KR100449273B1 - an apparatus and a method for semiconductor production - Google Patents

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KR100449273B1
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for fabricating a semiconductor device are provided to prevent a defect of a wafer generated between an RTP apparatus and a wet-cleaning apparatus by performing a fabrication process under the pure nitrogen atmosphere. CONSTITUTION: A first chamber(12) is used for performing a first silicide process on a wafer. A second chamber(14) is used for performing a predetermined cleaning process on the wafer after the first silicide process. A third chamber(16) is used for performing a second silicide process on the wafer. A robot arm(20) is moved among the first, the second, and the third chambers in order to transfer the wafer to the first, the second, and the third chambers. The first and the second silicide processes are continuously performed by the robot arm.

Description

반도체 제조 장치 및 방법{an apparatus and a method for semiconductor production}An apparatus and method for manufacturing a semiconductor

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조공정에서 실리콘상에 티타늄을 이용하여 실리사이드막을 형성시키는 실리사이드 공정을 위한 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus and method for a silicide process for forming a silicide film using titanium on silicon in a semiconductor manufacturing process.

반도체 소자의 제조공정에서 동작 속도를 향상시켜야 하는 디바이스의 제조 공정에서는 서브 실리콘(sub silicon)이나 게이트 폴리 실리콘(gate poly-silicon)에서 저항값을 줄이기 위하여 실리콘상에 티타늄(titanium)을 이용하여 실리사이드 공정(silicidation)을 적용하고 있다.In the manufacturing process of a device that needs to improve the operation speed in the manufacturing process of a semiconductor device, silicide using titanium on silicon to reduce the resistance value in sub silicon or gate polysilicon. Silicidation is applied.

현재 널리 사용되고 있는 실리사이드 공정은 실리콘에 티타늄을 도포한 후 래피드 서멀 프로세스(rapid thermal process)를 진행하여 티타늄과 실리콘의 계면에 TiSi를 형성시키는 제 1 실리사이드 공정후 고온의 황산과 과수 혼합 용액에서 티타늄을 습식 세정시키며, 제 2 실리사이드 공정을 진행한다.Currently widely used silicide process is to apply titanium to silicon and then to the rapid thermal process (rapid thermal process) after the first silicide process to form TiSi at the interface between titanium and silicon, the titanium in the hot sulfuric acid and fruit water mixed solution Wet cleaning, followed by a second silicide process.

그러나, 종래 실리사이드 공정은 래피드 서멀 프로세스 장치와 습식 세정장치가 각각 나누어져 있으므로, 웨이퍼를 이동시키는 동안 웨이퍼에 오염이 발생할가능성이 상대적으로 높은 문제점이 있다. 또한, 래피드 서멀 프로세스 장치와 습식 세정장치에서 각각 공정이 진행되므로 공정에 소요되는 시간이 길어져서 처리량이 상대적으로 적다.However, in the conventional silicide process, since the rapid thermal process apparatus and the wet cleaning apparatus are respectively divided, there is a relatively high problem of contamination of the wafer during the movement of the wafer. In addition, since the process proceeds in the rapid thermal process apparatus and the wet cleaning apparatus, respectively, the process takes a long time, so the throughput is relatively small.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 반도체 제조공정 중 실리사이드 막을 형성시키는 장치 및 방법에서 래피드 서멀 프로세스 장치와 습식 세정장치 사이에서 발생되는 웨이퍼의 불량을 방지할 수 있고, 작업시간을 단축할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조 장치 및 방법를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to prevent a defect of a wafer generated between a rapid thermal process apparatus and a wet cleaning apparatus in an apparatus and method for forming a silicide film during a semiconductor manufacturing process. It is to provide a new type of semiconductor manufacturing apparatus and method that can reduce the working time.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 구성도,1 is a block diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2는 도 1에서 제 2 챔버와 진공 인터페이스부를 상세하게 도시한 구성도,2 is a configuration diagram showing in detail the second chamber and the vacuum interface in FIG.

도 3은 제 2 챔버에서 스피너를 상세하게 도시한 사시도,3 is a perspective view showing in detail the spinner in the second chamber,

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 방법을 도시한 플로우 챠트,4 is a flowchart illustrating a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention;

도 5는 반도체 제조 방법을 더욱 상세하게 도시한 플로우 챠트이다.5 is a flow chart illustrating the semiconductor manufacturing method in more detail.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 반도체 제조 장치 12 : 제 1 챔버10 semiconductor manufacturing apparatus 12 first chamber

14 : 제 2 챔버 16 : 제 3 챔버14 second chamber 16 third chamber

18 : 진공 인터페이스부 20 : 로봇 암18: vacuum interface 20: robot arm

22,54 : 진공 펌프 24 : 진공 라인22,54: vacuum pump 24: vacuum line

30 : 하우징 32 : 약품 탱크30 housing 32 chemical tank

33,56 : 히터 34 : 도어33,56: Heater 34: Door

36 : 웨이퍼 38 : 스피너36: wafer 38: spinner

40 : 노즐 41 : 탈이온수 공급라인40: nozzle 41: deionized water supply line

42 : 약품 공급라인 44 : 제 1 가스 공급라인42: chemical supply line 44: first gas supply line

46 : 약품 배수라인 48 : 탈이온수 배수라인46: chemical drainage line 48: deionized water drainage line

50 : 제 2 가스 공급라인 60 : 가이더50: second gas supply line 60: guider

62 : 진공척 64 : 회전축62: vacuum chuck 64: rotating shaft

66 : 홀더66: Holder

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 반도체 제조 장치는 상기 웨이퍼상에 제 1 실리사이드 공정을 수행하는 제 1 챔버와; 상기 제 1 챔버에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼에 소정 세정 공정을 수행하는 제 2 챔버와; 상기 제 2 챔버에서 세정된 웨이퍼에 제 2 실리사이드 공정을 수행하는 제 3 챔버 및 상기 제 1 챔버와 제 2 챔버 그리고, 제 3 챔버 사이에서 운동하고, 상기 웨이퍼를 상기 각 챔버로 이송시키는 로봇 암을 포함한다.According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a semiconductor manufacturing apparatus includes a first chamber for performing a first silicide process on the wafer; A second chamber performing a predetermined cleaning process on the wafer on which the first silicide process is performed in the first chamber; A third chamber performing a second silicide process on the wafer cleaned in the second chamber, and a robot arm moving between the first chamber and the second chamber and the third chamber, and transferring the wafer to the respective chambers. Include.

이와 같은 본 발명에서 상기 제 2 챔버의 웨이퍼가 출입되는 앞면에 진공 펌프가 설치되는 진공 인터페이스부를 부가한다. 상기 제 2 챔버는 내부에 작업 공간이 형성된 하부징과; 상기 하우징의 저부에 설치되어 소정 약품을 저장하며, 외부로부터 소정 가스가 공급되도록 하는 제 1 가스 공급라인과 연결되고, 상기 하우징의 내부와 약품 공급라인 및 약품 배수라인으로 연결되는 약품 탱크와; 상기 하우징의 내부에 설치되고, 웨이퍼를 진공흡착하여 지지하며, 소정 속도로 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 스피너와; 외부로부터 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급 라인과 연결되고, 상기 하우징의 내부의 측면과 상면에 설치되며, 상기 스피너에 지지된 웨이퍼에 탈이온수가 분사되도록 하는 노즐과; 상기 제 2 챔버 내부에 유입된 탈이온수가 외부로 배출되도록 하는 탈이온수 배수라인과; 외부로부터 상기 제 2 챔버 내부로 소정 가스가 공급되도록 하는 제 2 가스 공급라인과; 상기 하우징과 연결되고, 상기 하우징의 내부를 진공상태로 만드는 진공 펌프 및 상기 하우징의 앞면에 설치되고, 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩시 열리는 도어를 포함한다. 상기 제 2 챔버의 내부면은 테프론 재질을 사용한다. 상기 제 2 챔버의 내부면은 석영 재질을 사용한다. 상기 제 2 챔버는 내부의 온도를 조절할 수 있는 히터가 설치된다. 상기 약품 탱크는 내부 약품의 온도를 조절할 수 있는 히터가 설치된다.In the present invention as described above, a vacuum interface unit is installed on the front surface of the wafer in and out of the second chamber. The second chamber has a lower chamber formed therein a working space; A chemical tank installed at a bottom of the housing to store a predetermined medicine and connected to a first gas supply line for supplying a predetermined gas from the outside, and connected to the inside of the housing through a chemical supply line and a chemical drain line; A spinner installed inside the housing and supporting the wafer by vacuum suction and rotating the wafer at a predetermined speed; A nozzle connected to a deionized water supply line for supplying deionized water from the outside, installed on side and top surfaces of the inside of the housing, and configured to spray deionized water onto a wafer supported by the spinner; A deionized water drain line configured to discharge deionized water introduced into the second chamber to the outside; A second gas supply line configured to supply a predetermined gas into the second chamber from the outside; And a vacuum pump connected to the housing and installed on the front surface of the housing to vacuum the inside of the housing, the door being opened upon loading or unloading the wafer. The inner surface of the second chamber is made of Teflon material. The inner surface of the second chamber is made of quartz. The second chamber is provided with a heater capable of adjusting the internal temperature. The medicine tank is provided with a heater that can control the temperature of the internal medicine.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 반도체 제조 방법은 제 1 챔버에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼를 로봇 암에 의해서 언로딩시키는 단계와; 상기 로봇 암이 상기 웨이퍼를 제 2 챔버에 로딩시키는 단계와; 상기 웨이퍼를 약품으로 세정하는 단계와; 상기 웨이퍼를 탈이온수로 세정하는 단계와; 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계와; 상기 웨이퍼를 상기 제 2 챔버로부터 상기 로봇 암에 의해서 언로딩시키는 단계 및 상기 로봇 암이 상기 웨이퍼를 제 3 챔버에 로딩시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, a semiconductor manufacturing method comprising the steps of: unloading a wafer subjected to a first silicide process in a first chamber by a robot arm; The robot arm loading the wafer into a second chamber; Cleaning the wafer with a chemical; Cleaning the wafer with deionized water; Drying the wafer; Unloading the wafer from the second chamber by the robot arm and the robot arm loading the wafer into a third chamber.

이와 같은 본 발명에서 상기 약품 세정 단계는 약품 탱크에 제 1 가스 공급라인을 통하여 소정 가스가 공급되는 단계와; 약품 공급라인을 통하여 상기 약품 탱크로부터 상기 제 2 챔버로 약품이 공급되는 단계와; 상기 제 2 챔버에 로딩된 웨이퍼가 상기 약품에 의해서 세정되는 단계와; 제 2 가스 공급라인을 통하여 소정 가스가 상기 제 2 챔버 내부로 공급되는 단계 및 상기 제 2 챔버 내부의 약품이 약품 배수라인을 통하여 상기 약품 탱크로 배출되는 단계를 포함한다. 상기 건조 단계는 제 2 가스 공급라인을 통하여 상기 제 2 챔버 내부로 소정 가스가 공급되는 단계와; 상기 가스에 의해서 웨이퍼가 건조되는 단계와; 탈이온수 공급라인을 통하여 공급되는 탈이온수가 노즐에 의해서 상기 웨이퍼에 분사되고, 상기 웨이퍼가 린싱되는 단계와; 상기 제 2 가스 공급라인을 통하여 상기 제 2 챔버 내부로 소정 가스가 공급되는 단계 및 탈이온수 배수라인을 통하여 상기 제 2 챔버 내부의 탈이온수가 외부로 배출되는 단계를 포함한다. 상기 건조 단계 다음에 진공 펌프에 의해서 상기 제 2 챔버 내부가 진공으로 형성되는 단계 및 상기 웨이퍼를 회전시켜서 건조시키는 단계를 포함한다.In the present invention, the chemical cleaning step is the step of supplying a predetermined gas to the chemical tank through the first gas supply line; Supplying a medicine from the medicine tank to the second chamber through a medicine supply line; Cleaning the wafer loaded in the second chamber with the chemicals; Supplying a predetermined gas into the second chamber through a second gas supply line and discharging the chemical inside the second chamber into the chemical tank through a chemical drainage line. The drying step includes supplying a predetermined gas into the second chamber through a second gas supply line; Drying the wafer by the gas; Deionized water supplied through a deionized water supply line is sprayed onto the wafer by a nozzle, and the wafer is rinsed; And supplying a predetermined gas into the second chamber through the second gas supply line and discharging the deionized water inside the second chamber to the outside through the deionized water drainage line. The drying step is followed by forming a vacuum inside the second chamber by a vacuum pump and rotating the wafer to dry it.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 1 내지 5에 의거하여 상세히 설명하며, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5, and like reference numerals denote like elements for performing the same function.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 래피드 서멀 프로세스를 통하여 소정 금속으로 웨이퍼상에 실리사이드 공정을 수행하기 위한 것이다. 이때, 상기 반도체 제조 장치는 웨이퍼의 세정 공정을 수행하는 챔버를 함께 설치하고, 실리사이드 공정이 수행되는 챔버와 웨이퍼를 이송하는 방법을 자동으로 수행할 수 있도록 구성한다. 또한, 상기 세정용 챔버는 진공 분위기가 가능하도록 해야하고,웨이퍼에 화학 약품 처리와 탈이온수를 이용한 세정 그리고, 건조가 가능해야 하며, 각 공정에는 웨이퍼가 1매씩 공정이 진행되도록 해야 한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention is for performing a silicide process on a wafer with a predetermined metal through a rapid thermal process. In this case, the semiconductor manufacturing apparatus is provided so that the chamber for performing the cleaning process of the wafer is installed together, and the chamber in which the silicide process is performed and the method of transferring the wafer can be automatically performed. In addition, the cleaning chamber should be capable of a vacuum atmosphere, the chemical treatment to the wafer, cleaning with deionized water and drying should be possible, and each process should be a wafer by one process.

도 1에서 도시한 바와 같이 반도체 제조장치(10)는 웨이퍼상에 제 1 실리사이드 공정을 수행하는 제 1 챔버(12)와 상기 제 1 챔버(12)에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼에 소정 세정 공정을 수행하는 제 2 챔버(14) 그리고, 상기 제 2 챔버(14)에서 세정된 웨이퍼에 제 2 실리사이드 공정을 수행하는 제 3 챔버(16) 및 상기 제 1 챔버(12)와 제 2 챔버(14) 그리고, 제 3 챔버(16) 사이에서 운동하고, 상기 웨이퍼를 상기 각 챔버(12,14,16)로 이송시키는 로봇 암(20)으로 구성된다. 이와 같은 구성에 의해서 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 상기 제 1 실리사이드 공정과 세정 공정 그리고, 제 2 실리사이드 공정을 상기 로봇 암(20)에 의해서 연속적으로 실행할 수 있다.As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 10 may be cleaned in a first chamber 12 performing a first silicide process on a wafer and a wafer in which the first silicide process is performed in the first chamber 12. The second chamber 14 performing the process, the third chamber 16 performing the second silicide process on the wafer cleaned in the second chamber 14, and the first chamber 12 and the second chamber ( 14) and a robot arm 20 which moves between the third chambers 16 and transfers the wafers into the chambers 12, 14, and 16, respectively. With this structure, the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention can continuously execute the first silicide process, the cleaning process, and the second silicide process by the robot arm 20.

또한, 상기 반도체 제조 장치(10)는 상기 제 2 챔버(14)의 웨이퍼가 출입되는 앞면에 진공 펌프(22)가 설치되는 진공 인터페이스부(18)를 부가하여 구성한다. 이때, 상기 진공 인터페이스부(18)는 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩시 상기 제 2 챔버(14)에서 발생되는 증기가 외부로 유출되지 않도록 방지한다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus 10 is configured by adding a vacuum interface unit 18, the vacuum pump 22 is installed on the front surface of the wafer of the second chamber (14). At this time, the vacuum interface unit 18 prevents the steam generated in the second chamber 14 from flowing out when the wafer is loaded or unloaded.

도 2에 도시한 바와 같이 상기 제 2 챔버(14)는 내부에 작업 공간이 형성된 하우징(30)과, 상기 하우징(30)의 저부에 설치되어 소정 약품을 저장하며, 외부로부터 소정 가스가 공급되도록 하는 제 1 가스 공급라인(44)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부와 약품 공급라인(42) 및 약품 배수라인(46)으로 연결되는 약품 탱크(32)와, 상기 하우징(30)의 내부에 설치되고, 웨이퍼(36)를 진공흡착하여 지지하며, 소정 속도로 상기 웨이퍼(36)를 회전시킬 수 있는 스피너(38)와, 외부로부터 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급라인(41)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부의 측면과 상면에 설치되며, 상기 스피너(38)에 지지된 상기 웨이퍼(36)에 탈이온수가 분사되도록 하는 노즐(40)과, 상기 제 2 챔버(14) 내부에 유입된 탈이온수가 외부로 배출되도록 하는 탈이온수 배수라인(48)과, 외부로부터 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되도록 하는 제 2 가스 공급라인(50)과, 상기 하우징(30)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부를 진공상태로 만드는 진공 펌프(54)와, 상기 하우징(30)의 앞면에 설치되고, 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩시 열리는 도어(34)와, 상기 제 2 챔버(14)는 내부의 온도를 조절할 수 있는 히터(56)가 설치된다.As shown in FIG. 2, the second chamber 14 is provided with a housing 30 having a working space therein, and installed at a bottom of the housing 30 to store predetermined chemicals, and to supply a predetermined gas from the outside. Is connected to the first gas supply line 44, the chemical tank 32 is connected to the interior of the housing 30, the chemical supply line 42 and the chemical drainage line 46, and of the housing 30 A spinner 38 installed therein and capable of vacuum-supporting the wafer 36 and rotating the wafer 36 at a predetermined speed; and a deionized water supply line 41 for supplying deionized water from the outside; A nozzle 40 connected to the inner side and an upper surface of the housing 30 to allow deionized water to be injected onto the wafer 36 supported by the spinner 38 and the second chamber 14. ) Deionized water drainage line 48 to allow deionized water introduced into the outside to be discharged to the outside And a second gas supply line 50 through which a predetermined gas is supplied from the outside into the second chamber 14, and a vacuum connected to the housing 30 and vacuuming the inside of the housing 30. A pump 54, a door 34 installed at a front surface of the housing 30, and opened when the wafer is loaded or unloaded, and the second chamber 14 may control the internal temperature of the heater 56. Is installed.

이때, 상기 제 2 챔버(14)의 내부면은 테프론 재질 또는 석영 재질을 사용하여 약품 또는 증기 등에 의한 부식을 방지한다. 그리고, 상기 약품 탱크(14)는 내부 약품의 온도를 조절할 수 있는 히터(33)가 설치된다.At this time, the inner surface of the second chamber 14 is made of Teflon or quartz to prevent corrosion by chemicals or steam. In addition, the chemical tank 14 is provided with a heater 33 that can adjust the temperature of the internal chemical.

한편, 상기 진공 인터페이스부(18)는 상기 제 2 챔버(14)의 도어(34) 전면에 설치된다. 그리고, 상기 진공 인터페이스부(18)는 진공 라인(24)을 통하여 진공 펌프(22)와 연결된다.On the other hand, the vacuum interface 18 is installed in front of the door 34 of the second chamber (14). In addition, the vacuum interface 18 is connected to the vacuum pump 22 through the vacuum line 24.

도 3에서 도시한 바와 같이 상기 스피너(38)는 상기 제 2 챔버(14)에 로딩되는 웨이퍼(36)를 지지하는 가이더(60)와, 상기 가이더(60)의 중심에 위치하고, 진공 펌프와 연결되어 상기 웨이퍼(36)를 진공흡착하는 진공척(62)과, 상기 가이더(60)의 하부에 결합되고, 모터와 결합되어 상기 가이더(60)를 회전시키는 회전축(64)과, 상기 가이더(60)의 원주상 가장자리에 소정 높이로 형성되어 상기 가이더(60)가 회전시 상기 웨이퍼(36)가 이탈되지 않도록 하는 홀더(66)로 구성된다.As shown in FIG. 3, the spinner 38 is located at the center of the guider 60, which supports the wafer 36 loaded in the second chamber 14, and is connected to a vacuum pump. And a vacuum chuck 62 for vacuum suction of the wafer 36, a rotary shaft 64 coupled to a lower portion of the guider 60, coupled to a motor to rotate the guider 60, and the guider 60. And a holder 66 formed at a predetermined height at the circumferential edge of the c) to prevent the wafer 36 from being detached when the guider 60 is rotated.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 의한 반도체 제조 방법은, 도 4에서 도시한 바와 같이, 제 1 챔버(12)에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼를 로봇 암(20)에 의해서 언로딩시키는 단계(S100)와, 상기 로봇 암(20)이 상기 웨이퍼를 제 2 챔버(14)에 로딩시키는 단계(S110)와, 상기 웨이퍼를 약품으로 세정하는 단계(S120)와, 상기 웨이퍼를 탈이온수로 세정하는 단계(S130)와, 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계(S140)와, 상기 웨이퍼를 상기 제 2 챔버(14)로부터 상기 로봇 암(20)에 의해서 언로딩시키는 단계(S150)와, 상기 로봇 암(20)이 상기 웨이퍼를 제 3 챔버(16)에 로딩시키는 단계(S160)로 구성된다.In the semiconductor manufacturing method according to the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention having such a configuration, as shown in FIG. 4, the robot arm 20 performs a wafer in which the first silicide process is performed in the first chamber 12. Unloading (S100), loading the wafer into the second chamber 14 by the robot arm 20 (S110), cleaning the wafer with chemicals (S120), Cleaning the wafer with deionized water (S130), drying the wafer (S140), and unloading the wafer from the second chamber 14 by the robot arm 20 (S150). ) And the robot arm 20 loading the wafer into the third chamber 16 (S160).

이와 같은 공정 진행 방법은 도 5에서 도시한 바와 같이 상세하게 표현될 수 있다.This process progress method may be represented in detail as shown in FIG.

도 5를 참조하면, 상기 약품 세정 단계(S120)는 약품 탱크(32)에 제 1 가스공급라인(44)을 통하여 소정 가스가 공급되는 단계(S121)와, 약품 공급라인(42)을 통하여 상기 약품 탱크(32)로부터 상기 제 2 챔버(14)로 약품이 공급되는 단계(S123)와, 상기 제 2 챔버(14)에 로딩된 웨이퍼가 상기 약품에 의해서 세정되는 단계(S125)와, 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 소정 가스가 상기 제 2 챔버(14) 내부로 공급되는 단계(S127)와, 상기 제 2 챔버(14) 내부의 약품이 약품 배수라인(46)을 통하여 상기 약품 탱크(32)로 배출되는 단계(S129)로 구성되며, 상기 건조단계(S140)는 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되는 단계(141)와, 상기 가스에 의해서 웨이퍼가 건조되는단계(S143)와, 탈이온수 공급라인(41)을 통하여 공급되는 탈이온수가 노즐(40)에 의해서 상기 웨이퍼에 분사되고, 상기 웨이퍼가 린싱되는 단계(S145)와, 상기 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되는 단계(S147)와, 탈이온수 배수라인(48)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부의 탈이온수가 외부로 배출되는 단계(S149)로 구성된다.Referring to FIG. 5, the chemical cleaning step (S120) is a step (S121) of supplying a predetermined gas to the chemical tank 32 through a first gas supply line 44 (S121), and through the chemical supply line 42. Supplying the medicine from the chemical tank 32 to the second chamber 14 (S123), and the wafer loaded in the second chamber 14 is cleaned by the chemical (S125), and the second The step (S127) of supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the gas supply line 50, and the medicine in the second chamber 14 through the drug drain line 46 to the chemical tank Comprising a step (S129) is discharged to 32, wherein the drying step (S140) is a step 141 of supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the second gas supply line 50 and Drying the wafer by the gas (S143) and deionized water supplied through the deionized water supply line 41 to the nozzle 40 And spraying the wafer on the wafer, and rinsing the wafer (S145), and supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the second gas supply line 50 (S147). The deionized water in the second chamber 14 is discharged to the outside through the ionized water drainage line 48 (S149).

그리고, 상기 제 2 챔버(14)에서 공정이 완료되는 웨이퍼의 세정효과를 더욱 높이기 위하여 상기 건조 단계(S140) 다음에 진공 펌프(54)에 의해서 상기 제 2 챔버(14) 내부가 진공으로 형성되는 단계(S170)와 상기 웨이퍼를 회전시켜서 건조시키는 단계(S172)를 추가하여 구성할 수 있다.In addition, in order to further increase the cleaning effect of the wafer in which the process is completed in the second chamber 14, the inside of the second chamber 14 is formed in a vacuum by the vacuum pump 54 after the drying step S140. It may be configured by adding a step (S170) and a step (S172) to rotate and dry the wafer.

한편, 상기 제 2 챔버(14)에는 상기 제 2 챔버(14)의 내부에서 사용되는 약품이나 세정액이 외부에 영향을 미치는 것을 방지하기 위하여 도어(34)가 설치되어 있으므로, 상기 로봇 암(20)이 상기 웨이퍼를 제 2 챔버(14)에 로딩시키는 단계(S110) 후와 상기 웨이퍼를 상기 제 2 챔버(14)로부터 상기 로봇 암(20)에 의해서 언로딩시키는 단계(S150) 전에는 도어를 닫는 단계(S180)와 도어를 여는 단계(S182)가 포함된다.On the other hand, since the door 34 is installed in the second chamber 14 to prevent the chemicals or cleaning liquid used in the second chamber 14 from affecting the outside, the robot arm 20 Closing the door after loading the wafer into the second chamber 14 (S110) and before unloading the wafer from the second chamber 14 by the robot arm 20 (S150). S180 and opening the door S182 are included.

이와 같은 본 발명을 적용하면, 웨이퍼가 실리사이드 장치와 세정장치를 이동하면서 대기와 접촉되지 않고, 반도체 제조 장치의 내부에 형성된 순수 질소의 분위기에서 공정이 진행되므로, 오염물에 대해 안정적이다. 따라서, 반도체 디바이스의 고집적화에 부응할 수 있으며, 안정적인 건조방식을 제공할 수 있으므로 웨이퍼상에 나타나는 물반점과 같은 불량을 방지할 수 있다. 또한, 1매의 웨이퍼가 실리사이드 공정이 진행되는 동안 다른 1매는 세정공정이 진행되고, 또 다른 1매는 2차 실리사이드 공정이 수행된다. 따라서, 공정의 진행 시간을 단축할 수 있으므로 작업량의 향상을 기대할 수 있다. 뿐만아니라, 세정장치가 실리사이드 장치와 복합되므로 장치가 차지하는 면적에서 상대적으로 적은 면적에 설치된다.According to the present invention, the wafer is not in contact with the atmosphere while moving the silicide device and the cleaning device, and the process proceeds in an atmosphere of pure nitrogen formed inside the semiconductor manufacturing device, and thus is stable to contaminants. Accordingly, it is possible to meet the high integration of the semiconductor device and to provide a stable drying method, thereby preventing defects such as water spots appearing on the wafer. In addition, while one wafer undergoes a silicide process, another wafer undergoes a cleaning process, and another sheet undergoes a secondary silicide process. Therefore, since the progress time of a process can be shortened, the improvement of a workload can be anticipated. In addition, since the cleaning device is combined with the silicide device, it is installed in a relatively small area of the area occupied by the device.

Claims (11)

래피드 서멀 프로세스를 통하여 소정 금속으로 웨이퍼상에 실리사이드 공정을 수행하는 반도체 제조 장치에 있어서,In the semiconductor manufacturing apparatus for performing a silicide process on a wafer with a predetermined metal through a rapid thermal process, 상기 웨이퍼상에 제 1 실리사이드 공정을 수행하는 제 1 챔버(12)와;A first chamber (12) for performing a first silicide process on the wafer; 상기 제 1 챔버(12)에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼에 소정 세정 공정을 수행하는 제 2 챔버(14)와;A second chamber (14) performing a predetermined cleaning process on the wafer on which the first silicide process is performed in the first chamber (12); 상기 제 2 챔버(14)에서 세정된 웨이퍼에 제 2 실리사이드 공정을 수행하는 제 3 챔버(16) 및A third chamber 16 performing a second silicide process on the wafer cleaned in the second chamber 14; 상기 제 1 챔버(12)와 제 2 챔버(14) 그리고, 제 3 챔버(16) 사이에서 운동하고, 상기 웨이퍼를 상기 각 챔버(12,14,16)로 이송시키는 로봇 암(20)을 포함하여, 상기 제 1 실리사이드 공정과 세정 공정 그리고, 제 2 실리사이드 공정을 상기 로봇 암(20)에 의해서 연속적으로 실행할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.A robot arm 20 which moves between the first chamber 12 and the second chamber 14 and the third chamber 16 and transfers the wafer to the respective chambers 12, 14, 16. And the first silicide step, the cleaning step, and the second silicide step can be continuously executed by the robot arm (20). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 챔버(14)의 웨이퍼가 출입되는 앞면에 진공 펌프(22)가 설치되는 진공 인터페이스부(18)를 부가하여, 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩시 상기 제 2 챔버(14)에서 발생되는 증기가 외부로 유출되지 않도록 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.By adding a vacuum interface unit 18 in which the vacuum pump 22 is installed on the front surface of the wafer of the second chamber 14, vapor generated in the second chamber 14 when the wafer is loaded or unloaded. The semiconductor manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned to prevent it from leaking outside. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 챔버(14)는 내부에 작업 공간이 형성된 하우징(30)과;The second chamber 14 includes a housing 30 in which a working space is formed; 상기 하우징(30)의 저부에 설치되어 소정 약품을 저장하며, 외부로부터 소정 가스가 공급되도록 하는 제 1 가스 공급라인(44)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부와 약품 공급라인(42) 및 약품 배수라인(46)으로 연결되는 약품 탱크(32)와;It is installed at the bottom of the housing 30 to store a predetermined drug, is connected to the first gas supply line 44 to supply a predetermined gas from the outside, the interior of the housing 30 and the drug supply line 42 And a chemical tank 32 connected to the chemical drain line 46; 상기 하우징(30)의 내부에 설치되고, 웨이퍼를 진공흡착하여 지지하며, 소정 속도로 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 스피너(38)와;A spinner (38) installed inside the housing (30) and capable of vacuum-sucking the wafer and rotating the wafer at a predetermined speed; 외부로부터 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급라인(41)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부의 측면과 상면에 설치되며, 상기 스피너(38)에 지지된 웨이퍼에 탈이온수가 분사되도록 하는 노즐(40)과;A nozzle which is connected to a deionized water supply line 41 for supplying deionized water from the outside, is installed on a side and an upper surface of the inside of the housing 30, and allows deionized water to be injected onto a wafer supported by the spinner 38. 40; 상기 제 2 챔버(14) 내부에 유입된 탈이온수가 외부로 배출되도록 하는 탈이온수 배수라인(48)과;A deionized water drain line (48) for discharging deionized water introduced into the second chamber (14) to the outside; 외부로부터 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되도록 하는 제 2 가스 공급라인(50)과;A second gas supply line (50) for supplying a predetermined gas from the outside into the second chamber (14); 상기 하우징(30)과 연결되고, 상기 하우징(30)의 내부를 진공상태로 만드는 진공 펌프(54) 및A vacuum pump 54 connected to the housing 30 and making the inside of the housing 30 in a vacuum state; 상기 하우징(30)의 앞면에 설치되고, 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩시 열리는 도어(34)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a door (34) installed on the front surface of the housing (30) and opened when the wafer is loaded or unloaded. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 챔버(14)의 내부면은 테프론 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The inner surface of the second chamber (14) is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that using a Teflon material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 챔버(14)의 내부면은 석영 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The inner surface of the second chamber (14) is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that using a quartz material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 챔버(14)는 내부의 온도를 조절할 수 있는 히터(56)가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The second chamber (14) is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the heater (56) that can adjust the internal temperature is installed. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 약품 탱크(14)는 내부 약품의 온도를 조절할 수 있는 히터(33)가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The chemical tank 14 is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the heater 33 is installed to adjust the temperature of the internal chemical. 래피드 서멀 프로세스를 통하여 소정 금속으로 웨이퍼상에 실리사이드 공정을 수행하는 반도체 제조 장치에 의한 반도체 제조 방법에 있어서,In the semiconductor manufacturing method by the semiconductor manufacturing apparatus which performs a silicide process on a wafer with a predetermined metal through a rapid thermal process, 제 1 챔버(12)에서 제 1 실리사이드 공정이 수행된 웨이퍼를 로봇 암(20)에 의해서 언로딩시키는 단계(S100)와;Unloading the wafer on which the first silicide process is performed in the first chamber 12 by the robot arm 20 (S100); 상기 로봇 암(20)이 상기 웨이퍼를 제 2 챔버(14)에 로딩시키는 단계(S110)와;The robot arm (20) loading the wafer into the second chamber (14); 상기 웨이퍼를 약품으로 세정하는 단계(S120)와;Cleaning the wafer with a chemical (S120); 상기 웨이퍼를 탈이온수로 세정하는 단계(S130)와;Cleaning the wafer with deionized water (S130); 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계(S140)와;Drying the wafer (S140); 상기 웨이퍼를 상기 제 2 챔버(14)로부터 상기 로봇 암(20)에 의해서 언로딩시키는 단계(S150) 및Unloading the wafer from the second chamber 14 by the robot arm 20 (S150) and 상기 로봇 암(20)이 상기 웨이퍼를 제 3 챔버(16)에 로딩시키는 단계(S160)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.And the robot arm (20) loading the wafer into the third chamber (S160). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 약품 세정 단계(S120)는 약품 탱크(32)에 제 1 가스 공급라인(44)을 통하여 소정 가스가 공급되는 단계(S121)와;The chemical cleaning step (S120) is a step of supplying a predetermined gas to the chemical tank 32 through the first gas supply line (44) (S121); 약품 공급라인(42)을 통하여 상기 약품 탱크(32)로부터 상기 제 2 챔버(14)로 약품이 공급되는 단계(S123)와;Supplying the medicine from the medicine tank 32 to the second chamber 14 through the medicine supply line 42 (S123); 상기 제 2 챔버(14)에 로딩된 웨이퍼가 상기 약품에 의해서 세정되는 단계(S125)와;Washing the wafer loaded in the second chamber (14) by the medicine (S125); 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 소정 가스가 상기 제 2 챔버(14) 내부로 공급되는 단계(S127) 및A step of supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the second gas supply line 50 (S127) and 상기 제 2 챔버(14) 내부의 약품이 약품 배수라인(46)을 통하여 상기 약품탱크(32)로 배출되는 단계(S129)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.And a step (S129) of discharging the chemical in the second chamber (14) into the chemical tank (32) through the chemical drainage line (46). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 건조 단계(S140)는 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되는 단계(141)와;The drying step (S140) is a step (141) of supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the second gas supply line (50); 상기 가스에 의해서 웨이퍼가 건조되는 단계(S143)와;Drying the wafer by the gas (S143); 탈이온수 공급라인(41)을 통하여 공급되는 탈이온수가 노즐(40)에 의해서 상기 웨이퍼에 분사되고, 상기 웨이퍼가 린싱되는 단계(S145)와;Deionized water supplied through the deionized water supply line (41) is injected onto the wafer by a nozzle (40), and the wafer is rinsed (S145); 상기 제 2 가스 공급라인(50)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부로 소정 가스가 공급되는 단계(S147) 및Supplying a predetermined gas into the second chamber 14 through the second gas supply line 50 (S147); 탈이온수 배수라인(48)을 통하여 상기 제 2 챔버(14) 내부의 탈이온수가 외부로 배출되는 단계(S149)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.And discharging the deionized water in the second chamber (14) to the outside through the deionized water drain line (48). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 건조 단계(S140) 다음에 진공 펌프(54)에 의해서 상기 제 2 챔버(14) 내부가 진공으로 형성되는 단계(S170) 및After the drying step (S140) is formed in the second chamber 14 by a vacuum pump 54 in a vacuum (S170) and 상기 웨이퍼를 회전시켜서 건조시키는 단계(S172)를 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 제조 방법.And rotating the wafer to dry (S172).
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