KR100472743B1 - Reticle stage of scanner for semiconductor device manufacturing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 노광시키는 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지에 관한 것이다.The present invention relates to a reticle stage of a scanner for manufacturing a semiconductor device, which moves in one direction and exposes a wafer located below.
본 발명은, 일측 외부 전면에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 1 미러가 구비되고, 상기 제 1 미러와 인접한 다른 일측 외부 전면에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 2 미러가 구비되고, 레티클을 상부에 안착하여 구동원의 구동에 의해서 이동하며 그 하부에 위치하는 웨이퍼를 노광하는 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지에 있어서, 상기 제 1 미러와 소정간격 이격된 위치에서 상기 제 1 미러의 부위별 이격거리를 측정할 수 있는 다수의 이격거리측정수단이 구비되고, 상기 제 2 미러와 소정간격 이격된 위치에 상기 제 2 미러의 부위별 이격거리를 측정할 수 있는 또다른 다수의 이격거리측정수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.The present invention is provided with a first mirror capable of reflecting the scanned light on one outer front surface, a second mirror capable of reflecting the scanned light on the other outer front surface adjacent to the first mirror, and a reticle In the reticle stage of a semiconductor device scanner for exposing a wafer positioned below the seat by moving it by a drive of a driving source, and spaced apart by portions of the first mirror at a position spaced a predetermined distance from the first mirror. A plurality of separation distance measuring means for measuring the distance is provided, and another plurality of separation distance measuring means for measuring the separation distance for each part of the second mirror in a position spaced apart from the second mirror a predetermined distance Characterized in that it is provided.
따라서, 레티클 스테이지의 기울기의 이상에 의해서 노광불량이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, it is possible to prevent the occurrence of exposure failure due to the abnormality of the inclination of the reticle stage.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 노광시키는 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지에 관한 것이다.The present invention relates to a reticle stage of a scanner for semiconductor device manufacturing, and more particularly, to a reticle stage of a scanner for semiconductor device manufacturing for exposing a wafer located below and moving in one direction.
통상, 반도체장치 제조공정에서는 웨이퍼 상에 특정막를 형성하고, 상기 특정막 상에 포토레지스트(Photoresist)를 도포한 후 노광설비를 사용하여 노광공정을 진행하고 있다. 상기 노광설비로 스테퍼(Stepper) 또는 스캐너(Scanner) 등이 사용되고 있다.Usually, in the semiconductor device manufacturing process, a specific film is formed on a wafer, a photoresist is applied on the specific film, and then an exposure process is performed using an exposure apparatus. Steppers, scanners, and the like are used as the exposure equipment.
상기 스캐너를 이용한 노광공정은 상부로 소정간격 이격된 위치에 빛을 주사할 수 있는 광원이 설치되어 있고, 상부에 레티클(Reticle)이 안착된 레티클 스테이지(Reticle stage)가 구동원의 구동에 의해서 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 스캐닝(Scanning)함으로서 이루어진다. 상기 노광공정의 진행을 위한 스캐너의 레티클 스테이지 일측에는 웨이퍼 스캐닝시 여러 가지 원인에 의해서 레티클 스테이지가 일측 방향으로 기우는 정도를 특정 파장의 빛을 사용하여 측정할 수 있는 장치가 구비되어 있다.In the exposure process using the scanner, a light source capable of scanning light is installed at a position spaced a predetermined distance upward, and a reticle stage having a reticle mounted thereon is driven in one direction by driving of a driving source. This is done by scanning the wafer located below and moving. One side of the reticle stage of the scanner for the exposure process is provided with a device capable of measuring the degree of tilting the reticle stage in one direction due to various causes during wafer scanning using light of a specific wavelength.
도1을 참조하면, 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 노광하는 레티클 스테이지(10)의 일측에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 1 미러(12)가 형성되어 있고, 제 1 미러(12)와 인접한 다른 일측에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 2 미러(14)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, a first mirror 12 capable of reflecting scanned light on one side of a reticle stage 10 that moves in one direction by exposing a wafer located below by a driving source (not shown) is exposed. Is formed, and on the other side adjacent to the first mirror 12, a second mirror 14 capable of reflecting the scanned light is formed.
또한, 상기 제 1 미러(12)와 소정간격 이격된 위치에는 광원발생장치 및 디텍션장치로 이루어지는 이격거리측정수단 X1(16)이 설치되어 있다. 상기 이격거리측정수단 X1(16)의 광원발생장치에서는 특정 파장의 빛을 제 1 미러(12)에 주사할 수 있도록 되어 있으며, 상기 이격거리측정수단 X1(16)의 디텍션장치에서는 제 1 미러(12)에서 반사된 상기 특정 파장의 빛을 디텍션(Detection)함으로서 이격거리측정수단 X1(16)과 제 1 미러(12) 사이의 이격거리를 측정할 수 있도록 되어 있다.Further, at a position spaced apart from the first mirror 12 by a predetermined distance, a separation distance measuring means X1 (16) consisting of a light source generator and a detection device is provided. The light source generator of the separation distance measuring means X1 (16) is capable of scanning light of a specific wavelength to the first mirror (12), and the detection apparatus of the separation distance measuring means (X1) 16 of the first mirror ( By detecting the light of the specific wavelength reflected by 12, it is possible to measure the separation distance between the separation distance measuring means X1 (16) and the first mirror (12).
그리고, 상기 제 2 미러(14)와 소정간격 이격된 위치에는 서로 이격된 이격거리측정수단 Y1(18) 및 이격거리측정수단 Y2(20)이 설치되어 있다. 상기 이격거리측정수단 Y1(18) 및 이격거리측정수단 Y2(20)는 광원발생장치 및 디텍션장치를 각각 구비하고 있다. 상기 광원발생장치는 제 1 미러(12)의 특정 부위에 특정 파장의 빛을 주사할 수 있도록 되어 있으며, 상기 디텍션장치는 제 2 미러(14)에서 반사된 상기 특정 파장의 빛을 디텍션함으로서 이격거리측정수단 Y1(18) 또는 이격거리측정수단 Y2(20)와 제 2 미러(14) 사이의 이격거리를 측정할 수 있도록 되어 있다.In addition, the distance between the second mirror 14 and the predetermined distance spaced apart distance measuring means Y1 (18) and the distance measuring means Y2 (20) are provided. The separation distance measuring means Y1 (18) and the separation distance measuring means Y2 (20) are provided with a light source generator and a detection apparatus, respectively. The light source generator is configured to scan light of a specific wavelength to a specific portion of the first mirror 12, and the detection device detects the light of the specific wavelength reflected from the second mirror 14 to separate the separation distance. It is possible to measure the separation distance between the measuring means Y1 18 or the separation distance measuring means Y2 20 and the second mirror 14.
따라서, 레티클 스테이지(10)에 레티클이 안착되면, 레티클 스테이지(10)는 구동원의 구동에 의해서 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 스캐닝하게 된다. 이때, 이격거리측정수단 X1(16)의 광원발생장치는 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 1 미러(12)에 주사하게 되고, 상기 제 1 미러(12)에 주사된 빛은 반사되어 634㎚ 등으로 변화되어 다시 이격거리측정수단 X1(16)의 디텍션장치에 디텍션됨으로서 이격거리측정수단 X1(16)과 제 1 미러(12) 사이의 이격거리 X1이 측정된다. 또한, 이격거리측정수단 Y1(18)의 광원발생장치가 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 2 미러(14)에 주사하게 되고, 제 2 미러(14)에 주사된 빛은 반사되어 634㎚ 등으로 변화되어 다시 이격거리측정수단 Y1(18)의 디텍션장치에 디텍션됨으로서 이격거리측정수단 Y1(18)과 제 2 미러(14) 사이의 이격거리 Y1이 측정된다. 또한, 이격거리측정수단 Y2(20)는 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 2 미러(14)에 주사하게 되고, 상기 제 2 미러(14)에 주사된 빛은 반사되어 634㎚ 등으로 변화되어 다시 이격거리측정수단 Y2(20)의 디텐션장치에 디텍션됨으로서 이격거리측정수단 Y2(20)와 제 2 미러(14) 사이의 이격거리 Y2가 측정된다.Therefore, when the reticle is seated on the reticle stage 10, the reticle stage 10 moves in one direction by the driving of the driving source and scans the wafer located below. At this time, the light source generator of the separation distance measuring means X1 (16) is to scan the light having a wavelength of 633nm, etc. to the first mirror 12, the light scanned by the first mirror 12 is reflected 634 The separation distance X1 between the separation distance measuring means X1 16 and the first mirror 12 is measured by being changed to nm or the like and being detected by the detection device of the separation distance measuring means X1 16 again. Further, the light source generator of the separation distance measuring means Y1 18 scans the light having a wavelength of 633 nm or the like to the second mirror 14, and the light scanned by the second mirror 14 is reflected to 634 nm. And the like is detected by the detection device of the separation distance measuring means Y1 18 again, and the separation distance Y1 between the separation distance measuring means Y1 18 and the second mirror 14 is measured. In addition, the distance measuring means Y2 (20) scans the light having a wavelength of 633nm, etc. to the second mirror 14, the light scanned by the second mirror 14 is reflected to change to 634nm, etc. Then, the separation distance Y2 between the distance measurement means Y2 20 and the second mirror 14 is measured by being detected by the detention apparatus of the distance measurement means Y2 20 again.
이후, Y1 + Y2／ 2 함으로서 이격거리측정수단 Y1(18) 및 이격거리측정수단 Y2(20)와 제 2 미러(14) 사이의 평균이격거리가 산술적으로 계산되고, Y1 - Y2 함으로서 이격거리측정수단 Y1(18)과 제 2 미러(14) 사이의 이격거리와 이격거리측정수단 Y2(20)와 제 2 미러(14) 사이의 이격거리의 차(-)가 산술적으로 게산됨으로서 제 2 미러(14)가 형성된 레티클 스테이지(10)의 기울기(Tilt)를 구할 수 있다. 상기 산술적 계산의 결과에 따라 레티클 스테이지(10)의 기울기가 요구되는 기준값 이상이면, 노광설비로서의 스캐너의 레티클 스테이지(10)에 대한 보정작업을 진행한다. Then, the average distance between the distance measuring means Y1 (18) and the distance measuring means Y2 (20) and the second mirror 14 is calculated arithmetically by Y1 + Y2 / 2, and the distance measurement is performed by Y1-Y2. The difference between the separation distance between the means Y1 (18) and the second mirror 14 and the separation distance between the measurement means Y2 (20) and the second mirror (14) is arithmetically calculated so that the second mirror ( The tilt Tilt of the reticle stage 10 on which the 14 is formed can be obtained. If the inclination of the reticle stage 10 is equal to or greater than a reference value required as a result of the arithmetic calculation, a correction operation is performed on the reticle stage 10 of the scanner as the exposure apparatus.
그런데, 제 1 미러(12) 일측에는 이격거리측정수단 X1(16)만이 구비됨으로서 제 1 미러(12)가 형성된 레티클 스테이지(10)의 기울기를 산술적으로 계산하여 제 1 미러(12)가 형성된 레티클 스테이지(10)의 기울기의 이상에 의해서 패턴의 크기가 더욱 작아진 고집적화된 반도체장치의 노광불량이 발생하는 문제점이 있었다.However, since only the distance measuring means X1 (16) is provided at one side of the first mirror 12, the reticle in which the first mirror 12 is formed by arithmetically calculating the inclination of the reticle stage 10 in which the first mirror 12 is formed. There is a problem that poor exposure of the highly integrated semiconductor device, in which the size of the pattern becomes smaller, due to the abnormality of the inclination of the stage 10.
본 발명의 목적은, 제 1 미러가 형성된 레티클 스테이지의 기울기 및 제 2 미러가 형성된 레티클 스테이지의 기울기의 이상에 의해서 노광불량이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있는 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지를 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a reticle stage of a scanner for manufacturing a semiconductor device, which can prevent exposure failure due to an abnormality of an inclination of a reticle stage having a first mirror and an inclination of a reticle stage having a second mirror. There is.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지는, 일측 외부 전면에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 1 미러가 구비되고, 상기 제 1 미러와 인접한 다른 일측 외부 전면에 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 2 미러가 구비되고, 레티클을 상부에 안착하여 구동원의 구동에 의해서 이동하며 그 하부에 위치하는 웨이퍼를 노광하는 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지에 있어서, 상기 제 1 미러와 소정간격 이격된 위치에서 상기 제 1 미러의 부위별 이격거리를 측정할 수 있는 다수의 이격거리측정수단이 구비되고, 상기 제 2 미러와 소정간격 이격된 위치에 상기 제 2 미러의 부위별 이격거리를 측정할 수 있는 또다른 다수의 이격거리측정수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.The reticle stage of the scanner for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is provided with a first mirror capable of reflecting the scanned light on one outer front, scanning on the other outer front adjacent to the first mirror A reticle stage of a scanner for manufacturing a semiconductor device, which is provided with a second mirror capable of reflecting light, and which exposes a wafer positioned under the reticle to be moved by a drive source and exposed under the reticle. And a plurality of separation distance measuring means for measuring a separation distance for each part of the first mirror at a predetermined distance from the predetermined distance, and for each part of the second mirror at a position spaced apart from the second mirror at a predetermined distance. Another number of separation distances that can measure distance It characterized in that the means are provided.
상기 다수의 이격거리측정수단은 특정 파장의 빛을 주사할 수 있는 광원발생장치와 상기 광원발생장치에서 주사된 빛이 상기 제 1 미러 또는 제 2 미러에서 반사된 상기 특정 파장을 분석함으로서 상기 이격거리측정수단과 상기 제 1 미러 또는 제 2 미러 사이의 이격거리를 측정할 수 있는 디텍션장치로 이루어질 수 있다.The plurality of separation distance measuring means may analyze the separation distance by analyzing a light source generating device capable of scanning light of a specific wavelength and the specific wavelength reflected by the light scanned by the light source generating device from the first mirror or the second mirror. A detection device capable of measuring a separation distance between the measuring means and the first mirror or the second mirror may be provided.
또한, 상기 다수의 이격거리측정수단은 일정간격 서로 이격되어 일방향으로 정렬되어 설치될 수 있다.In addition, the plurality of separation distance measuring means may be spaced apart from each other by a predetermined distance may be installed aligned in one direction.
그리고, 상기 다수의 이격거리측정수단은 일정간격 서로 이격된 2개의 이격거리측정수단으로 이루어질 수 있다.The plurality of separation distance measuring means may include two separation distance measuring means spaced apart from each other by a predetermined interval.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2를 참조하면, 구동원(도시되지 않음)의 구동에 의해서 일방향으로 이동하며 하부에 위치된 웨이퍼를 노광하는 레티클 스테이지(30)가 구비되어 있다. 상기 레티클 스테이지(30)의 일측에는 주사된 빛을 반사할 수 있는 제 1 미러(32)가 형성되어 있고, 상기 제 1 미러(32)와 인접한 레티클 스테이지(30)의 다른 일측에 주사된 빛을 반사할 수 있는 다른 제 2 미러(34)가 형성되어 있다. 또한, 상기 제 1 미러(32)와 소정간격 이격된 위치에 광원발생장치 및 디텍션장치로 이루어지는 이격거리측정수단 X1(36) 및 이격거리측정수단 X2(38)가 설치되어 있다. 상기 광원발생장치는 특정 파장의 빛을 제 1 미러(32)에 주사할 수 있도록 되어 있으며, 상기 디텍션장치는 제 1 미러(32)에서 반사된 상기 특정 파장의 빛을 디텍션함으로서 이격거리측정수단 X1(36) 또는 이격거리측정수단 X2(38)와 제 1 미러(32) 사이의 이격거리를 측정할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 상기 이격거리측정수단 X1(36) 및 이격거리측정수단 X2(38)은 일정간격 서로 이격되어 있으며, 일방향으로 정렬되어 있다.Referring to FIG. 2, a reticle stage 30 is provided which exposes a wafer positioned below and moved in one direction by driving of a driving source (not shown). One side of the reticle stage 30 is formed with a first mirror 32 capable of reflecting the scanned light, and the scanned light on the other side of the reticle stage 30 adjacent to the first mirror 32 Another second mirror 34 capable of reflecting is formed. In addition, the distance measuring means X1 (36) and the distance measuring means X2 (38) formed of a light source generator and a detection apparatus are provided at a position spaced apart from the first mirror (32) by a predetermined distance. The light source generator is capable of scanning light of a specific wavelength to the first mirror 32, and the detection device detects the light of the specific wavelength reflected from the first mirror 32 to measure the separation distance X1. (36) or the separation distance measuring means X2 (38) and it is possible to measure the separation distance between the first mirror (32). The distance measuring means X1 36 and the distance measuring means X2 38 are spaced apart from each other by a predetermined interval and are aligned in one direction.
또한, 상기 제 2 미러(34)와 소정간격 이격된 위치에는 광원발생장치 및 디텍션장치로 이루어지는 이격거리측정수단 Y1(40) 및 이격거리측정수단 Y2(42)가 설치되어 있다. 상기 광원발생장치는 특정 파장의 빛을 제 2 미러(34)에 주사할 수 있도록 되어 있으며, 상기 디텍션장치는 제 2 미러(34)에서 반사된 상기 특정 파장의 빛을 디텍션함으로서 이격거리측정수단 Y1(40) 또는 이격거리측정수단 Y2(42)과 제 2 미러(34) 사이의 이격거리를 측정할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 상기 이격거리측정수단 Y1(40) 및 이격거리측정수단 Y2(42)는 일정간격 서로 이격되어 있으며, 일방향으로 정렬되어 있다.Further, at a position spaced apart from the second mirror 34 by a predetermined distance, a distance measurement means Y1 40 and a distance distance measurement means Y2 42 made of a light source generator and a detection device are provided. The light source generator is capable of scanning light of a specific wavelength to the second mirror 34, and the detection device detects the light of the specific wavelength reflected from the second mirror 34, so that the distance measuring means Y1. 40 or the separation distance measuring means Y2 (42) and the distance between the second mirror 34 can be measured. The distance measuring means Y1 40 and the distance measuring means Y2 42 are spaced apart from each other by a predetermined interval and are aligned in one direction.
따라서, 노광공정의 진행을 위해서 레티클이 레티클 스테이지(30) 상에 안착되고 그 하부에 노광될 웨이퍼가 위치되면, 레티클 스테이지(10)는 구동원의 구동에 의해서 일방향으로 이동하며 상기 웨이퍼를 스캐닝하게 된다. 이때, 이격거리측정수단 X1(36)의 광원발생장치는 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 1 미러(32)에 주사하게 되고, 이격거리측정수단 X2(38)의 광원발생장치도 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 1 미러(32)에 주사하게 된다. 상기 이격거리측정수단 X1(36) 및 이격거리측정수단 X2(38)의 광원발생장치에서 제 1 미러(32)에 주사된 빛은 반사되어 이격거리측정수단 X1(36) 및 이격거리측정수단 X2(38)의 디텍션장치에 각각 디텍션됨으로서 이격거리측정수단 X1(36)과 제 1 미러(32) 사이의 이격거리 X1 및 이격거리측정수단 X2(38)와 제 1 미러(32) 사이의 이격거리 X2가 측정된다. 이후, X1-X2함으로서 제 1 미러(32)가 형성된 레티클 스테이지(30)의 기울기를 구할 수 있다.Therefore, when the reticle is seated on the reticle stage 30 and the wafer to be exposed is positioned below the reticle stage for the progress of the exposure process, the reticle stage 10 moves in one direction by the driving of the driving source and scans the wafer. . At this time, the light source generator of the separation distance measuring means X1 36 scans the light having a wavelength of 633 nm or the like to the first mirror 32, and the light source generator of the separation distance measuring means X2 38 is also 633 nm. Light having a wavelength of equal to the first mirror 32 is scanned. The light scanned by the first mirror 32 in the light source generator of the separation distance measuring means X1 (36) and the separation distance measuring means X2 (38) is reflected to the separation distance measuring means X1 (36) and the separation distance measuring means X2. The distance between the distance measuring means X1 (36) and the first mirror 32 and the distance between the distance measuring means X2 (38) and the first mirror (32) are respectively detected by the detection apparatus of (38). X2 is measured. Subsequently, the inclination of the reticle stage 30 on which the first mirror 32 is formed may be obtained by X1-X2.
또한, 이격거리측정수단 Y1(40)의 광원발생장치는 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 2 미러(34)에 주사하고, 이격거리측정수단 Y2(38)의 광원발생장치는 633㎚ 등의 파장을 가진 빛을 제 2 미러(34)에 주사하게 된다. 상기 이격거리측정수단 Y1(40) 및 이격거리측정수단 Y2(42)의 광원발생장치에서 제 2 미러(34)에 주사된 빛은 반사되어 이격거리측정수단 Y1(40) 및 이격거리측정수단 Y2(42)의 디텍션장치에 각각 디텍션됨으로서 이격거리측정수단 Y1(40)과 제 2 미러(34) 사이의 이격거리 Y1 및 이격거리측정수단 Y2(42)와 제 2 미러(34) 사이의 이격거리 Y2가 측정된다. 이후, Y1-Y2함으로서 이격거리측정수단 Y1(40)과 제 2 미러(34) 사이의 이격거리와 이격거리측정수단 Y2(42)와 제 2 미러(34) 사이의 이격거리의 차가 산술적으로 계산됨으로 제 2 미러(34)가 형성된 레티클 스테이지(30)의 기울기를 구할 수 있다.Further, the light source generator of the separation distance measuring means Y1 40 scans the light having a wavelength of 633 nm or the like to the second mirror 34, and the light source generator of the separation distance measuring means Y2 38 is 633 nm or the like. The light having the wavelength of 2 is scanned to the second mirror 34. The light scanned by the second mirror 34 in the light source generator of the separation distance measuring means Y1 40 and the separation distance measuring means Y2 42 is reflected to be the separation distance measuring means Y1 40 and the separation distance measuring means Y2. The distance between the distance measuring means Y1 (40) and the second mirror 34, and the distance between the distance measuring means Y2 (42) and the second mirror 34, respectively, by detecting the detection device of (42) Y2 is measured. Then, the difference between the separation distance between the separation distance measuring means Y1 (40) and the second mirror 34 and the separation distance between the separation distance measuring means Y2 (42) and the second mirror 34 is arithmetically calculated by Y1-Y2. Thus, the inclination of the reticle stage 30 on which the second mirror 34 is formed can be obtained.
상기 산술적 계산의 결과에 따라 제 1 미러(32)가 형성된 레티클 스테이지(10) 또는 제 2 미러(34)가 형성된 레티클 스테이지(30)의 기울기가 요구되는 기준값 이상이면, 노광설비로서의 스캐너의 레티클 스테이지(30)에 대한 보정작업을 진행한다.If the inclination of the reticle stage 10 in which the first mirror 32 is formed or the reticle stage 30 in which the second mirror 34 is formed is equal to or greater than a reference value required as a result of the arithmetic calculation, the reticle stage of the scanner as the exposure equipment. Proceed with the correction for (30).
따라서, 본 발명에 의하면 제 1 미러가 형성된 레티클 스테이지의 일측 및 제 2 미러가 형성된 레티클 스테이지의 다른 일측에 다수의 이격거리측정수단을 구비시켜 제 1 미러가 형성된 레티클 스테이지의 기울기 및 제 2 미러가 형성된 레티클 스테이지의 기울기를 산술적으로 계산할 수 있도록 함으로서 이를 기초로 하여 레티클 스테이지의 기울기의 이상을 보정함으로서 레티클 스테이지의 기울기의 이상에 의해서 노광불량이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, a plurality of separation distance measuring means are provided on one side of the reticle stage on which the first mirror is formed and on the other side of the reticle stage on which the second mirror is formed, so that the slope and the second mirror of the reticle stage on which the first mirror is formed By arithmetically calculating the inclination of the formed reticle stage, it is possible to prevent exposure defects from occurring due to the inclination of the reticle stage.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a reticle stage of a conventional semiconductor device manufacturing scanner.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 스캐너의 레티클 스테이지의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining an embodiment of a reticle stage of a scanner for semiconductor device manufacturing according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 30 : 레티클 스테이지 12, 32 : 제 1 미러10, 30: reticle stage 12, 32: first mirror
14, 34 : 제 2 미러 16, 36 : 이격거리 측정수단 X114, 34: second mirror 16, 36: separation distance measuring means X1
18, 40 : 이격거리 측정수단 Y1 20, 42 : 이격거리 측정수단 Y218, 40: separation distance measuring means Y1 20, 42: separation distance measuring means Y2
38 : 이격거리 측정수단 X2 38: distance measurement means X2
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0004060A KR100472743B1 (en) | 1998-02-11 | 1998-02-11 | Reticle stage of scanner for semiconductor device manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR10-1998-0004060A KR100472743B1 (en) | 1998-02-11 | 1998-02-11 | Reticle stage of scanner for semiconductor device manufacturing |
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=43666321
Family Applications (1)
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1998
- 1998-02-11 KR KR10-1998-0004060A patent/KR100472743B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990069669A (en) | 1999-09-06 |
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