KR100427816B1 - 반도체 소자 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 반도체소자 제조장치는, 웨이퍼의 출입을 위한 개구부가 측벽면 상에 형성된 반응챔버; 상기 반응챔버 내에 설치되는 서셉터; 상기 서셉터에 설치되는 히터; 및 상기 개구부에 바로 설치되며, 오링을 구성부품의 하나로 포함하며, 몸체에는 냉각수가 흐를 수 있는 수냉부가 마련된 슬롯 밸브;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상기 슬롯 밸브가 상기 반응챔버에 바로 부착되므로, 반응 공간이 종래와 달리 단지 상기 반응챔버의 내부로 국한된다. 따라서, 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 과정에서 상기 반응챔버의 내벽에 박막이 증착된다 할지라도 심하게 굴곡된 부분이 없으므로 그 세정이 용이하여 종래와 같이 미세 입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 수냉관을 구비함으로써 상기 슬롯 밸브 내의 O-링이 열적으로 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 소자 제조장치 {Apparatus for fabricating semiconductor devices}
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서 특히, 반응챔버 내에 원하지 않는 미세입자가 발생되는 것을 방지하기 위하여 슬롯 밸브를 반응챔버에 바로 부착시킨 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼는 반응챔버로 유입되거나 유출될 때 로드락(load lock)부를 거치게 된다. 이 때, 웨이퍼는 로드락부와 반응챔버를 연결하는 웨이퍼 이송관을 통하여 이송된다. 그리고, 웨이퍼 이송관에는 슬롯 밸브가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브에 의하여 반응챔버와 로드락부의 연통 여부가 결정된다.
그런데, 슬롯 밸브가 반응챔버와 소정의 거리만큼 떨어진 곳에 설치되기 때문에 반응챔버 쪽에 있는 웨이퍼 이송관 내부도 실질적으로 반응 공간을 형성하게 된다. 이 때문에 웨이퍼 이송관의 일부에도 박막이 증착되고, 공정 진행 중이나 진행 후에 박막이 일부 박리됨으로써 원하지 않게 미세입자가 발생하게 된다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(10)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 15)를 구비한다. 여기서, 상기 서셉터(15)는 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다. 그리고, 상기 반응챔버(10)는 웨이퍼 이송관(30)에 의해 로드락부(20)와 연결되며, 상기 웨이퍼 이송관(30)을 통해 상기 로드락부(20)에서 상기 반응챔버(10)로 웨이퍼가 이송된다. 상기 웨이퍼 이송관(30)에는 슬롯 밸브(34)가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브(34)에 의하여 상기 웨이퍼 이송관(30)의 차단 여부가 결정된다.
상기 슬롯 밸브(34)를 닫음으로써 상기 반응챔버(10)에 의한 독립적인 반응 공간이 제공된다. 그러나, 이 경우 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 반응 공간을 형성하게되어 문제이다.
이를 구체적으로 설명하면, 상기 반응챔버(10) 내에서 박막 증착 공정이 진행될 경우 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에도 약간의 박막이 증착된다. 따라서, 나중에 이들이 일부 박리되어 원하지 않는 미세 입자가 발생하게 된다. 뿐만 아니라, 상기 히터에서 발생하는 열에 의해 상기 반응 챔버(10)가 이와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30)보다 더 뜨겁게 되기 때문에, 상대적으로 차가운 상기 반응챔버(10)에 접해 있는 웨이퍼 이송관(30)에 기체들이 응축되어 증착되거나 미세 입자(particle)가 발생하게 된다.
이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10) 내부를 세정해줘야 하는데, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다. 예컨대, 플라즈마를 이용하는 제조 공정의 경우, 일반적으로 그 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 그대로 이용하여 반응챔버의 내부를 세정하는데, 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에는 플라즈마가 형성되지 않기 때문에 플라즈마에 의한 건식 세정이 되지 않는다. 또한, 습식 세정도 마찬가지 이유로 제대로 되지 않는다.
상기 슬롯 밸브(34)는 인서트 밸브(34a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(34b)가 열리고 닫힌다. 상기 게이트부(34b)에는, 상기 반응챔버(10)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(34c)이 설치되어 있다. 그러나, 상기 O-링(34c)은 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받기 때문에, 상기 반응챔버(10)를 진공으로 하였을 때 공기가 새어 들어가는 문제가 발생한다.
상기 웨이퍼 이송관(30)은 상기 슬롯 밸브(34)와 로드락부(20) 사이에 웨이퍼 감지부(32)를 구비한다. 상기 웨이퍼 감지부(32)에 의해 그 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부가 감지되며, 이에 의해 상기 슬롯 밸브(34)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.
상술한 바와 같이 종래의 반도체 소자 제조 장치에 의하면, 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 실질적으로 반응 공간을 형성하여, 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부가 미세 입자의 발생 근원지가 된다. 이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10) 내부를 세정할 경우에도, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다.
또한, 상기 O-링(34c)은 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받기 때문에, 상기 반응챔버(10)를 진공으로 하였을 때 공기가 새어 들어가는 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반응챔버 내에 미세입자가 발생되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, O-링이 열적으로 손상을 받는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10, 110: 반응챔버 15, 115: 서셉터
20, 120: 로드락부 30: 웨이퍼 이송관
34, 134: 슬롯 밸브 34a, 134a: 인서트 밸브
34b, 134b: 게이트부 34c, 134c: O-링
134d: 수냉관
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조장치는, 웨이퍼의 출입을 위한 개구부가 측벽면 상에 형성된 반응챔버; 상기 반응챔버 내에 설치되는 서셉터; 상기 서셉터에 설치되는 히터; 및 상기 개구부에 바로 설치되며, 오링을 구성부품의 하나로 포함하며, 몸체에는 냉각수가 흐를 수 있는 수냉부가 마련된 슬롯 밸브;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 슬롯밸브는 상기 반응챔버와 일체형일 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기 슬롯 밸브가 상기 반응챔버에 바로 부착되므로, 반응 공간이 종래와 달리 단지 상기 반응챔버의 내부로 국한된다. 따라서, 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 과정에서 상기 반응챔버의 내벽에 박막이 증착된다 할지라도 심하게 굴곡된 부분이 없으므로 그 세정이 용이하여 종래와 같이 미세 입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 수냉관을 구비함으로써 상기 슬롯 밸브 내의 O- 링이 열적으로 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(110)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 115)를 구비하며, 그 내부 및 외부가 원통형의 형상을 갖는다. 여기서, 상기 서셉터(115)는 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다. 그리고, 상기 반응챔버(110)는 웨이퍼의 출입을 위하여 그 측벽면 상에 개구부를 가지며, 상기 개구부를 개폐시키도록 상기 개구부에는 슬롯 밸브(134)가 직접 설치된다. 슬롯밸브(134)가 반응챔버(110)의 측벽 상에 바로 설치되어 슬롯밸브(134)와 반응챔버(110) 사이의 데드존(dead space) 형성을 방지할 수만 있다면, 슬롯밸브(134)는 반응챔버(110)에 조립식으로 부착되어도 되고, 반응챔버(110)와 일체로 되어도 무방하다. 상기 슬롯 밸브(134)에 의하여 로드락부(120)와 상기 반응챔버(110)의 차단 여부가 결정된다.
상기 슬롯 밸브(134)가 상기 반응챔버(110)에 바로 부착되기 때문에, 상기 슬롯 밸브(134)를 닫음으로써 형성되는 반응 공간은, 종래와 달리 단지 상기 반응챔버(110)의 내부로 국한된다. 따라서, 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 과정에서 상기 반응챔버(110)의 내벽에 박막이 증착된다 할지라도 그 세정이 용이하여 종래와 같이 미세 입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 플라즈마를 이용하는 제조 공정의 경우, 그 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 그대로 이용하여도 상기 반응챔버(110)의 내부가 깨끗이 세정되므로 별도로 습식 세정을 자주 해야하는 번거로움이 제거된다.
상기 슬롯 밸브(134)는 인서트 밸브(134a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(134b)가 열리고 닫힌다. 상기 게이트부(134b)에는, 상기 반응챔버(110)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(134c)이 설치되어 있다. 여기서, 상기 O-링(134c)은 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받기 때문에, 이와 같은 열적 손상이 방지되도록 상기 슬롯 밸브(134)는 그 내부에 냉각수가 흐를 수 있는 수냉관(134d)을 구비한다.
해당 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부를 감지하는 웨이퍼 감지부(132)는 상기 로드락부(120)와 상기 슬롯 밸브(134) 사이에 위치하며, 상기 웨이퍼 감지부(132)에 의해 상기 슬롯 밸브(134)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 상기 슬롯 밸브(134)를 상기 반응챔버(110)에 바로 부착시켜, 반응 공간을 상기 반응챔버(110)의 내부로 국한시킴으로써 종래와 같이 반응챔버에 인접한 웨이퍼 이송관(도 1의 참조번호 30)에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 있다. 또한, 상기 수냉관(134d)을 더 구비함으로써 상기 O-링(134c)이 열적으로 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼의 출입을 위한 개구부가 측벽면 상에 형성된 반응챔버;
    상기 반응챔버 내에 설치되는 서셉터;
    상기 서셉터에 설치되는 히터; 및
    상기 개구부에 바로 설치되며, 오링을 구성부품의 하나로 포함하며, 몸체에는 냉각수가 흐를 수 있는 수냉부가 마련된 슬롯 밸브;를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯 밸브와 반응챔버가 일체형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101428519B1 (ko) * 2008-03-06 2014-08-12 주식회사 원익아이피에스 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치
CN112768330B (zh) * 2019-10-21 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种防止反应气体泄露的等离子体处理装置及其方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529263A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH05190463A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
KR970030246A (ko) * 1995-11-21 1997-06-26 김광호 멀티챔버형 반도체소자 제조설비
KR19980067353U (ko) * 1997-05-26 1998-12-05 문정환 반도체용 스퍼터링 장비의 타겟 크리닝(Target Cleaning)장치
KR19990039087U (ko) * 1998-04-04 1999-11-05 김영환 반도체 상압기상증착장비의 서셉터 가이드 냉각장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529263A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH05190463A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
KR970030246A (ko) * 1995-11-21 1997-06-26 김광호 멀티챔버형 반도체소자 제조설비
KR100187372B1 (ko) * 1995-11-21 1999-10-01 김광호 멀티챔버형 반도체소자 제조설비
KR19980067353U (ko) * 1997-05-26 1998-12-05 문정환 반도체용 스퍼터링 장비의 타겟 크리닝(Target Cleaning)장치
KR19990039087U (ko) * 1998-04-04 1999-11-05 김영환 반도체 상압기상증착장비의 서셉터 가이드 냉각장치

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