KR100437826B1 - 플래시 메모리 - Google Patents
플래시 메모리 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100437826B1 KR100437826B1 KR10-2001-0049969A KR20010049969A KR100437826B1 KR 100437826 B1 KR100437826 B1 KR 100437826B1 KR 20010049969 A KR20010049969 A KR 20010049969A KR 100437826 B1 KR100437826 B1 KR 100437826B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cell
- address
- redundancy
- flash memory
- block
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/781—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices combined in a redundant decoder
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- 복수개의 셀들을 갖는 플래시 메모리 셀 어레이와 불량 셀 발생시에 이를 대체하기 위한 리던던시 메모리 셀들;상기 플래시 메모리 셀 어레이와 리던던시 메모리 셀들을 액세스하기 위한 로우 어드레스를 디코딩하는 각각의 셀 X-디코더와 리던던시 X-디코더 그리고 컬럼 어드레스를 디코딩하는 Y-디코더;상기 디코딩된 셀 로우 어드레스를 이용하여 불량 셀 발생시에 어드레스의 점프를 위해 점프 어드레스를 지정하는 셀 어드레스 제어 블록;상기 디코딩된 리던던시 로우 어드레스를 이용하여 리던던시 메모리 셀의 특정 셀을 액세스하는 리던던시 어드레스 제어 블록;리드/라이트 동작시의 에러 발생시에 불량 셀을 정의하기 위해 세팅되는 값을 달리하여 해당 어드레스가 점프되도록 하는 셀 태그 블록;상기 셀 태그 블록의 세팅값에 따라 에러가 발생한 플래시 메모리 셀 어레이의 로우 어드레스를 가져와서 그 영역으로 치환되도록 하는 리던던시 태그 블록을 포함하고, 여기서, 셀 태그 블록은 플래시 메모리 셀 어레이의 로우에 대응하여 각각의 영역이 구성되고 리던던시 태그 블록은 리던던시 메모리 셀의 로우에 대응하여 각각의 영역이 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 점프 어드레스 블록은 15 비트의 크기를 갖고, 각각의 리던던시 태그 블록,셀 태그 블록은 각가 1 비트의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 에러가 발생한 플래시 메모리 셀 어레이의 로우 어드레스를 가져와서 그 영역으로 치환되도록 한후 새로운 에러 영역이 발생하면 셀 태그 블록의 해당 영역값을 새롭게 세팅하고 상기한 치환 과정을 반복하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 플래시 메모리 셀 어레이에서 아무 문제가 없는 경우에는 태그 값의 새로운 세팅없이 셀 어드레스 제어 블록에서는 점프 어드레스 블록을 거치지 않고 직접 플래시 메모리 셀 어레이을 액세스하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0049969A KR100437826B1 (ko) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 플래시 메모리 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0049969A KR100437826B1 (ko) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 플래시 메모리 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030016057A KR20030016057A (ko) | 2003-02-26 |
KR100437826B1 true KR100437826B1 (ko) | 2004-06-30 |
Family
ID=27719787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0049969A KR100437826B1 (ko) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 플래시 메모리 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100437826B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100923818B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2009-10-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 퓨즈 회로와 이를 구비한 플래시 메모리 소자 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5416740A (en) * | 1991-12-12 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device including redundant memory cell array for repairing defect |
KR20000062506A (ko) * | 1999-01-26 | 2000-10-25 | 가네꼬 히사시 | 용장메모리회로를 갖는 반도체 메모리장치 |
KR20000076816A (ko) * | 1999-03-10 | 2000-12-26 | 가네꼬 히사시 | 반도체 집적회로장치 |
-
2001
- 2001-08-20 KR KR10-2001-0049969A patent/KR100437826B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5416740A (en) * | 1991-12-12 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device including redundant memory cell array for repairing defect |
KR20000062506A (ko) * | 1999-01-26 | 2000-10-25 | 가네꼬 히사시 | 용장메모리회로를 갖는 반도체 메모리장치 |
KR20000076816A (ko) * | 1999-03-10 | 2000-12-26 | 가네꼬 히사시 | 반도체 집적회로장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030016057A (ko) | 2003-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9582191B2 (en) | Memory block quality identification in a memory | |
US7768831B2 (en) | Flash memory device and method of controlling flash memory device | |
US7676710B2 (en) | Error detection, documentation, and correction in a flash memory device | |
US7401267B2 (en) | Program failure recovery | |
US7168013B2 (en) | Memory with element redundancy | |
US6252800B1 (en) | Semiconductor memory device | |
US20070195600A1 (en) | Multiple level cell memory device with single bit per cell, re-mappable memory block | |
US7120050B2 (en) | Method and apparatus for setting operational information of a non-volatile memory | |
US7437625B2 (en) | Memory with element redundancy | |
JP2008257850A (ja) | フラッシュメモリ装置及びその駆動方法 | |
US7640465B2 (en) | Memory with element redundancy | |
KR100437826B1 (ko) | 플래시 메모리 | |
JP4637526B2 (ja) | メモリカードおよび不揮発性記憶装置 | |
JP2004030849A (ja) | データの一部書き換え機能を有する半導体不揮発性メモリ | |
US20240126642A1 (en) | Storage device | |
JP2008103076A (ja) | データの一部書き換え機能を有する半導体不揮発性メモリ | |
KR19990065224A (ko) | 내부적으로 프로그램 패스/페일이 검출 가능한 플래시 메모리장치 | |
KR20130072715A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제어 방법 | |
JP2004171619A (ja) | 不揮発性半導体メモリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140519 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160518 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170529 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180517 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190516 Year of fee payment: 16 |