KR100444436B1 - Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby - Google Patents

Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby Download PDF

Info

Publication number
KR100444436B1
KR100444436B1 KR1020030091354A KR20030091354A KR100444436B1 KR 100444436 B1 KR100444436 B1 KR 100444436B1 KR 1020030091354 A KR1020030091354 A KR 1020030091354A KR 20030091354 A KR20030091354 A KR 20030091354A KR 100444436 B1 KR100444436 B1 KR 100444436B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stage beam
forming
support
stage
layer pattern
Prior art date
Application number
KR1020030091354A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박성진
양승석
김호준
서영경
Original Assignee
주식회사 파이컴
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 파이컴 filed Critical 주식회사 파이컴
Priority to KR1020030091354A priority Critical patent/KR100444436B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100444436B1 publication Critical patent/KR100444436B1/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/0015—Cantilevers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0118—Cantilevers

Abstract

PURPOSE: A method for producing an electric contact element for testing a cantilever-shaped electro device having a multi-stage beam unit and the electric contact element are provided to easily perforate and contact a natural oxide layer of a semiconductor pad by securing sufficient OD(Over Drive) and to fill an electroconductive material in a hole. CONSTITUTION: A method for producing an electric contact element for testing a cantilever-shaped electro device having a multi-stage beam unit is composed of steps for forming a first protective layer pattern on a sacrificial substrate; forming a tip forming hole on the sacrificial substrate by performing an etching process by using the first protective layer pattern as an etching mask; forming a second protective layer pattern for an one-stage beam unit(24) having the hole on the sacrificial substrate after removing the first protective layer pattern; integrally forming a tip unit(22) and the one-stage beam unit by filling a first electroconductive material in the second protective layer pattern; forming a third protective layer pattern for forming a first supporting body limitably opening a lateral side of the one-stage beam unit at the opposite side of the tip unit after removing the second protective layer pattern; forming the first supporting body by filling a second electroconductive material in the third protective layer pattern; forming a fourth protective layer pattern for forming a two-stage beam unit(32) held by the first supporting body and connected with an upper end of the one-stage beam unit at the opposite side of the tip unit on the sacrificial substrate formed with the first supporting body; and forming the two-stage beam unit by filling the first electroconductive material in the fourth protective layer pattern.

Description

다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 전기적 접촉체 {Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby}Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having a multi-stage beam portion and an electrical contact according to the present invention {Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor hence}

본 발명은 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 전기적 접촉체에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 일반적인 MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정을 이용하여 희생기판 상에 팁부을 매설 형성한 후, 그 상부에 다단의 빔부를 형성하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 전기적 접촉체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam portion, and to an electrical contact according to the present invention, and more particularly, to a sacrificial substrate using a general micro electro mechanical system (MEMS) process. After embedding the tip portion, the present invention relates to a method for manufacturing a cantilever-type electronic device inspection electrical contact having a multi-stage beam portion to form a multi-stage beam portion on top thereof, and to an electrical contact accordingly.

최근, 전기, 전자 및 기계부품을 초소형으로 일체화시키는 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS : Micro Electro Mechanical System)공정을 기반으로한 전기적 접촉체는 많은 장점에 의해서 초미의 관심이 집중되고 있다.Recently, the electrical contact body based on the micro electro mechanical system (MEMS) process of integrating electrical, electronic and mechanical parts into a microminiature has attracted much attention due to many advantages.

이와 같은 MEMS구조는 사진식각공정 및 금속 증착 등의 과정을 반복하는 반도체 미세 공정기술을 적용하여 저렴한 바용으로 초소형 제품의 대량 생산 등을 가능하게 하고, 최근에 나날이 진보됨으로써 약 0.12㎛의 초미세 선폭을 가지는 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 전자부품에 대한 대응력이 뛰어난 장점 등에 의해서 그 중요성이 날로 부각되고 있다.Such MEMS structure enables the mass production of micro products at low cost by applying semiconductor micro process technology that repeats the process of photolithography process and metal deposition, etc., and recently advanced day by day, the ultra fine line width of about 0.12㎛ The importance of the electronic device, such as DRAM (Dynamic Random Access Memory), which is excellent in its ability to cope with its importance, is becoming more and more important.

이와 같은 MEMS공정을 이용한 전기적 접촉체 및 이에 대한 제조방법은, 본 출원인에게 2002년 10월 14일 허여된 한국 특허 제 0358513 호에 게시되어 있다.An electrical contact using the MEMS process and a manufacturing method thereof are disclosed in Korean Patent No. 0358513, issued October 14, 2002 to the applicant.

상기 한국 특허 제 0358315 호에 게시된 전기적 접촉체는, 바형의 제 1 단, 상기 제 1 단과 연결되어 상기 제 1 단보다 폭이 넓은 바형의 제 2 단 및 상기 제 2 단과 연결되어 상기 2 단보다 폭이 넓고 전기 구성체와 범프에 의해서 연결되는 바형의 제 3 단을 구비하는 빔부 또는 전기 구성체와 범프에 의해서 연결되는 바형의 제 1 단, 상기 제 1 단과 연결되어 절곡형으로 이루어지는 제 2 단 및 상기 제 2 단과 연결되어 바형으로 이루어지는 제 3 단을 구비하는 하나 이상의 절곡부를 구비하는 지그재그 형상의 빔부와 상기 각 빔부의 제 1 단 단부에 일체로 형성된 팁부를 구비하여 이루어지는 것에 특징이 있다.The electrical contact member disclosed in Korean Patent No. 0358315 has a bar-shaped first end, which is connected to the first end and is wider than the first end, and is connected to the second end and the second end that are wider than the first end. A beam part having a wider, third bar-shaped end connected to the electrical component and the bump, or a first end of the bar-shaped connected to the electrical component and the bump, a second end connected to the first end and bent, and the A zigzag beam portion having one or more bent portions having a third end connected to the second end and having a bar shape, and a tip part integrally formed at the end of each of the first end of the beam part.

그런데, 종래의 전기적 접촉체는, 팁부의 단부와 검사 대상체의 상부 표면 사이의 거리가 짧아서 검사 대상체의 표면에 가해지는 물리력(F)에 의한 충분한 OD(Over Drive)를 발생시킬 수 없는 문제점이 있었다.By the way, the conventional electrical contact has a problem that the distance between the end of the tip portion and the upper surface of the test object is too short to generate a sufficient OD (Over Drive) due to the physical force (F) applied to the surface of the test object. .

그리고, 종래의 전기적 접촉체의 팁부는, 희생기판에 대해서 N(자연수)차 식각공정을 반복적으로 수행함으로써 그 깊이를 깊게 형성하여 팁부의 길이를 조절할수 있으나 홀의 깊이가 깊어져 홀 내부에 충분한 도전성 물질을 매립하기가 용이하지 않은 문제점이 있었다.In addition, the tip portion of the conventional electrical contact body may form a deep depth by repeatedly performing an N (natural number) difference etching process on the sacrificial substrate to control the length of the tip portion, but the depth of the hole is deep enough to provide sufficient conductivity inside the hole. There was a problem that it was not easy to embed the material.

본 발명의 목적은, 검사 대상체의 상부 표면과 팁부의 단부 사이의 거리를 증가시킴으로서 검사 대상체의 표면에 가해지는 물리력(F)에 의한 충분한 OD(Over Drive)가 발생할 수 있도록 하는 다단 빔부를 구비한 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 전기적 접촉체를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multi-stage beam portion for increasing sufficient distance between the upper surface of the test object and the end of the tip portion so that sufficient OD (Over Drive) due to the physical force F applied to the surface of the test object can occur. The present invention provides a method for manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device, and an electrical contact accordingly.

본 발명의 다른 목적은, 검사 대상체의 상부 표면과 팁부의 단부 사이의 거리를 증가시켜 충분한 OD(Over Drive)가 발생되도록 함으로써 상대적으로 팁부의 길이를 축소하여 희생기판 상에 형성되는 홀의 내부에 도전성 물질이 충분히 매립될 수 있도록 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 전기적 접촉체를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to increase the distance between the upper surface of the test object and the end of the tip portion so that a sufficient OD (Over Drive) is generated so that the length of the tip portion is relatively shortened so that it is conductive in the hole formed on the sacrificial substrate. The present invention provides a method for manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam portion to allow a material to be fully embedded therein, and an electrical contact accordingly.

도 1a 내지 도 1l은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.1A to 1L are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a two-stage beam part according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 사시도이다.2 is a perspective view of an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a two-stage beam part according to a first embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a three-stage beam part according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 사시도이다.4 is a perspective view of an electrical contact for inspecting cantilever type electronic devices having a three-stage beam part according to a second embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

10 : 희생기판 12 : 제 1 보호막10: sacrificial substrate 12: the first protective film

14 : 제 1 보호막 패턴 16 : 홀14 first protective film pattern 16 hole

18 : 씨드층 20 : 제 2 보호막 패턴18: seed layer 20: second protective film pattern

22 : 팁부 24 : 1단 빔부22: tip portion 24: first stage beam portion

26 : 제 3 보호막 패턴 28 : 제 1 지지체26: third protective film pattern 28: first support

30 : 제 4 보호막 패턴 32 : 2단 빔부30: fourth protective film pattern 32: two-stage beam portion

40, 60 : 전기 구성체 42, 62 : 범프40, 60: electrical construct 42, 62: bump

50 : 제 5 보호막 패턴 52 : 제 2 지지체50: fifth protective film pattern 52: second support

54 : 제 6 보호막 패턴 56 : 3단 빔부54: sixth protective film pattern 56: three-stage beam part

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다단 빔부를 구비한 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법은, 희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 상에 팁부 형성용 홀(Hole)을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴을 제거한 후, 상기 희생기판 상에 상기 홀을 포함하는 1단 빔부 형성용 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴 내부에 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 팁부 및 1단 빔부를 일체로 형성하는 단계: 상기 제 2 보호막 패턴을 제거한 후, 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 측면만을 한정 개방하는 제 1 지지체 형성용 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 3 보호막 패턴 내부에 제 2 도전성 물질을 매립하여 상기 제 1 지지체를 형성하는 단계; 상기 제 1 지지체가 형성된 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 상단부와 연결되면서 상기 제 1 지지체 의해서 지지되는 2단 빔부를 형성하기 위한 제 4 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 4 보호막 패턴 내부에 상기 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 2단 빔부를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrical contact body for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam part, the method including: forming a first protective film pattern on a sacrificial substrate; Forming a tip forming hole on the sacrificial substrate by performing an etching process using the first passivation layer pattern as an etching mask; Removing the first passivation layer pattern, and forming a second passivation layer pattern for forming the first stage beam part including the hole on the sacrificial substrate; Embedding a first conductive material in the second passivation pattern to integrally form the tip portion and the first stage beam portion: after removing the second passivation pattern, limiting and opening only the side surface of the first stage beam portion opposite to the tip portion Forming a third protective film pattern for forming a support; Embedding a second conductive material in the third passivation pattern to form the first support; Forming a fourth passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first support is formed to form a second beam portion supported by the first support while being connected to the upper end of the first beam portion opposite to the tip portion; And embedding the first conductive material in the fourth passivation layer pattern to form the two-stage beam portion.

그리고, 상기 2단 빔부를 형성한 후, 상기 제 3 보호막 패턴 및 제 4 보호막 패턴을 제거하는 단계; 상기 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 및 제 1 지지체 측면만을 한정 개방하는 제 2 지지체 형성용 제 5 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 5 보호막 패턴 내부에 제 2 도전성 물질을 매립하여 제 2 지지체를 형성하는 단계: 상기 제 2 지지체가 형성된 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 2단 빔부 상단부와 연결되면서 상기 제 2 지지체 의해서 지지되는 3단 빔부를 형성하기 위한 제 6 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 6 보호막 패턴 내부에 상기 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 3단 빔부를 형성하는 단계;를 더 수행할 수도 있다.And removing the third passivation layer pattern and the fourth passivation layer pattern after forming the two-stage beam part; Forming a fifth passivation layer pattern for forming a second support on the sacrificial substrate, the second support forming the first support beam and the first support side by the opposite side of the tip; Forming a second support by embedding a second conductive material in the fifth passivation layer pattern, the second support being supported by the second support while being connected to an upper end of the second stage beam part opposite to the tip on the sacrificial substrate on which the second support is formed; Forming a sixth passivation layer pattern for forming a three-stage beam part; And filling the first conductive material in the sixth passivation pattern to form the three-stage beam part.

또한, 상기 2단 빔부를 형성한 후, 상기 제 3 보호막 패턴 및 제 4 보호막 패턴을 제거하는 단계와 상기 팁부 반대측의 2단 빔부 상부와 전기 구성체를 범프를 게재하여 서로 본딩하는 단계와 상기 제 1 지지체 및 희생기판을 제거하는 단계를 더 수행함이 바람직하다.The method may further include removing the third protective layer pattern and the fourth protective layer pattern after bonding the two-stage beam part, bonding the upper part of the two-stage beam part opposite the tip part and the electrical structure by bonding bumps to each other, and the first step. It is preferable to further perform the step of removing the support and the sacrificial substrate.

그리고, 상기 3단 빔부를 형성한 후, 상기 제 5 보호막 패턴 및 제 6 보호막 패턴을 제거하는 단계와 상기 팁부 반대측의 3단 빔부 상부와 전기 구성체를 범프를 게재하여 서로 본딩하는 단계와 상기 제 1 지지체, 제 2 지지체 및 희생기판을 제거하는 단계를 더 수행함이 바람직하다.After the forming of the three-stage beam part, removing the fifth and sixth protective film patterns, bonding the upper part of the three-stage beam part opposite the tip part, and bonding the electrical components to each other by bumps and the first Preferably, the step of removing the support, the second support and the sacrificial substrate is further performed.

또한, 상기 보호막 패턴, 지지체 및 희생기판은 서로 상이한 케미컬을 사용한 순차적 습식식각공정에 의해서 제거함이 바람직하며, 상기 보호막 패턴은 포토레지스트로 이루어지고, 상기 보호막 패턴은 노광 및 현상공정의 수행에 의해서 형성함이 바람직하다.In addition, the protective film pattern, the support and the sacrificial substrate is preferably removed by a sequential wet etching process using different chemicals, the protective film pattern is made of a photoresist, the protective film pattern is formed by performing the exposure and development process It is preferable to.

그리고, 상기 팁부, 1단 빔부, 2 단 빔부 및 3단 빔부는 니켈-코발트 합금 재질로 이루어지고, 상기 제 1 지지체 및 제 2 지지체는 구리 재질로 이루어질 수 있다.The tip portion, the first stage beam portion, the second stage beam portion, and the third stage beam portion may be made of nickel-cobalt alloy material, and the first support and the second support may be made of copper.

또한, 본 발명에 따른 다단 빔부를 구비한 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체는, 전기 구성체 상에 범프를 게재하여 연결되는 빔부와 상기 빔부 단부에 형성된 팁부가 MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정에 의해서 구현되는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 있어서, 상기 빔부는 지지체에 의해서 지지되면서 적층 형성된 2단 이상의 다단 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the cantilever-type electronic device inspection electrical contact having a multi-stage beam portion according to the present invention, the beam portion connected by placing a bump on the electrical component and the tip portion formed at the end of the beam portion in the MEMS (Micro Electro Mechanical System) process In the electrical contact for inspecting the cantilever-type electronic device implemented by the, characterized in that the beam portion is formed by a multi-stage shape of two or more stages stacked while being supported by a support.

여기서, 상기 빔부는 상기 팁부 방향으로 갈수록 그 폭이 감소하는 바(Bar) 형상으로 이루어질 수 있다.Here, the beam portion may have a bar shape in which the width thereof decreases toward the tip portion.

그리고, 상기 빔부는 범프와 연결되는 2단 빔부와 상기 범프 반대측의 2단 빔부 상부에 연결됨과 동시에 상기 2단 빔부와 연결되는 반대측 상부에 상기 팁부가 형성된 1단 빔부로 이루어질 수 있다.The beam unit may be formed of a two-stage beam unit connected to the bump and a first-stage beam unit having the tip portion formed at an upper portion of the opposite side connected to the two-stage beam unit while being connected to the upper portion of the two-stage beam unit opposite to the bump.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1l은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.1A to 1L are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam unit according to a first embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 다단 빔부를 구비한 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체는, 도 1a에 도시된 바와 같이 (1,0,0) 등과 같이 일정 방향성을 가진 실리콘 재질의 희생기판(10) 전면에 포토레지스트로 이루어지는 소정 두께의 제 1 보호막(12)을 형성한다.The electrical contact body for inspecting the cantilever type electronic device having the multi-stage beam part according to the present invention may be formed on the front surface of the sacrificial substrate 10 made of silicon material having a predetermined direction as shown in (1,0,0) as shown in FIG. 1A. The first protective film 12 of predetermined thickness which consists of a photoresist is formed.

이때, 상기 제 1 보호막(12)은 희생기판(10) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 분사 코팅하는 스핀 코팅(Spin coating)방식에 의해서 형성한 후, 소정 온도에서 베이크(Bake)함으로써 이루어질 수 있다.In this case, the first passivation layer 12 may be formed by a spin coating method of spray coating a photoresist on the sacrificial substrate 10 and then baked at a predetermined temperature. .

다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이 공지의 포토리소그래피(Photolithography)공정의 수행에 의해서 후속공정에서 홀(16)이 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴(14)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1B, a first passivation layer pattern 14 defining a region in which the hole 16 is to be formed in a subsequent process is formed by performing a known photolithography process.

이때, 상기 제 1 보호막 패턴(14)은 희생기판(10) 상에 소정의 레티클(Reticle)을 위치시킨 후, 노광 및 현상함으로써 형성할 수 있다.In this case, the first passivation layer pattern 14 may be formed by placing a predetermined reticle on the sacrificial substrate 10 and then exposing and developing the reticle.

이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 제 1 보호막 패턴(14)을 식각 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 후속공정에서 팁부(22)가 형성될 영역 즉, 홀(Hole : 16)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1C, an etching process is performed using the first passivation layer pattern 14 as an etching mask, thereby forming a region (Hole: 16) in which the tip portion 22 will be formed in a subsequent process. .

이때, 상기 식각공정은 공지기술로서 수산화칼륨(KOH), 불화수소(HF), 질산(HNO3) 및 초산(CH3COOH) 등이 일정비율로 혼합된 케미컬을 이용한 습식식각으로 이루어질 수 있으며, 상기 식각공정은 반응가스를 분해하여 분해 입자와 반응 표면이 반응하도록 유도하는 RIE(Reactive Ion Etching) 등의 건식식각을 사용할 수도 있다.At this time, the etching process may be made by wet etching using a chemical mixture of potassium hydroxide (KOH), hydrogen fluoride (HF), nitric acid (HNO 3 ) and acetic acid (CH 3 COOH) in a predetermined ratio as a known technique, The etching process may use dry etching such as reactive ion etching (RIE), which decomposes the reaction gas to induce the reaction of the decomposition particles and the reaction surface.

특히, 상기 홀(14)은 후속공정에 의해서 홀(16) 내부에 도전성 물질이 충분히 매립될 수 있도록 그 깊이를 얕게 형성함이 바람직하다.In particular, the hole 14 is preferably formed to have a shallow depth so that the conductive material is sufficiently embedded in the hole 16 by a subsequent process.

다음으로, 도 1d에 도시된 바와 같이 상기 희생기판(10) 상의 제 1 보호막 패턴(14)을 수산화나트륨(NaOH) 등의 케미컬을 이용한 식각공정 등의 수행에 의해서 제거한 후, 상기 희생기판(10) 상에 후속 도금공정의 수행을 위한 씨드층(Seed layer : 18)을 형성하고, 상기 씨드층(18) 상에 후속공정에 의해서 형성될 1단 빔부(24)의 형상을 한정하는 제 2 보호막 패턴(20)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1D, the first protective layer pattern 14 on the sacrificial substrate 10 is removed by performing an etching process using a chemical such as sodium hydroxide (NaOH), and then the sacrificial substrate 10. A second passivation layer for forming a seed layer 18 for performing a subsequent plating process on the seed layer and defining the shape of the first stage beam part 24 to be formed by a subsequent process on the seed layer 18. The pattern 20 is formed.

이때, 상기 씨드층(18)은 티타늄(Ti)/구리(Cu)로 이루어지는 복층으로써 스퍼터링(Sputtering) 등의 물리적 증착(Physical Vapor Deposition)방법에 의해서 형성한다. 그리고, 상기 제 2 보호막 패턴(20)은 제 1 보호막 패턴(14)과 동일한 방법에 의한 소정두께의 포토레지스트로 이루어지며, 상기 제 1 보호막 패턴(14)과동일하게 노광 및 현상공정을 수반하는 공지의 포토리소그래피공정에 의해서 형성할 수 있다.In this case, the seed layer 18 is a multilayer formed of titanium (Ti) / copper (Cu), and is formed by a physical vapor deposition method such as sputtering. The second passivation layer pattern 20 may be formed of a photoresist having a predetermined thickness by the same method as the first passivation layer pattern 14, and may be exposed and developed in the same manner as the first passivation layer pattern 14. It can form by a well-known photolithography process.

계속해서, 도 1e에 도시된 바와 같이 상기 제 1 보호막 패턴(14) 내부에 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금 등과 같은 도전성 금속 물질을 도금에 의해서 매립한 후, 그 상면을 평탄화 함으로써 팁부(22) 및 바(Bar) 형상의 1단 빔부(24)를 일체로 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1E, a conductive metal material such as a nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or the like is embedded in the first passivation layer pattern 14 by plating, and then the upper surface thereof is flattened to form a tip portion ( 22) and the bar-shaped first stage beam portion 24 are integrally formed.

이때, 상기 도금공정을 진행하는 과정에서 씨드층은 도금 물질이 제 1 보호막 패턴(14) 내부에 쉽게 흡착 충진되도록 하는 씨드(Seed)로 기능하며, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etchback) 및 그라인딩(Grinding 등의 방법을 사용할 수 있다.At this time, in the plating process, the seed layer functions as a seed to easily adsorb and fill the plating material inside the first passivation layer pattern 14, and the planarization process may be performed in chemical mechanical polishing (CMP), Etchback and grinding methods can be used.

이어서, 도 1f에 도시된 바와 같이 상기 제 2 보호막 패턴(20)을 수산화나트륨(NaOH) 등의 케미컬을 이용한 식각공정 등에 의해서 제거한 후, 상기 희생기판(10) 상에 후속공정에 의해서 1단 빔부(24) 상부에 형성될 2단 빔부(32)의 일측부를 지지하는 역할을 수행하는 제 1 지지체 형상(28)을 한정하는 제 3 보호막 패턴(26)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1F, the second passivation layer pattern 20 is removed by an etching process using chemicals such as sodium hydroxide (NaOH), and the like, and then the first stage beam part is formed on the sacrificial substrate 10 by a subsequent process. (24) A third passivation layer pattern 26 defining a first support shape 28 that serves to support one side of the two-stage beam part 32 to be formed thereon is formed.

이때, 상기 제 3 보호막 패턴(26)은 팁부(22) 반대측의 1단 빔부(24) 측면부를 개방하는 형상으로써 제 1 보호막 패턴(14) 및 제 2 보호막 패턴(20)과 동일하게 포토레지스트로 이루어지며, 그 형성 방법 또한 동일하다.In this case, the third passivation layer pattern 26 is a shape of opening the side surface of the first stage beam part 24 opposite to the tip portion 22 and is formed of photoresist in the same manner as the first passivation layer pattern 14 and the second passivation layer pattern 20. And the formation method thereof is the same.

다음으로, 도 1g에 도시된 바와 같이 상기 제 3 보호막 패턴(26) 내부에 구리(Cu) 물질을 도금에 의해서 매립함으로써 제 1 지지체(28)를 형성한 후, 그 상면을 평탄화한다.Next, as shown in FIG. 1G, after the copper (Cu) material is embedded in the third passivation layer pattern 26 by plating, the first support 28 is formed to planarize the upper surface thereof.

이때, 상기 도금공정을 진행하는 과정에서 씨드층(18)은 도금 물질이 제 3 보호막 패턴(26) 내부에 충진되도록 하는 씨드(Seed)로 기능하며, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etchback) 및 그라인딩(Grinding 등의 방법을 사용할 수 있다.In this case, the seed layer 18 serves as a seed (Seed) to the plating material is filled in the third protective film pattern 26 during the plating process, the planarization process is CMP (Chemical Mechanical Polishing), Etchback and grinding methods can be used.

이어서, 도 1h에 도시된 바와 같이 상기 평탄화공정이 완료된 희생기판(10) 상에 후속공정에 의해서 형성될 2단 빔부(32)의 형상 즉, 팁부(22) 반대측의 1단 빔부(@4) 상면 부위와 제 1 지지체(28) 상면을 완전히 개방하는 제 4 보호막 패턴(30)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1H, the shape of the two-stage beam portion 32 to be formed by a subsequent process on the sacrificial substrate 10 on which the planarization process is completed, that is, the one-stage beam portion (@ 4) opposite the tip portion 22 is performed. A fourth passivation layer pattern 30 is formed to completely open the upper surface portion and the upper surface of the first support 28.

이때, 상기 제 4 보호막 패턴(30)은 제 1 보호막 패턴(14), 제 2 보호막 패턴(20) 및 제 3 보호막 패턴(26)과 동일하게 포토레지스트로 이루어지며, 그 형성 방법 또한 동일하다.In this case, the fourth passivation layer pattern 30 is made of photoresist in the same manner as the first passivation layer pattern 14, the second passivation layer pattern 20, and the third passivation layer pattern 26.

다음으로, 도 1i에 도시된 바와 같이 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금 등과 같은 도전성 금속 물질을 제 4 보호막 패턴(30) 내부에 도금에 의해서 매립한 후, 그 상면을 평탄화 함으로써 1단 빔부(24)와 연결 적층된 바(Bar) 형상의 2단 빔부(32)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 1I, a conductive metal material such as a nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or the like is embedded in the fourth passivation layer pattern 30 by plating, and then the upper surface thereof is flattened to flatten the upper surface thereof. A bar-shaped two-stage beam part 32 connected to the stack 24 is formed.

이때, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etchback) 및 그라인딩(Grinding 등의 방법을 사용할 수 있다.In this case, the planarization process may use methods such as chemical mechanical polishing (CMP), etchback, and grinding.

계속해서, 도 1j에 도시된 바와 같이 수산화나트륨(NaOH) 등의 케미컬을 이용한 식각공정의 수행에 의해서 제 4 보호막 패턴(30) 및 그 하부의 제 3 보호막패턴(26)을 제거한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1J, the fourth passivation layer pattern 30 and the lower third passivation layer pattern 26 are removed by performing an etching process using a chemical such as sodium hydroxide (NaOH).

이때, 상기 보호막 패턴(30, 26)을 제거하는 과정에 2단 빔부(32)의 하측에 구리(Cu) 재질의 제 1 지지체(28)가 형성되어 있으므로 인해서 2단 빔부(32)가 붕괴되는 것을 방지할 수 있다.In this case, since the first support 28 made of copper (Cu) is formed under the two-stage beam part 32 in the process of removing the protective layer patterns 30 and 26, the two-stage beam part 32 collapses. Can be prevented.

이어서, 도 1k에 도시된 바와 같이 일정 회로 패턴이 구현된 공간 변형기(Space tranformer) 등의 전기 구성체(40) 상에 범프(Bump : 42)를 형성한 후, 보호막 패턴(26, 30)이 제거된 희생기판(10) 상의 2단 빔부(32)를 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 등의 방법에 의해서 서로 연결한다.Subsequently, as shown in FIG. 1K, bumps 42 are formed on an electric component 40 such as a space tranformer in which a certain circuit pattern is implemented, and then the protective film patterns 26 and 30 are removed. The two-stage beam part 32 on the sacrificial substrate 10 is connected to each other by flip chip bonding or the like.

이때, 상기 범프(42)는 팁부(22) 반대측의 2단 빔부(32) 상부와 본딩 연결된다.In this case, the bump 42 is bonded to the upper portion of the two-stage beam part 32 opposite to the tip part 22.

마지막으로, 도 1l에 도시된 바와 같이 2단 빔부(32) 형성과정에 2단 빔부(32) 지지 역할을 수행한 제 1 지지체(28)를 초산(CH3COOH), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수(Deionized water)가 일정 비율로 혼합된 케미컬을 이용한 습식식각공정에 의해서 제거하고, 상기 희생기판(10)을 수산화칼륨(KOH) 및 탈이온수가 일정 비율로 혼합된 케미컬을 이용한 습식식각공정에 의해서 제거함으로써 팁부(22), 1단 빔부(24) 및 2 단 빔부(32)를 구비한 전기적 접촉체를 완성한다.Finally, as shown in FIG. 1L, the first support 28 serving as the second stage beam unit 32 supporting role in the process of forming the two stage beam unit 32 is replaced with acetic acid (CH 3 COOH) and hydrogen peroxide (H 2 O 2). ) And deionized water are removed by a wet etching process using a chemical mixed in a predetermined ratio, and the sacrificial substrate 10 is wetted using a chemical mixture of potassium hydroxide (KOH) and deionized water in a predetermined ratio. By removing by the etching process, the electrical contact body provided with the tip part 22, the 1st stage beam part 24, and the 2nd stage beam part 32 is completed.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 2단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 사시도이다.2 is a perspective view of an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a two-stage beam part according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체는, 도 2에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB(Printed Circuit Board) 등의 전기 구성체(Electric component : 40)의 터미널(Terminal : 넘버링되지 않음)과 전기적 접촉체의 바형의 2단 빔부(32)가 범프(42)를 사이에 두고 플립칩(Flip chip) 본딩(Bonding) 등에 의해서 서로 연결되어 있다.An electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam part according to a first embodiment of the present invention may include an electrical structure such as a printed circuit board (PCB) having a predetermined circuit pattern as shown in FIG. 2. The terminal of the component 40 is not numbered and the bar-shaped two-stage beam portion 32 of the electrical contact is connected to each other by flip chip bonding or the like with the bump 42 interposed therebetween. have.

그리고, 상기 범프(42) 반대측 바형의 2단 빔부(32) 가장자리 위에 바형의 1단 빔부(24)가 위치하고, 상기 2단 빔부(32) 반대측의 1단 빔부(24) 상에는 반도체 칩 등의 패드(Pad)와 일정 물리력(F)에 의해서 직접 접촉하는 팁부(22)가 1단 빔부(24)와 일체로 형성되어 있다.The bar-shaped first stage beam unit 24 is positioned on the edge of the bar-shaped second stage beam unit 32 opposite to the bump 42, and a pad such as a semiconductor chip is disposed on the first stage beam unit 24 opposite the second stage beam unit 32. A tip portion 22 which is in direct contact with Pad by a constant physical force F is integrally formed with the first stage beam portion 24.

이때, 상기 2단 빔부(32)에서 1단 빔부(24)로 갈수록 그 폭이 감소하는 바 형상으로 이루어질 수 있고, 상기 팁부(22)는 사각뿔대 형상, 사각기둥형상 등과 같이 다양한 형상이 채용될 수 있다.In this case, the width of the two-stage beam section 32 toward the first stage beam section 24 may be formed in a bar shape, and the tip portion 22 may have various shapes such as a square pyramid shape and a square pillar shape. Can be.

따라서, 상기 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 팁부(22)는, 전기 구성체(40)를 통해서 가해지는 일정 물리력(F)에 의해서 반도체 칩 등의 패드와 직접 접촉하여 반도체 칩에 소정의 전기 신호를 인가함으로써 반도체 칩의 정상 유무를 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting)공정이 진행된다.Accordingly, the tip portion 22 of the electrical contact body for inspecting the electronic device is in direct contact with a pad such as a semiconductor chip by a constant physical force F applied through the electrical component 40 to provide a predetermined electrical signal to the semiconductor chip. By applying, an EDS (Electrical Die Sorting) process of inspecting whether a semiconductor chip is normally present is performed.

이때, 본 발명에 따른 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 팁부(22) 단부와 반도체 칩 등의 패드 사이의 이격거리가 기존의 캔틸레버형 전기적 접촉체보다 상대적으로 증가됨으로써 충분한 OD(Over Drive)를 가할 수 있게 된다.At this time, the separation distance between the tip of the tip portion 22 of the electrical contact for the electronic device inspection according to the present invention and the pad of the semiconductor chip is increased relative to the conventional cantilever-type electrical contact to apply a sufficient OD (Over Drive) It becomes possible.

보다 상세히 설명하면, 일반적으로 EDS공정을 수행함에 있어서 전기적 접촉체에 가해지는 물리력(F)에 의해서 반도체 등의 패드 표면에 형성된 자연 산화막을 충분히 뚫고 패드와 직접 접촉하도록 OD(Over Drive)를 가하게 된다.More specifically, in performing the EDS process, an OD (Over Drive) is applied to sufficiently penetrate a natural oxide film formed on the surface of a pad such as a semiconductor and directly contact the pad by the physical force F applied to the electrical contact body. .

이때, 본 발명에 따른 전자소자 검사용 전기적 접촉체는 2단 빔부(32) 상부와 연결된 1단 빔부(24) 상에 팁부(22)가 구비됨으로써 1단 빔부(24)의 두께 또는 2단 빔부(32)의 두께 만큼의 마진(Margine)을 확보할 수 있으므로 마진만큼의 OD를 반도체 등의 패드에 더 가할 수 있는 것이다.At this time, the electrical contact for inspecting the electronic device according to the present invention is provided with a tip portion 22 on the first stage beam portion 24 connected to the second stage beam portion 32, the thickness of the first stage beam portion 24 or the second stage beam portion Margin can be secured by the thickness of (32), so that OD can be added to pads such as semiconductors.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a three-stage beam part according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이 제 1 실시예와 동일한 공정을 진행하여 도 1j에 도시된 바와 같이 제 4 보호막 패턴(30) 및 그 하부의 제 3 보호막 패턴(26)을 제거함으로써 팁부(22), 1단 빔부(24), 제 1 지지체(28) 및 그 상부의 2 단빔부(32)가 형성된 희생기판(10)을 준비한다.According to the second embodiment of the present invention, a method for manufacturing an electrical contact body for inspecting a cantilever type electronic device having a three-stage beam part is performed by the same process as that of the first embodiment, as shown in FIG. As described above, the tip portion 22, the first stage beam portion 24, the first support body 28, and the second stage beam portion 32 thereon are removed by removing the fourth protective layer pattern 30 and the third protective layer pattern 26 thereunder. Prepare the sacrificial substrate 10 is formed.

그리고, 상기 제 1 지지체(28) 및 2단 빔부(32) 측부의 희생기판(10) 상에 후속공정에 의해서 형성될 3단 빔부(56)의 일측부를 지지하는 역할을 수행하는 제 2 지지체(52a, 52b)의 형상을 한정하는 제 5 보호막 패턴(50)을 형성한다.And, the second support which serves to support one side of the three-stage beam portion 56 to be formed by a subsequent process on the sacrificial substrate 10 on the side of the first support 28 and the two-stage beam portion 32 ( The fifth protective film pattern 50 which defines the shape of 52a, 52b is formed.

이때, 상기 제 5 보호막 패턴(50)은 선행된 제 4 보호막 패턴(30) 등과 동일하게 포토레지스트로 이루어지며, 그 형성 방법 또한 동일하다.In this case, the fifth passivation layer pattern 50 is made of photoresist in the same manner as the fourth passivation layer pattern 30 and the like, and the formation method thereof is also the same.

다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 제 5 보호막 패턴(50) 내부에 구리(Cu)물질을 도금에 의해서 매립함으로써 제 2 지지체(52a, 52b)를 형성한 후, 그 상면을 평탄화한다.Next, as shown in FIG. 3B, after the copper (Cu) material is embedded in the fifth passivation layer pattern 50 by plating, the upper surfaces of the second supports 52a and 52b are formed.

이때, 상기 제 2 지지체(52a, 52b)는, 팁부(22) 위의 1단 빔부(24) 상부 및 제 1 지지체(28) 및 2단 빔부(32) 측부에 각각 형성된다.In this case, the second supports 52a and 52b are formed on the first beam 28 and the first support 28 and the second beam 32 on the tip 22.

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이 제 2 지지체(52a, 52b)가 형성된 희생기판(10) 상에 3단 빔부(56)의 형상을 한정하는 제 6 보호막 패턴(54)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, a sixth passivation layer pattern 54 defining a shape of the three-stage beam part 56 is formed on the sacrificial substrate 10 on which the second supports 52a and 52b are formed.

이때, 상기 제 6 보호막 패턴(54)은, 선행된 제 5 보호막 패턴(50)과 동일하게 포토레지스트로 이루어지며, 그 형성 방법 또한 동일하다.In this case, the sixth passivation layer pattern 54 is made of photoresist similarly to the fifth passivation layer pattern 50 described above, and the formation method thereof is also the same.

계속해서, 도 3d에 도시된 바와 같이 제 6 보호막 패턴(54) 내부에 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금 등과 같은 도전성 금속 물질을 도금에 의해서 매립한 후, 그 상면을 평탄화 함으로써 바(Bar) 형상의 3단 빔부(56)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3D, a conductive metal material such as a nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or the like is embedded in the sixth passivation layer pattern 54 by plating, and then the upper surface thereof is flattened to form a bar. The three-stage beam part 56 of the () shape is formed.

이때, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etchback) 및 그라인딩(Grinding 등의 방법을 사용할 수 있다.In this case, the planarization process may use methods such as chemical mechanical polishing (CMP), etchback, and grinding.

계속해서, 도 3e에 도시된 바와 같이 수산화나트륨(NaOH) 등의 케미컬을 이용한 식각공정의 수행에 의해서 제 6 보호막 패턴(54) 및 그 하부의 제 5 보호막 패턴(50)을 제거한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3E, the sixth passivation layer pattern 54 and the fifth passivation layer pattern 50 underneath are removed by performing an etching process using a chemical such as sodium hydroxide (NaOH).

이때, 상기 보호막 패턴(50, 54)을 제거하는 과정에 3단 빔부(56)의 하측에 제 2 지지체(52a, 52b)가 형성되어 있으므로 인해서 3단 빔부(56)가 붕괴되는 것을 방지할 수 있다.In this case, since the second supports 52a and 52b are formed under the three-stage beam part 56 in the process of removing the protective film patterns 50 and 54, the three-stage beam part 56 may be prevented from being collapsed. have.

이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이 일정 회로 패턴이 구현된 공간변형기(Space tranformer) 등의 전기 구성체(60) 상에 범프(Bump : 62)를 형성한 후, 상기 보호막 패턴(50, 54)이 제거된 희생기판(10) 상의 3단 빔부(56)를 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 등의 방법에 의해서 서로 본딩 연결한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3F, bumps 62 are formed on an electrical structure 60 such as a space tranformer in which a predetermined circuit pattern is implemented, and then the protective film patterns 50 and 54 are formed. The three-stage beam part 56 on the removed sacrificial substrate 10 is bonded to each other by flip chip bonding or the like.

이때, 상기 범프(62)는 팁부(22) 반대측의 3단 빔부(56) 상부와 본딩 연결된다.In this case, the bump 62 is bonded to the upper part of the three-stage beam part 56 opposite to the tip part 22.

마지막으로, 도 3g에 도시된 바와 같이 3단 빔부(56) 형성과정에 지지 역할을 수행한 제 1 지지체(28) 및 제 2 지지체(52a, 52b)와 희생기판(10)을 제거함으로써 팁부(22), 1단 빔부(24), 2 단 빔부 및 3단 빔부(56)를 구비한 전기적 접촉체를 완성한다.Lastly, as shown in FIG. 3G, the tip part (by removing the first support body 28, the second support body 52a and 52b and the sacrificial substrate 10, which played a supporting role in forming the three-stage beam part 56), 22), an electrical contact having a first stage beam section 24, a second stage beam section and a third stage beam section 56 is completed.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 사시도이다.4 is a perspective view of an electrical contact for inspecting cantilever type electronic devices having a three-stage beam part according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 3단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체는, 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB(Printed Circuit Board) 등의 전기 구성체(Electric component : 60)의 터미널(Terminal : 넘버링되지 않음)과 전기적 접촉체의 바형의 3단 빔부(56)가 범프(62)를 사이에 두고 플립칩(Flip chip) 본딩 등에 의해서 서로 연결되어 있다.An electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a three-stage beam part according to a second embodiment of the present invention may include an electrical structure such as a printed circuit board (PCB) having a predetermined circuit pattern as shown in FIG. 4. Terminals (not numbered) of the electric component 60 and the bar-shaped three-stage beam portion 56 of the electrical contact body are connected to each other by flip chip bonding or the like with the bump 62 interposed therebetween.

그리고, 상기 범프(62) 반대측 바형의 3단 빔부(56) 가장자리 위에 바형의 2 단 빔부(32)가 위치하고, 상기 2단 빔부(32) 반대측의 2단 빔부(32) 상에 바형의 1단 빔부(24)가 위치하여 있다.Then, the bar-shaped two-stage beam section 32 is positioned on the edge of the bar-shaped three-stage beam section 56 opposite to the bump 62, and the bar-shaped one-stage section on the two-stage beam section 32 opposite the two-stage beam section 32. The beam part 24 is located.

그리고, 상기 2단 빔부(32) 반대측의 1단 빔부(24) 상에는 반도체 칩 등의패드(Pad)와 일정 물리력(F)에 의해서 접촉하는 팁부(22)가 1단 빔부(24)와 일체로 형성되어 있다.In addition, on the first stage beam unit 24 opposite the second stage beam unit 32, the tip unit 22 contacting the pad Pad such as a semiconductor chip by a constant physical force F may be integrally formed with the first stage beam unit 24. Formed.

이때, 상기 3단 빔부(56)에서 1단 빔부(24)로 갈수록 그 폭이 감소하는 바형상으로 이루어질 수 있고, 상기 팁부(22)는 사각뿔대 형상, 사각기둥형상 등과 같이 다양한 형상이 채용될 수 있다.At this time, the width of the three-stage beam portion 56 from the first stage beam portion 24 may be formed in a bar shape that decreases, and the tip portion 22 may have various shapes such as a square pyramid shape, a square pillar shape, and the like. Can be.

따라서, 상기 전자소자 검사용 전기적 접촉체는 전기 구성체(60)를 통해서 가해지는 일정 물리력(F)에 의해서 반도체 칩 등의 패드와 직접 접촉하여 반도체 칩에 소정의 전기 신호를 인가함으로써 반도체 칩의 정상 유무를 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting)공정이 진행된다.Therefore, the electrical contact for the electronic device inspection is in normal contact with the pad by applying a predetermined electrical signal to the semiconductor chip in direct contact with the pad such as the semiconductor chip by a constant physical force (F) applied through the electrical component 60. EDS (Electrical Die Sorting) process to check the presence is in progress.

이때, 본 발명에 따른 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 팁부(22) 단부와 반도체 칩 등의 패드 사이의 이격거리는 기존의 캔틸레버형 전기적 접촉체보다 상대적으로 증가됨으로써 충분한 OD(Over Drive)를 가할 수 있게 된다.At this time, the separation distance between the tip of the tip portion 22 of the electrical contact for the electronic device inspection according to the present invention and the pad of the semiconductor chip is increased relative to the conventional cantilever-type electrical contact can be applied a sufficient OD (Over Drive) Will be.

보다 상세히 설명하면, 일반적으로 EDS공정을 수행함에 있어서 전기적 접촉체에 가해지는 물리력(F)에 의해서 반도체 등의 패드 표면에 형성된 자연 산화막을 충분히 뚫고 패드와 직접 접촉하도록 OD(Over Drive)를 가하게 된다.More specifically, in performing the EDS process, an OD (Over Drive) is applied to sufficiently penetrate a natural oxide film formed on the surface of a pad such as a semiconductor and directly contact the pad by the physical force F applied to the electrical contact body. .

이때, 본 발명에 따른 전자소자 검사용 전기적 접촉체는 3단 빔부(56) 및 2단 빔부(32) 상부와 연결된 1단 빔부(24) 상에 팁부(22)가 구비됨으로써 1단 빔부(24) 내지 3단 빔부(56) 중의 2개의 빔부의 두께 만큼의 마진(Margine)을 확보할 수 있으므로 마진만큼의 OD를 반도체 등의 패드에 더 가할 수 있는 것이다.At this time, the electrical contact for the electronic device inspection according to the present invention is provided with a tip portion 22 on the first stage beam portion 24 connected to the three-stage beam portion 56 and the second stage beam portion 32, the first stage beam portion 24 Margin can be secured as much as the thickness of the two beams in the three-stage beam section 56), so that the marginal OD can be further added to pads such as semiconductors.

본 발명에 의하면, 전기적 접촉체의 빔부가 2단, 3단 등과 같이 다단형으로 적층됨으로써 반도체 패드 등의 검사 대상체의 상부 표면과 팁부의 단부 사이의 거리를 증가시킬 수 있다.According to the present invention, the beam portion of the electrical contact body is stacked in multiple stages such as two stages, three stages, etc., thereby increasing the distance between the upper surface of the inspection object such as the semiconductor pad and the end of the tip portion.

따라서, 적층된 빔부의 두께만큼의 마진이 확보됨으로써 반도체 패드 등의 검사 대상체의 표면에 가해지는 물리력(F)에 의한 충분한 OD(Over Drive)를 확보하여 반도체 패드의 자연 산화막을 용이하게 뚫어 접촉할 수 있도록 하는 효과가 있다.Therefore, the margin as much as the thickness of the stacked beam part is secured to secure sufficient OD (Over Drive) due to the physical force (F) applied to the surface of the inspection object such as the semiconductor pad to easily penetrate and contact the natural oxide film of the semiconductor pad. It has the effect of making it possible.

특히, 검사 대상체의 상부 표면과 팁부의 단부 사이의 거리를 증가됨으로써 팁부의 길이를 축소할 수 있다.In particular, the length of the tip portion can be reduced by increasing the distance between the top surface of the test object and the end of the tip portion.

따라서, 희생기판 상에 형성되는 홀의 깊이를 얕게 형성하여 홀 내부에 도전성 물질이 충분히 매립되도록 할 수 있는 효과가 있다.Therefore, there is an effect that the depth of the hole formed on the sacrificial substrate is made shallow so that the conductive material can be sufficiently embedded in the hole.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

Claims (15)

희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer pattern on the sacrificial substrate; 상기 제 1 보호막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 상에 팁부 형성용 홀(Hole)을 형성하는 단계;Forming a tip forming hole on the sacrificial substrate by performing an etching process using the first passivation layer pattern as an etching mask; 상기 제 1 보호막 패턴을 제거한 후, 상기 희생기판 상에 상기 홀을 포함하는 1단 빔부 형성용 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계;Removing the first passivation layer pattern, and forming a second passivation layer pattern for forming the first stage beam part including the hole on the sacrificial substrate; 상기 제 2 보호막 패턴 내부에 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 팁부 및 1단 빔부를 일체로 형성하는 단계:Embedding a first conductive material in the second passivation pattern to integrally form the tip portion and the first stage beam portion; 상기 제 2 보호막 패턴을 제거한 후, 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 측면만을 한정 개방하는 제 1 지지체 형성용 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계;Removing the second passivation pattern, and forming a third passivation layer pattern for forming the first support to limit only the side surface of the first stage beam part opposite to the tip part; 상기 제 3 보호막 패턴 내부에 제 2 도전성 물질을 매립하여 상기 제 1 지지체를 형성하는 단계;Embedding a second conductive material in the third passivation pattern to form the first support; 상기 제 1 지지체가 형성된 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 상단부와 연결되면서 상기 제 1 지지체 의해서 지지되는 2단 빔부를 형성하기 위한 제 4 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a fourth passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first support is formed to form a second beam portion supported by the first support while being connected to the upper end of the first beam portion opposite to the tip portion; And 상기 제 4 보호막 패턴 내부에 상기 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 2단 빔부를 형성하는 단계;Filling the first conductive material in the fourth passivation pattern to form the two-stage beam part; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법Method for manufacturing a cantilever type electronic device inspection having a multi-stage beam portion comprising a 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2단 빔부를 형성한 후, 상기 제 3 보호막 패턴 및 제 4 보호막 패턴을 제거하는 단계;Removing the third passivation layer pattern and the fourth passivation layer pattern after forming the two-stage beam part; 상기 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 1단 빔부 및 제 1 지지체 측면만을 한정 개방하는 제 2 지지체 형성용 제 5 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a fifth passivation layer pattern for forming a second support on the sacrificial substrate, the second support forming the first support beam and the first support side by the opposite side of the tip; 상기 제 5 보호막 패턴 내부에 제 2 도전성 물질을 매립하여 제 2 지지체를 형성하는 단계:Filling a second conductive material in the fifth passivation pattern to form a second support; 상기 제 2 지지체가 형성된 희생기판 상에 상기 팁부 반대측의 상기 2단 빔부 상단부와 연결되면서 상기 제 2 지지체 의해서 지지되는 3단 빔부를 형성하기 위한 제 6 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a sixth passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the second support is formed to form a three-stage beam portion supported by the second support while being connected to an upper end of the second stage beam portion opposite to the tip portion; And 상기 제 6 보호막 패턴 내부에 상기 제 1 도전성 물질을 매립하여 상기 3단 빔부를 형성하는 단계;Filling the first conductive material in the sixth passivation pattern to form the three-stage beam part; 를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.Method of manufacturing an electrical contact for inspecting the cantilever type electronic device having a multi-stage beam portion characterized in that it further performs. 제 1 항에 있어서, 상기 2단 빔부를 형성한 후, 상기 제 3 보호막 패턴 및 제 4 보호막 패턴을 제거하는 단계와 상기 팁부 반대측의 2단 빔부 상부와 전기 구성체를 범프를 게재하여 서로 본딩하는 단계와 상기 제 1 지지체 및 희생기판을 제거하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.The method of claim 1, after the forming of the two-stage beam part, removing the third protective film pattern and the fourth protective film pattern, and bonding the upper part of the two-stage beam part opposite the tip part and the electrical structure by bonding bumps to each other. And removing the first support and the sacrificial substrate further comprising the step of removing the first support and the sacrificial substrate. 제 2 항에 있어서, 상기 3단 빔부를 형성한 후, 상기 제 5 보호막 패턴 및 제 6 보호막 패턴을 제거하는 단계와 상기 팁부 반대측의 3단 빔부 상부와 전기 구성체를 범프를 게재하여 서로 본딩하는 단계와 상기 제 1 지지체, 제 2 지지체 및 희생기판을 제거하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.3. The method of claim 2, further comprising removing the fifth passivation pattern and the sixth passivation pattern after forming the three-stage beam part, and bonding the upper part of the three-stage beam part and the electrical structure opposite to the tip part by bonding a bump to each other. And removing the first support, the second support, and the sacrificial substrate, further comprising the step of removing the first support, the second support, and the sacrificial substrate. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 보호막 패턴, 지지체 및 희생기판은 서로 상이한 케미컬을 사용한 순차적 습식식각공정에 의해서 제거하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.[5] The electrical contact body of claim 3 or 4, wherein the protective layer pattern, the support, and the sacrificial substrate are removed by a sequential wet etching process using different chemicals. Manufacturing method. 제 3 항 내지 제 4 항에 있어서, 상기 보호막 패턴은 포토레지스트로 이루어지고, 상기 보호막 패턴은 노광 및 현상공정의 수행에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.The electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam part according to claim 3, wherein the protective film pattern is formed of a photoresist, and the protective film pattern is formed by performing an exposure and development process. Method of making sieves. 제 1 항에 있어서, 상기 홀을 형성한 후, 상기 희생기판 상에 도금용 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계를 더 수행함으로써 상기 팁부, 1단 빔부, 2단빔부 및 제 1 지지체는 도금에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.The method of claim 1, further comprising forming a seed layer for plating on the sacrificial substrate after the hole is formed, thereby plating the tip part, the first stage beam portion, the second stage beam portion, and the first support. A method of manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam portion, characterized in that it is formed by. 제 2 항에 있어서, 상기 홀을 형성한 후, 상기 희생기판 상에 도금용 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계를 더 수행함으로써 상기 팁부, 1단 빔부, 2단 빔부, 3단 빔부, 제 1 지지체 및 제 2 지지체는 도금에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.3. The method of claim 2, further comprising forming a seed layer for plating on the sacrificial substrate after forming the hole, thereby forming the tip part, the first stage beam unit, the second stage beam unit, and the third stage beam unit. 1. A method for manufacturing an electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam portion, wherein the first support and the second support are formed by plating. 제 1 항에 있어서, 상기 팁부, 1단 빔부 및 2 단 빔부는 니켈-코발트 합금 재질로 이루어지고, 상기 제 1 지지체는 구리 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.According to claim 1, wherein the tip portion, the first stage beam portion and the second stage beam portion is made of nickel-cobalt alloy material, the first support is made of a copper material, characterized in that the cantilever-type electronic device inspection having a multi-stage beam portion. Method for producing a contact. 제 2 항에 있어서, 상기 팁부, 1단 빔부, 2단 빔부 및 3단 빔부는 니켈-코발트 합금 재질로 이루어지고, 상기 제 1 지지체 및 제 2 지지체는 구리 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법.The multi-stage beam unit of claim 2, wherein the tip unit, the first stage beam unit, the second stage beam unit, and the third stage beam unit are made of nickel-cobalt alloy material, and the first support and the second support are made of copper. A method of manufacturing an electrical contact having a cantilever type electronic device inspection. 전기 구성체 상에 범프를 게재하여 연결되는 빔부와 상기 빔부 단부에 형성된 팁부가 MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정에 의해서 구현되는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 있어서,In the electrical contact for inspecting cantilever-type electronic device is implemented by a micro electro mechanical system (MEMS) process, the beam portion connected by placing a bump on the electrical component and the tip portion formed at the end of the beam portion, 상기 빔부는 범프와 연결되는 2단 빔부와, 상기 범프 반대측의 2단 빔부 상부에 연결됨과 동시에 상기 2단 빔부와 연결되는 반대측 상부에 상기 팁부가 형성된 1단 빔부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체.The beam part includes a two-stage beam part connected to the bump, and a multi-stage beam part connected to an upper part of the two-stage beam part opposite to the bump and at the same time the tip part is formed on the upper part opposite to the two-stage beam part. The branch is an electrical contact for inspecting cantilever type electronic devices. 제 11 항에 있어서, 상기 빔부는 상기 팁부 방향으로 갈수록 그 폭이 감소하는 바(Bar) 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체.12. The electrical contact of claim 11, wherein the beam portion has a bar shape in which a width thereof decreases toward the tip portion. 삭제delete 제 11 항에 있어서, 상기 빔부는 니켈-코발트 합금 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체.12. The electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device according to claim 11, wherein the beam part is made of a nickel-cobalt alloy material. 전기 구성체 상에 범프를 게재하여 연결되는 빔부와 상기 빔부 단부에 형성된 팁부가 MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정에 의해서 구현되는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 있어서,In the electrical contact for inspecting cantilever-type electronic device is implemented by a micro electro mechanical system (MEMS) process, the beam portion connected by placing a bump on the electrical component and the tip portion formed at the end of the beam portion, 상기 빔부는 범프와 연결되는 3단 빔부와, 상기 범프 반대측의 3단 빔부 상부에 연결되는 2단 빔부와, 상기 2단 빔부와 3단 빔부의 연결부위 반대측의 2단 빔부 상부에 연결되고 상기 2단 빔부와 연결되는 반대측 상부에 상기 팁부가 형성된 1단 빔부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다단 빔부를 가지는 캔틸레버형 전자소자 검사용 전기적 접촉체.The beam part is connected to the three-stage beam part connected to the bump, the two-stage beam part connected to the upper three-stage beam part opposite to the bump, and the two-stage beam part connected to the upper side of the second stage beam part opposite to the connection portion of the two-stage beam part and the three-stage beam part, An electrical contact for inspecting a cantilever type electronic device having a multi-stage beam unit, comprising a single-stage beam unit having the tip portion formed on an upper side opposite to the short beam unit.
KR1020030091354A 2003-12-15 2003-12-15 Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby KR100444436B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030091354A KR100444436B1 (en) 2003-12-15 2003-12-15 Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030091354A KR100444436B1 (en) 2003-12-15 2003-12-15 Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100444436B1 true KR100444436B1 (en) 2004-08-21

Family

ID=37362239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030091354A KR100444436B1 (en) 2003-12-15 2003-12-15 Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100444436B1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7059047B2 (en) Sockets for “springed” semiconductor devices
US6297164B1 (en) Method for producing contact structures
JP2005517192A (en) Manufacturing method of electrical contact body for inspection of electronic device and electrical contact body using the same
KR20060021420A (en) Probe and manufacturing method thereof
KR100749735B1 (en) Method of fabricating cantilever type probe and method of fabricating probe card using the same
US20080079453A1 (en) Manufacture Method Of Vertical-Type Electric Contactor Vertical-Type Electric Contactor Thereof
WO2006085573A1 (en) Interposer, probe card and method for manufacturing interposer
KR100523745B1 (en) Microprobe and Method for Manufacturing the Same Using MEMS and Electroplating Technology
KR100703043B1 (en) Probe substrate for test and manufacturing method thereof
KR100580784B1 (en) Method for manufacturing electric contactor
KR100444436B1 (en) Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby
KR20090030543A (en) Probe pin and method of manufacturing the same
TWI345064B (en) Cmos process compatible mems probe card
US7675305B2 (en) Vertical-type electric contactor and manufacture method thereof
US20020125901A1 (en) Probe for inspecting semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101273970B1 (en) Method of Manufacturing Probe Needle and Probe
KR100475468B1 (en) Electric contact element for testing electro device
JP2003121469A (en) Probe manufacturing method and probe card manufacturing method
KR101334458B1 (en) A Probe Structure And Making Method For The Same
JP2006032105A (en) Contact terminal, manufacturing method of the same, mounting connector, and socket for inspection
KR20080114199A (en) Method for producing probe card and probe card thereby
JP2003121470A (en) Probe manufacturing method and probe
KR101301737B1 (en) Method for producing probe card
KR101378391B1 (en) Method for producing probe card
JP2000243772A (en) Bump electrode forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130806

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140609

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee