KR100462926B1 - 스핀터널 자기저항효과막과 소자 및 이를 사용한 자기저항센서 및 자기 장치와 그 제조방법 - Google Patents
스핀터널 자기저항효과막과 소자 및 이를 사용한 자기저항센서 및 자기 장치와 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100462926B1 KR100462926B1 KR10-2001-0087265A KR20010087265A KR100462926B1 KR 100462926 B1 KR100462926 B1 KR 100462926B1 KR 20010087265 A KR20010087265 A KR 20010087265A KR 100462926 B1 KR100462926 B1 KR 100462926B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film
- magnetic
- magnetic thin
- spin tunnel
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1107—Magnetoresistive
- Y10T428/1114—Magnetoresistive having tunnel junction effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Description
Claims (29)
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/반강자성 박막/제 1 자성 박막/터널 배리어층/제 2 자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 반강자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 반강자성 박막의 표면의 평균 요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막의 표면의 평균 요철은 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/반강자성 박막/제 3 자성 박막/비자성 박막/제 4 자성 박막/제 1 자성 박막/터널 배리어층/제 2 자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막은 상기 비자성 박막을 통하여 반강자성적으로 결합되어 있고,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층 및 상기 반강자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 반강자성 박막의 표면의 평균 요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막의 표면의 평균요철은 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/제 2 자성 박막/터널 배리어층/제 1 자성 박막/반강자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 과 상기 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 제 2 자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 제 2 자성 박막의 표면의 평균요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 각각이 연속적으로 적층되어 있는, 적어도 하부 전극층/제 2 자성 박막/터널 배리어층/제 1 자성 박막/제 4 자성 박막/비자성 박막/제 3 자성 박막/반강자성 박막/상부 전극층의 구조를 구비하며,상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막은 상기 비자성 박막을 통하여 반강자성적으로 결합되어 있고,상기 반강자성 박막에 따른 상기 제 1 자성 박막의 교환 결합 자계는 Hr 이고, 상기 제 2 자성 박막의 보자력은 Hc2 이며, 상기 Hr 및 Hc2 는 관계식 Hc2<Hr 을 만족하고,상기 하부 전극층과 상기 제 2 자성 박막 사이에 배치되고 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 이루어진 하지층을 더 구비하며,상기 하지층 상의 상기 제 2 자성 박막의 표면의 평균요철이 0.1 내지 5 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 반강자성 박막은 PtMn, PtMn-X (여기서, X 는 Ru, It, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, 또는 Rh), PdMn, 및 NiMn 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 부재, 또는 그 2 개의 부재의 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 하지층의 막 두께는 10 내지 100 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 배리어층은 Al 산화막, Al 질화막, Ta 산화막, 및 Mg 산화막으로 구성된 그룹으로부터 선택된 층, 또는 상기 선택된 막의 2 개 이상의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 배리어층의 두께는 3 내지 12 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 자성 박막 또는 상기 제 2 자성 박막은 주 성분으로 Ni, Fe, Co, FeCo, NiFe, 또는 NiFeCo 를 가지는 자성막이고,상기 자성 박막의 막 두께는 3 내지 100 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 있어서,차폐 효과를 갖는 비결정성 자성 재료 및 비자성 재료의 적층막이 상기 하부 전극층으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 12 항에 있어서,상기 비결정성 자성 재료는 주 성분으로 CoZr 을 가지는 합금인 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 3 항에 있어서,상기 반강자성적으로 결합된 상기 제 3 자성 박막과 상기 제 4 자성 박막 사이에 개재되는 상기 비자성 박막은 Ru, Cr, Rh, 및 Ir 로 구성된 그룹으로부터 선택되거나, 또는 상기 그룹으로부터 선택된 2 개 이상의 부재를 구비하고,상기 제 3 자성 박막 또는 상기 제 4 자성 박막은 Co, FeCo, NiFe, 및 NiFeCo 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 14 항에 있어서,상기 비자성 박막의 막 두께는 4 내지 10 Å 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 터널 배리어층과 상기 제 1 자성 박막 또는 상기 제 2 자성 박막 사이의 계면에 삽입된 1 내지 20 Å 의 범위 내의 두께를 갖는 Co, Fe, FeCo, 또는 NiFeCo 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과막.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 산소, 질소, 수소 또는 그 혼합 가스를 10-6Torr 내지 10-9Torr 범위의 압력에서 막 성장 챔버 내로 도입하는 것에 의하여 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 산소, 질소, 수소 또는 그 혼합 가스를 가지는 가스를 10-7Torr 내지 10-8Torr 의 범위의 압력에서 막 성장 챔버 내로 도입하는 것에 의하여 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 Ta, Zr, Hf, 또는 그 합금으로 제조된 하지층의 표면의 산화를 초래하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막의 제조 방법에 있어서,표면의 평균요철을 제어하는 수단이 막 성장 동안에 기판을 0 ℃ 이하의 온도로 냉각하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과막을 제조하는 방법에 있어서,상기 터널배리어층은 산소, 질소, 또는 산소기 또는 질소기를 포함하는 가스를 10-7Torr 내지 10-10Torr 의 진공 내로 도입하고, 산화 또는 질화를 수행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 터널 배리어층 산화 또는 질화는 실온 내지 250 ℃ 의 범위의 기판 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 스핀터널 자기저항효과 소자에 있어서,제 1 항에 기재된 자기저항효과막이 0.1 내지 1.0 ㎛ 의 범위 내의 소자 높이, 0.1 내지 1.0 ㎛ 의 범위 내의 소자 너비, 40 내지 100 Ω 내의 소자 저항을 갖는 소자로 제조되는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 23 항에 있어서,상기 제 2 자성 박막에서 단일 자구를 초래하기에 충분한 바이어스 자계를 생성하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 24 항에 있어서,상기 바이어스를 생성하는 수단은 상기 제 2 자성 박막과 인접하여 결합하여 배치된 반강자성 박막 또는 영구 자석 막인 것을 특징으로 하는 스핀터널 자기저항효과 소자.
- 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자의 상하에서 상기 스핀터널 자기저항효과 소자를 샌드위치하는 차폐 효과를 가지는 연자성 재료를 구비하는 것을 특징으로 하는 차폐형 스핀터널 자기저항 센서.
- 신호 필드가 차폐 효과를 갖는 연자성 재료에 의하여 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자로 안내되는 것을 특징으로 하는 요크형 스핀터널 자기저항 센서.
- 제 23 항에 기재된 스핀터널 자기저항효과 소자, 및 탐지된 자계의 함수로 상기 스핀터널 자기저항효과 소자의 저항 변화율을 탐지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 탐지 시스템.
- 정보가 기록되는 자기 기록 매체, 상기 자기 기록 매체 상에 기록된 정보를 재생하는 제 26 항에 기재된 자기저항 센서, 및 상기 자기 기록 매체 상의 선택된 위치로 상기 자기저항 센서의 이동을 제어하기 위한 액츄에이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2000-00399868 | 2000-12-28 | ||
JP2000399868A JP3890893B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020055448A KR20020055448A (ko) | 2002-07-08 |
KR100462926B1 true KR100462926B1 (ko) | 2004-12-23 |
Family
ID=18864561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0087265A KR100462926B1 (ko) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | 스핀터널 자기저항효과막과 소자 및 이를 사용한 자기저항센서 및 자기 장치와 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20020086182A1 (ko) |
JP (1) | JP3890893B2 (ko) |
KR (1) | KR100462926B1 (ko) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4146202B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | スピントンネルトランジスタ、磁気再生ヘッド、磁気情報再生システム、及び磁気記憶装置 |
JP4400037B2 (ja) | 2002-10-31 | 2010-01-20 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ,及びその製造方法 |
JP4863151B2 (ja) | 2003-06-23 | 2012-01-25 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法 |
KR100552690B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-02-20 | 삼성전자주식회사 | 균일한 두께의 터널링막을 갖는 mtj층을 포함하는 자기램 및 그 제조방법 |
US7072209B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory having synthetic antiferromagnetic pinned layer |
US6960480B1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-01 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming a magnetic tunneling junction (MTJ) MRAM device and a tunneling magnetoresistive (TMR) read head |
WO2006006630A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Nec Corporation | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ |
US7098495B2 (en) * | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Freescale Semiconducor, Inc. | Magnetic tunnel junction element structures and methods for fabricating the same |
JP4868198B2 (ja) | 2004-08-19 | 2012-02-01 | 日本電気株式会社 | 磁性メモリ |
US7318947B1 (en) | 2004-08-31 | 2008-01-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and apparatus for controlling magnetostriction in a spin valve sensor |
US7377025B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-05-27 | Headway Technologies, Inc. | Method of forming an improved AP1 layer for a TMR device |
JP4731927B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-07-27 | キヤノン株式会社 | 磁性体センサおよび検出キット |
US7408747B2 (en) | 2005-02-01 | 2008-08-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Enhanced anti-parallel-pinned sensor using thin ruthenium spacer and high magnetic field annealing |
JP4150013B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-17 | Tdk株式会社 | トンネル効果素子 |
JP5040105B2 (ja) | 2005-12-01 | 2012-10-03 | ソニー株式会社 | 記憶素子、メモリ |
JP4705478B2 (ja) | 2006-01-19 | 2011-06-22 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気ヘッド |
JP2007305768A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法 |
US7751156B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-07-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Dual-layer free layer in a tunneling magnetoresistance (TMR) element |
US7695761B1 (en) | 2006-12-21 | 2010-04-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a spin tunneling magnetic element having a crystalline barrier layer |
US8559141B1 (en) | 2007-05-07 | 2013-10-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin tunneling magnetic element promoting free layer crystal growth from a barrier layer interface |
US8545999B1 (en) * | 2008-02-21 | 2013-10-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetoresistive structure |
JPWO2010029701A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2012-02-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体 |
EP2323189B1 (en) * | 2008-09-12 | 2019-01-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Use of a self-pinned spin valve magnetoresistance effect film |
US8031445B2 (en) * | 2008-10-08 | 2011-10-04 | Headway Technologies, Inc. | Low noise magneto-resistive sensor utilizing magnetic noise cancellation |
US8498084B1 (en) | 2009-07-21 | 2013-07-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetoresistive sensors having an improved free layer |
US8194365B1 (en) | 2009-09-03 | 2012-06-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read sensor having a low magnetostriction free layer |
KR101676821B1 (ko) * | 2010-03-18 | 2016-11-17 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 형성방법 |
JP5209011B2 (ja) | 2010-09-16 | 2013-06-12 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子 |
JP2013048210A (ja) | 2011-07-22 | 2013-03-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子 |
KR101929583B1 (ko) | 2012-06-13 | 2018-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 자기 메모리 소자 |
CN102721427B (zh) * | 2012-06-20 | 2015-05-20 | 宁波希磁电子科技有限公司 | 一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥 |
US20130341743A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Seagate Technology Llc | Devices including tantalum alloy layers |
US9034150B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-05-19 | Seagate Technology Llc | Thin film with tuned anisotropy and magnetic moment |
US9070381B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
US20150008548A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device |
CN103427019B (zh) * | 2013-08-22 | 2016-08-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 磁电阻薄膜及其制作方法 |
KR20170012791A (ko) | 2015-07-24 | 2017-02-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치의 제조 방법 |
US10170691B2 (en) * | 2016-01-28 | 2019-01-01 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
CN105845822B (zh) * | 2016-03-23 | 2018-05-18 | 电子科技大学 | 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法 |
JP2018157161A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
WO2018230466A1 (ja) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 |
CN110095141A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于磁性隧道结的雷达式自旋微波探测器及其制法和应用 |
JP7131527B2 (ja) * | 2019-10-24 | 2022-09-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法、並びに磁気検出装置及び磁気検出システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5764567A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with nonferromagnetic interface layer for improved magnetic field response |
JPH11134620A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 |
KR19990083593A (ko) * | 1998-04-30 | 1999-11-25 | 가나이 쓰토무 | 스핀터널자기저항효과형자기센서및그제조방법 |
JP2000311814A (ja) * | 1997-10-22 | 2000-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 交換結合膜の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2785678B2 (ja) * | 1994-03-24 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | スピンバルブ膜およびこれを用いた再生ヘッド |
US5629922A (en) * | 1995-02-22 | 1997-05-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Electron tunneling device using ferromagnetic thin films |
JPH10162320A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-19 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその使用方法 |
US6127045A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer |
JP2000011333A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
JP3235572B2 (ja) | 1998-09-18 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用したシステム |
JP3321768B2 (ja) | 1999-07-23 | 2002-09-09 | ティーディーケイ株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子 |
JP3331397B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2002-10-07 | ティーディーケイ株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子 |
JP3325868B2 (ja) | 2000-01-18 | 2002-09-17 | ティーディーケイ株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法 |
US6519124B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-11 | Tdk Corporation | Magnetic tunnel junction read head using a hybrid, low-magnetization flux guide |
US6710987B2 (en) * | 2000-11-17 | 2004-03-23 | Tdk Corporation | Magnetic tunnel junction read head devices having a tunneling barrier formed by multi-layer, multi-oxidation processes |
US7248446B2 (en) * | 2001-11-27 | 2007-07-24 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive element using an organic nonmagnetic layer |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000399868A patent/JP3890893B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-28 KR KR10-2001-0087265A patent/KR100462926B1/ko active IP Right Grant
- 2001-12-28 US US10/033,669 patent/US20020086182A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-08-23 US US10/923,990 patent/US7160572B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5764567A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with nonferromagnetic interface layer for improved magnetic field response |
JP2000311814A (ja) * | 1997-10-22 | 2000-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 交換結合膜の製造方法 |
JPH11134620A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 |
KR19990083593A (ko) * | 1998-04-30 | 1999-11-25 | 가나이 쓰토무 | 스핀터널자기저항효과형자기센서및그제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002204002A (ja) | 2002-07-19 |
KR20020055448A (ko) | 2002-07-08 |
US7160572B2 (en) | 2007-01-09 |
US20020086182A1 (en) | 2002-07-04 |
US20050019610A1 (en) | 2005-01-27 |
JP3890893B2 (ja) | 2007-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100462926B1 (ko) | 스핀터널 자기저항효과막과 소자 및 이를 사용한 자기저항센서 및 자기 장치와 그 제조방법 | |
EP1033764B1 (en) | Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element | |
US6258470B1 (en) | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film | |
US6313973B1 (en) | Laminated magnetorestrictive element of an exchange coupling film, an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film and a magnetic disk drive using same | |
US5991125A (en) | Magnetic head | |
JP3137580B2 (ja) | 磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子 | |
JP3219713B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
US20080013218A1 (en) | Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic reproducing apparatus, and manufacturing method thereof | |
US6943041B2 (en) | Magnetoresistive element and method for producing the same, as well as magnetic head, magnetic memory and magnetic recording device using the same | |
US20020036876A1 (en) | Magnetoresistive element, method for manufacturing the same, and magnetic device using the same | |
KR100321956B1 (ko) | 자기저항효과막및그제조방법 | |
JPH10198927A (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
US7099124B2 (en) | Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head | |
JP2006139886A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
US6982854B2 (en) | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JP2924819B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
JPH09205234A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ | |
JP2000500292A (ja) | 磁界センサ及び磁界センサの製造方法 | |
JP2004047583A (ja) | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 | |
JP2001345493A (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP3575672B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子 | |
JP3565484B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび交換結合膜の製造方法 | |
JPH11168250A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2003204093A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
JP2001189505A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121121 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131118 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161123 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171114 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181121 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191120 Year of fee payment: 16 |