조에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스핀드라이어의 오염방지방법은, 핫 DIW 가 공급되도록 핫DIW유니트에 케미칼 용기 및 지지탱크가 연결되고, DIW 가 공급되도록 DIW 메인파이프에 연결된 스핀 드라이어 세정라인과, 린스용기라인 및 압력게이지라인을 포함하는 스핀드라 이어의 오염방지구조에 있어서, 상기 스핀 드라이어 세정라인은 상기 핫 DIW 가 공급 되도록 상기 핫 DIW유니트에 연결되어 있는 것이다.
Description
본 발명은 스핀 드라이어의 오염 방지 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 습식 식각장비의 웨이퍼 세정 장치에서 건식용 스핀 드라이어의 오염 방지구조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에 사용되는 스핀드라이어는 케미칼처리 및 DIW 린스후 최종적으로 드라이를 하기 위해 빠른 속도를 이용하여 웨이퍼 표면의 DIW (수분)을 말리는 장치를 말한다.
이 장치의 세정상태는 디바이스의 고품질 생산에 중요한 일부분이므로 주기적으로 DIW를 이용하여 자동적으로 세정(flushing)을 실시한다.
이러한 관점에서, 종래기술에 따른 스핀 드라이어장치의 자동 세정구조에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1는 종래기술에 따른 습식식각장비 구조 및 웨이퍼의 이동을 간략하게 도시한 개략도이고, 도 2는 종래기술에 따른 스핀드라이어의 DIW 세정 메카니즘을 설명하기 위한 개략도로서, (a)는 메인라인으로부터 스핀드라이어 내부의 각 라인으로 공급되는 것을 나타내고, (b)는 유니트로부터 캐미칼용기와 지지탱크내로 DIW 가 공급(b)되는 것을 나타낸 개략도이다.
도 1에 도시된 바와같이, 웨이퍼투입 및 반출구역(10)으로 통해 웨이퍼가 스핀드라이어(20)내로 이동된 상태에서 케미칼 및 린스부스(30)를 거쳐 세정공정을 진행한후 다시 웨이퍼투입 및 반출구역(10)을 통해 외부로 이동시키는 단계로 이루어져 있다.
이러한 구조로 이루어진 스핀 드라이어(20)내부에서의 DIW 의 흐름은, 도 2a에 도시된 바와 같이, DIW 메인 파이프를 통해 스핀 드라이어 세정 라인과 린스 용기 라인 및 압력 게이지 라인으로 구성된 스핀 드라이어 장치용 DIW 공급 라인에 DIW를 공급하고, 각 라인에서의 DIW를 샘플링한다.
이렇게 하여, 박테리아 유무를 몇차례에 걸쳐 점검한 결과 다량의 박테리아가 발생한다.
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 케미칼 및 린스처리를 진행하기 위해 설치된 핫 DIW 유니트에서는 일반 DIW를 공급받아 온도를 70 내지 80 ℃ 정도로 상승시켜 사용한다. 여기서, 핫 DIW 유니트에서 가열된 핫 DIW는 케미컬 세정 장치용 DIW 공급라인을 통해 케미컬 세정 장치 및 지지 탱크에 공급된다.
그러나, 상기와 같은 종래기술에 의하면, 스핀드라이어에 공급되는 DIW라인에 DIW 정체 및 오염으로 인해 박테리아의 생성가능성이 있으며, 이러한 문제로 인하여 자동세정의 경우 박테리아로 오염된 DIW로 세정을 실시하게 되므로써 스핀드라이어내부가 오염되어, 드라이시 웨이퍼의 오염의 한 원인이 될 수 있다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 스핀드라이어에 핫 DIW가 공급되도록 스핀드라이어 세정 라인을 핫 DIW 유니트에 연결하여 자동세정을 실시하므로써 박테리아 살균 및 발생을 억제할 수 있는 스핀 드라 이어의 오염 방지구조를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치용 DIW 공급 라인 시스템은, 케미컬 세정 장치 및 스핀 드라이어 장치를 포함하는 웨이퍼 세정 장치에서 (a) 상온의 DIW를 공급하는 DIW 메인 파이프, (b) 핫 DIW를 공급하는 핫 DIW 유니트, (c) 상기 케미컬 세정 장치에 상기 핫 DIW 를 공급하기 위한 케미컬 세정 장치용 DIW 공급라인 및 (d) 상기 스핀 드라이어 장치에 DIW를 공급하기 위한 린스 용기 라인, 압력 게이지 라인 및 스핀 드라이어 세정 라인을 포함하는 스핀 드라이어 장치용 DIW 공급 라인을 포함하는 웨이퍼 세정 장치용 DIW 공급 라인 시스템에 있어서, 상기 스핀 드라이어 세정 라인은 그 일단이 상기 스핀 드라이어 장치에 연결되고 그 타단은 제1 가지 및 제2 가지로 분기되어 상기 제1 가지는 상기 DIW 메인 파이프에 연결되고 상기 제2 가지는 상기 핫 DIW 유니트에 연결되며, 상기 스핀 드라이어 세정 라인에 공급되는 핫 DIW의 온도를 70℃ 이상으로 하여 상기 스핀 드라이어 라인을 살균처리하는 것을 특징으로 한다.
(실시예)
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치용 스핀 드라이어의 오염 방지구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 핫DIW 라인의 설치 구성도로서, 핫 DIW 유니트를 이용하여 스핀 드라이어에 공급되는 핫 DIW를 나타낸 개략도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치 및 스핀 드라이어 장치용 DIW 공급 라인 시스템 오염 방지구조는, 도 3에 도시된 바와 같이, 70 ℃ 이상의 온도로 가열된 핫 DIW를 핫 DIW유니트로부터 케미칼용기 및 지지탱크로 공급되도록 설치한다.
또한, 상온, 예를 들면 23 내지 25 ℃의 DIW를 DIW 메인파이프를 통해 스핀드라이어 세정라인과, 린스용기라인 및 압력게이지라인으로 공급되도록 설치한다.
그리고, 상기 스핀 드라이어 세정라인은 그 일단이 상기 스핀 드라이어 장치에 연결되고, 그 타단은 제1가지 및 제2가지로 분기되어 제1가지는 DIW 메인 파이프와 연결되고 제2가지는 핫 DIW 유니트에 연결된다. 그리하여, 스핀 드라이어 장치에 핫 DIW가 공급되어 스핀 드라이어 장치를 세정 및 살균처리할 수 있다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 스핀 드라이어의 오염 방지구조에 의하면, 핫 DIW 유니트를 이용하여 스핀드라이어에 공급되는 DIW 대신에 70 ℃이상온도의 핫 DIW이 공급되도록 핫 DIW 공급라인을 스핀드라이어에 설치하여 주므로써 박테리아 발생을 억제할 수 있으며, 기존의 박테리아를 살균시키는 효과가 있다.
한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
도 1는 종래기술에 따른 습식식각장비 구조 및 웨이퍼의 이동을 간략하게 도시한 개략도.
도 2는 종래기술에 따른 스핀드라이어의 DIW 세정 메카니즘을 설명하기 위한 개략도로서, (a)는 메인라인으로부터 스핀드라이어 내부의 각 라인으로 공급되는 것을 나타내고, (b)는 유니트로부터 캐미칼용기와 지지탱크내로 DIW 가 공급(b)되는 것을 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 핫DIW 라인의 설치 구성도로서, 핫 DIW 유니트를 이용하여 스핀 드라이어에 공급되는 핫 DIW를 나타낸 개략도.
[도면부호의설명]
10 : 웨이퍼 투입/반출구역 20 : 스핀드라이어
30 : 케미칼 및 린스부스
Claims (1)
- 케미컬 세정 장치 및 스핀 드라이어 장치를 포함하는 웨이퍼 세정 장치에서 (a) 상온의 DIW를 공급하는 DIW 메인 파이프, (b) 핫 DIW를 공급하는 핫 DIW 유니트, (c) 상기 케미컬 세정 장치에 상기 핫 DIW 를 공급하기 위한 케미컬 세정 장치용 DIW 공급 라인 및 (d) 상기 스핀 드라이어 장치에 DIW를 공급하기 위한 린스 용기 라인, 압력 게이지 라인 및 스핀 드라이어 세정 라인을 포함하는 스핀 드라이어 장치용 DIW 공급 라인을 포함하는 웨이퍼 세정 장치용 DIW 공급 라인 시스템에 있어서,상기 스핀 드라이어 세정 라인은 그 일단이 상기 스핀 드라이어 장치에 연결되고, 그 타단은 제1가지 및 제2가지로 분기되어 상기 제1가지는 상기 DIW 메인 파이프에 연결되고 상기 제2가지는 상기 핫 DIW 유니트에 연결되며,상기 스핀 드라이어 세정 라인에 공급되는 핫 DIW의 온도를 70℃ 이상으로 하여 상기 스핀 드라이어 라인을 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치용 DIW 공급 라인 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088238A KR100485751B1 (ko) | 2001-12-29 | 2001-12-29 | 웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088238A KR100485751B1 (ko) | 2001-12-29 | 2001-12-29 | 웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030059378A KR20030059378A (ko) | 2003-07-10 |
KR100485751B1 true KR100485751B1 (ko) | 2005-04-28 |
Family
ID=32215820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088238A KR100485751B1 (ko) | 2001-12-29 | 2001-12-29 | 웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100485751B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175185A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体プロセス用のスピンドライヤ装置 |
JP2000114219A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
US20010023972A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-09-27 | Caroline Boulenger | Method for eliminating development related defects in photoresist masks |
KR20020006795A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-26 | 오수기 | 마이크로파를 이용한 초순수 가열장치 |
-
2001
- 2001-12-29 KR KR10-2001-0088238A patent/KR100485751B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175185A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体プロセス用のスピンドライヤ装置 |
JP2000114219A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
US20010023972A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-09-27 | Caroline Boulenger | Method for eliminating development related defects in photoresist masks |
KR20020006795A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-26 | 오수기 | 마이크로파를 이용한 초순수 가열장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030059378A (ko) | 2003-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010153888A (ja) | 基板洗浄乾燥装置 | |
JPH07273080A (ja) | 半導体基板洗浄処理装置 | |
WO2006033186A1 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100794919B1 (ko) | 글라스 식각장치 및 식각방법 | |
KR20010049878A (ko) | 습식처리장치 | |
KR100485751B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치용 순수 공급 라인 시스템 | |
KR100354456B1 (ko) | 습식세정 및 건조장치와 그 방법 | |
KR0183834B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 | |
JPH06224174A (ja) | ワークの処理方法及び装置 | |
JPH04336430A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
KR950007964B1 (ko) | 일조식 웨이퍼 세정장치 | |
KR20010068648A (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
KR100212694B1 (ko) | 세정 장치 | |
KR200169713Y1 (ko) | 반도체 튜브 세정장치 | |
JPH10163158A (ja) | 板状体洗浄装置 | |
JP3000997B1 (ja) | 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
KR0170459B1 (ko) | 웨이퍼 세정방법 및 그 장치 | |
KR100355876B1 (ko) | 세정장치 | |
KR100632044B1 (ko) | 웨이퍼의 세정장치 및 방법 | |
JPH11288909A (ja) | 複数枚1槽又は2槽式における自動洗浄方法 | |
KR101394088B1 (ko) | 반도체 세정장치 | |
KR20080075602A (ko) | 배기장치 및 상기 배기장치의 배기방법, 그리고 상기배기장치를 구비하는 기판 처리 설비 | |
KR20010006830A (ko) | 반도체 처리 장치 및 처리 방법 | |
KR20000021143A (ko) | 웨이퍼 표면 처리 방법 | |
CN1464533A (zh) | 湿式洗净装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080401 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |