KR100415271B1 - Cleaning apparatus using the atmospheric pressure plasma - Google Patents
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Abstract
상압 플라즈마 세정장치가 개시되어 있다.Atmospheric pressure plasma cleaning apparatus is disclosed.
본 발명에 따른 반도체 상압 플라즈마 세정장치는, 피가공물이 통과할 수 있도록 소정간격 이격된 상부전극 및 하부전극을 포함하는 전극부, 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 전기장을 형성할 수 있도록 상기 전극부에 소정의 전력을 인가하는 전원, 상기 상부전극 일측에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 습기를 함유한 청정에어를 분사 공급할 수 있는 에어 공급부, 상기 에어 공급부와 상부전극 사이에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 습기를 함유한 반응가스를 공급할 수 있는 반응가스 공급부 및 상기 상부전극 타측에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 공급된 청정에어 및 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 반응가스 방출부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The semiconductor atmospheric pressure plasma cleaning apparatus according to the present invention includes an electrode part including an upper electrode and a lower electrode spaced a predetermined distance to allow a workpiece to pass therethrough, and the electrode part to form an electric field between the upper electrode and the lower electrode. A power supply for applying a predetermined electric power to the upper electrode, an air supply unit installed on one side of the upper electrode and capable of spraying and supplying clean air containing moisture above the workpiece, and installed between the air supply unit and the upper electrode and above the workpiece. And a reactive gas supply unit capable of supplying a reactive gas containing moisture, and a reactive air discharge unit installed at the other side of the upper electrode and capable of pumping clean air and reactive gas supplied above the workpiece to the outside. do.
따라서, 피가공물에 정전기가 발생시키는 것을 방지하며, 저주파전력을 이용하여 반응가스를 플라즈마 상태로 전환하여 피가공물을 효과적으로 세정할 수 있는 효과가 있다.Therefore, it is possible to prevent static electricity from being generated and to effectively wash the workpiece by converting the reaction gas into a plasma state using a low frequency power.
Description
본 발명은 상압 플라즈마 세정장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 상압 상태에서 반응가스를 전기장에 의해서 활성화시켜 플라즈마 상태로 전환함으로써 피가공물 표면을 세정하거나 피가공물 표면을 계질 시킬 수 있는 상압 플라즈마 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus, and more particularly, an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus capable of cleaning a workpiece surface or entraining a workpiece surface by activating a reaction gas by an electric field in an atmospheric pressure state and converting it into a plasma state. It is about.
통상, 반도체소자는 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 식각공정 및 금속공정 등의 일련의 반도체 제조공정을 반복적으로 수행함으로써 웨이퍼 상에 구현되고, PDP(Plasma Display Pannel) 및 LCD(Liquid Crystal Display) 등의 평판표시소자 역시 일련의 반도체 제조공정을 반복적으로 수행함으로써 기판 상에 구현된다.In general, a semiconductor device is implemented on a wafer by repeatedly performing a series of semiconductor manufacturing processes such as an oxidation process, a diffusion process, an ion implantation process, an etching process, and a metal process, and are made of a plasma display pannel (PDP) and a liquid crystal display (LCD). Flat panel display devices such as) are also implemented on a substrate by repeatedly performing a series of semiconductor manufacturing processes.
이와 같은 반도체소자, PDP 및 LCD 등의 제조공정 사이에는 세정공정을 부가적으로 수행함으로써 선행공정 과정에 발생될 수 있는 오염 요인을 제거하고 있으며, 상기 세정공정은 최근에 반도체소자, PDP 및 LCD 등이 고집적화됨에 따라 그 중요성이 매우 크다할 것이다.The cleaning process is additionally performed between manufacturing processes such as semiconductor devices, PDPs, and LCDs to remove contaminants that may occur in the preceding process, and the cleaning process has recently been performed in semiconductor devices, PDPs and LCDs. It will be of great importance as it becomes highly integrated.
또한, 상기 세정공정으로 피가공물 상에 탈이온수(Deionized water) 또는 세정액이 분사되는 상태에서 세정 피가공물 표면을 브러쉬(Brush)를 이용하여 브러싱(Brushing)하여 세정함으로써 세정 피가공물 표면의 파티클을 제거하는 습식방법이 있다.In addition, in the cleaning process, deionized water or a cleaning liquid is sprayed onto the workpiece, by brushing and cleaning the surface of the workpiece to be cleaned, thereby removing particles on the surface of the workpiece to be cleaned. There is a wet way.
그리고, 상기 세정공정으로 서로 소정간격 이격되어 마주보는 하부전극 및 상부전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형성함으로써 하부전극 및 상부전극 사이에 공급된 반응가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 전환함으로써 하부전극 및 상부전극 사이에 위치한 세정 피가공물을 세정하는 건식식각방법이 있다.In addition, the lower electrode and the lower electrode by activating the reaction gas supplied between the lower electrode and the upper electrode by forming a electric field by applying a high frequency power to the lower electrode and the upper electrode facing each other spaced by a predetermined interval in the cleaning process; There is a dry etching method for cleaning a workpiece to be disposed between upper electrodes.
그러나, 상기 습식방법은 처리 비용이 낮은 장점은 있으나 세정 피가공물 표면에 존재하는 유기물, 금속물질 등의 다양한 종류의 파티클을 완벽하게 제거하지 못함으로써 세젱효율이 떨어질 뿐만아니라 세정액의 처리에 따른 환경오염을 유발함으로써 건식식각방법이 최근의 반도체 제조공정에 많이 사용되고 있다.However, the wet method has a low treatment cost but does not completely remove various kinds of particles such as organic materials and metals present on the surface of the cleansing workpiece, thereby reducing washing efficiency and environmental pollution due to the treatment of the cleaning solution. Dry etching is widely used in the recent semiconductor manufacturing process.
따라서, 반응가스를 플라즈마 상태로 전환하여 식각공정을 수행하는 다양한 건식식각 장치의 개발이 절실히 요구되고 있다.Therefore, there is an urgent need for the development of various dry etching apparatuses that perform an etching process by converting a reaction gas into a plasma state.
본 발명의 목적은, 피가공물 표면에 정전기가 발생하는 것을 방지함으로써정전기에 의해서 피가공물이 전기적으로 충격을 받는 것을 방지할 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus which can prevent the workpiece from being electrically impacted by static electricity by preventing static electricity from occurring on the surface of the workpiece.
본 발명의 다른 목적은, 저전력으로 전기장을 형성하여 반응가스를 플라즈마 상태로 전환함으로써 소비전력을 감소시킬 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus capable of reducing power consumption by converting a reaction gas into a plasma state by forming an electric field at low power.
본 발명의 또 다른 목적은, 플라즈마 덴시티(Density)를 향상시키고, 피가공물 표면의 세정도를 향상시킬 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus capable of improving plasma density and improving cleanliness of a workpiece surface.
본 발명의 또 다른 목적은, 빈번한 ON/OFF 동작에 의해서 전극에 과전류가 인가되는 것을 방지할 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus capable of preventing overcurrent from being applied to an electrode by frequent ON / OFF operations.
본 발명의 또 다른 목적은, 전극에 과부하가 인가되는 것을 방지할 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus which can prevent an overload from being applied to an electrode.
본 발명의 또 다른 목적은, 자기전압 이상에 의해서 전극의 온도가 상승하는 것을 방지할 수 있는 상압 플라즈마 세정장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus which can prevent the temperature of an electrode from rising due to an abnormal magnetic voltage.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 세정장치를 설명하기 위한 단면구성도이다.1 is a cross-sectional view for explaining an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도2는 도1에 도시된 상압 플라즈마 세정장치의 저면도이다.FIG. 2 is a bottom view of the atmospheric pressure plasma cleaning device shown in FIG. 1.
도3은 도1에 도시된 반응가스 공급부에 반응가스가 공급되어 반응가스 방출부로 방출되는 상태를 설명하기 위한 구성도이다.FIG. 3 is a configuration diagram for explaining a state in which the reaction gas is supplied to the reaction gas supply unit illustrated in FIG.
도4는 도1에 도시된 전극 내부로 냉각수를 공급하고 습기를 함유한 에어를 공급하는 상태를 설명하기 위한 구성도이다.FIG. 4 is a configuration diagram for explaining a state in which cooling water is supplied into the electrode shown in FIG. 1 and air containing moisture is supplied.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
2 : 피가공물 100 : 상부 구조체2: workpiece 100: superstructure
102 : 상부 절연부재 104 : 상부전극102: upper insulating member 104: upper electrode
106 : 에어 공급부 108 : 반응가스 공급부106: air supply unit 108: reaction gas supply unit
110 : 반응가스 방출부 112, 114 : 상부 모직포110: reaction gas discharge portion 112, 114: upper wool fabric
116 : 상부커버 118, 212 : 고정나사116: upper cover 118, 212: fixing screw
120 : 저항 122, 214 : 절연체120: resistance 122, 214: insulator
200 : 하부 구조체 202 : 하부 절연부재200: lower structure 202: lower insulating member
204 : 하부전극 206, 208 : 하부 모직포204: lower electrode 206, 208: lower woolen fabric
210 : 하부커버 300 : 전원210: lower cover 300: power source
302 : 정전압 방전관 304 : 여파기302: constant voltage discharge tube 304: filter
400 : 청정에어 공급원 402 : 제 1 에어공급라인400: clean air supply source 402: first air supply line
408 : 제 2 에어공급라인 410 : 제 3 에어공급라인408: second air supply line 410: third air supply line
412, 506 : 배스 414 : 제 4 에어공급라인412, 506 Bath 414: Fourth Air Supply Line
500 : 반응가스 공급원 502 : 제 1 반응가스 공급라인500: reaction gas supply source 502: first reaction gas supply line
508 : 제 2 반응가스 공급라인 514 : 펌핑라인508: second reaction gas supply line 514: pumping line
516 : 펌프516: Pump
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 세정장치는, 피가공물이 통과할 수 있도록 소정간격 이격된 상부전극 및 하부전극을 포함하는 전극부; 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 전기장을 형성할 수 있도록 상기 전극부에 소정의 전력을 인가하는 전원; 상기 상부전극 일측에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 습기를 함유한 청정에어를 분사 공급할 수 있는 에어 공급부; 상기 에어 공급부와 상부전극 사이에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 습기를 함유한 반응가스를 공급할 수 있는 반응가스 공급부; 및 상기 상부전극 타측에 설치되어 상기 피가공물 상방으로 공급된 청정에어 및 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 반응가스 방출부;Atmospheric pressure plasma cleaning apparatus according to the present invention for achieving the above object, the electrode unit including an upper electrode and a lower electrode spaced a predetermined interval so that the workpiece can pass; A power source for applying a predetermined power to the electrode unit to form an electric field between the upper electrode and the lower electrode; An air supply unit installed at one side of the upper electrode and capable of spraying and supplying clean air containing moisture above the workpiece; A reaction gas supply unit installed between the air supply unit and the upper electrode to supply a reaction gas containing moisture above the workpiece; And a reaction gas discharge unit installed at the other side of the upper electrode to pump clean air and reaction gas supplied to the workpiece above.
를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.It characterized by comprising a.
여기서, 상기 전원과 전극부 사이에 정전압 방전관. 여파기 및 저항이 설치될 수 있다. 그리고, 상기 에어 공급부와 반응가스 공급부 사이 및 상기 반응가스 방출부 외측으로 상기 피가공물 상면과 접촉하는 상부 모직포가 각각 설치되고, 상기 상부 모직포와 마주보는 상기 하부전극 측에 상기 피가공물의 하면과 접촉하는 하부 모직포가 각각 설치될 수 있다.Here, the constant voltage discharge tube between the power supply and the electrode portion. Filters and resistors can be installed. And an upper woolen fabric contacting the upper surface of the workpiece between the air supply unit and the reactive gas supply unit, and an outer side of the reactant gas discharge unit, respectively, and contacting a lower surface of the workpiece on the lower electrode side facing the upper woolen fabric. Lower wool fabrics may be installed respectively.
또한, 상기 에어 공급부, 반응가스 공급부 및 반응가스 방출부는 상기 피가공물 방향 표면에 복수의 홀이 형성된 배관으로 이루어질 수 있다.In addition, the air supply unit, the reaction gas supply unit and the reaction gas discharge unit may be made of a pipe formed with a plurality of holes on the workpiece surface.
그리고, 상기 에어 공급부에서 공급하는 에어는 탈이온수가 저장된 배스 내부에 청정 에어를 공급하여 버블을 발생시키며 상기 청정에어와 탈이온수가 서로 혼합되어 형성된 습기를 혼합한 에어일 수 있다.In addition, the air supplied from the air supply unit may generate air by supplying clean air into a bath in which deionized water is stored, and may be air mixed with moisture formed by mixing the clean air with deionized water.
이때, 상기 상부전극과 청정에어 공급원이 제 1 에어 공급라인에 의해서 서로 연결되고, 상기 상부전극과 하부전극이 제 2 에어 공급라인에 의해서 서로 연결되고, 상기 하부전극과 연결된 제 3 에어 공급라인이 배스에 저장된 탈이온수에 딥핑(Diping)되어 있고, 상기 배스에 저장된 탈이온수의 계면과 소정간격 이격된 제 4 에어 공급라인과 에어 공급부가 서로 연결될 수 있다.In this case, the upper electrode and the clean air supply source are connected to each other by a first air supply line, the upper electrode and the lower electrode are connected to each other by a second air supply line, and a third air supply line connected to the lower electrode is The fourth air supply line and the air supply unit which are dipping into deionized water stored in the bath and spaced apart from the interface of the deionized water stored in the bath by a predetermined interval may be connected to each other.
그리고, 상기 제 2 에어 공급라인 및 제 3 에어 공급라인은 스프링 형상으로 형성될 수 있다.The second air supply line and the third air supply line may be formed in a spring shape.
또한, 상기 반응가스 공급부에서 공급하는 에어는 탈이온수가 저장된 배스 내부에 청정 에어를 공급하여 버블을 발생시키며 상기 청정에어와 탈이온수가 서로 혼합되어 형성된 습기를 혼합한 에어일 수 있다.In addition, the air supplied from the reaction gas supply unit may generate air by supplying clean air to the inside of the bath in which the deionized water is stored, and may be air mixed with moisture formed by mixing the clean air with the deionized water.
이때, 반응가스 공급원과 연결된 제 1 반응가스 공급라인이 배스에 저장된 탈이온수에 딥핑(Diping)되어 있고, 상기 배스에 저장된 탈이온수의 계면과 소정간격 이격된 제 2 반응가스 공급라인이 상기 반응가스 공급부와 연결될 수 있다.At this time, the first reaction gas supply line connected to the reaction gas source is dipping into the deionized water stored in the bath, and the second reaction gas supply line spaced a predetermined distance from the interface of the deionized water stored in the bath is the reaction gas. It can be connected with the supply.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 세정장치를 설명하기 위한 단면 구성도이고, 도2는 도1에 도시된 상압 플라즈마 세정장치의 저면도이다.1 is a cross-sectional configuration diagram illustrating an atmospheric pressure plasma cleaning device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view of the atmospheric pressure plasma cleaning device shown in FIG. 1.
본 발명에 따른 상압 플라즈마 세정장치는, 도1에 도시된 바와 같이 박스 형태의 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200)가 서로 소정간격 이격됨으로써 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200)의 이격공간 사이로 이동부재(도시되지 않음)에 의해서 피가공물(2)이 이동할 수 있도록 되어 있다.In the atmospheric pressure plasma cleaning apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, the upper structure 100 and the lower structure 200 having a box shape are spaced apart from each other by a predetermined distance, so that the upper structure 100 and the lower structure 200 are spaced apart from each other. The workpiece 2 can be moved between the spaces by a moving member (not shown).
그리고, 상기 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200) 내부에는 서로 마주보며 상부전극(104) 및 하부전극(204)이 유리 등의 절연부재(102, 202) 상에 각각 설치되어 전원(300)의 전력 인가에 의해서 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이에 전기장을 형성할 수 있도록 되어 있다.In addition, the upper electrode 104 and the lower electrode 204 face each other in the upper structure 100 and the lower structure 200, respectively, and are installed on the insulating members 102 and 202 such as glass, respectively, to supply the power 300. The electric field can be formed between the upper electrode 104 and the lower electrode 204 by the application of power.
또한, 상기 상부전극(104) 일측부 즉, 피가공물(2)이 투입되는 방향의 상부 구조체(100)에 피가공물(2) 상방으로 습기를 함유한 청정 에어를 분사하는 에어 공급부(106)가 구비되고, 상기 에어 공급부(106)와 상부전극(104) 사이의 상부 구조체(100)에 습기를 함유한 반응가스를 피가공물(2) 상방으로 분사하는 반응가스 공급부(108)가 구비되어 있다.In addition, the air supply unit 106 for injecting clean air containing moisture above the workpiece 2 to one side of the upper electrode 104, that is, the upper structure 100 in the direction in which the workpiece 2 is introduced The reaction gas supply unit 108 is provided to inject the reaction gas containing moisture into the upper structure 100 between the air supply unit 106 and the upper electrode 104 above the workpiece 2.
그리고, 상기 상부전극(104) 타측부의 상부 구조체(100)에 피가공물(2) 방향으로 분사된 반응가스 및 에어를 외부로 강제 펌핑하기 위한 반응가스 방출부(110)가 구비되어 있다.In addition, a reaction gas discharge part 110 for forcibly pumping the reaction gas and air injected in the direction of the workpiece 2 to the upper structure 100 of the other side of the upper electrode 104 is provided.
이때, 상기 에어 공급부(106), 반응가스 공급부(108) 및 반응가스 방출부(110)은 도2에 도시된 바와 같이 피가공물(2) 방향의 표면에 복수의 홀이 형성된 배관으로 이루어진다.At this time, the air supply unit 106, the reaction gas supply unit 108 and the reaction gas discharge unit 110 is made of a pipe formed with a plurality of holes on the surface of the workpiece (2) as shown in FIG.
그리고, 상기 반응가스 공급부(108)에서 습기를 함유한 반응가스를 피가공물(2) 상방으로 분사하고, 상기 피가공물(2) 상방으로 분사된 반응가스가 반응가스 방출부(110)를 통해서 방출되는 구성을 도3을 참조하여 보다 상세히 설명하면, 반응가스 공급원(500)과 일정량의 탈이온수(Deionized water)가 저장된 배스(Bath : 506)가 제 1 반응가스 공급라인(502)에 의해서 서로 연결되어 있다.Then, the reaction gas supply unit 108 injects moisture-containing reaction gas above the workpiece 2, and the reaction gas injected above the workpiece 2 is discharged through the reaction gas discharge unit 110. 3, the reaction gas source 500 and a bath 506 in which a predetermined amount of deionized water is stored are connected to each other by the first reaction gas supply line 502. It is.
이때, 상기 배스(506) 방향의 제 1 반응가스 공급라인(502)의 단부는 배스(506) 내부에 저장된 탈이온수 내부에 딤핑(Diping)되어 버블(Bubble)을 발생시키도록 되어 있고, 상기 제 1 반응가스 공급라인(502) 상에는 개폐용 전자밸브(504)가 설치되어 있다.At this time, the end of the first reaction gas supply line 502 toward the bath 506 is dipped into the deionized water stored in the bath 506 to generate bubbles. On the 1 reaction gas supply line 502, a solenoid valve 504 for opening and closing is provided.
그리고, 상기 배스(506) 상부 즉, 배스(506)에 저장된 탈이온수의 계면과 소정간격 이격된 위치에 일단이 위치하고 타단은 반응가스 공급부(108)와 연결된 제 2 반응가스 공급라인(508)이 구비되어 있다.The second reaction gas supply line 508 connected to the reaction gas supply unit 108 is disposed at one end of the upper portion of the bath 506, that is, at a position spaced apart from the interface of the deionized water stored in the bath 506 by a predetermined distance. It is provided.
이때, 상기 제 2 반응가스 공급라인(508)은 배스(506) 내부에서 버블링되어 탈이온수와 혼합된 반응가스를 반응가스 공급부(108)로 전달하는 기능을 수행하며, 상기 제 2 반응가스 공급라인(508) 상에는 통과하는 반응가스의 압력을 제어하는 압력제어기(510)와 반응가스에 함유된 불순물을 제거하는 필터(512)가 각각 설치되어 있다.In this case, the second reaction gas supply line 508 serves to deliver the reaction gas bubbled inside the bath 506 and mixed with deionized water to the reaction gas supply unit 108, and supply the second reaction gas. On the line 508, a pressure controller 510 for controlling the pressure of the reaction gas passing through and a filter 512 for removing impurities contained in the reaction gas are provided.
또한, 반응가스 방출부(110)와 펌프(516)가 펌핑라인(514)에 의해서 서로 연결됨으로써 반응가스 공급부에서 피가공물(2) 상방으로 분사된 반응가스가 펌프(516)의 펌핑에 의해서 반응가스 방출부(110)와 연결된 펌핑라인(514)을 통해서 외부로 강제 펌핑되도록 되어 있다.In addition, since the reaction gas discharge unit 110 and the pump 516 are connected to each other by the pumping line 514, the reaction gas injected from the reaction gas supply unit above the workpiece 2 reacts by pumping the pump 516. The pump is forced to the outside through the pumping line 514 connected to the gas discharge unit 110.
그리고, 상기 에어 공급부(106)와 반응가스 공급부(108) 사이의 상부 구조체(100) 및 반응가스 방출부(110) 외측의 상부 구조체(100)에는 하방으로 돌출되어 이동부재에 의해서 이동하는 피가공물(2) 상면과 접촉하는 상부 모직포(112, 114)가 각각 구비되고, 상기 상부 모직포(112, 114)와 대응하는 위치의 하부 구조체(200)에도 이동부재에 의해서 이동하는 피가공물(2) 하면과 접촉하는 하부 모직포(206, 208)가 각각 구비되어 있다.In addition, the workpiece projected downward and moved by the moving member to the upper structure 100 between the air supply unit 106 and the reaction gas supply unit 108 and the upper structure 100 outside the reaction gas discharge unit 110. (2) a workpiece 2 provided with upper wool fabrics 112 and 114 in contact with the upper surface, and also moved by a moving member to the lower structure 200 at a position corresponding to the upper wool fabrics 112 and 114, respectively. Lower woolen fabrics 206 and 208 are respectively provided in contact with the lower surface.
이때, 상기 상부 모직포(112, 114) 및 하부 모직포(206, 208)는 정전기가 발생하지 않는 재질이며, 상기 모직포 이외의 정전기가 발생하지 않는 다른 재질을사용할 수도 있다.In this case, the upper wool fabrics 112 and 114 and the lower wool fabrics 206 and 208 are materials that do not generate static electricity, and other materials that do not generate static electricity other than the wool fabric may be used.
또한, 상기 하부전극(204) 및 상부전극(104)이 소정의 저주파 전력을 인가할 수 있는 전원(300)과 연결되어 있고, 상기 전원(300)과 상부전극(104) 사이에는 장비구동을 위한 반복적인 온-오프(On-off)동작시 과전류가 발생하는 것을 방지하기 위한 소정의 저항(120), 자기전압에 이상이 발생할 경우에 방전을 수행하는 정전압 방전관(302) 및 과부하가 인가되는 것을 방지하기 위한 기생 발진 억제용 여파기(304)가 설치되어 있다.In addition, the lower electrode 204 and the upper electrode 104 are connected to a power source 300 capable of applying a predetermined low frequency power, and between the power supply 300 and the upper electrode 104 for driving equipment. In order to prevent overcurrent from occurring during repeated on-off operations, a predetermined resistor 120, a constant voltage discharge tube 302 for discharging when an abnormality occurs in the magnetic voltage, and an overload are applied. A parasitic oscillation suppressing filter 304 is provided for preventing.
이때, 상기 저항(120)은 상부 구조체(100)에 고정나사(118)에 의해서 고정된 상부 커버(116)에 의해서 커버링(Covering)되어 있으며, 상기 상부 커버(116)에 의해서 커버링된 저항(120)이 절연체(122)를 개재하여 정전압 방전관(302) 및 여파기(304)와 연결되어 있으며, 상기 전원(300)은 하부 구조체(200)의 하면을 커버링하는 하부 커버(210)에 설치된 절연체(214)를 통해서 절연이 유지되며 하부전극(204)과 연결되어 있다.In this case, the resistor 120 is covered by the upper cover 116 fixed to the upper structure 100 by the fixing screw 118, and the resistor 120 covered by the upper cover 116. ) Is connected to the constant voltage discharge tube 302 and the filter 304 via the insulator 122, the power source 300 is an insulator 214 installed on the lower cover 210 covering the lower surface of the lower structure (200). Insulation is maintained through the second electrode and is connected to the lower electrode 204.
그리고, 전술한 상기 상부전극(104) 및 하부전극(204)은 전원(300)에서 인가된 소정의 저주파 전력에 의해서 소정온도로 가열됨으로써 상부전극(104) 및 하부전극(204) 내부로는 일정량의 냉각용 에어가 공급되도록 되어 있으며, 상기 에어 방출부(106)는 상부전극(104) 및 하부전극(204)을 통과한 냉각용 청정 에어에 습기를 포함시켜 습기가 혼합된 에어를 방출하도록 되어 있다.In addition, the upper electrode 104 and the lower electrode 204 described above are heated to a predetermined temperature by a predetermined low-frequency power applied from the power supply 300, so that the upper electrode 104 and the lower electrode 204 have a predetermined amount. The cooling air of the supply is to be supplied, the air discharge unit 106 is to include the moisture in the cooling clean air passing through the upper electrode 104 and the lower electrode 204 to release the air mixed with moisture have.
보다 상세히 설명하면, 도4에 도시된 바와 같이 청정에어 공급원(400)과 상부전극(104)이 제 1 에어 공급라인(402)에 의해서 연결되어 있고, 상기상부전극(104)과 하부전극(204)이 제 2 에어 공급라인(408)에 의해서 연결되어 있다.In more detail, as shown in FIG. 4, the clean air source 400 and the upper electrode 104 are connected by the first air supply line 402, and the upper electrode 104 and the lower electrode 204 are connected to each other. ) Is connected by a second air supply line 408.
이때, 상기 제 1 에어 공급라인(402) 상에는 통과하는 에어의 압력을 측정 조절할 수 있는 공기압력 제어기(404) 및 개폐동작을 수행하는 전자밸브(406)가 설치되어 있으며, 상기 제 2 에어 공급라인(408)은 스프링 형상으로 구비되어 그 길이가 약 1.5M로 길게 형성됨으로써 절연파괴내력을 향상시키고 내부를 통과하는 에어의 유속이 일정하게 조정될 수 있도록 되어 있다.In this case, an air pressure controller 404 capable of measuring and controlling the pressure of the air passing through the first air supply line 402 and an solenoid valve 406 performing the opening and closing operation are installed, and the second air supply line is provided. 408 is provided in the form of a spring, the length of which is formed to be about 1.5M long to improve the dielectric breakdown strength and to adjust the flow rate of the air passing through the inside constant.
즉, 일반적으로 공기의 절연파괴내력은 1㎝당 약 30Kv이므로 제 2 에어 공급라인(408)의 길이를 연장함으로써 절연파괴내력을 높여 전원(300)의 전력 인가에 의해서 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이에 절연이 파괴되는 것을 보다 효과적으로 방지되도록 되어 있는 것이다. 또한, 상기 제 2 에어 공급라인(408)이 스프링 형상으로 구비됨으로써 제 2 에어 공급라인(408)을 통해서 공급되는 에어가 절곡 부위에서 정체되며 일정한 속도로 이동할 수 있도록 되어 있는 것이다.That is, since the dielectric breakdown strength of air is generally about 30 Kv per cm, the length of the second air supply line 408 is increased to increase the dielectric breakdown resistance, thereby applying the power of the upper electrode 104 and the lower part. This is to prevent the breakdown of the insulation between the electrodes 204 more effectively. In addition, since the second air supply line 408 is provided in a spring shape, the air supplied through the second air supply line 408 is stagnated at the bent portion and can move at a constant speed.
그리고, 상기 하부전극(204)과 일정량의 탈이온수(Deionized water)가 저장된 배스(412)가 제 3 에어 공급라인(410)에 의해서 서로 연결되어 있다.In addition, the lower electrode 204 and the bath 412 in which a predetermined amount of deionized water is stored are connected to each other by the third air supply line 410.
이때, 상기 배스(412) 방향의 제 3 에어 공급라인(410)의 단부는 배스(412) 내부에 저장된 탈이온수 내부에 딤핑(Diping)되어 버블(Bubble)을 발생시키도록 되어 있으며, 상기 제 3 에어 공급라인(410) 역시 제 2 에어 공급라인(408)과 동일하게 스프링 형상으로 이루어져 제 3 에어 공급라인(410)을 통해서 공급되는 에어가 절곡 부위에서 정체되며 일정한 속도로 이동할 수 있도록 되어 있다.In this case, an end portion of the third air supply line 410 in the direction of the bath 412 is dipped into the deionized water stored in the bath 412 to generate a bubble. The air supply line 410 also has a spring shape like the second air supply line 408 to allow the air supplied through the third air supply line 410 to stagnate at the bent portion and move at a constant speed.
또한, 상기 배스(412) 상부 즉, 배스(412)에 저장된 탈이온수의 계면과 소정간격 이격된 위치에 일단이 위치하고 타단은 에어 공급부(106)와 연결된 제 4 에어 공급라인(414)이 구비되어 있다.In addition, one end is disposed at a position spaced apart from the interface of the deionized water stored in the bath 412 by a predetermined distance, and the other end is provided with a fourth air supply line 414 connected to the air supply 106. have.
이때, 상기 제 4 에어 공급라인(414)은 배스(412) 내부에서 버블링되어 탈이온수와 혼합된 에어를 수용하여 에어 공급부(106)로 전달하는 기능을 수행하며, 상기 제 4 에어 공급라인(414) 상에는 통과하는 에어에 포함된 불순물을 제거하는 필터(416)가 설치되어 있다.At this time, the fourth air supply line 414 receives the air bubbled in the bath 412 and mixed with deionized water and delivers the air to the air supply unit 106, and the fourth air supply line ( On 414, a filter 416 for removing impurities contained in the air passing therethrough is provided.
이하, 전술한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 세정장치의 구성에 대한 구체적 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, a detailed operation of the configuration of the atmospheric pressure plasma cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail.
본 발명에 따른 상압 플라즈마 세정장치는, 먼저 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200) 사이로 이동부재에 의해서 피가공물(2)을 일측에서 타측으로 소정속도로 이동시키게 된다.In the atmospheric plasma cleaning apparatus according to the present invention, first, the workpiece 2 is moved between the upper structure 100 and the lower structure 200 by a moving member at a predetermined speed from one side to the other side.
이때, 상기 이동부재에 의해서 이동하는 피가공물(2)의 상면 및 하면은 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200)에 마주보며 구비된 상부 모직포(112) 및 하부 모직포(114)와 각각 접촉하게 됨으로써 피가공물(2) 상하면에 존재하는 불순물이 제거되고 피가공물(2)에 존재하는 정전기는 제거된다.At this time, the upper and lower surfaces of the workpiece 2 moving by the moving member are provided with the upper wool fabric 112 and the lower wool fabric 114 facing the upper structure 100 and the lower structure 200, respectively. By contacting, impurities existing on the upper and lower surfaces of the workpiece 2 are removed, and static electricity existing on the workpiece 2 is removed.
또한, 반응가스 공급부(108)는 습기를 함유한 일정량의 반응가스를 이동부재에 의해서 이동하는 피가공물(2) 상방으로 분사하게 되고, 에어 공급부(106)는 습기가 포함된 청정한 에어를 역시 피가공물(2) 상방으로 분사하게 된다.In addition, the reaction gas supply unit 108 injects a predetermined amount of reaction gas containing moisture above the workpiece 2 moving by the moving member, and the air supply unit 106 also avoids clean air containing moisture. The workpiece 2 is sprayed upward.
이때, 상기 에어 공급부(106)가 습기를 함유한 청정에어를 피가공물(2)) 상방으로 분사함으로서 피가공물(2)에 존재할 수 있는 정전기를 습기를 이용하여 제거하게 되며, 불순물을 함유한 외부공기가 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이로 유입되는 것을 방지한다.At this time, the air supply unit 106 by spraying the clean air containing moisture above the workpiece (2) to remove the static electricity that may be present in the workpiece (2) by using moisture, the outside containing impurities Air is prevented from flowing between the upper electrode 104 and the lower electrode 204.
그리고, 상기 에어 공급부(106)에서 분사되는 습기가 포함된 청정한 에어는, 청정에어 공급원(400)에서 방출된 에어가 상부전극(104) 및 하부전극(204)을 통과하며 상부전극(104) 및 하부전극(204)에 대한 냉각 작용을 수행한 후, 배스(412)를 통과하며 습기가 포함되어 피가공물(2) 상방으로 분사되는 것이다.In addition, in the clean air containing moisture injected from the air supply unit 106, air discharged from the clean air supply source 400 passes through the upper electrode 104 and the lower electrode 204, and the upper electrode 104 and After performing the cooling operation on the lower electrode 204, it passes through the bath 412 and contains moisture to be sprayed above the workpiece (2).
보다 상세히 설명하면, 청정에어 공급원(400)에 저장된 일정량의 에어는 제 1 에어 공급라인(402) 상에 설치된 공기압력 제어기(402)에 의해서 통과하는 에어의 압력이 측정 조절된 후, 전자밸브(406)를 통과하여 상부전극(104)으로 공급된다. 이때, 상기 청정에어는 후술할 전원(300)의 저주파 전력 인가에 의해서 상부전극(104)에서 발생되는 열을 냉각시키는 기능을 수행한다.In more detail, a predetermined amount of air stored in the clean air supply source 400 is measured and controlled by the air pressure controller 402 installed on the first air supply line 402, and then the solenoid valve ( It passes through 406 and is supplied to the upper electrode 104. At this time, the clean air performs a function of cooling the heat generated from the upper electrode 104 by the application of low-frequency power of the power source 300 to be described later.
그리고, 상기 상부전극(104)을 통과한 에어는 스프링 형상의 제 2 에어 공급라인(408)을 통과한 후, 하부전극(204)으로 공급되어 상부전극(104)에서와 동일하게 전원(300)의 저주파 전력 인가에 의해서 하부전극(204)에서 발생되는 열을 냉각시키는 기능을 수행한다. 이때, 상기 제 2 에어 공급라인(408)의 전체 길이가 1.5M로 길게 형성되고, 스프링 형상으로 이루어짐으로써 전원(300)의 저주파 전력 인가에 의해서 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이에 절연파괴내력을 높여 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이에 절연이 파괴되는 것이 방지된다. 또한, 상기 제 2 에어 공급라인(408)이 스프링 형상으로 구비됨으로써 제 2 에어공급라인(408)을 통과하는 에어는 절곡부에서 정체되며 이동속도가 조절되어 일정한 속도로 하부전극(204)으로 공급된다. 그리고, 상기 하부전극(204)을 통과한 에어는 스프링 형상의 제 3 에어 공급라인(410)을 통과하며 일정한 속도로 조절되어 배스(412) 내부에 저장된 탈이온수 내부로 공급됨으로써 배스(412) 내부에는 청정에어와 탈이온수가 혼합되며 버블(Bubble)이 발생된다. 그리고, 상기 배스(412) 내부에서 버블을 발생시키며 탈이온수와 혼합되어 습기를 함유한 에어는 제 4 에어 공급라인(414)을 통해서 에어 공급부(106)로 전달되어 피가공물(2) 상부에 분사된다.The air passing through the upper electrode 104 passes through the second air supply line 408 having a spring shape, and then is supplied to the lower electrode 204 to be supplied to the power supply 300 as in the upper electrode 104. Cooling the heat generated from the lower electrode 204 by applying a low frequency power of. At this time, the total length of the second air supply line 408 is formed to be 1.5M long, and is made of a spring shape between the upper electrode 104 and the lower electrode 204 by the application of low-frequency power of the power source 300. By increasing the dielectric breakdown strength, the insulation is prevented from being broken between the upper electrode 104 and the lower electrode 204. In addition, since the second air supply line 408 is provided in a spring shape, the air passing through the second air supply line 408 is stagnant at the bent portion and the moving speed is controlled to supply the lower electrode 204 at a constant speed. do. In addition, the air passing through the lower electrode 204 passes through the third air supply line 410 having a spring shape and is controlled at a constant speed to be supplied into the deionized water stored in the bath 412 to thereby form the inside of the bath 412. Clean air and deionized water are mixed with bubbles. In addition, air generated in the bath 412 and mixed with deionized water and containing moisture is delivered to the air supply unit 106 through the fourth air supply line 414 to be sprayed onto the workpiece 2. do.
또한, 상기 반응가스 공급부(108)에서 분사되는 습기가 포함된 반응가스는, ,반응가스 공급원(500)에 저장된 일정량의 반응가스는 배스(506)를 통과하며 습기를 함유하여 반응가스 공급부(108)로 공급되도록 되어 있다.In addition, the reaction gas containing moisture injected from the reaction gas supply unit 108, a predetermined amount of reaction gas stored in the reaction gas source 500 passes through the bath 506 and contains the reaction gas supply unit 108 ) Is supplied.
보다 상세히 설명하면, 반응가스 공급원(500)에 저장된 일정량의 반응가스가 제 1 반응가스 공급라인(502) 상에 설치된 전자밸브(504)를 통과하여 배스(506)에 저장된 탈이온수 내부로 공급됨으로써 탈이온수와 혼합되어 버블을 발생시키게 된다.In more detail, a predetermined amount of reaction gas stored in the reaction gas supply source 500 is supplied into the deionized water stored in the bath 506 through the solenoid valve 504 installed on the first reaction gas supply line 502. It is mixed with deionized water to generate bubbles.
그리고, 상기 버블을 발생시키며 탈이온수와 혼합된 반응가스는 배스(506)에 저장된 탈이온수의 계면과 소정간격 이격된 위치의 제 2 반응가스 공급라인(508) 상에 설치된 압력제어기(510)에 의해서 반응가스의 압력이 제어되고, 필터(512)에 의해서 필터링되어 반응가스 공급부(108)로 공급되는 것이다.The reaction gas generating the bubble and mixed with the deionized water is supplied to the pressure controller 510 installed on the second reaction gas supply line 508 at a position spaced apart from the interface of the deionized water stored in the bath 506 by a predetermined interval. The pressure of the reaction gas is controlled, filtered by the filter 512 is supplied to the reaction gas supply unit 108.
전술한 바와 같이 피가공물(2) 상부로 습기를 함유한 청정 에어 및 반응가스가 분사되는 상태에서 전원(300)은 소정의 저주파 전력을 상부전극(104) 및 하부전극(204)에 인가하게 됨으로써 상부전극(104) 및 하부전극(204) 사이에는 전기장이 형성된다.As described above, the power supply 300 applies predetermined low frequency power to the upper electrode 104 and the lower electrode 204 in the state in which the clean air containing the moisture and the reactive gas are injected onto the workpiece 2. An electric field is formed between the upper electrode 104 and the lower electrode 204.
이때, 상기 전원(300)이 소정의 저주파 전력을 상부전극(104) 및 하부전극(204)에 인가할 때, 전압에 이상이 발생할 경우에는 정전압 방전관(302)을 통해서 방전이 진행된다. 또한, 상기 전원(300)이 소정의 저주파 전력을 상부전극(104) 및 하부전극(204)에 인가할 때, 과부하가 걸리는 경우에는 기생 발진 억제용 여파기(304)에 의해서 과부하가 제거됨으로써 과부하에 따라 세정장비에 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 본 발명에 따라 저항(120)이 구비됨으로써 세정장비의 반복적인 온-오프(On-off)동작시 순간적으로 도립전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.At this time, when the power source 300 applies a predetermined low frequency power to the upper electrode 104 and the lower electrode 204, when an abnormality occurs in the voltage, the discharge proceeds through the constant voltage discharge tube 302. In addition, when the power supply 300 applies a predetermined low frequency power to the upper electrode 104 and the lower electrode 204, the overload is removed by the parasitic oscillation suppression filter 304 when the overload is applied. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of abnormalities in the cleaning equipment. In addition, since the resistor 120 is provided according to the present invention, it is possible to prevent the inverted current from being generated instantaneously during the repeated on-off operation of the cleaning equipment.
따라서, 상기 피가공물(2) 상방으로 분사된 습기를 함유한 반응가스는 전기장에 의해서 활성화되어 전자,이온 및 원자단 등이 혼합된 플라즈마 상태로 전환되고 플라즈마 상태의 양이온은 피가공물(2) 표면에 존재하는 불순물과 충돌함으로서 피가공물(2) 표면의 불순물을 제거하는 세정공정이 진행된다.Therefore, the reaction gas containing moisture injected above the workpiece 2 is activated by an electric field to be converted into a plasma state where electrons, ions, and atomic groups are mixed, and the cations in the plasma state are formed on the surface of the workpiece 2. The washing process is performed to remove impurities on the surface of the workpiece 2 by colliding with the impurities present.
이때, 상기 반응가스 공급부(108)에서 공급하는 반응가스는 에어 공급부(106)에서 공급되는 습기를 함유한 에어 및 자체적으로 포함된 습기 등과 혼합되어 다량의 습기를 함유함으로써 전원(300)의 저주파 전력 인가에 의해서도 균일한 플라즈마 상태로 전환될 수 있는 것이다.At this time, the reaction gas supplied from the reaction gas supply unit 108 is mixed with the air containing the moisture supplied from the air supply unit 106 and the moisture contained in itself and the like to contain a large amount of low-frequency power of the power source 300 It can also be converted to a uniform plasma state by application.
또한, 상부 구조체(100) 및 하부 구조체(200)에 돌출된 상부 모직포(112,114) 및 하부 모직포(206, 208)가 구비되어 반응가스가 상부 모직포(112, 114) 및 하부 모직포(206, 208) 사이의 내부공간에 정체되어 플라즈마 상태로 전환됨으로써 플라즈마의 덴시티를 향상시켜 피가공물(2)에 대한 세정효과는 향상된다.In addition, upper wool fabrics 112 and 114 and lower wool fabrics 206 and 208 protruding from the upper structure 100 and the lower structure 200 are provided so that the reaction gas is provided in the upper wool fabrics 112 and 114 and the lower wool fabric ( By stagnating in the internal space between the 206 and 208 and switching to the plasma state, the density of the plasma is improved and the cleaning effect on the workpiece 2 is improved.
그리고, 피가공물(2)의 종류에 따라 반응가스를 적절히 선택함으로써 피가공물(2) 표면의 계질을 변경시킬 수도 있다.In addition, by selecting the reaction gas appropriately according to the type of the workpiece 2, the boundary quality of the surface of the workpiece 2 can be changed.
그리고, 상기 에어 공급부(106) 및 반응가스 공급부(108)에 의해서 방출된 청정에어 및 반응가스는 펌프(516)의 펌핑에 의해서 반응가스 방출부(110)와 연결된 펌핑라인(514)을 통해서 외부로 강제 펌핑된다.In addition, the clean air and the reactant gas discharged by the air supply unit 106 and the reactant gas supply unit 108 are externally connected through a pumping line 514 connected to the reactant gas discharge unit 110 by pumping the pump 516. Pumping force.
본 발명에 의하면, 습기를 함유한 청정에어를 공급함으로써 불순물을 함유한 외부 공기가 상부전극 및 하부전극 사이로 유입되어 세정불량을 발생시키는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, by supplying clean air containing moisture, it is possible to prevent the external air containing impurities from flowing between the upper electrode and the lower electrode to cause a cleaning failure.
또한, 상기 피가공물 방향으로 습기를 함유한 청정에어 및 반응가스를 공급함으로써 피가공물에 존재하는 정전기를 용이하게 제거할 수 있으며, 저주파 전력에 의해서 반응가스를 플라즈마 상태로 전환할 수 있다.In addition, by supplying the clean air containing the moisture and the reaction gas in the direction of the workpiece, it is possible to easily remove the static electricity present in the workpiece, it is possible to convert the reaction gas to the plasma state by low frequency power.
따라서, 상기 저주파 전력을 사용함으로써 세정장비의 소비전력량을 매우 절감할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the use of the low frequency power has an effect that can greatly reduce the power consumption of the cleaning equipment.
그리고, 피가공물 방향으로 분사되는 습기를 함유한 청정에어는 상부전극 및 하부전극 냉각용으로 사용되는 에어를 사용함으로써 장비의 구조가 간단해지고 상부전극 및 하부전극의 과열에 따른 문제점도 해결할 수 있는 효과가 있다.In addition, the clean air containing moisture sprayed toward the workpieces uses air used for cooling the upper electrode and the lower electrode, thereby simplifying the structure of the equipment and solving the problems caused by overheating of the upper electrode and the lower electrode. There is.
또한, 상부 모직포 및 하부 모직포가 구비됨으로써 피가공물에 발생하는 정전기를 보다 효과적으로 제거하고, 피가공물에 부착된 불순물 또한 제거할 수 있으며, 플라즈마 덴시티를 향상시켜 피가공물의 세정도를 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the upper woolen fabric and the lower woolen fabric are provided to more effectively remove the static electricity generated in the workpiece, and also remove impurities attached to the workpiece, and improve the plasma density to increase the degree of cleaning of the workpiece. It works.
그리고, 전원과 전극 사이에 정전압 방전관, 여파기 및 저항이 각각 구비됨으로써 전압 이상, 과부하, 도립전류의 발생 등을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the constant voltage discharge tube, the filter, and the resistance are respectively provided between the power supply and the electrode, there is an effect of preventing voltage abnormality, overload, generation of an inverted current, and the like.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
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| KR101294887B1 (en) * | 2011-12-19 | 2013-08-08 | 주식회사 포스코 | Atmospheric pressure plasma degreasing apparatus |
| WO2018018669A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Esd Technology Consulting & Licensing Co., Ltd. | Static charge reduction system |
| KR20190058035A (en) | 2017-11-21 | 2019-05-29 | 경동산업(주) | Apparatus for binding base of air conditioner |
| KR102042624B1 (en) | 2017-11-23 | 2019-11-08 | 경동산업(주) | air conditioner |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060717A (en) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | Manufacturing device of semiconductor substrate |
| WO2001059809A1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-08-16 | Dow Corning Ireland Limited | An atmospheric pressure plasma system |
| WO2002040742A1 (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for atmospheric plasma processing |
| KR20020071694A (en) * | 2001-06-15 | 2002-09-13 | 주식회사 셈테크놀러지 | Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate with atmospheric-pressure plasma |
| KR20020085149A (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 주식회사 우광유니텍 | Plasma Dry type Cleaning apparatus in ambient temperature/atmospheric |
-
2002
- 2002-05-27 KR KR10-2002-0029406A patent/KR100415271B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060717A (en) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | Manufacturing device of semiconductor substrate |
| WO2001059809A1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-08-16 | Dow Corning Ireland Limited | An atmospheric pressure plasma system |
| WO2002040742A1 (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method and device for atmospheric plasma processing |
| KR20020085149A (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 주식회사 우광유니텍 | Plasma Dry type Cleaning apparatus in ambient temperature/atmospheric |
| KR20020071694A (en) * | 2001-06-15 | 2002-09-13 | 주식회사 셈테크놀러지 | Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate with atmospheric-pressure plasma |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040003079A (en) | 2004-01-13 |
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