KR100472853B1 - Method for fabricating of OLED - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 유기 전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly to a method of manufacturing an organic electroluminescent device.
즉, 격벽을 패턴하기 위한 포토리소그라피 공정에서 격벽을 패턴한 후 연속하여, 패턴된 격벽 사이로 노출된 하부의 절연층을 제거한다.That is, after the barrier ribs are patterned in the photolithography process for patterning the barrier ribs, the lower insulating layer exposed between the patterned barrier ribs is continuously removed.
다음으로, 플라즈마 에칭을 통해 상기 격벽을 전체적으로 고르게 깍아낸다.Next, the partition wall is scraped off evenly throughout the plasma.
따라서, 유기전계 발광소자에 구성하는 격벽과, 격벽의 하부에 구성하는 절연막을 단일 마스크 공정으로 패턴할 수 있기 때문에 공정단순화를 통한 공정 시간 단축과 비용이 절감되어 수율을 개선할 수 있다.Therefore, since the partition wall formed in the organic light emitting device and the insulating film formed under the partition can be patterned by a single mask process, the process time can be shortened and the cost can be reduced through the process simplification, and the yield can be improved.
Description
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting device.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.In general, organic light emitting diodes inject electrons and holes into the light emitting layer from the electron injection electrodes and the hole injection electrodes, respectively, to inject the injected electrons. ) Is a device that emits light when the exciton, which is a combination of holes and holes, drops from the excited state to the ground state.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.Due to this principle, unlike a conventional thin film liquid crystal display device, since a separate light source is not required, there is an advantage in that the volume and weight of the device can be reduced.
또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성때문에 OELD는 이동통신 단말기, CHS, PDA, Camcorder, Palm PC등 대부분의 consumer전자 응용제품에 사용될수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.In addition, the organic EL device exhibits high quality panel characteristics (low power, high brightness, high reaction rate, low weight). OELD is considered to be a powerful next-generation display that can be used in most consumer electronic applications such as mobile terminal, CHS, PDA, Camcorder and Palm PC.
또한 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 LCD보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.In addition, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that can reduce the production cost more than conventional LCD.
이러한 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.The method of driving the organic light emitting diode can be classified into a passive matrix type and an active matrix type.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할 수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.The passive matrix type organic light emitting device has a simple structure and a simple manufacturing method. However, the passive matrix type organic light emitting device has a high power consumption and a large area of the display device, and the opening ratio decreases as the number of wirings increases.
반면 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 높은 발광효율과 고 화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.On the other hand, an active matrix organic light emitting diode has an advantage of providing high luminous efficiency and high image quality.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a configuration of a conventional organic light emitting device.
(수동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 예를 들어 설명한다.)(The passive matrix organic electroluminescent device will be described as an example.)
일반적으로, 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 평면적인 구성은 기판(2) 상에 서로 이격하여 일 방향으로 구성된 다수의 제 1 전극(4)과, 상기 제 1 전극 (4)상부에 구성되고 전기장이 인가되면 소정의 빛으로 발광하는 발광체인 유기 발광층(18)과, 상기 유기 발광층(18)의 상부에 구성되고, 상기 제 1 전극(4)과 수직하게 교차하여 화소(P)를 정의하며 일 방향으로 소정간격 이격하여 형성된 제 2 전극(20)으로 구성된다.In general, the planar configuration of the passive matrix organic light emitting device is a plurality of first electrodes (4) configured in one direction spaced apart from each other on the substrate (2), and the electric field is formed on the first electrode (4) When applied, the organic light emitting layer 18, which emits light with a predetermined light, is formed on the organic light emitting layer 18, and vertically intersects the first electrode 4 to define the pixel P. The second electrode 20 is formed to be spaced apart by a predetermined interval in the direction.
도시한 도 1은 상기 임의의 제 1 전극(4)을 따라 일 방향으로 절단한 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a section cut in one direction along the optional first electrode 4.
도시한 바와 같이 다수의 화소(P)가 정의된 기판(2) 상에 투명한 제 1 전극(4)을 형성한다.As illustrated, a transparent first electrode 4 is formed on the substrate 2 on which the plurality of pixels P are defined.
상기 제 1 전극(4) 상부의 각 화소(P)사이에는 절연물질로 구성되고 소정의 높이(H)를 가지는 격벽(16)이 형성된다.A partition wall 16 formed of an insulating material and having a predetermined height H is formed between the pixels P on the first electrode 4.
상기 각 화소(P)에 대응하는 제 1 전극(4)의 상부에 유기 발광층(18)이 형성되고, 유기 발광층(18)의 상부에는 제 2 전극(20)이 형성된다.The organic emission layer 18 is formed on the first electrode 4 corresponding to each pixel P, and the second electrode 20 is formed on the organic emission layer 18.
상기 제 1 전극(4)은 상기 유기 발광층(18)에 홀(hole)을 주입하는 홀 주입전극이고, 상기 제 2 전극(20)은 상기 유기 발광층(18)에 전자(electron)를 주입하는 전자 주입전극의 기능을 한다.The first electrode 4 is a hole injection electrode for injecting holes into the organic light emitting layer 18, and the second electrode 20 is an electron for injecting electrons into the organic light emitting layer 18. It functions as an injection electrode.
상기 격벽(16)은 제 2 전극(20)을 형성하는 과정에서, 현상공정(developing process)과 화학적인 식각공정(etching process)이 진행되는 동안 화학약품에 의해 유기 발광층(18)의 특성이 변화하는 것을 막기 위한 목적으로 사용된다.In the process of forming the second electrode 20, the partition 16 may change the characteristics of the organic light emitting layer 18 by chemicals during the developing process and the chemical etching process. Used to prevent doing so.
다시 설명하면, 일반적인 사진식각 공정(photo-lithography)을 사용하지 않고 상기 각 화소(P)에 구성된 제 2 전극(20)을 독립적으로 형성하기 위한 목적으로 구성된다.In other words, the second electrode 20 of each pixel P may be independently formed without using a general photo-lithography process.
따라서, 상기 격벽(16)을 형성한 후, 유기 발광층(18)을 증착하게 되면 도시한 바와 같이, 유기 발광층(18)은 격벽(16)의 측면에는 증착되지 않고 평면적으로 상기 격벽(16)의 상부와 상기 제 1 전극(4)의 상부에만 형성되는 결과를 얻을 수 있다.Therefore, after forming the partition 16 and depositing the organic light emitting layer 18, the organic light emitting layer 18 is not deposited on the side surface of the partition 16 and is planarly formed on the partition 16. The result formed only on the upper part and the upper part of the said 1st electrode 4 can be obtained.
이때, 상기 격벽(16)의 하부에는 격벽(16)의 상부 면적보다 큰 면적의 절연막 패턴(12)을 형성하게 되는데, 이는 상기 제 2 전극(20)을 증착하는 공정 중 하부의 제 1 전극(4)과 제 2 전극(20)의 접촉불량을 방지하기 위한 목적으로 형성한다.In this case, an insulating film pattern 12 having an area larger than an upper area of the partition wall 16 is formed below the partition wall 16, which is a lower first electrode during the process of depositing the second electrode 20. 4) and the second electrode 20 for the purpose of preventing poor contact.
이때, 상기 유기 발광층(18)은 발광층(18a)과 홀(hole)수송층(18c)과 전자(electron) 수송층(18b)인 다층으로 구성할 수 있으며, 반대로 발광층만으로 구성된 단층으로 구성할 수 있다.In this case, the organic light emitting layer 18 may be formed of a multilayer including a light emitting layer 18a, a hole transport layer 18c, and an electron transport layer 18b, and may be configured as a single layer composed of only a light emitting layer.
이하, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 종래에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the related art will be described with reference to FIGS. 2A to 2D.
도 2a 내지 도 2d는 종래의 공정순서에 따른 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode according to a conventional process sequence, in accordance with a process sequence.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(2) 상에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 일 함수(work function)가 큰 투명 도전성 금속을 증착하여, 양극전극(anode electrode)인 제 1 전극(4)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a transparent conductive metal having a large work function, such as indium tin oxide (ITO), is deposited on the substrate 2 to form a first electrode, which is an anode electrode. The electrode 4 is formed.
상기 제 1 전극(4)의 상부에 절연막(6)을 형성한다.An insulating film 6 is formed on the first electrode 4.
상기 절연막(6)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성한다.The insulating layer 6 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ).
연속하여, 절연막(6)의 상부에 포토레지스트(Photo-Resist : 이하"PR"이라 칭함)를 증착하여 PR층(8)을 형성한 후 PR층(8)의 상부에 마스크(M)를 위치시킨다.Subsequently, a photoresist (hereinafter referred to as "PR") is deposited on the insulating film 6 to form a PR layer 8, and then a mask M is positioned on the PR layer 8. Let's do it.
상기 마스크(M)의 상부에 빛을 조사하여 하부의 PR층을 노광하는 공정을 진행한다.The process of exposing the lower PR layer by irradiating light on the upper portion of the mask (M) is performed.
다음으로 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 노광된 PR층을 형상하게 되면 하부의 절연막(6)이 노출된다.Next, as shown in FIG. 2B, when the exposed PR layer is shaped, the lower insulating film 6 is exposed.
다음으로, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 노출된 절연막(6)을 식각하고 잔류 PR층을 제거하게 되면, 서로 이격 하여 일 방향으로 연장된 평면구성을 가지는 절연막 패턴(12)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 2C, when the exposed insulating layer 6 is etched and the residual PR layer is removed, the insulating layer pattern 12 having a planar configuration extending in one direction spaced apart from each other is formed.
연속하여, 절연막 패턴(12)이 형성된 기판(2)의 전면에 PR과 같은 수지를 도포하여 격벽층(14)을 형성한다.Subsequently, a barrier layer 14 is formed by applying a resin such as PR to the entire surface of the substrate 2 on which the insulating film pattern 12 is formed.
도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 격벽층(도 2c의 14)을 앞서 절연막 패턴을 형성하는 공정과 동일한 포토리소그라피(photo-lithography) 공정을 진행하게 되면 상기 절연막 패턴(12)의 상부에 격벽(16)이 형성된다.As shown in FIG. 2D, when the barrier layer (14 of FIG. 2C) is subjected to the same photo-lithography process as the process of forming the insulation layer pattern, the barrier rib (14) is formed on the barrier layer 12. 16) is formed.
다음으로, 도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(16)사이의 제 1 전극(4)상부에 유기 발광층(18)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2E, the organic light emitting layer 18 is formed on the first electrode 4 between the partitions 16.
다음으로, 상기 유기 발광층(18)의 상부에 증착공정을 통해 제 2 전극(20)을 형성한다.Next, the second electrode 20 is formed on the organic emission layer 18 through a deposition process.
이때, 상기 제 2 전극(20)은 음극 전극(cathode electrode)으로서, 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al)등으로 구성된 금속 중 하나를 선택하여 형성하거나, 리튬플로우린/알루미늄(LiF/Al)과 같은 이중 금속층으로 형성한다.In this case, the second electrode 20 is formed by selecting one of metals composed of calcium (Ca), magnesium (Mg), aluminum (Al), or the like as a cathode electrode, or lithium flowline / aluminum ( And a double metal layer such as LiF / Al).
상기 절연막 패턴(12)에 의해 제 2 전극(20)이 하부의 제 1 전극(4)과 접촉되는 것을 방지 할 수 있다.The insulating layer pattern 12 may prevent the second electrode 20 from contacting the lower first electrode 4.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 격벽을 포함하는 종래의 유기전계 발광소자를 제작할 있다.Through the process as described above, it is possible to manufacture a conventional organic light emitting device including a partition wall.
그러나, 종래에 따른 제조공정은 상기 절연막 패턴과 격벽을 형성하기 위해 각각 별도의 포토리소그라피 공정을 진행하였다.However, in the conventional manufacturing process, a separate photolithography process is performed to form the insulating film pattern and the partition wall.
따라서, 두 번의 포토리소그라피 공정에 의해 공정시간이 지연될 뿐 아니라 비용면에서도 수율을 저하하는 문제가 있다.Therefore, the process time is delayed by the two photolithography processes, and there is a problem of lowering the yield in terms of cost.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 상기 격벽과 이것의 하부에 구성된 절연막 패턴을 단일한 포토리소그라피 공정을 통해 형성함으로서, 공정 단순화에 의한 공정 시간 단축과 비용 절감을 목적으로 한다. The present invention has been proposed to solve the above-described problem, and by forming the insulating film pattern formed on the partition wall and the lower portion thereof through a single photolithography process, an object thereof is to reduce process time and cost by simplifying the process.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 유기전계 발광소자는 기판 상에 투명 제 1 전극 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 절연막과 격벽층을 적층하는 단계와; 상기 격벽층을 포토리소그라피 공정으로 패턴하여 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이로 노출된 절연막을 제거하여, 격벽의 하부에 격벽과 동일한 평면형상을 가지는 절연막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 격벽의 평면적인 너비가 상기 절연막 패턴의 너비보다 작아지도록 하기 위해, 상기 격벽의 모양을 그대로 유지하면서 격벽을 식각하는 단계와; 상기 격벽 사이로 노출된 제 1 전극의 상부에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층의 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display device comprising: forming a transparent first electrode on a substrate; Stacking an insulating film and a barrier layer on the first electrode; Patterning the partition layer by a photolithography process to form a partition wall; Removing the insulating film exposed between the partition walls to form an insulating film pattern having the same planar shape as the partition wall under the partition wall; Etching the partition wall while maintaining the shape of the partition wall so that the planar width of the partition wall is smaller than the width of the insulating film pattern; Forming an organic light emitting layer on the first electrode exposed between the barrier ribs; And forming a second electrode on the organic light emitting layer.
상기 제 1 전극은 상기 발광층에 홀을 주입하는 양극 전극(anode electrode)이고, 제 2 전극은 상기 발광층에 전자를 주입하는 음극 전극(cathode electrode)이다.The first electrode is an anode electrode for injecting holes into the light emitting layer, and the second electrode is a cathode electrode for injecting electrons into the light emitting layer.
이때, 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)이고, 제 2 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 형성하거나, 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층으로 형성한다.In this case, the first electrode is indium-tin oxide (ITO), the second electrode is formed of a metal selected from a metal containing calcium (Ca), aluminum (Al), magnesium (Mg), or lithium fluorine / aluminum It is formed from a double metal layer of (LIF / Al).
상기 격벽은 평면적으로, 서로 이격 되어 일 방향으로 연장된 형상으로 구성한다.The partition wall has a planar shape and is spaced apart from each other extending in one direction.
상기 격벽은 등방성을 가지는 식각방법으로 식각되며, 이러한 식각방법으로 플라즈마 에칭방법이 있다.The barrier rib is etched by an isotropic etching method, and the etching method includes a plasma etching method.
본 발명의 특징에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와; 제 1 기판과 제 2 기판에 다수의 화소를 정의하는 단계와; 제 1 기판의 각 화소마다 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 구동소자와 접촉하고 화소마다 독립적으로 구성되는 연결전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판의 전면에 투명한 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막의 상부에 격벽층을 형성하는 단계와; 상기 격벽층을 포토리소그라피 공정으로 패턴하여, 화소부에 대응한 부분에는 투과홀을 포함하는 격자 형상의 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽 사이로 노출된 절연막을 식각하여, 상기 격벽과 동일한 형태로 평면적으로 겹쳐지는 절연막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 격벽의 평면적인 너비가 상기 절연막 패턴의 너비보다 작아지도록 하기 위해 상기 격벽의 모양을 그대로 유지하면서 격벽을 식각하는 단계와; 상기 격벽의 투과홀을 통해 노출되는 제 1 전극의 상부에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 상부에 화소영역 마다 독립적으로 구성되도록 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판의 연결전극이 상기 제 2 전극과 접촉하도록 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, comprising: preparing a first substrate and a second substrate; Defining a plurality of pixels on the first substrate and the second substrate; Forming a switching element and a driving element connected thereto for each pixel of the first substrate; Forming a connection electrode in contact with the driving element and configured independently for each pixel; Forming a transparent first electrode on a front surface of the second substrate; Forming an insulating film on the first electrode; Forming a barrier layer on the insulating layer; Patterning the barrier rib layer by a photolithography process to form a grid-shaped barrier rib including transmission holes in a portion corresponding to the pixel portion; Etching the insulating film exposed between the partition walls to form an insulating film pattern overlapping in planar shape with the partition wall; Etching the partition wall while maintaining the shape of the partition wall so that the planar width of the partition wall is smaller than the width of the insulating layer pattern; Forming a light emitting layer on an upper portion of the first electrode exposed through the through hole of the partition wall; Forming a second electrode on the emission layer to be configured independently for each pixel area; Bonding the first substrate to the second substrate such that the connection electrode of the first substrate contacts the second electrode.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
-- 제 1 실시예 -- First Embodiment
이하, 도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a passive matrix organic light emitting device according to the present invention, in the order of a process.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 일함수(work function)가 큰 투명 도전성 금속을 증착하여 양극전극(anode electrode)인 제 1 전극(102)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, a transparent conductive metal having a large work function, such as indium tin oxide (ITO), is deposited on the substrate 100 to form a first electrode, which is an anode electrode. 102 is formed.
상기 제 1 전극(102)의 상부에 절연막(104)을 형성한다.An insulating film 104 is formed on the first electrode 102.
상기 절연막(104)은 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성할 수 있다.The insulating layer 104 may be formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ).
연속하여, 절연막(104)의 상부에 격벽을 형성하는 물질(예를 들면 포토레지스트와 같은 수지(resin))을 도포하여 격벽층(106)을 형성한다.Subsequently, a barrier layer 106 is formed by applying a material (for example, a resin such as a photoresist) to form a barrier on the insulating film 104.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 앞서 설명한 포토리소그라피 공정을 통해 격벽(108)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, the partition 108 is formed through the photolithography process described above.
수동 매트릭스형 유기전계 발광소자에서, 상기 격벽(108)은 평면적으로 서로 이격하여 일 방향으로 연장된 형상이다.In the passive matrix organic light emitting device, the partitions 108 extend in one direction spaced apart from each other in a plane.
다음으로, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(108)사이로 노출된 하부 절연막을 소정의 방법으로 식각하여, 격벽(108)하부에 격벽(108)과 평면적인 형상이 동일한 절연막 패턴(105)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3C, the lower insulating film exposed between the partition walls 108 is etched by a predetermined method to form an insulating film pattern 105 having the same planar shape as the partition 108 under the partition 108. To form.
이때, 격벽(108)의 평면적인 너비는 절연막 패턴(105)의 평면적인 너비보다 작아야 한다. 격벽(108)의 너비가 절연막 패턴(105)의 너비보다 크면 이후 제 2 전극을 증착하는 공정에서 상기 제 1 전극(102)과 제 2 전극이 접촉하는 불량이 발생할 수 있기 때문이다.In this case, the planar width of the partition wall 108 should be smaller than the planar width of the insulating film pattern 105. This is because when the width of the partition wall 108 is greater than the width of the insulating layer pattern 105, a defect in which the first electrode 102 and the second electrode contact each other may occur in a process of depositing a second electrode.
따라서, 도 3d에 도시한 바와 같이 상기 격벽(108)의 크기를 더 작게 하는 식각공정을 진행해야 한다.Therefore, as shown in FIG. 3D, an etching process for reducing the size of the partition wall 108 to be further performed.
이때, 격벽(108)을 식각하는 동안 하부의 절연막 패턴(105)이 영향을 받지 않도록 하는 것이 중요한데, 이를 위해 플라즈마 에칭(plasma etching) 방법을 사용하여 상기 격벽(108)을 식각한다.At this time, it is important that the lower insulating layer pattern 105 is not affected while the partition 108 is etched. For this purpose, the partition 108 is etched by using a plasma etching method.
플라즈마 에칭방법은 식각할 때 등방성으로 작용하여 무기막인 하부 절연막 패턴(12)에 거의 영향을 주지 않으므로, 하부 절연막 패턴(105)은 그대로 있고 격벽(108)만 모양을 그대로 유지하면서 깍여져 나가게 된다.Since the plasma etching method isotropically etched and hardly affects the lower insulating film pattern 12, which is an inorganic film, the lower insulating film pattern 105 remains intact and only the partition 108 is scraped off while maintaining its shape. .
다음으로, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(108)과 격벽(108) 사이에 유기물질을 증착하여 유기 발광층(110)을 형성하다.Next, as shown in FIG. 3E, an organic material is deposited between the barrier ribs 108 and the barrier ribs 108 to form an organic emission layer 110.
상기 유기발광층(110)은 주 발광층만을 사용할 수 있고, 주 발광층의 상부와 하부에 각각 전자 수송층과 홀 수송층을 형성할 수 도 있다.The organic light emitting layer 110 may use only the main light emitting layer, and may form an electron transporting layer and a hole transporting layer on the upper and lower portions of the main light emitting layer, respectively.
연속하여, 상기 발광층(110)의 상부에 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al)등으로 구성된 금속을 선택하여 증착한 단일층 또는 리튬플로우린/알루미늄(LiF/Al)과 같은 이중 금속층으로 제 2 전극(112)을 형성한다.Subsequently, a single layer or a double layer such as lithium fluorine / aluminum (LiF / Al) deposited by selecting and depositing a metal composed of calcium (Ca), magnesium (Mg), aluminum (Al), and the like on top of the light emitting layer 110. The second electrode 112 is formed of a metal layer.
전술한 바와 같은 공정을 통해 본 발명에 따른 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.Through the process as described above it is possible to manufacture a passive matrix organic light emitting device according to the present invention.
이하, 제 2 실시예를 통해 본 발명의 변형예를 설명한다.Hereinafter, a modification of the present invention will be described with reference to the second embodiment.
-- 제 2 실시예 --Second Embodiment
본 발명의 제 2 실시예는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자에 관한 것이며, 특히 제 1 기판에는 박막트랜지스터 어레이부를 구성하고, 이와는 별도로 제 2 기판에 유기 발광부를 구성한 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자(DPOLED)에 관한 것이다.The second embodiment of the present invention relates to an active matrix type organic light emitting diode, and in particular, the first substrate comprises a thin film transistor array portion, and a separate organic light emitting diode having a dual plate structure having an organic light emitting portion formed on a second substrate. DPOLED).
즉, 앞서 설명한 실시예 1의 발명은 실시예 2의 DPOLED 구조에서 발광부를 구성하는 데 적용할 수 있다.That is, the invention of Example 1 described above can be applied to configure the light emitting unit in the DPOLED structure of Example 2.
먼저, 도 4를 참조하여 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 설명한다.First, a configuration of an active matrix organic light emitting display device will be described with reference to FIG. 4.
도 4는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 등가회로도이다.4 is an equivalent circuit diagram of an active matrix organic light emitting display device.
도시한 바와 같이, 기판(200)상에 서로 이격 하고 일 방향으로 연장되도록 다수의 게이트 배선(109)을 구성한다.As illustrated, a plurality of gate lines 109 are configured to be spaced apart from each other and extend in one direction on the substrate 200.
상기 게이트 배선(109)과 교차하여 구성되도록 데이터 배선(117)과 전원 배선(119)을 구성하는데, 이때 전원 배선(119)과 데이터 배선(117)은 교대로 구성한다.The data line 117 and the power line 119 are configured to intersect the gate line 109, and the power line 119 and the data line 117 are alternately configured.
상기 게이트 배선(109)과 데이터 배선(117)과 전원 배선(119)이 정의하는 영역내에 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)를 구성한다.The switching element T S and the driving element T D are formed in an area defined by the gate wiring 109, the data wiring 117, and the power supply wiring 119.
상기 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)로 박막트랜지스터를 사용하며, 박막트랜지스터는 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함한다.A thin film transistor is used as the switching element T S and the driving element T D , and the thin film transistor includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode.
이때, 스위칭 소자(TS)의 소스 전극은 데이터 배선(117)과, 게이트 전극은 게이트 배선(109)과, 드레인 전극은 구동소자(TD)의 게이트 전극과 연결되도록 구성한다.In this case, the source electrode of the switching element T S is configured to be connected to the data line 117, the gate electrode to the gate line 109, and the drain electrode to the gate electrode of the driving element T D.
상기 구동 소자(TD)의 드레인 전극은 유기발광부(EL)의 전극과 접촉하도록 구성하며, 소스 전극은 상기 전원배선(119)과 연결되도록 구성한다.The drain electrode of the driving element T D is configured to be in contact with the electrode of the organic light emitting part EL, and the source electrode is configured to be connected to the power line 119.
또한, 상기 구동 소자(TD)와 병렬로 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.In addition, the storage capacitor C ST is configured in parallel with the driving element T D.
이하, 도 5를 참조하여 전술한 바와 같은 등가회로도를 가진 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 개략적으로 설명한다.Hereinafter, an active matrix organic light emitting diode having an equivalent circuit diagram as described above will be described with reference to FIG. 5.
도 5는 일반적인 DPOLED 구조의 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.(구동 박막트랜지스터와 화소부만을 도시함.)5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an organic light emitting device having a general DPOLED structure. (Only the driving thin film transistor and the pixel portion are shown.)
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(199)는 투명한 제 1 기판(200)과 제 2 기판(300)을 실런트(sealant)(400)를 통해 합착하여 구성한다.As illustrated, the organic light emitting device 199 according to the present invention is configured by bonding the transparent first substrate 200 and the second substrate 300 through a sealant 400.
상기 제 1 및 제 2 기판(200,300)을 다수의 화소영역(P)으로 정의하고, 상기 제 1 기판(100)에는 화소영역(P) 마다 박막트랜지스터(스위칭 소자와 구동소자)(T)와 어레이 배선(미도시)을 구성한다.The first and second substrates 200 and 300 are defined as a plurality of pixel regions P. In the first substrate 100, a thin film transistor (switching element and a driving element) T and an array are formed for each pixel region P. FIG. A wiring (not shown) is comprised.
상기 제 2 기판(300)의 상부에는 기판(300)의 전면에 투명한 홀 주입전극인 제 1 전극(302)을 구성하고, 제 1 전극(302)의 상부에는 유기 발광층(310)과, 제 2 전극(312)을 차례로 구성한다.The first electrode 302, which is a transparent hole injection electrode, is formed on the front surface of the substrate 300 on the second substrate 300, and the organic emission layer 310 and the second on the first electrode 302. The electrodes 312 are sequentially configured.
상기 제 2 전극(312)은 격벽을 통해 상기 화소영역(P)에 대응하는 위치마다 독립적으로 구성되며 이때, 격벽(308)은 격자형상으로 구성한다.The second electrode 312 is independently configured for each position corresponding to the pixel area P through the partition wall, and the partition wall 308 is formed in a grid shape.
격벽의 하부에는 격벽(308)과 동일한 격자 형상의 절연막 패턴(305)을 형성한다.The insulating film pattern 305 having the same lattice shape as the partition wall 308 is formed below the partition wall.
상기 제 2 전극(312)과 구동 소자(TD)의 드레인 전극은 별도의 연결전극(224)을 통해 간접적으로 연결된다. 상기 연결전극(224)을 제 1 기판(200)에 구성하고 제 1 및 제 2 기판(200,300)을 합착하면 상기 연결전극(224)이 발광층(310)의 상부에 구성된 전자 주입전극인 제 2 전극(312)과 접촉하게 된다.The second electrode 312 and the drain electrode of the driving element T D are indirectly connected through a separate connection electrode 224. When the connection electrode 224 is formed on the first substrate 200 and the first and second substrates 200 and 300 are bonded together, the connection electrode 224 is a second electrode which is an electron injection electrode formed on the emission layer 310. Contact 312.
이때, 연결전극(224)은 바람직하게는 상기 제 2 전극(312)과 동일한 물질로 형성한다.In this case, the connection electrode 224 is preferably formed of the same material as the second electrode 312.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention will be described with reference to the drawings.
이하, 도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자를 구성하는 박막트랜지스터 어레이부의 제조방법을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.6A to 6C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thin film transistor array unit constituting an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
(도 6a 내지 도 6c는 제 1 기판에 구성된 박막트랜지스터 어레이부 중 구동 소자와 이에 연결된 화소부(발광부)의 단면도이다.)6A to 6C are cross-sectional views of a driving element and a pixel portion (light emitting portion) connected to the thin film transistor array portion formed on the first substrate.
도 6a에 도시한 바와 같이, 다수의 화소영역(P)이 정의된 기판(200)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 실리콘 절연물질 그룹 중 선택된 하나로 제 1 절연막인 버퍼층(202)을 형성한다.As shown in FIG. 6A, a first one selected from a group of silicon insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) on a front surface of a substrate 200 in which a plurality of pixel regions P is defined. A buffer layer 202 which is an insulating film is formed.
상기 버퍼층(202)의 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착한 후 탈수소화 과정과 열을 이용한 결정화 공정을 진행하여 다결정 실리콘층을 형성하고 패턴하여, 액티브층(204)을 형성한다.After depositing amorphous silicon (a-Si: H) on the buffer layer 202, a dehydrogenation process and a crystallization process using heat are performed to form and pattern a polycrystalline silicon layer to form an active layer 204. .
상기 액티브층(204)은 제 1 액티브 영역(204a)과, 제 1 액티브 영역(204a)의 양측을 각각 제 2 액티브 영역(204b)으로 정의한다.The active layer 204 defines a first active region 204a and both sides of the first active region 204a as a second active region 204b.
상기 액티브층(204)이 형성된 기판(200)의 전면에 제 2 절연막인 게이트 절연막(206)을 형성한다. 게이트 절연막(206)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.A gate insulating film 206, which is a second insulating film, is formed on the entire surface of the substrate 200 on which the active layer 204 is formed. The gate insulating layer 206 is formed of one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ).
이때, 상기 게이트 절연막(206)은 그대로 남겨 둘 수도 있고, 게이트 전극과 동일한 형상으로 식각하여 형성할 수 도 있다.In this case, the gate insulating layer 206 may be left as it is or may be formed by etching the same shape as the gate electrode.
연속하여, 상기 제 1 액티브 영역(204a)상부의 게이트 절연막(206)상에 게이트 전극(208)을 형성한다. 상기 게이트 전극(208)이 형성된 기판(200)의 전면에 3가 또는 4가의 불순물(B 또는 P)을 도핑하여 상기 제 2 액티브 영역(204b)을 오믹 콘택(ohmic contact)영역으로 형성한다.Subsequently, a gate electrode 208 is formed on the gate insulating film 206 on the first active region 204a. The second active region 204b is formed as an ohmic contact region by doping trivalent or tetravalent impurities B or P on the entire surface of the substrate 200 on which the gate electrode 208 is formed.
게이트 전극(208)이 형성된 기판(200)의 전면에 제 3 절연막인 층간 절연막(210)을 형성하고 패턴하여, 상기 제 1 액티브 영역(204a)의 양측에 정의된 제 2 액티브 영역(204b)을 각각 노출하는 제 1 콘택홀(212)과 제 2 콘택홀(214)을 형성한다. An interlayer insulating film 210, which is a third insulating film, is formed on the entire surface of the substrate 200 on which the gate electrode 208 is formed and patterned to form the second active regions 204b defined on both sides of the first active region 204a. The first contact hole 212 and the second contact hole 214 are respectively formed.
상기 게이트 전극(208)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금과 구리(Cu)와 텅스텐(W)과 탄탈륨(Ta)과 몰리브덴(Mo)을 포함한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성하고, 층간 절연막(210)은 전술한 바와 같은 절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.The gate electrode 208 is formed of one of a conductive metal group including aluminum (Al), an aluminum alloy, copper (Cu), tungsten (W), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo), and the interlayer insulating film 210 Is selected from the group of insulating materials as described above.
도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 층간 절연막(210)이 형성된 기판(200)의 전면에 제 2 금속층을 형성한 후 패턴하여, 상기 노출된 제 2 액티브 영역(204b)에 각각 접촉하는 소스 전극(216)과 드레인 전극(218)을 형성한다.As shown in FIG. 6B, a second metal layer is formed on the entire surface of the substrate 200 on which the interlayer insulating layer 210 is formed, and then patterned to form a source electrode contacting each of the exposed second active regions 204b. 216 and the drain electrode 218 are formed.
연속하여, 상기 소스 및 드레인 전극(216,218)이 형성된 기판(200)의 전면에 전술한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 제 4 절연막인 보호막(220)을 형성한다.Subsequently, benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin) selected from the above-mentioned inorganic insulating material group on the front surface of the substrate 200 on which the source and drain electrodes 216 and 218 are formed or in some cases. A protective film 220 which is a fourth insulating film is formed by depositing or applying one selected from the group of organic insulating materials including a fourth insulating film.
다음으로, 상기 보호막(220)을 패턴하여 상기 각 구동소자(T)의 드레인 전극(218)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(222)을 형성한다.Next, the passivation layer 220 is patterned to form a drain contact hole 222 exposing a part of the drain electrode 218 of each driving element T.
도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(220)이 형성된 기판(200)의 전면에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(218)과 접촉하는 연결전극(224)을 형성한다. As illustrated in FIG. 6C, a conductive metal is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 200 on which the passivation layer 220 is formed to form a connection electrode 224 in contact with the drain electrode 218.
(전술한 공정 중, 도시하지는 않았지만, 상기 구동 소자와 연결되는 스위칭 소자는 구동소자와 동일한 공정으로 형성하며, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 구동소자의 게이트 전극을 연결하는 공정을 진행한다.Although not shown, the switching element connected to the driving element is formed in the same process as the driving element, and the drain electrode of the switching element is connected to the gate electrode of the driving element.
또한, 상기 스위칭 소자의 게이트 전극을 형성하는 공정에서 도 4에서 설명하였던 게이트배선을 형성하고, 스위칭 소자의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정 중 상기 소스전극과 연결되는 데이터배선을 형성하는 공정을 진행한다.)In the process of forming the gate electrode of the switching device, the gate wiring described with reference to FIG. 4 is formed, and the process of forming the data wiring connected to the source electrode is performed during the process of forming the source and drain electrodes of the switching device. do.)
전술한 도 6a 내지 도 6c의 공정을 통해 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이부를 형성할 수 있다.6A through 6C may be used to form the thin film transistor array unit according to the present invention.
이하, 도 7a 내지 도 7f를 통해, 상기 박막트랜지스터 어레이부와 합착되는 발광부의 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the light emitting unit bonded to the thin film transistor array unit will be described with reference to FIGS. 7A to 7F.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 발광부의 제조공정을 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.7A to 7F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting unit according to the present invention in order.
도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(300)상에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 일함수가 큰 투명 도전성금속을 증착하여 양극전극(anode electrode)인 제 1 전극(302)을 형성한다.As shown in FIG. 7A, a transparent conductive metal having a large work function, such as indium tin oxide (ITO), is deposited on the substrate 300 to form a first electrode 302 which is an anode electrode. .
상기 제 1 전극(302)의 상부에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 절연막(304)을 형성한다.An insulating film 304 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) on the first electrode 302.
연속하여, 절연막(304)의 상부에 격벽을 형성하는 물질(PR과 같은 수지(resin)와 같은 유기물질)을 도포하여 격벽층(306)을 형성한다.Subsequently, a partition layer 306 is formed by applying a material (an organic material such as a resin such as PR) that forms a partition on the insulating film 304.
다음으로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 앞서 설명한 포토리소그라피 공정을 통해 상기 격벽층을 패턴하여 격벽(308)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, the barrier rib layer is patterned to form the barrier rib 308 through the photolithography process described above.
이때, 격벽(308)형상은 앞서 설명한 수동 매트릭스형에서 사용되는 것과는 다르게 격자형상으로 형성한다.In this case, the partition wall 308 shape is formed in a lattice shape different from that used in the passive matrix type described above.
왜냐하면, 각 능동 매트릭스형 유기발광소자는 화소마다 독립적으로 구동하기 때문에 이후 형성되는 제 2 전극은 화소마다 독립적으로 구성되어야 한다.Because each active matrix organic light emitting diode is driven independently for each pixel, the second electrode to be formed later must be configured independently for each pixel.
이와 같은 이유로 격자형상은 제 2 전극을 화소마다 독립적으로 구성할 수 있는 바람직한 형상이다.For this reason, the lattice shape is a preferable shape in which the second electrode can be configured independently for each pixel.
다음으로, 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(308)사이로 노출된 하부 절연막을 소정의 방법으로 식각하여, 격벽(308)하부에 격벽(308)과 평면적인 형상이 동일한 절연막 패턴(305)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7C, the lower insulating film exposed between the partition walls 308 is etched by a predetermined method to form an insulating film pattern 305 having the same planar shape as the partition walls 308 under the partition walls 308. To form.
이때, 격벽(308)의 평면적인 너비는 절연막 패턴(305)의 평면적인 너비보다 작아야 한다. 격벽(308)의 너비가 절연막 패턴(305)의 너비보다 크면 이후 제 2 전극을 증착하는 공정에서 상기 제 1 전극(302)과 제 2 전극이 접촉하는 불량이 발생할 수 있기 때문이다.In this case, the planar width of the barrier rib 308 should be smaller than the planar width of the insulating film pattern 305. If the width of the barrier rib 308 is larger than the width of the insulating film pattern 305, a defect in contact between the first electrode 302 and the second electrode may occur in a process of depositing a second electrode.
따라서, 도 7d에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(308)의 크기를 더 작게 하는 공정을 진행해야 한다.Therefore, as shown in FIG. 7D, the process of making the partition 308 smaller is required.
이때, 격벽(308)을 식각하는 공정 동안 하부의 절연패턴이 영향을 받지 않도록 하는 것이 중요한데, 이를 위해 플라즈마 에칭(plasma etching) 방법을 사용하여 상기 격벽(308)을 식각한다.In this case, it is important to prevent the lower insulating pattern from being affected during the process of etching the barrier rib 308. For this purpose, the barrier rib 308 is etched by using a plasma etching method.
플라즈마 에칭방법은 식각할 때 등방성으로 작용하여 무기막인 하부 절연막에 거의 영향을 주지 않으므로 하부 절연막 패턴(305)은 그대로 있고 격벽(308)만 모양을 그대로 유지하면서 깍여져 나가게 된다.Since the plasma etching method isotropically etched and hardly affects the lower insulating film, which is an inorganic film, the lower insulating film pattern 305 remains and only the partition wall 308 is scraped off while maintaining its shape.
따라서, 도 7e에 도시한 바와 같이(평면도와 이것의 일부만을 나타낸 단면도를 동시에 도시함), 매트릭스 형상의 격벽(308)과 그 하부의 절연막 패턴(305)을 단일 마스크 공정으로 제작할 수 있다.Therefore, as shown in Fig. 7E (simultaneously showing a plan view and a cross-sectional view showing only a part thereof), the matrix-shaped partition wall 308 and the insulating film pattern 305 thereunder can be produced by a single mask process.
다음으로 도 7f에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(308) 사이의 제 1 전극(302)의 상부에 상기 각 화소부에 대응하여 위치하고 적(R), 녹(G), 청색(B)의 빛을 발광하는 유기 발광층(310)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 7F, light of red (R), green (G), and blue (B) is positioned on the first electrode 302 between the partitions 308 corresponding to each pixel part. An organic emission layer 310 emitting light is formed.
이때, 상기 유기 발광층(310)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 상기 유기 발광층이 다층으로 구성될 경우에는, 발광층(310a)에 홀 수송층(Hole Transporting Layer)(310c)과 전자 수송층(Electron Transporting Layer : ETL)(310b)을 더욱 구성한다.In this case, the organic light emitting layer 310 may be configured as a single layer or a multilayer. When the organic light emitting layer is formed as a multilayer, a hole transporting layer 310c and an electron transporting layer are formed in the light emitting layer 310a. Layer: ETL (310b) is further configured.
다음으로, 상기 발광층(310)의 상부에 제 2 전극(312)을 증착하는 공정을 진행한다.Next, a process of depositing the second electrode 312 on the light emitting layer 310 is performed.
이때, 상기 격벽(308)의 형상은 단면적으로 역 사다리꼴 형상으로 구성되기 때문에, 상기 격벽(308)의 양측 표면에는 금속층이 증착될 수 없는 구성이다.At this time, since the partition 308 is formed in an inverted trapezoidal shape in cross section, metal layers cannot be deposited on both surfaces of the partition 308.
따라서, 상기 제 2 전극(312)을 형성하기 위한 금속층은 격벽(308)의 상부와 격벽 사이에 존재하는 유기 발광층(310)의 상부에만 존재하게 되어, 각 화소영역(P)마다 독립적으로 형성된다.Therefore, the metal layer for forming the second electrode 312 is present only on the upper portion of the organic light emitting layer 310 existing between the upper portion of the barrier rib 308 and the barrier rib, and is formed independently for each pixel region P. FIG. .
이때, 상기 하부 절연막 패턴(305)은 제 2 전극(312)과 하부의 제 1 전극(302)이 접촉되는 것을 방지한다.In this case, the lower insulating layer pattern 305 prevents the second electrode 312 from contacting the lower first electrode 302.
상기 제 2 전극(312)을 형성하는 물질은 알루미늄(Al)과 칼슘(Ca)과 마그네슘(Mg)중 선택된 하나로 형성하거나 리튬플루오린/알루미늄(LIF/Al)의 이중 금속층으로 형성할 수 있다.The material forming the second electrode 312 may be formed of one selected from aluminum (Al), calcium (Ca), and magnesium (Mg) or a double metal layer of lithium fluorine / aluminum (LIF / Al).
전술한 바와 같은 공정을 통해 발광부가 형성된 별도의 제 2 기판을 형성할 수 있다.As described above, a separate second substrate on which the light emitting part is formed may be formed.
전술한 바와 같이 제작된 박막트랜지스터 어레이부와 발광부가 구성된 기판을 합착하여 도 5에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 상부 발광형 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.As shown in FIG. 5, the thin film transistor array unit and the substrate including the light emitting unit manufactured as described above may be bonded to each other to manufacture the top emission organic light emitting diode according to the present invention.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 격벽과 하부의 절연막 패턴을 하나의 단일 공정으로 형성할 수 있으므로 공정 단순화로 인한 공정 시간 단축과 함께 비용 절감효과가 있다. In the organic light emitting device according to the present invention, since the barrier layer and the insulating layer pattern at the bottom may be formed in one single process, the organic EL device according to the present invention may reduce the process time and reduce the cost due to the process simplification.
또한, 제 2 실시예에 따른 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 첫째, 상부 발광형이므로 하부 어레이패턴의 형상에 영향을 받지 않으므로 고 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, the active matrix organic light emitting device according to the second embodiment First, since the upper emission type is not affected by the shape of the lower array pattern, it is possible to secure a high aperture ratio.
또한, 박막트랜지스터의 디자인에 대해서도 하판의 화소영역 내에서 자유롭게 박막트랜지스터를 배치할 수 있기 때문에 자유도를 충분히 얻을 수 있다.In addition, since the thin film transistor can be freely disposed in the pixel area of the lower plate, the degree of freedom can be obtained.
그리고, 종래의 상부 발광형의 박막형 보호막으로 외기를 차단할 수 없었던 문제를 해결할 수 있다.In addition, it is possible to solve the problem that the outside air could not be blocked by the conventional top emission type thin film protective film.
둘째, 상기 유기전계 발광층을 박막트랜지스터 어레이패턴의 상부에 구성하지 않고 별도로 구성하기 때문에, 공정 중 상기 박막트랜지스터에 미칠 수 있는 영향들을 고려하지 않아도 되므로 수율을 향상하는 효과가 있다.Second, since the organic electroluminescent layer is not configured on the thin film transistor array pattern but separately configured, the organic light emitting layer does not have to consider the effects on the thin film transistor during the process, thereby improving yield.
또한, 박막트랜지스터 어레이부의 공정 완료후 이를 검사하여 양호한 하판을 선택하고, 또한 발광부도 양호한 상판을 선택하여 합착할 수 있기 때문에 수율향상효과가 있고, 또한 별도 기판으로 구성되므로 인하여 생산관리 특면에서도 양호한 특성을 나타낼 수 있다.In addition, after the process of the thin film transistor array unit is completed, it can be inspected to select a good bottom plate, and the light emitting unit can also be selected by joining a good top plate. Can be represented.
도 1은 종래의 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional passive matrix organic electroluminescent device,
도 2a 내지 도 2e는 종래의 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,2A to 2E are process cross-sectional views showing a manufacturing process of a conventional passive matrix organic light emitting device according to a process sequence;
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,3A to 3E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a passive matrix organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention in a process sequence;
도 4는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 등가회로도이고,4 is an equivalent circuit diagram of an active matrix organic light emitting diode,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an active matrix organic light emitting diode according to a second embodiment of the present invention;
도 6a 내지 도 6c는 도 5의 구성 중 박막트랜지스터 어레이부의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,6A through 6C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film transistor array unit in the configuration of FIG. 5 according to a process sequence;
도 7a 내지 도 7f는 도 5의 구성 중 유기발광부의 제조공정을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.7A to 7F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the organic light emitting unit in the configuration of FIG. 5 according to a process sequence.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
100 : 기판 102 : 제 1 전극(양극 전극)100 substrate 102 first electrode (anode electrode)
105 : 절연막 패턴 108 : 격벽105: insulating film pattern 108: partition wall
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