KR100450647B1 - 발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원 - Google Patents

발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원 Download PDF

Info

Publication number
KR100450647B1
KR100450647B1 KR10-2001-7003756A KR20017003756A KR100450647B1 KR 100450647 B1 KR100450647 B1 KR 100450647B1 KR 20017003756 A KR20017003756 A KR 20017003756A KR 100450647 B1 KR100450647 B1 KR 100450647B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
mixture
luminescent materials
garnet
component
Prior art date
Application number
KR10-2001-7003756A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010079911A (ko
Inventor
알렉산드라 데브라이
귄터 바이틀
프란츠 쿠머
프란츠 츠바쉬카
안드리이스 엘렌스
Original Assignee
파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19934126A external-priority patent/DE19934126A1/de
Priority claimed from DE19963791A external-priority patent/DE19963791A1/de
Application filed by 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하, 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하
Publication of KR20010079911A publication Critical patent/KR20010079911A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100450647B1 publication Critical patent/KR100450647B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C09K11/7769—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

본 발명은 Ce로 활성화된 가닛 구조(A3B5O12)를 갖는 발광 물질을 사용하면서 방사선원에 의해 여기된 발광 장치에 관한 것이며, 제 1 성분(A)은 Y, Lu, Se, La, GD, Sm 및 Tb로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하고, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 나타내며, 다수의 발광 물질이 혼합된다. 본 발명은 또한 상응하는 파장 전환용 시일링 물질 및 상응하는 발광 장치에 관한 것이다.

Description

발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원 {LUMINESCENT ARRAY, WAVELENGTH-CONVERTING SEALING MATERIAL AND LIGHT SOURCE}
WO 98/05078에는 광원용 발광 물질 및 상응하는 광원이 공지되어 있다. 여기서, 구조(A3B5O12: D)의 가닛이 광원으로써 사용되며, 상기 가닛의 제 1 성분은 다양한 희토류 금속 중 적어도 하나로 이루어지며, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In 중 하나의 원소로 이루어진다. 도펀트(D)는 세륨(Ce)이다.
WO 97/50132에는 유사한 발광 물질이 공지되어 있으며, 여기서 Ce 또는 테르븀(Tb)은 도펀트로 사용된다. Ce는 황색 스팩트럼 범위에서 방사되는 반면, Tb는 녹색 스펙트럼 범위에서 방사된다. 두 경우 발광 물질은 청색을 방사하는 광원과 결합되어 백색의 혼합색을 얻는데 사용된다.
WO 98/12757에는 전술된 문헌에 공지된 발광 물질 및 투과성 시일링 매트릭스를 기재로 하는 파장 전환용 시일링 물질이 공지되어 있다. 상기 문헌은 본원에 참고문헌으로 인용되었다.
예컨대 WO 97/50132에 따른 백색 혼합광을 생성하는데 있어서, 발광 물질의 조성, 발광 물질의 입자 크기 및 농도 등을 적절하게 선택함으로써, 백색광의 색온도 또는 색위치를 변화시키는 방법이 공지되어 있으며, 상기 문헌은 특히 시일링의 조성 및 그 제법에 있어서 본원에 참고 문헌으로 인용되었다. 그러나, 생성된 백색광의 색조(CIE-색도표에 있는 색 위치 X 및 Y)의 최적화는 이러한 파라미터를 기초로 할 때 비교적 부담스러운 작업이다. 이는 특히 좌표가 CIEX = 0.33이고, CIEY = 0.33인 소위 색지움 지점(achromatic point) 또는 "등 에너지 포인트(equal energy point)"에 해당된다.
스펙트럼에서 적색이 차지하는 비중을 증가시킴으로써 더욱 우수한 색 재현을 달성하기 위해 발광 물질을 최적화하는 것 또한, 복잡하다.
결과적으로, 광방사기의 방사최대값과 관련하여 발광 물질의 최대 흡수치의 관점에서 발광 물질을 최적화하는 것은 어렵다.
본 발명은 발광물질의 혼합물, 상응하는 파장 전환용 시일링 물질 및 상응하는 광원 장치에 관한 것이다.
본 발명은 특히 청색 또는 근자외선-스펙트럼 범위의 파장에 의해 여기시키기 위한 황색 또는 황록색을 방사하는 가닛 발광 물질의 혼합물에 관한 것이다. 시일링 물질로는 특히 발광 물질의 혼합물을 포함하는 주형 수지 매트릭스가 있으며, 광원으로는 특히 발광 물질의 혼합물 또는 시일링 물질과 결합된 발광 다이오드(LED)가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 물질의 혼합물 및 다양한 발광 물질의 색 위치 직선을 나타낸 색 위치 도표이고,
도 2는 본 발명에 따른 광원 장치의 예시적인 구체예의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 목적은 최적 파라미터를 기초로 하여 신속하고 간단하게 제조될 수 있고 상응하는 파장 전환용 시일링 물질 및 상응하는 광원에 적합한, 서두에 언급된 방식의 발광물질의 혼합물을 제공하는데 있다.
상기 목적은 청구항 1항의 특징부 및 청구항 6항 및 13항의 특징부에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 개선예 및 실시예는 종속항에 제시된다.
본 발명에 따라, 다수의 발광 물질을 포함하는 발광 물질의 혼합물은 바람직하게는, 단파 광학 범위, 특히 청색 스펙트럼 범위 또는 근자외선-스펙트럼 범위에서 방사되는 광원에 대해 사용된다. 이러한 발광 물질은 바람직하게는, 세륨으로 도핑된 가닛 구조(A3B5O12)를 가지며, 제 1 성분(A)은 Y, Lu, Se, La, Gd, Sm 및 Tb로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하고, 제 2 성분(B)은 알루미늄, 갈륨 및 인듐 중 적어도 하나의 원소를 나타낸다.
상기 설명된 발광 물질의 제조 및 작용 방식은 도입부에서 언급한 문헌에 기술되어 있다. 약 400 내지 500nm의 스펙트럼 범위에서 여기될 경우, 임자 결정(host lattice), 즉 가닛의 제 1 성분(A)으로서의 테르븀(Tb)이, 도펀트가 세륨인 황색 방사 발광 물질로서 사용하기에 적합하다는 사실이 주목할 만하다. 테르븀은 이전에 세륨과 더불어 녹색 스펙트럼 범위에서의 방사를 위한 활성제로 사용되었다. 테르븀은 단독으로 또는 전술된 희토류 금속 중 적어도 하나와 공동으로 가닛의 제 1 성분(A)의 주 성분으로서 사용될 수 있다.
특히 바람직하게 구조(Tb1-x-ySExCey)3(Al, Ga)5O12의 가닛이 사용되며, 이때
SE = Y, Gd, La, Sm 및/또는 Lu이고,
0 <=x <=0.5-y이며,
0 < y <0.1 이다.
제 2 성분(B)으로는 원소 Al 또는 Ga 중 적어도 하나가 사용된다. 제 2 성분(B)은 부가로 In을 함유할 수 있다. 활성제는 세륨이다.
이러한 발광 물질은 420nm 내지 490nm의 범위내 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수하고, 여기되어 청색 광원, 특히 반도체-LED를 방사시킬 수 있다. 바람직하게는, 방사최대치가 430 내지 480nm의 범위에 놓일때 청색광을 방사하는 GaN 또는 InGaN을 기재로 하는 LED-반도체 칩이 적합하다.
GaN 또는 InGaV를 기재로 하는 발광 다이오드칩은 본 발명에 관련해서 볼 때, GaN, InGaN 및/또는 관련 질화물 및 상기 질화물을 기재로 하는, 예컨대 Ga(Al, In)N과 같은 혼합 결정을 갖는 방사선 방사 영역을 포함하는 발광 다이오드칩이다.
이러한 발광 다이오드칩은 예컨대 문헌[Shuji Nakamura, Gerhard Fasol, "The Blue Laser Diode", Springer Verlag Berlin Heidelberg 1997, 209ff]에 공지되어 있다.
전술된 발광 물질은 청색광에 의해 여기되고, 파장이 500nm 보다 높게 이동된 빛을 방사한다. 세륨으로 활성화된 Tb-가닛-발광 물질의 경우, 방사 최대치는 약 550 nm이다.
전술된 발광 물질은 420 내지 490 nm의 범위에서 흡수하고 청색 광원의 방사를 통해 여기될 수 있다. 방사 최대치가 430 내지 470nm이고, 청색광을 방사하는 LED-칩을 사용하여 양호한 결과를 얻었다. Tb-가닛:Ce-발광 물질의 방사 최대치는 약 550nm이다.
이러한 발광 물질은 특히 백색광을 방사하는 LED-소자에 사용하기에 적합한데, 이는 Tb-가닛 함유 발광 물질을 포함하는 발광 물질의 혼합물과 청색광을 방사하는 LED-칩의 조합에 기인하며, 상기 Tb-가닛 함유 발광 물질은 LED-칩 방사의 일부를 흡수함으로써 여기되고, 상기 LED-칩의 방사는 LED로부터의 나머지 방사선을 보충하여 백색광을 생성시킨다.
청색광을 방사하는 LED-칩으로는 특히 Ga(In)N-LED 칩이 적합하지만, 420 내지 490nm의 범위에서 방사되는 청색 LED를 생성하기 위한 다른 방법도 존재한다. 특히 주요 방사 범위로는 430 내지 470nm의 범위가 권장되는데, 이 영역에서 효율이 최대이기 때문이다.
희토류 금속의 종류와 양을 선택함으로써 발광 물질 혼합물의 흡수대 및 휘선대의 위치를 미세하게 조절할 수 있다. 발광 다이오드와 함께 사용되는 경우, 전술된 Tb-가닛 발광 물질에서 x의 범위가 0.25≤x≤0.5-y인 것이 특히 적합하다.
y의 특히 바람직한 범위는 0.02 < y < 0.06 이다.
발광 물질 성분으로는 ((TbxSE1-x-yCey)3(Al, Ga)5O12구조의 가닛이 매우 적합하며, 이때
SE = Y, Gd, La, Sm 및/또는 Lu이고,
0 ≤ x ≤ 0.02, 특히 x=0.01 이며,
0 < y < 0.1 이다. y는 종종 0.01 내지 0.05이다.
통상적으로 임자 결정중의 비교적 소량의 Tb가 공지된 세륨 활성화된 발광 물질의 특성을 개선시키는데 주로 사용되지만, 다량의 Tb가 첨가되어 공지된 세륨-활성화된 발광 물질의 방사 파장을 이동시키기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 고비율의 Tb는 5000 K 미만의 낮은 색온도를 갖는 백색 LED에 특히 적합하다.
문헌에 널리 설명된 YAG:Ce 타입의 발광 물질을 여기하기 위해 430 내지 480nm의 범위에서 방사 최대치를 갖는 갈륨-질화물 또는 인듐-갈륨-질화물을 기재로 하는 청색 방사 LED가 사용된다는 것이 공지되어 있다. 이러한 발광 물질은 예컨대 OSRAM에 의해 L175라는 상표명으로 판매된다. 이트륨(Y) 원소가 전술된 희토류 금속 중 하나에 의해 부분적으로 또는 완전히 대체된, 다른 발광 물질이 공지되어 있다.
본 발명에 따른 발광 물질의 혼합물에 적합한 발광 다이오드에서, 이트륨 원자는 대부분 테르븀에 의해 대체된다. 발광 물질은 예컨대 [Y0.29Tb0.67Ce0.04]3Al5O5-하기에는 67%의 Tb를 갖는 L175/Tb로 표기됨-의 조성을 갖는다.
본 발명에 따라, 청색광을 위한 상이한 조성 및 상이한 흡수 최대치를 갖는 착색된 발광 물질 분말을 혼합함으로써 발광 물질 시스템의 색조 및 색위치가 제공된다. 이는 상기 설명된 유형의 발광 물질과 발광 물질 L175(순수한 YAG:Ce)을 혼합시킴으로써 수행될 수 있으며, 여기서 이트륨은 테르븀에 의해 부분적으로 또는 완전히 대체된다(L175/Tb, Tb > 0%). 혼합비는 1:1일 수 있다. 그러나, YAG:Ce 대신에 다른 발광 물질 또는 상기 발광 물질로부터 변형된 발광 물질도 사용되며, 부가로 혼합비가 변경될 수 있다.
본 발명의 특별한 장점은 분말 형태로 입수가능한 발광 물질이 원활하게 혼합될 수 있고, 그로 인해 비교적 간단한 방식으로 CIE-색도표에 있는 목표 색 위치를 조절할 수 있다는 데 있다. 따라서, 상기 색도표에는 순수한 YAG:Ce와 같은 가닛 구조 및 사용된 LED의 색 위치로부터 출발하여 직선 다발이 도시될 수 있으며, 상기 직선 다발 중 하나는 목표 색 위치의 선택된 좌표를 통과한다. LED-칩과 발광 물질의 혼합물의 조합을 통해 도출된 개별 색 위치의 색 위치 직선은 기울기가 약간 변동될 수 있다. 따라서, 추가의 노력 없이 LED 및 파장 전환용 발광 물질을 포함하는 광원 장치를 생성시킬 수 있으며, 상기 광원 장치로부터 유도된 색 위치 직선은 색도표의 좌표 X=0.33 및 Y=0.33에서 정확하게 색지움 지점을 지난다. 상기 색지움 지점은 순수한 백색을 나타낸다. 또한, 예를 들어, 스펙트럼에서 고비율의 적색이 존재하는 방향으로 생성된 색 스펙트럼을 이동시키는 것은 예를 들어, 고비율의 L175/Tb를 혼입시킴으로써 수행될 수 있으며, 상기 이동은 더욱 우수한 색 재현을 유도한다.
또한, 본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 발광 물질의 혼합물은 생성된 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성을 나타내는 시일링 물질, 바람직하게는 플라스틱, 특히 바람직하게는 에폭시, 실리콘 또는 아크릴 주형 수지 또는 이러한 수지의 혼합물, 또는 예컨대 무기질 유리와 같은 다른 적합한 방사선 투과성 물질에 분산될 수 있다. 이를 위해, 본 발명에 따른 발광 물질의 혼합물은 바람직하게는, WO 98/12757에 공개된 방법에 따라 안료 분말과 주형 수지 및 부가의 원소의 혼합물로서 제조된다.
또한 본 발명에 있어서, 발광 물질의 혼합물에 결합된 광원 장치가 제공되며, 여기서 방사선원은 광학 스펙트럼의 청색 범위 또는 UV-범위에서 방사선을 방사하고 이러한 방사선은 본 발명에 따른 발광 물질의 혼합물에 의해 부분적으로 또는 완전히 장파 방사선으로 전환되며, 부분적인 전환시 전환된 방사선은 방사선원으로부터 방사된 방사선과 혼합되어 백색 혼합광을 생성시킨다.
단지 하나의 발광 물질을 포함하는 이러한 광원 장치는 또한, WO 98/12757에 공지되어 있다.
본 발명은 하기에 도 1 및 2에 도시된 실시예에 의해 더 자세히 설명된다.
도 1에는 CIE-색도표의 색 위치 횡좌표 X 및 색 위치 종좌표 Y를 포함하는 색 위치 도표가 도시되어 있다.
상기 그래프는 예컨대 WO 97/50132에 설명되어 있는 백색 혼합광을 생성하기 위한 광원 장치를 기초로 하고 있다.
LED는 예컨대 InGaN을 기재로 하는 LED-칩이며, 상기 칩은 청색 스펙트럼 범위에서 방사되고, 따라서 상기 칩의 색 위치 지점(C)은 이에 상응하게 색 위치 도표에서 약 X=0.14 및 Y=0.02이다. 예컨대 투과성 주형 수지에 매립된 발광 물질로부터 방사된 빛과 색위치(C)의 LED로부터의 청색광을 혼합함으로써 상이한 색 위치 직선이 생성된다.
예컨대 발광 물질로서 순수한 YAG:Ce가 사용되는 경우, 색 위치 직선(1)이 생성된다. Y가 부분적으로 또는 전체적으로 테르븀으로 대체된 발광 물질을 사용하면, 색 위치 직선(1) 아래를 지나는 색 위치 직선이 생성된다. A-위치에서 Tb 함량이 67%인 발광 물질(위에 언급된 공식에 따르면)을 사용하면, 색 위치 직선(2)이 생성된다.
직선(1)은 색지움 지점(U)의 상부를 지나치고, 직선(2)은 색지움 지점(U)의 하부를 지나치며, 여기서, 상기 색지움 지점(U)은 색 위치 좌표 X=0.33 및 Y=0.33이다. 색 직선 1 및 2를 산출하는 두 발광 물질을 1:1의 비율로 혼합하여, 투과성 주형 수지에 매립시키면(도 2에 묘사된 바와 같은 하기 설명된 예시적 구체예 참조), 색 위치 직선(3)이 도 1의 도표에 도시된 바와 같이 정확하게 색지움 지점 또는 색 위치표의 백색 지점을 지나친다.
이와 유사한 방식으로, 바람직하게는 가닛 구조의 다양한 발광 물질들을 혼합함으로써, CIE-색도표의 다양한 원하는 좌표를 지나는 색 위치 곡선을 얻을 수 있다.
발광 물질의 혼합물은 유리하게는, 적합하게 최적화된 주형 수지내로 매립되며, 이 경우 특히 발광 물질 분말의 입자 크기가 최적화될 수 있다. 이러한 파장 전환용 시일링 물질을 제조하는 방법은 WO 98/12757에 공지되어 있다.
도 2에 개략적으로 도시된 광원 장치의 특히 바람직한 실시예에서, 바람직하게는 플라스틱으로 이루어진 방사선 비투과성의 발광 다이오드 기본 하우징(20)의 리세스(11) 내에 GaN 또는 InGan을 기재로 한 발광 다이오드 칩(10)이 배치된다.
상기 발광 다이오드 기본 하우징(20)은 전기 급전선(21, 22)에 의해 관통되며, 상기 전기 급전선(21, 22)을 통해 칩(10)의 전기 단자가 하우징 밖으로 유도된다.
리세스(11)의 내벽(12)은 칩(10)에 의해 방사된 빛 및 발광 물질의 혼합물에 의해 방사된 빛에 대한 반사기를 형성하고, 이러한 빛을 칩(10)의 최대 광선 방향(13)으로 편향시킨다.
상기 리세스(11)는 시일링 물질(14)로 채워지며, 상기 시일링 물질(14)은 투과성 주형 수지 매트릭스(15), 바람직하게는 에폭시 주형 수지 또는 아크릴레이트 수지(예컨대 폴리메틸메타크릴레이트) 또는 이러한 수지의 혼합물을 포함하며, 여기서 발광 물질 분말의 혼합물(16)이 매립된다.
발광 물질 분말의 혼합물은 바람직하게 입자 크기가 20㎛ 이하이고 평균 입자 직경(d50)이 5㎛ 이하인 발광 안료를 포함한다.주형 수지(15) 및 발광 안료(16) 이외에, 시일링 물질(14)은 바람직하게는, 딕소트로픽, 미네랄 확산제, 방수 가공제 및/또는 접착제를 추가로 포함한다.
본 실시예에서는 예컨대, 색 위치가 도 1에 도시된 도표의 직선(3)에 위치하는 백색광을 방사하는 발광 다이오드 소자가 다루어지며, 여기서 시일링 물질(14)은 1:1의 건식 분말 L175(YAG:Ce)과 L175/Tb(67% Tb)를 포함한다.
위에 기술된 실시예에 따라 본 발명을 설명하는 것이, 기술된 특징에만 본 발명이 제한되는 것으로 간주되어서는 안된다. 광원으로는 발광 다이오드 칩 또는 레이저 다이오드 칩으로 이루어진 반도체 바디 이외에도 특히 중합체 LED가 사용된다. 이와 마찬가지로, 본 발명의 범주에는 순수한 YAG:Ce 이외에도 Y 대신 Lu, Se, La, Gd 및 Sm을 함유하는 발광 물질 분말도 포함된다. 또한 테르븀 함량이 위에 기술된 발광 물질 공식에서 보다 더 낮도록 형성된 가닛도 관련된다.
본 발명에 따른 발광 배열체 및 상응하는 시일링 물질은 기본적으로 WO 97/50132 및 WO 98/12757에 공지된 모든 구조의 발광 다이오드 소자에서 사용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 방사선원으로부터의 방사선을 장파장 반사선으로 부분적으로 또는 완전히 전환시키기 위해 다양한 조성을 갖는 발광 물질들의 혼합물로서,
    하나 이상의 발광물질이 Ce로 활성화된 가닛 구조(A3B5O12)를 가지며, 여기서 제 1 성분(A)은 임자 결정 성분으로서 Tb를 포함하여, Y, Lu, Se, La, Gd, Sm 및 Tb로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하며, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유함을 특징으로 하는 발광물질의 혼합물.
  2. 제 1항에 있어서, 하나 이상의 다른 발광물질이 Ce로 활성화된 가닛 구조(A3B5O12)를 가지며, 여기서 제 1 성분(A)은 Y, Lu, Se, La, Gd 및 Sm으로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하고, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유함을 특징으로 하는 발광물질의 혼합물.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 400 내지 500nm의 방사선에 의해 여기가능함을 특징으로 하는 발광물질의 혼합물.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 420 내지 490nm의 방사선에 의해 여기가능함을 특징으로 하는 발광물질의 혼합물.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 구조(Y3(Al, Ga)5O12:Ce)를 갖는 가닛 및 구조(Tb1-x-ySExCey)3(Al, Ga)5O12를 갖는 가닛을 포함하며, 상기 구조식에서
    SE = Y, Gd, La 및 Lu로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    0 ≤ x ≤ 0.5-y이며,
    0 < y < 0.1 인 것을 특징으로 하는 발광물질의 혼합물.
  6. 하나 이상의 발광물질이 Ce로 활성화된 가닛 구조(A3B5O12)를 가지며, 여기서 제 1 성분(A)은 임자 결정 성분으로서 Tb를 포함하여, Y, Lu, Se, La, Gd, Sm 및 Tb로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하며, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하는, 방사선원으로부터의 방사선을 장파장 반사선으로 부분적으로 또는 완전히 전환시키기 위해 다양한 조성을 갖는 발광 물질들의 혼합물을 포함하며,
    발광물질의 혼합물이 무기질 발광 안료 분말 혼합물로서 투과성 플라스틱 내에서 분산됨을 특징으로 하는 파장 전환용 시일링 물질.
  7. 제 6항에 있어서, 하나 이상의 다른 발광물질이 Ce로 활성화된 가닛 구조(A3B5O12)를 가지며, 여기서 제 1 성분(A)은 Y, Lu, Se, La, Gd 및 Sm으로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유하고, 제 2 성분(B)은 Al, Ga 또는 In로 구성된 군중 하나 이상의 원소를 함유함을 특징으로 하는 파장 전환용 시일링 물질.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 발광물질 안료가 20㎛ 이하의 입자 크기 및 5㎛ 이하의 평균 입자 직경(d50)을 가짐을 특징으로 하는 시일링 물질.
  9. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 주형 수지 및 발광 안료 이외에 딕소트로픽, 미네랄 확산제, 방수 가공제 및 접착제로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분을 포함함을 특징으로 하는 시일링 물질.
  10. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 발광물질의 혼합물이 400 내지 500nm의 방사선에 의해 여기가능함을 특징으로 하는 시일링 물질.
  11. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 발광물질의 혼합물이 420 내지 490nm의 방사선에 의해 여기가능함을 특징으로 하는 시일링 물질.
  12. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 발광물질의 혼합물이 구조 (Y3(Al, Ga)5O12:Ce)의 가닛 및 구조 ((Tb1-x-ySExCey)3(Al, Ga)5O12의 가닛을 포함하며, 상기 구조식에서
    SE = Y, Gd, La 및 Lu로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    0 ≤ x ≤ 0.5-y 이며,
    0 < y < 0.1 임을 특징으로 하는 시일링 물질.
  13. 광학 스펙트럼 범위의 청색 영역 또는 UV 영역의 방사선을 방사하는 방사선원을 가지며, 상기 방사선이 발광물질의 혼합물에 의해 부분적으로 또는 완전히 장파 방사선으로 전환되며, 부분적인 전환시 전환된 방사선은 방사선원으로부터 방사된 방사선과 혼합되어 백색광을 생성시키는 광원 장치로서,
    상기 전환이 제 1항 또는 제 2항에 따른 발광물질의 혼합물에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 광원 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 방사선원으로부터 방사된 방사선이 400 내지 500nm의 파장 범위에 놓임을 특징으로 하는 광원 장치.
  15. 제 13항에 있어서, 방사선원으로부터 방사된 방사선이 430 내지 480nm의 파장 범위에 놓임을 특징으로 하는 광원 장치.
  16. 제 13항에 있어서, 방사선원으로서 GaN 또는 InGaN을 기재로 하는, 청색을 방사하는 발광 다이오드가 사용됨을 특징으로 하는 광원 장치.
  17. 제 13항에 있어서, 발광 다이오드는 투과성 플라스틱인 주형 수지를 기재로 하는 시일링 물질을 가지며, 발광물질의 혼합물은 무기질 발광 안료 분말 혼합물로서 투과성 플라스틱 내에서 분산됨을 특징으로 하는 광원 장치.
  18. 제 13항에 있어서, 발광물질 안료가 20㎛ 이하의 입자 크기 및 5㎛ 이하의 평균 입자 직경(d50)을 가짐을 특징으로 하는 광원 장치.
  19. 제 17항 또는 제 18항에 있어서, 시일링 물질내에 주형 수지 및 발광 안료 이외에도 딕소트로픽, 미네랄 확산체, 방수 가공제 및 접착제로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분이 함유됨을 특징으로 하는 광원 장치.
  20. 제 17항 또는 제 18항에 있어서, 발광물질의 혼합물이 구조(Y3(Al, Ga)5O12:Ce)를 갖는 가닛 및 구조((Tb1-x-ySExCey)3(Al, Ga)5O12를 갖는 가닛을 포함하며, 상기 구조식에서
    SE = Y, Gd, La 및 Lu로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    0 ≤ x ≤ 0.5-y 이며,
    0 < y < 0.1 임을 특징으로 하는 광원 장치.
KR10-2001-7003756A 1999-07-23 2000-07-24 발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원 KR100450647B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934126A DE19934126A1 (de) 1999-07-23 1999-07-23 Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
DE19934126.5 1999-07-23
DE19963791A DE19963791A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Leuchtstoffanordnung, wellenlängenkonvertierende Vergussmasse und Lichtquelle
DE19963791.1 1999-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010079911A KR20010079911A (ko) 2001-08-22
KR100450647B1 true KR100450647B1 (ko) 2004-10-01

Family

ID=26054272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7003756A KR100450647B1 (ko) 1999-07-23 2000-07-24 발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원

Country Status (10)

Country Link
US (3) US7132786B1 (ko)
EP (2) EP1471775B9 (ko)
JP (2) JP3825318B2 (ko)
KR (1) KR100450647B1 (ko)
CN (1) CN100334746C (ko)
AT (1) ATE279089T1 (ko)
AU (1) AU7267500A (ko)
CA (1) CA2343909C (ko)
DE (2) DE50008093D1 (ko)
WO (1) WO2001008453A1 (ko)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7132786B1 (en) * 1999-07-23 2006-11-07 Osram Gmbh Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source
JP4817534B2 (ja) * 2000-06-09 2011-11-16 星和電機株式会社 発光ダイオードランプ
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
CN1311054C (zh) * 2001-07-19 2007-04-18 南帝化学工业股份有限公司 钇铝石榴石型荧光粉及其制法与应用
JP4032682B2 (ja) * 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
WO2003021691A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US7008558B2 (en) 2001-10-11 2006-03-07 General Electric Company Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage
US6630077B2 (en) * 2001-10-11 2003-10-07 General Electric Company Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation
SG185827A1 (en) * 2002-03-22 2012-12-28 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
GB2400372B (en) * 2003-04-09 2005-03-23 Photonic Materials Ltd Single crystal scintillators
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
WO2005022032A1 (ja) 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
CN100354389C (zh) * 2003-10-09 2007-12-12 中国科学院上海硅酸盐研究所 铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法
DK176137B1 (da) * 2003-10-27 2006-09-25 Danfoss Silicon Power Gmbh Flowfordelingsenhed og köleenhed med bypassflow
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
JP2005264031A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Kun-Chui Lee 白色発光装置
JP4529544B2 (ja) * 2004-05-21 2010-08-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの製造方法
JP2006222288A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp 白色ｌｅｄ及びその製造方法
WO2006093015A1 (ja) 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
JP4992250B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7737634B2 (en) * 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US20070269915A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Ak Wing Leong LED devices incorporating moisture-resistant seals and having ceramic substrates
CN101077973B (zh) 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
US20070295969A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Tong-Fatt Chew LED device having a top surface heat dissipator
JP2008013607A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Fujifilm Corp Ｔｂ含有発光性化合物、これを含む発光性組成物と発光体、発光素子、固体レーザ装置
US7820075B2 (en) * 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
WO2008022552A1 (fr) 2006-08-15 2008-02-28 Luming Science And Technology Group Co., Ltd. Matériau luminescent à base de silicate avec pic multi-émission, son procédé de fabrication et son utilisation dans un dispositif d'éclairage
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US8087960B2 (en) 2006-10-02 2012-01-03 Illumitex, Inc. LED system and method
TW200825571A (en) * 2006-10-18 2008-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system and display device
CN101250408B (zh) * 2007-01-22 2011-03-23 罗维鸿 暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光粉
KR20090085880A (ko) * 2008-02-05 2009-08-10 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체 및 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널
JP2011512037A (ja) 2008-02-08 2011-04-14 イルミテックス， インコーポレイテッド エミッタ層成形のためのシステムおよび方法
JP5355030B2 (ja) 2008-04-24 2013-11-27 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源及びｌｅｄ光源の色度調整方法
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
CN101330119B (zh) * 2008-07-22 2010-06-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种染料激活的绿色发光二极管的制备方法
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
WO2011117791A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device comprising a plurality of luminescent materials
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
CN102082225A (zh) * 2010-10-21 2011-06-01 罗维鸿 用于暖白光led及其荧光粉
TWI538980B (zh) * 2011-11-29 2016-06-21 奇美實業股份有限公司 螢光體及使用其之發光裝置
CN102723422B (zh) * 2011-12-31 2015-04-29 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置和发光装置
WO2013146994A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
US9145517B2 (en) 2012-04-17 2015-09-29 General Electric Company Rare earth garnet scintillator and method of making same
US9617470B2 (en) * 2012-05-01 2017-04-11 National Institute For Materials Science Optical material used in light-emitting device, optical isolator, and optical processing apparatus, and manufacturing method thereof
TW201418695A (zh) * 2012-11-13 2014-05-16 Phansco Corp 農藥檢測裝置
CN104342156B (zh) * 2013-07-30 2016-08-10 宁波升谱光电股份有限公司 一种荧光粉及其制备方法和含该荧光粉的发光器件
DE102013109313A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Verbesserter Granatleuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung
US9923125B2 (en) * 2013-11-25 2018-03-20 Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. Method for improving defect-free rate of LED light source, phosphor powder, and LED light source
DE102015106995A1 (de) * 2015-05-05 2016-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Herzfrequenzsensor
CN109073204B (zh) * 2016-03-31 2021-02-05 索尼公司 光源装置和电子设备
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997050132A1 (de) * 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493629B1 (ko) * 1969-10-13 1974-01-28
JPS493631B1 (ko) * 1969-10-16 1974-01-28
JPS5443380B2 (ko) 1972-04-20 1979-12-19
JPS5720623B2 (ko) 1972-04-20 1982-04-30
GB1600492A (en) 1977-01-19 1981-10-14 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
NL7707008A (nl) * 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
DE2837596A1 (de) * 1978-08-29 1980-04-10 Bosch Gmbh Robert Leuchtdiodenzeile fuer anzeigezwecke, insbesondere fuer die frequenzanzeige in autoradios, und verfahren zu deren herstellung
FI72837C (fi) 1983-04-25 1987-07-10 Philips Nv Laogtrycks-kvicksilveraongurladdningslampa.
US4550256A (en) * 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS62104893A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 Sony Corp 小粒子螢光体の作製方法
JPH07283253A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法
KR100334062B1 (ko) * 1994-10-12 2002-08-28 삼성에스디아이 주식회사 녹색발광형광체및이를사용한음극선관
US5685899A (en) 1995-07-28 1997-11-11 Thiele Kaolin Company Process for conditioning kaolin clays prior to removing impurities
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH10190066A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
JP3246386B2 (ja) 1997-03-05 2002-01-15 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3546650B2 (ja) * 1997-07-28 2004-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
CN1101442C (zh) * 1998-11-23 2003-02-12 中国科学院长春物理研究所 稀土石榴石绿色荧光体及制备方法
CN1190997C (zh) * 1999-07-23 2005-02-23 电灯专利信托有限公司 光源的发光物质及其相关的光源
US7132786B1 (en) * 1999-07-23 2006-11-07 Osram Gmbh Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source
US6552487B1 (en) * 1999-10-27 2003-04-22 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Phosphor for light sources, and associated light source
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN1203557C (zh) 2000-05-29 2005-05-25 电灯专利信托有限公司 基于发光二极管的发射白光的照明设备
US6596195B2 (en) * 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997050132A1 (de) * 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement

Also Published As

Publication number Publication date
US6998771B2 (en) 2006-02-14
EP1471775B9 (de) 2011-04-13
KR20010079911A (ko) 2001-08-22
EP1471775B1 (de) 2010-11-17
WO2001008453A1 (de) 2001-02-01
JP4639351B2 (ja) 2011-02-23
CA2343909C (en) 2013-04-02
EP1471775A3 (de) 2008-05-14
DE50016032D1 (de) 2010-12-30
US7261837B2 (en) 2007-08-28
US20050029929A1 (en) 2005-02-10
AU7267500A (en) 2001-02-13
CN1327706A (zh) 2001-12-19
DE50008093D1 (de) 2004-11-11
EP1471775A2 (de) 2004-10-27
EP1116419B1 (de) 2004-10-06
CA2343909A1 (en) 2001-02-01
EP1116419A1 (de) 2001-07-18
JP2003505583A (ja) 2003-02-12
ATE279089T1 (de) 2004-10-15
US7132786B1 (en) 2006-11-07
JP2005101651A (ja) 2005-04-14
JP3825318B2 (ja) 2006-09-27
CN100334746C (zh) 2007-08-29
US20060133063A1 (en) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100450647B1 (ko) 발광 물질, 파장 전환용 시일링 물질 및 광원
CA2345114C (en) Phosphor for light sources and associated light source
JP2005101651A5 (ko)
EP1604141B1 (en) Fluorescent material
US6469322B1 (en) Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6765237B1 (en) White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
EP1566426B1 (en) Phosphor converted light emitting device
US7235189B2 (en) Method of producing a wavelength-converting casting composition
US6685852B2 (en) Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6936857B2 (en) White light LED device
US7753553B2 (en) Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material
KR100358575B1 (ko) 광소스용 인광체 및 해당 광 소스
US20080093979A1 (en) Illumination System Comprising a Radiation Source and a Luminescent Material
WO2006095284A1 (en) Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
US7816663B2 (en) Orange-yellow silicate phosphor and warm white semiconductor using same
KR100485673B1 (ko) 백색 발광장치
KR101047775B1 (ko) 형광체 및 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
G171 Publication of modified document after post-grant opposition [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120820

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130912

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140911

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150911

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160908

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190916

Year of fee payment: 16