KR100438813B1 - METHOD FOR FABRICATING GALLIUM NITRIDE WAFER TO EASILY SEPARATE SAPPHIRE SUBSTRATE AND AVOID DETERIORATION CAUSED BY ZnO BUFFER LAYER - Google Patents

METHOD FOR FABRICATING GALLIUM NITRIDE WAFER TO EASILY SEPARATE SAPPHIRE SUBSTRATE AND AVOID DETERIORATION CAUSED BY ZnO BUFFER LAYER Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A method for fabricating a gallium nitride wafer is provided to easily separate a sapphire substrate and avoid deterioration caused by a ZnO buffer layer between substrate and a gallium nitride thick layer by preventing zinc from being excessively volatilized from the ZnO buffer layer. CONSTITUTION: ZnO is grown on a substrate(31) to form the first buffer layer(32). A buffer material with respect to gallium nitride is grown at a temperature at which zinc is not volatilized from the first buffer layer, so as to form the second buffer layer(33). A gallium nitride thick layer(34) is grown on the second buffer layer. The substrate and the first buffer layer are eliminated.

Description

질화갈륨(ＧａＮ) 웨이퍼 제조 방법Gallium nitride wafer manufacturing method

본 발명은 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a gallium nitride (GaN) wafer.

질화갈륨은, 밴드갭(band gap) 에너지가 3.39 eV(electron Volt)인 직접 천이형 광대역 반도체(wide bandgap semiconductor)로서, 청색 발광 소자 및 고온 전자 소자로의 응용에 적합한 물질이다. 이 질화갈륨 결정의 웨이퍼 및 이를 이용한 소자 개발은 오래전부터 그 중요성이 인식되어 왔으나, 고품질의 질화갈륨 웨이퍼를 제조하기 어려운 실정이다.Gallium nitride is a direct wide bandgap semiconductor having a band gap energy of 3.39 eV (electron volt), and is a material suitable for application to blue light emitting devices and high temperature electronic devices. The development of a wafer of gallium nitride crystals and devices using the same has been recognized for a long time, but it is difficult to manufacture high quality gallium nitride wafers.

도 1에는 종래의 한 질화갈륨 웨이퍼의 공정 단면이 도시되어 있다. 도 1의 질화 갈륨 웨이퍼 제조 방법은, 이종 기판(11) 위에 질화갈륨 후막(12)을 직접 성장시키는 방법이다.1 shows a process cross section of a conventional gallium nitride wafer. The gallium nitride wafer manufacturing method of FIG. 1 is a method of directly growing a gallium nitride thick film 12 on a dissimilar substrate 11.

질화갈륨은, 그 융점에서 질소의 높은 증기압이 발생되므로, 일반적인 액상으로부터의 결정 성장이 어렵다. 이에 따라, 기상 성장 방식의 하나인 HVPE(Hydride or Halide Vapor Phase Epitaxy) 방식이 질화갈륨의 결정 성장에 채용된다. 즉, 이종 기판(11) 위에 가스들을 흘려줌으로써 가스들의 반응에 의하여 결정이 성장되게 하는 방식이다. 한편, 이종(異種) 기판 위에 질화갈륨 후막층을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방식으로 성장시키는 방법도 개발된 바 있다.Since gallium nitride has a high vapor pressure of nitrogen at its melting point, crystal growth from a general liquid phase is difficult. As a result, a HVPE (Hydride or Halide Vapor Phase Epitaxy) method, which is one of vapor phase growth methods, is employed for crystal growth of gallium nitride. That is, by flowing the gases over the heterogeneous substrate 11, the crystals are grown by the reaction of the gases. Meanwhile, a method of growing a gallium nitride thick film layer on a dissimilar substrate by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method has also been developed.

상기와 같은 직접 성장 방법으로써 고품질의 질화갈륨 결정을 얻으려면, 이종(異種) 기판(11)의 결정 특성이 질화갈륨의 결정 특성과 최대한 근접되어야 한다. 이에 적합한 이종 기판으로서 사파이어 또는 탄화실리콘 기판(11)이 주로 사용된다.In order to obtain high quality gallium nitride crystals by the direct growth method as described above, the crystal properties of the dissimilar substrate 11 should be as close as possible to the crystal properties of gallium nitride. Sapphire or silicon carbide substrate 11 is mainly used as a heterogeneous substrate suitable for this.

이종 기판(11)이 사파이어 재질로 된 경우, 그 결정 구조가 질화갈륨의 것과 유사하고, 고온 안정성이 높으며, 가격이 싸다는 장점들이 있다. 그러나, 그 격자 상수가 질화갈륨의 것과 차이(약 16 %)가 크고, 열팽창 계수도 질화 갈륨의 것과 차이(약 35 %)가 크다. 이에 따라, 질화갈륨과 사파이어의 계면에서 인장(strain)에 의한 결함들이 많이 발생한다.When the different substrate 11 is made of sapphire material, its crystal structure is similar to that of gallium nitride, has high temperature stability and low cost. However, the lattice constant differs greatly from that of gallium nitride (about 16%), and the coefficient of thermal expansion also differs from that of gallium nitride (about 35%). Accordingly, many defects due to strain occur at the interface between gallium nitride and sapphire.

이종 기판(11)이 탄화실리콘(SiC) 재질로 된 경우, 그 결정 구조가 질화갈륨의 것과 같고, 고온 안정성이 높으며, 격자 상수 및 열팽창 계수도 질화갈륨의 것들과 유사하다. 뿐만 아니라, 열 및 전기 전도도도 높아, 많은 장점들을 지니고 있다. 그러나, 가격이 비싸고, 질화갈륨과 사파이어의 계면에서 마이크로파이프(micropipe)가 존재하는 문제점들을 안고 있다.When the dissimilar substrate 11 is made of silicon carbide (SiC) material, its crystal structure is the same as that of gallium nitride, its high temperature stability is high, and its lattice constant and coefficient of thermal expansion are similar to those of gallium nitride. In addition, the thermal and electrical conductivity is high, having many advantages. However, it is expensive and suffers from the presence of micropipes at the interface between gallium nitride and sapphire.

한편, 상기와 같은 직접 성장 방법에 의하면, 사파이어 또는 탄화실리콘 기판(11)은, 화학적으로 안정되어 에칭(etching)에 의하여 질화갈륨 후막(12)으로부터 분리되지 않는다. 결국 기계적 연마(mechanical grinding)에 의하여 물리적으로 제거되어야 하는데, 이에 따른 많은 문제점들이 존재하고 있다. 따라서, 관련 소자의 집적도에 장애가 된다.On the other hand, according to the direct growth method as described above, the sapphire or silicon carbide substrate 11 is chemically stable and is not separated from the gallium nitride thick film 12 by etching. Eventually, it must be physically removed by mechanical grinding, and there are many problems. Therefore, the degree of integration of the associated device is hindered.

도 1에 도시된 직접 성장 방법의 문제점들을 개선한 질화갈륨 웨이퍼의 공정 단면이 도 2에 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 사파이어 기판(21) 위에 일산화아연(ZnO) 완충층(22)을 박막 성장한 후, 그 위에 질화갈륨 후막(23)을 성장시키도록 되어 있다. 이 일산화아연 완충층(22)은 질화갈륨 후막(12)과 결정 특성이 유사하고, 에칭에 의하여 제거될 수 있다. 질화갈륨과 일산화아연의 결정 구조(Crystal structure)는 같고, 격자 상수는 다음과 같은 차이를 가진다. 격자 상수 a는, 질화갈륨의 경우 3.189 [Å]이고 일산화아연의 경우 3.2496 [Å]이다. 격자 상수 c는, 질화갈륨의 경우 5.185 [Å]이고 일산화아연의 경우 5.2065 [Å]이다. 따라서 격자 상수 a에서는 1.9 %, c에서는 0.4 %의 차이가 있다. 완충층(22)의 재질로서 질화갈륨 또는 질화알루미늄(AlN)을 쓰는 경우, 질화갈륨 후막(12)과 결정 특성이 거의 같아 화학적으로 안정되지만, 에칭에 의하여 제거되지 않는다. 즉, 사파이어 기판(21)을 질화갈륨 후막(23)으로부터 분리시킬 수 없다. 따라서, 일산화아연 완충층(22)을 개재시킴으로써, 질화갈륨 후막(12)과의 계면에서 발생되는 결함을 완화시키고, 사파이어 기판(21)을 쉽게 분리시킬 수 있다.A process cross section of a gallium nitride wafer that improves the problems of the direct growth method shown in FIG. 1 is shown in FIG. 2. Referring to the drawings, a thin zinc monoxide (ZnO) buffer layer 22 is grown on the sapphire substrate 21, and the gallium nitride thick film 23 is grown thereon. The zinc monoxide buffer layer 22 has similar crystal characteristics to the gallium nitride thick film 12 and can be removed by etching. The crystal structure of gallium nitride and zinc monoxide is the same, and the lattice constant has the following difference. The lattice constant a is 3.189 [Å] for gallium nitride and 3.2496 [Å] for zinc monoxide. The lattice constant c is 5.185 [mmW] for gallium nitride and 5.2065 [mmW] for zinc monoxide. Therefore, there is a difference of 1.9% for lattice constant a and 0.4% for c. When gallium nitride or aluminum nitride (AlN) is used as the material of the buffer layer 22, the crystal properties are almost the same as those of the gallium nitride thick film 12, but are chemically stable, but are not removed by etching. That is, the sapphire substrate 21 cannot be separated from the gallium nitride thick film 23. Therefore, by interposing the zinc monoxide buffer layer 22, defects occurring at the interface with the gallium nitride thick film 12 can be alleviated, and the sapphire substrate 21 can be easily separated.

한편, 고품질의 질화갈륨 후막(34)을 형성하려면 1,000 [℃] 정도의 높은 성장 온도가 필요하다. 그러나 이 성장 온도에서는 아연(Zn)의 과도한 휘발로 인하여 일산화아연 완충층(22)의 표면에 결함이 발생된다. 이에 따라, 성장된 질화갈륨 후막(34)과 일산화아연 완충층(22) 사이의 밀착력이 약화되어, 그 사이가 들뜨거나 질화갈륨 결정이 떨어져 나가기도 한다.On the other hand, in order to form the high quality gallium nitride thick film 34, a high growth temperature of about 1,000 [° C] is required. However, at this growth temperature, defects occur on the surface of the zinc monoxide buffer layer 22 due to excessive volatilization of zinc (Zn). As a result, the adhesion between the grown gallium nitride thick film 34 and the zinc monoxide buffer layer 22 is weakened, and the gallium nitride crystals fall therebetween.

본 발명의 목적은, 기판과 질화갈륨 후막 사이의 일산화아연 완충층에서 아연(Zn)이 과도하게 휘발되는 현상을 방지할 수 있는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a gallium nitride wafer manufacturing method capable of preventing excessive volatilization of zinc (Zn) in a zinc monoxide buffer layer between a substrate and a thick gallium nitride film.

도 1은 종래의 한 질화갈륨(GaN) 웨이퍼의 공정 단면도이다.1 is a process sectional view of a conventional gallium nitride (GaN) wafer.

도 2는 종래의 또 다른 질화갈륨(GaN) 웨이퍼의 공정 단면도이다.2 is a process cross-sectional view of another conventional gallium nitride (GaN) wafer.

도 3은 본 발명에 따른 질화갈륨(GaN) 웨이퍼의 공정 단면도이다.3 is a process sectional view of a gallium nitride (GaN) wafer according to the present invention.

도 4는 도 3의 웨이퍼가 완성된 상태의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a state in which the wafer of FIG. 3 is completed.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

11...사파이어 또는 탄화 실리콘 기판, 21, 31...사파이어 기판,11 ... sapphire or silicon carbide substrate, 21, 31 ... sapphire substrate,

12, 23, 34...질화갈륨 후막, 22, 32...일산화아연 완충층,12, 23, 34 gallium nitride thick film, 22, 32 zinc oxide buffer layer,

33...질화갈륨 또는 질화알루미늄 완충층.33. Gallium nitride or aluminum nitride buffer layer.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법은, 기판 위에 일산화아연을 성장시켜, 제1 완충층을 형성하는 단계를 포함한다. 다음에 상기 제1 완충층에서 아연이 휘발되지 않는 온도로써 질화갈륨에 대한 완충 물질을 성장시켜, 제2 완충층을 형성한다. 상기 제2 완충층 위에 질화갈륨 후막을 성장시킨다. 그리고 상기 기판 및 상기 제1 완충층을 제거한다.The gallium nitride wafer manufacturing method of the present invention for achieving the above object comprises the step of growing zinc monoxide on the substrate to form a first buffer layer. Next, a buffer material for gallium nitride is grown at a temperature at which zinc does not volatilize in the first buffer layer to form a second buffer layer. A gallium nitride thick film is grown on the second buffer layer. The substrate and the first buffer layer are removed.

본 발명의 상기 제2 완충층은 아연이 휘발되지 않는 온도로써 성장되므로, 상기 제1 완충층에서 아연(Zn)이 과도하게 휘발되는 현상을 방지할 수 있다.Since the second buffer layer of the present invention is grown at a temperature at which zinc does not volatilize, it is possible to prevent the phenomenon of excessive volatilization of zinc (Zn) in the first buffer layer.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 3에는 본 발명에 따른 질화갈륨(GaN) 웨이퍼의 공정 단면이 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 먼저 사파이어 기판(31) 위에 일산화아연(ZnO)을 성장시켜, 제1 완충층(32)을 형성한다. 다음에 제1 완충층(31)에서 아연(Zn)이 휘발되지 않는 온도로써 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(GaN) 결정을 성장시켜, 제2 완충층(33)을 형성한다. 다음에 제2 완충층(33) 위에 질화갈륨 후막(34)을 성장시킨다. 그리고 사파이어 기판(31) 및 제1 완충층(32)을 제거한다. 이와 같이 완성된 웨이퍼의 단면이 도 4에 도시되어 있다.3 shows a process cross section of a gallium nitride (GaN) wafer according to the present invention. Referring to the drawings, first, zinc monoxide (ZnO) is grown on the sapphire substrate 31 to form the first buffer layer 32. Next, gallium nitride (GaN) or aluminum nitride (GaN) crystals are grown at a temperature at which zinc (Zn) does not volatilize in the first buffer layer 31 to form a second buffer layer 33. Next, the gallium nitride thick film 34 is grown on the second buffer layer 33. The sapphire substrate 31 and the first buffer layer 32 are removed. The cross section of the wafer thus completed is shown in FIG. 4.

상기 사파이어 기판(31)의 전처리 방법은 다음과 같다. 먼저 TCE, 아세톤, 알콜 및 증류수(D.I. water)로 초음파 세척기에서 각각 5분 동안 세척한다. 다음에 황산(H2SO4)과 인산(H3PO4)이 3:1로 혼합된 용액에서 10분 동안 에칭한다. 그리고 10 [%] 불화수소(HF) 용액에서 에칭 후 증류수로 세척한다.The pretreatment method of the sapphire substrate 31 is as follows. First it is washed with TCE, acetone, alcohol and distilled water (DI water) for 5 minutes in an ultrasonic cleaner. It is then etched in a solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ) in a 3: 1 mixture for 10 minutes. And it is washed with distilled water after etching in 10 [%] hydrogen fluoride (HF) solution.

사파이어 기판(31) 위에 일산화아연(ZnO)을 성장시키는 단계는 고주파 스퍼터링(RF sputtering) 방식에 의하여 수행된다. 스퍼터링 대상으로서 일산화아연 세라믹판(ceramic disc)을 사용하고, 방전 가스로서 아르곤(Ar)과 산소(O2) 가스를 주입한다. 성장된 제1 완충층(32)의 두께는 0.01 내지 0.1 마이크로미터(㎛)가 되게 한다.Growing zinc monoxide (ZnO) on the sapphire substrate 31 is performed by RF sputtering. A zinc monoxide ceramic plate is used as a sputtering target, and argon (Ar) and oxygen (O 2 ) gas are injected as a discharge gas. The grown first buffer layer 32 has a thickness of 0.01 to 0.1 micrometer (μm).

제1 완충층(32) 위에 제2 완충층(33)을 형성하는 단계는 HVPE 방식으로써 수행된다. HVPE 방식 대신에 MOCVD 방식을 사용할 수도 있다. 주입 가스들은 트리메틸갈륨(TmGa)과 암모니아(NH3) 가스이다. 여기서 적용 온도가 400 내지 600℃이도록 제어하여 아연이 휘발되지 않게 한다. 본 실시예에서는 500℃를 적용한다. 성장된 제2 완충층(33)의 두께로서 0.01 내지 0.15 마이크로미터(㎛)가 적합하다. 본 실시예에서는 0.03 마이크로미터(㎛)가 되게 한다.Forming the second buffer layer 33 on the first buffer layer 32 is performed by the HVPE method. The MOCVD method may be used instead of the HVPE method. Injection gases are trimethylgallium (TmGa) and ammonia (NH 3 ) gases. The application temperature here is controlled to be 400 to 600 ℃ to prevent the zinc from volatilizing. In this embodiment, 500 ° C is applied. As the thickness of the grown second buffer layer 33, 0.01 to 0.15 micrometer (µm) is suitable. In this embodiment, the thickness is 0.03 micrometer (µm).

제2 완충층(33) 위에 질화갈륨 후막(34)을 성장시키는 단계는 HVPE 방식으로써 수행된다. 주입 가스들은 염화갈륨(GaCl)과 암모니아(NH3) 가스이다. 여기에 캐리어 가스로서 질소 가스(N2)가 주입된다. 여기서 적용되는 온도로서 950 내지 1,200℃가 적합하다. 본 실시예에서는 1,050℃를 적용한다. 질화갈륨 결정의 성장은 아래의 화학식 1에 따라 이루어진다.The growth of the gallium nitride thick film 34 on the second buffer layer 33 is performed by the HVPE method. Injection gases are gallium chloride (GaCl) and ammonia (NH 3 ) gases. Nitrogen gas (N 2 ) is injected here as a carrier gas. As the temperature applied here, 950-1,200 degreeC is suitable. In this example, 1,050 ° C is applied. The growth of gallium nitride crystals is performed according to the formula (1) below.

GaCl + NH3→ GaN + HCl + H2 GaCl + NH 3 → GaN + HCl + H 2

이와 같은 반응에 의해 성장된 웨이퍼가 서서히 상온이 되게 한 후, 100℃의 왕수에 담구어 초음파 세척기로써 진동시킨다. 이에 따라, 제1 완충층(32)이 에칭됨에 따라 제1 완충층(32) 및 사파이어 기판(31)이 제거된다.The wafer grown by such a reaction is gradually brought to room temperature, then immersed in aqua regia at 100 ° C. and vibrated with an ultrasonic cleaner. Accordingly, as the first buffer layer 32 is etched, the first buffer layer 32 and the sapphire substrate 31 are removed.

이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법에 의하면, 기판과 질화갈륨 후막 사이의 일산화아연 완충층에서 아연이 과도하게 휘발되는 현상을 방지할 수 있음에 따라, 경계면에서의 결함이 최소화되는 고품질의 질화갈륨 웨이퍼를 제조할 수 있다. 즉, 일산화아연 완충층을 에칭함으로써 사파이어 기판을 손쉽게 분리할 수 있을 뿐만 아니라, 일산화아연 완충층에 의한 품질 열화를 방지할 수 있다.As described above, according to the gallium nitride wafer manufacturing method according to the present invention, it is possible to prevent the excessive volatilization of zinc in the zinc monoxide buffer layer between the substrate and the gallium nitride thick film, thereby minimizing defects at the interface High quality gallium nitride wafers can be produced. In other words, by etching the zinc monoxide buffer layer, not only the sapphire substrate can be easily separated, but also the quality deterioration by the zinc monoxide buffer layer can be prevented.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and modifications and improvements are possible at the level of those skilled in the art.

Claims (11)

기판 위에 일산화아연을 성장시켜, 제1 완충층을 형성하는 단계;Growing zinc monoxide on the substrate to form a first buffer layer; 상기 제1 완충층에서 아연이 휘발되지 않는 온도로써 질화갈륨에 대한 완충 물질을 성장시켜, 제2 완충층을 형성하는 단계;Growing a buffer material for gallium nitride at a temperature at which zinc is not volatilized in the first buffer layer to form a second buffer layer; 상기 제2 완충층 위에 질화갈륨 후막을 성장시키는 단계; 및Growing a gallium nitride thick film on the second buffer layer; And 상기 기판 및 상기 제1 완충층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.And removing the substrate and the first buffer layer. 제1항에 있어서, 상기 기판은,The method of claim 1, wherein the substrate, 사파이어 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that formed of sapphire material. 제1항에 있어서, 상기 제2 완충층을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the second buffer layer comprises: 질화갈륨 박막 및 질화알루미늄 박막 중 어느 하나를 성장시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A method of manufacturing a gallium nitride wafer, which is performed by growing any one of a gallium nitride thin film and an aluminum nitride thin film. 제1항에 있어서, 상기 제1 완충층의 두께는,The method of claim 1, wherein the thickness of the first buffer layer, 0.01 내지 0.1 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.Gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that 0.01 to 0.1 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 제2 완충층의 두께는,The method of claim 1, wherein the thickness of the second buffer layer, 0.01 내지 0.15 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.Gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that 0.01 to 0.15 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 제1 완충층을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the first buffer layer comprises: 상기 일산화아연을 스퍼터링 방식으로 성장시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.The gallium nitride wafer manufacturing method characterized in that it is carried out by growing the zinc monoxide in a sputtering method. 제1항에 있어서, 상기 제2 완충층을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the second buffer layer comprises: MOCVD 방식으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A method of manufacturing a gallium nitride wafer, which is carried out by MOCVD. 제1항에 있어서, 상기 제2 완충층을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the second buffer layer comprises: HVPE 방식으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that carried out by HVPE method. 제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 후막을 성장시키는 단계는,The method of claim 1, wherein the growing of the gallium nitride thick film, HVPE 방식으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that carried out by HVPE method. 제1항에 있어서, 상기 제2 완충층을 형성하는 단계에서 상기 아연이 휘발되지 않는 온도는,The method of claim 1, wherein the zinc is not volatilized in the step of forming the second buffer layer, 400 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.A gallium nitride wafer manufacturing method, characterized in that 400 to 600 ℃. 제1항에 있어서, 질화갈륨 후막을 성장시키는 단계에 적용되는 온도는,The method of claim 1, wherein the temperature applied to growing the gallium nitride thick film is: 950 내지 1,200 ℃인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법.950-1,200 degreeC The gallium nitride wafer manufacturing method characterized by the above-mentioned.
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