KR100406357B1 - Voltage-controlled oscillation circuit for wide band in cellular phone - Google Patents
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Abstract
본 발명은 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 관한 것으로, 튜닝전압(VT)단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)의 잡음을 제거하는 제1 교류차단필터(41a); 상기 제1 교류차단필터(41a)의 타단에 접속하여, 상기 제1 교류차단필터(41a)를 통한 튜닝전압(VT)에 따라 커패시턴스가 가변되는 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)를 직렬로 접속하여, 이 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제1 대역내의 주파수를 공진시키는 제1 공진회로부(42a); 튜닝전압(VT)단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)의 잡음을 제거하는 제2 교류차단필터(41b); 및 상기 제2 교류차단필터(41b)의 타단에 접속하여, 상기 제2 교류차단필터(41b)를 통한 튜닝전압(VT)에 따라 커패시턴스가 가변되는 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)를 직렬로 접속하여, 이 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제2 대역내의 주파수를 공진시키는 제2 공진회로부(42b)를 구비함을 요지로 한다.The present invention relates to a wideband voltage controlled oscillation circuit of a mobile phone, comprising: a first alternating current cut filter (41a) connected to one end of a tuning voltage (VT) stage to remove noise of the tuning voltage (VT); First and second varactor diodes VD11 and VD12 connected to the other end of the first AC cutoff filter 41a and whose capacitance is changed according to the tuning voltage VT through the first AC cutoff filter 41a. A first resonant circuit section 42a for resonating a variable capacitance by the first and second varactor diodes VD11 and VD12 and a frequency in a first band determined by the fixed capacitance and the inductance; A second alternating current cut filter (41b) connected to one end of a tuning voltage (VT) stage to remove noise of the tuning voltage (VT); And third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 connected to the other end of the second AC cutoff filter 41b and whose capacitance is changed according to the tuning voltage VT through the second AC cutoff filter 41b. ) Is connected in series, and a second resonant circuit portion 42b for resonating the variable capacitance caused by the third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 and the frequency in the second band determined by the fixed capacitance and the inductance is provided. The summary is.
Description
본 발명은 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 관한 것으로, 특히 발진회로를 개선하여 가격의 증가 및 사이즈 증가 없이도 튜닝전압에 따라 가변될 수 있는 발진주파수의 범위를 확대시키도록 함으로서, 보다 넓은 사용주파수에 사용될 수 있고, 사용주파수별로 별도의 전압제어발진회로를 설계 및 제작할 필요가 없으며, 가격 및 사이즈의 증가 부담이 없는 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 관한 것이다.The present invention relates to a wideband voltage controlled oscillator circuit of a mobile phone, and in particular, to improve the oscillator circuit to expand the range of oscillation frequency that can be varied according to the tuning voltage without increasing the price and size. It can be used, there is no need to design and manufacture a separate voltage controlled oscillator circuit for each frequency used, and relates to a broadband voltage controlled oscillator circuit of a mobile phone without increasing the cost and size.
일반적으로, GSM(TDMA 방식) 시스템은 도 1에 도시된 바와같이, 유럽에서는 E-GSM, DCS1800이 있으며, 또한 최근에는 미주에서 도 2에 도시된 바와같이, GSM850, PCS1900이 사용되고 있다.In general, as shown in Fig. 1, GSM (TDMA system) systems include E-GSM and DCS1800 in Europe, and recently, as shown in Fig. 2 in the Americas, GSM850 and PCS1900 are used.
도 3은 종래 전압제어발진회로의 구성도로서, 도 3을 참조하면, 종래의 전압제어발진회로는 튜닝전압(VT)의 잡음을 제거하는 제1,제2 교류차단필터(31a,31b)와, 상기 각 제1,제2 교류차단필터(31a,31b)를 통한 튜닝전압(VT)에 따른 바랙터 다이오드(VDa,VDb)와 기타 공진소자에 의해 결정되는 주파수를 공진시키는 제1,제2 공진회로부(32a,32b)와, 대역 선택전압(VSW)에 따라 바이어스 전압(B+)을 스위칭시키는 대역선택 회로부(33a,33b)와, 상기 대역선택 회로부(33a,33b)에 의해 바이어스 전압(B+)을 공급받아 동작하여, 상기 각 제1,제2 공진회로부(32a,32b)에 의한 공진주파수를 발진시키는 제1, 제2 발진 및 버퍼부(34a,34b)로 이루어져 있다.3 is a configuration diagram of a conventional voltage controlled oscillator circuit. Referring to FIG. 3, a conventional voltage controlled oscillator circuit includes first and second AC cutoff filters 31a and 31b for removing noise of a tuning voltage VT. And first and second resonating frequencies determined by the varactor diodes VDa and VDb and other resonant elements according to the tuning voltage VT through the first and second AC cutoff filters 31a and 31b. Resonance circuit portions 32a and 32b, band selection circuit portions 33a and 33b for switching the bias voltage B + according to the band selection voltage VSW, and the bias voltage B + by the band selection circuit portions 33a and 33b. And the first and second oscillation and buffer portions 34a and 34b for oscillating the resonant frequencies of the first and second resonant circuit portions 32a and 32b.
그러나, 이와 같은 종래의 전압제어발진회로는, 발진가변 범위가 협대역으로서, 서로 사용 주파수를 달리 사용하는 유럽과 미주등, 2 지역에서 사용되는 사용 주파수에 전부 사용될 수 없으며, 이에 따라 사용주파수에 따라 해당 지역별로 서로 사용주파수가 다르게 설정된 전압제어발진회로를 설계 및 제작하여야 하는 문제점이 있다.However, such a conventional voltage controlled oscillator circuit has a narrow band of oscillation variable range, and cannot be used for all used frequencies in two regions, such as Europe and the Americas, which use different frequencies. Accordingly, there is a problem in that a voltage controlled oscillation circuit having different usage frequencies is designed and manufactured in each region.
또한, 종래 듀얼 밴드 핸드폰(dual band hand phone)보다 가격이나 크기가 크게 증가되지 않으면서, 유럽과 미국에서 동시에 사용될 수 있는 4밴드 핸드폰(Quad band hand phone)이 활발히 연구 및 개발되고 있으며, 이에 대한 핵심 기술은 전압제어발진회로에 있는 것으로서, 이에 대한 연구 및 개발이 이루어지고 있다.In addition, a 4 band mobile phone (Quad band hand phone) that can be used simultaneously in Europe and the United States without actively increasing the price or size than the conventional dual band mobile phone (dual band hand phone) has been actively researched and developed for this The core technology lies in the voltage controlled oscillator circuit, which is being researched and developed.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 따라서, 본 발명의 목적은 발진회로를 개선하여 가격의 증가 및 사이즈 증가 없이도 튜닝전압에 따라 가변될 수 있는 발진주파수의 범위를 확대시키도록 함으로서, 보다 넓은 사용주파수에 사용될 수 있고, 사용주파수별로 별도의 전압제어발진회로를 설계 및 제작할 필요가 없으며, 가격 및 사이즈의 증가 부담이 없는 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and therefore, an object of the present invention is to improve the oscillation circuit so as to expand the range of oscillation frequency that can be varied according to the tuning voltage without increasing the price and increasing the size. The present invention provides a broadband voltage controlled oscillator circuit of a mobile phone, which can be used for a wider frequency of use, does not need to design and manufacture a separate voltage controlled oscillator circuit for each frequency of use, and does not have an increase in price and size.
도 1은 일반 유럽형 휴대폰의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a general European mobile phone.
도 2는 일반 미주형 휴대폰의 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram of a general cell phone.
도 3은 종래 전압제어발진회로의 구성도이다.3 is a block diagram of a conventional voltage controlled oscillator circuit.
도 4는 본 발명에 따른 전압제어발진회로의 구성도이다.4 is a configuration diagram of a voltage controlled oscillator circuit according to the present invention.
도 5는 본 발명이 적용된 휴대폰의 구성도이다.5 is a block diagram of a mobile phone to which the present invention is applied.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
41a : 제1 교류차단필터 41b : 제2 교류차단필터41a: first AC cutoff filter 41b: second AC cutoff filter
42a : 제1 공진회로부 42b : 제2 공진회로부42a: first resonant circuit portion 42b: second resonant circuit portion
43a,43b : 대역선택 회로부 44a : 제1 발진 및 버퍼부43a, 43b: Band select circuit section 44a: First oscillation and buffer section
44b : 제2 발진 및 버퍼부44b: second oscillation and buffer portion
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명의 전압제어잘진회로는 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 있어서, 튜닝전압단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압의 잡음을 제거하는 제1 교류차단필터; 상기 제1 교류차단필터의 타단에 접속하여, 상기 제1 교류차단필터를 통한 튜닝전압에 따라 커패시턴스가 가변되는 제1 및 제2 바랙터 다이오드를 직렬로 접속하여, 이 제1 및 제2 바랙터 다이오드에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제1 대역내의 주파수를 공진시키는 제1 공진회로부; 튜닝전압단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압의 잡음을 제거하는 제2 교류차단필터; 및 상기 제2 교류차단필터의 타단에 접속하여, 상기 제2 교류차단필터를 통한 튜닝전압에 따라 커패시턴스가 가변되는 제3 및 제4 바랙터 다이오드를 직렬로 접속하여, 이 제3 및 제4 바랙터 다이오드에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제2 대역내의 주파수를 공진시키는 제2 공진회로부를 구비함을 특징으로 한다.As a technical means for achieving the above object of the present invention, the voltage-controlled circuit of the present invention is connected to one end of a tuning voltage terminal in a broadband voltage controlled oscillation circuit of a mobile phone to remove noise of the tuning voltage. A first alternating current cut filter; The first and second varactor diodes are connected in series with the other end of the first AC cutoff filter, and the first and second varactor diodes whose capacitance is changed in accordance with the tuning voltage through the first AC cutoff filter are connected in series. A first resonant circuit unit resonating a frequency within a first band determined by a variable capacitance and a fixed capacitance and an inductance by a diode; A second AC cut-off filter connected to one end of a tuning voltage terminal to remove noise of the tuning voltage; And third and fourth varactor diodes having capacitances varied in accordance with a tuning voltage through the second AC cutoff filter, connected in series with the other end of the second AC cutoff filter. And a second resonant circuit unit configured to resonate the variable capacitance caused by the racter diode and the frequency in the second band determined by the fixed capacitance and the inductance.
이하, 본 발명에 따른 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 대하여 첨부도면을 참조하여 그 구성 및 작용을 상세하게 설명한다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.Hereinafter, the configuration and operation of the broadband voltage controlled oscillation circuit of the cellular phone according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.
도 4는 본 발명에 따른 전압제어발진회로의 구성도로서, 도 4를 참조하면,본 발명에 따른 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로는 튜닝전압(VT)단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)의 잡음을 제거하는 제1 교류차단필터(41a)와, 상기 제1 교류차단필터(41a)의 타단에 접속하여, 상기 제1 교류차단필터(41a)를 통한 튜닝전압(VT)에 따라 커패시턴스가 가변되는 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)를 직렬로 접속하여, 이 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제1 대역내의 주파수를 공진시키는 제1 공진회로부(42a)와, 튜닝전압(VT)단의 일단에 접속하여, 상기 튜닝전압(VT)의 잡음을 제거하는 제2 교류차단필터(41b)와, 상기 제2 교류차단필터(41b)의 타단에 접속하여, 상기 제2 교류차단필터(41b)를 통한 튜닝전압(VT)에 따라 커패시턴스가 가변되는 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)를 직렬로 접속하여, 이 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)에 의한 가변 커패시턴스와 고정 커패시턴스 및 인덕턴스에 의해 결정된 제2 대역내의 주파수를 공진시키는 제2 공진회로부(42b)로 구성한다.4 is a configuration diagram of a voltage controlled oscillator circuit according to the present invention. Referring to FIG. 4, a broadband voltage controlled oscillator circuit of a mobile phone according to the present invention is connected to one end of a tuning voltage (VT) terminal, and the tuning voltage ( A first AC cut filter 41a for removing noise of VT and the other end of the first AC cut filter 41a, and according to a tuning voltage VT through the first AC cut filter 41a. The first and second varactor diodes VD11 and VD12 having a variable capacitance are connected in series, and the first and second varactor diodes VD11 and VD12 are connected to each other and the capacitance determined by the fixed capacitance and inductance is determined by the first and second varactor diodes VD11 and VD12. A first AC circuit 42a for resonating the frequency within one band, a second AC cut-off filter 41b connected to one end of the tuning voltage VT stage, and removing noise of the tuning voltage VT; The second AC cut filter 41b is connected to the other end of the second AC cut filter 41b. The third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 having a variable capacitance according to the tuning voltage VT are connected in series, and the variable capacitances of the third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 And a second resonant circuit portion 42b for resonating the frequency in the second band determined by the fixed capacitance and the inductance.
또한, 본 발명은 대역 선택전압(VSW)에 따라 바이어스 전압(B+)을 스위칭시키는 대역선택 회로부(43a,43b)와, 상기 대역선택 회로부(43a,43b)에 의해 바이어스 전압(B+)을 공급받아 동작하여, 상기 각 제1 공진회로부(42a)에 의한 제1 공진주파수를 발진시키는 제1 발진 및 버퍼부(44a)와, 상기 대역선택 회로부(43a,43b)에 의해 바이어스 전압(B+)을 공급받아 상기 제1 발진 및 버퍼부(44a)와 상보적으로 동작하여, 상기 각 제2 공진회로부(42b)에 의한 제2 공진주파수를 발진시키는제2 발진 및 버퍼부(44b)를 더 포함한다.In addition, the present invention receives the bias voltage (B +) by the band selection circuit section (43a, 43b) for switching the bias voltage (B +) according to the band selection voltage (VSW) and the band selection circuit section (43a, 43b) And a bias voltage B + is supplied by the first oscillation and buffer section 44a for oscillating the first resonance frequency by each of the first resonance circuit sections 42a, and the band selection circuit sections 43a and 43b. And a second oscillation and buffer portion 44b which operates complementarily with the first oscillation and buffer portion 44a to oscillate a second resonance frequency by each of the second resonance circuit portions 42b.
상기 제1 공진회로부(42a)는 상기 제1 교류차단필터(41a)의 타단에 캐소드단을 접속하고, 애노드단을 접지로 연결한 제1 바랙터 다이오드(VD11)와, 상기 제1 바랙터 다이오드(VD11)의 캐소드단에 캐소드단을 접속한 제2 바렉터 다이오드(VD12)와, 상기 제2 바렉터 다이오드(VD12)의 애노드단에서 접지로 병렬 연결한 인덕터(L11) 및 커패시터(C11)와, 상기 인덕터(L11) 및 커패시터(C11)의 접속점에서 접지로 직렬 연결한 커패시터(C12) 및 인덕터(L12)를 포함하며, 상기 커패시터(C12) 및 인덕터(L12)의 접속점을 제1 커플링 커패시터(CC1a)를 통해 상기 제1 발진 및 버퍼부(44a)의 입력단에 접속하여 구성한다.The first resonant circuit part 42a includes a first varactor diode VD11 having a cathode connected to the other end of the first AC cutoff filter 41a, an anode connected to ground, and the first varactor diode. A second varistor diode VD12 having a cathode connected to the cathode of VD11, an inductor L11 and a capacitor C11 connected in parallel from the anode of the second varistor diode VD12 to ground; And a capacitor C12 and an inductor L12 connected in series from the connection point of the inductor L11 and the capacitor C11 to ground, and the connection point of the capacitor C12 and the inductor L12 is a first coupling capacitor. It is configured to connect to the input terminal of the first oscillation and buffer section 44a via CC1a.
상기 제2 공진회로부(42b)는 상기 제2 교류차단필터(41b)의 타단에 캐소드단을 접속하고, 애노드단을 접지로 연결한 제1 바랙터 다이오드(VD21)와, 상기 제1 바랙터 다이오드(VD21)의 캐소드단에 캐소드단을 접속한 제2 바렉터 다이오드(VD22)와, 상기 제2 바렉터 다이오드(VD22)의 애노드단에서 접지로 병렬 연결한 인덕터(L21) 및 커패시터(C21)와, 상기 인덕터(L21) 및 커패시터(C21)의 접속점에서 접지로 직렬 연결한 커패시터(C22) 및 인덕터(L22)를 포함하며, 상기 커패시터(C22) 및 인덕터(L22)의 접속점을 제2 커플링 커패시터(CC1b)를 통해 상기 제2 발진 및 버퍼부(44b)의 입력단에 접속하여 구성한다.The second resonant circuit part 42b includes a first varactor diode VD21 connected to a second end of the second AC cutoff filter 41b, an anode end connected to ground, and the first varactor diode. A second varistor diode VD22 having a cathode connected to the cathode of VD21, an inductor L21 and a capacitor C21 connected in parallel from the anode of the second varistor diode VD22 to ground; And a capacitor C22 and an inductor L22 connected in series from the connection point of the inductor L21 and the capacitor C21 to ground, and connecting the connection point of the capacitor C22 and the inductor L22 to a second coupling capacitor. It is configured to connect to the input terminal of the second oscillation and buffer section 44b via CC1b.
도 5는 본 발명이 적용된 휴대폰의 구성도로서, 이는 본 발명에 따른 광대역 전압제어발진회로를 실제 적용한 휴대폰의 구성을 개략적으로 보이고 있으며, 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 공진회로부(42a)에 의한 제1 대역이 829MHz에서 915MHz까지이며, 이는 E-GSM 방식의 대역(880-915MHz)과 GSM850 방식의 대역(829-849MHz)을 모두 포함하는 대역이다. 그리고, 본 발명의 제2 공진회로부(42b)에 의한 제2 대역이 1710MHz에서 1910MHz까지이며, 이는 DCS1800 방식의 대역(1710-1785)과 PCS1900 방식의 대역(1850-1910MHz)을 모두 포함하는 대역이다.5 is a configuration diagram of a mobile phone to which the present invention is applied, which schematically illustrates a configuration of a mobile phone to which a wideband voltage controlled oscillation circuit according to the present invention is actually applied. Referring to FIG. ) Is the first band from 829 MHz to 915 MHz, which includes both the E-GSM band (880-915 MHz) and the GSM850 band (829-849 MHz). In addition, the second band by the second resonant circuit portion 42b of the present invention is 1710MHz to 1910MHz, which is a band including both the DCS1800 band 1710-1785 and the PCS1900 band 1850-1910MHz. .
이와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작을 첨부도면에 의거하여 하기에 상세히 설명한다.Operation of the preferred embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail below based on the accompanying drawings.
도 4를 참조하여 본 발명의 휴대폰의 광대역 전압제어발진회로에 대한 동작을 설명하면, 먼저, 미도시된 PLL에의해 제공되는 튜닝전압(VT)은 제1 교류차단필터(41a)에 의해 교류(AC)성분의 노이즈가 제거된후 제1 공진회로부(42a)에 제공되고, 또한, 상기 튜닝전압(VT)은 제2 교류차단필터(41b)에 의해 교류(AC)성분의 노이즈가 제거된후 제2 공진회로부(42b)에 제공된다.Referring to FIG. 4, the operation of the broadband voltage controlled oscillation circuit of the mobile phone of the present invention will be described first. First, the tuning voltage VT provided by the PLL (not shown) is alternating by the first AC blocking filter 41a. After the noise of the AC component is removed, it is provided to the first resonant circuit part 42a, and the tuning voltage VT is removed after the noise of the AC component is removed by the second AC blocking filter 41b. The second resonant circuit portion 42b is provided.
상기 제1 공진회로부(42a)에 대한 동작을 설명하면, 이 공진회로부(42a)의 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)는 상기 제공되는 튜닝전압(VT)에 따라 가변되어 커패시턴스가 결정되며, 이 제1 및 제2 바랙터 다이오드(VD11,VD12)에 의한커패시턴스, 커패시터(C11,C12)에 의한 고정 커패시턴스에 의해 전체 커패시턴스(CT)가 정해지고, 인덕터(L11,L12)에 의해 전체 인덕턴스(LT)가 정해지는데, 이때, 상기 공진주파수는 수학식 1/(2πSQRT (LT*CT))에 의해서 결정된다.Referring to the operation of the first resonant circuit portion 42a, the first and second varactor diodes VD11 and VD12 of the resonant circuit portion 42a are varied in accordance with the provided tuning voltage VT so that capacitance is increased. The total capacitance CT is determined by the capacitance by the first and second varactor diodes VD11 and VD12 and the fixed capacitance by the capacitors C11 and C12, and is determined by the inductors L11 and L12. The total inductance LT is determined, where the resonance frequency is determined by Equation 1 / (2πSQRT (LT * CT)).
만약, 상기 튜닝전압(VT)이 가변범위중에서 작은 전압일 경우에는 상기 전체 커패시턴스가 큰 값이 되고, 결국 공진 주파수는 작은 값이 되므로, 이 작은 공진 주파수는 도 5에 도시된 제1 대역(829MHz-915MHz)중에서 829MHz가 되며, 반면에, 상기 튜닝전압(VT)이 가변범위중에서 큰 전압일 경우에는 상기 전체 커패시턴스가 작은 값이 되고, 결국 공진 주파수는 큰 값이 되므로, 이 큰 공진 주파수는 도 5에 도시된 제1 대역(829MHz-915MHz)중에서 915MHz가 된다.If the tuning voltage VT is a small voltage in the variable range, the total capacitance becomes a large value and the resonance frequency becomes a small value. Thus, the small resonance frequency is the first band (829 MHz) shown in FIG. -915 MHz), which is 829 MHz. On the other hand, when the tuning voltage VT is a large voltage in the variable range, the total capacitance becomes a small value, and thus the resonance frequency becomes a large value. The first band (829 MHz to 915 MHz) shown in 5 becomes 915 MHz.
따라서 종래 VCO 회로도와 비교해서 C11은 매우 작은 값이며 C12는 1.5~2배 큰 값으로 설정하며, 이러한 설정에 따라 가변범위를 확대시킬 수 있다.Therefore, compared with the conventional VCO circuit diagram, C11 is very small and C12 is set to 1.5 to 2 times larger, and according to this setting, the variable range can be expanded.
또한, 상기 제2 공진회로부(42b)에 대한 동작을 설명하면, 이 공진회로부(42b)의 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)는 상기 제공되는 튜닝전압(VT)에 따라 가변되어 커패시턴스가 결정되며, 이 제3 및 제4 바랙터 다이오드(VD21,VD22)에 의한 커패시턴스, 커패시터(C21,C22)에 의한 고정 커패시턴스에 의해 전체 커패시턴스(CT)가 정해지고, 인덕터(L21,L22)에 의해 전체 인덕턴스(LT)가 정해지는데, 이때, 상기 공진주파수는 상기한 수학식 1/(2πSQRT(LT*CT))에 의해서 결정된다.In addition, when the operation of the second resonant circuit portion 42b is described, the third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 of the resonant circuit portion 42b are varied according to the provided tuning voltage VT. The capacitance is determined, the total capacitance CT is determined by the capacitance by the third and fourth varactor diodes VD21 and VD22 and the fixed capacitance by the capacitors C21 and C22, and the inductors L21 and L22. The total inductance (LT) is determined by, where the resonance frequency is determined by Equation 1 / (2πSQRT (LT * CT)).
만약, 상기 튜닝전압(VT)이 가변범위중에서 작은 전압일 경우에는 상기 전체 커패시턴스가 큰 값이 되고, 결국 공진 주파수는 작은 값이 되므로, 이 작은 공진 주파수는 도 5에 도시된 제2 대역(1710MHz-1910MHz)중에서 1710MHz가 되며, 반면에, 상기 튜닝전압(VT)이 가변범위중에서 큰 전압일 경우에는 상기 전체 커패시턴스가 작은 값이 되고, 결국 공진 주파수는 큰 값이 되므로, 이 큰 공진 주파수는 도 5에 도시된 제2 대역(1710MHz-1910MHz)중에서 1910MHz가 된다.If the tuning voltage VT is a small voltage in the variable range, the total capacitance becomes a large value and the resonance frequency becomes a small value. Thus, the small resonance frequency is the second band 1710 MHz shown in FIG. 5. -1710 MHz), while on the other hand, when the tuning voltage VT is a large voltage in the variable range, the total capacitance becomes a small value, and as a result, the resonance frequency becomes a large value. 1910 MHz in the second band 1710 MHz to 1910 MHz shown in FIG.
따라서 종래 VCO 회로도와 비교해서 C21은 매우 작은 값이며 C22는 1.5~2배 큰 값으로 설정하며, 이러한 설정에 따라 가변범위를 확대시킬 수 있다.Therefore, compared with the conventional VCO circuit diagram, C21 is very small and C22 is set to 1.5 to 2 times larger, and according to this setting, the variable range can be expanded.
이후, 본 발명의 대역선택 회로부(43a,43b)는 대역 선택전압(VSW)에 따라 바이어스 전압(B+)을 스위칭시키는데, 만약, 상기 대역 선택전압(VSW)이 로우레벨일 경우에는 제1 발진 및 버퍼부(44a)에 바이어스 전압(B+)을 공급하고, 반면에, 상기 대역 선택전압(VSW)이 하이레벨일 경우에는 제2 발진 및 버퍼부(44b)에 바이어스 전압(B+)을 공급한다.Thereafter, the band select circuits 43a and 43b of the present invention switch the bias voltage B + according to the band select voltage VSW. If the band select voltage VSW is at a low level, the first oscillation and The bias voltage B + is supplied to the buffer unit 44a, while the bias voltage B + is supplied to the second oscillation and buffer unit 44b when the band select voltage VSW is at a high level.
이러한 대역선택 회로부(43a,43b)의 동작에 의해서 바이어스 전압(B+)을 공급받는 제1 발진 및 버퍼부(44a) 또는 제2 발진 및 버퍼부(44b)가 동작하는데, 상기 제1 발진 및 버퍼부(44a)는 상기 제1 공진회로부(42a)에 의한 제1 대역(829MHz-915MHz)에 포함되는 공진주파수를 발진시켜 출력하고, 또한, 상기 제2 발진 및 버퍼부(44b)는 상기 제2 공진회로부(42b)에 의한 제2 대역(1710MHz-1910MHz)에 포함되는 공진주파수를 발진시켜 출력한다.The first oscillation and buffer unit 44a or the second oscillation and buffer unit 44b supplied with the bias voltage B + is operated by the operation of the band selection circuit units 43a and 43b. The unit 44a oscillates and outputs a resonant frequency included in the first band (829 MHz to 915 MHz) by the first resonant circuit unit 42a, and the second oscillation and buffer unit 44b includes the second The resonant frequency included in the second band (1710MHz-1910MHz) by the resonant circuit part 42b is oscillated and output.
한편, 바랙터 다이오드(Varactor diode)는 커패시터(capacitor)에 비교하여 종류가 다양하지 않으므로, 이 커패시터(capacitor)(C11,C12)가 없을 경우 미세한 성능 조정이 어렵습니다. 따라서 종래 VCO 회로도와 비교해서 C11은 매우 작은 값이며 C12는 1.5~2배 큰 값으로 설정하며, 이러한 설정에 따라 가변범위를 확대시킬 수 있다.Varactor diodes, on the other hand, are not as diverse as capacitors, so it is difficult to fine tune performance without these capacitors (C11, C12). Therefore, compared with the conventional VCO circuit diagram, C11 is very small and C12 is set to 1.5 to 2 times larger, and according to this setting, the variable range can be expanded.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의한 공진회로부에서는 종래의 공진회로부에 비해서 가변범위가 커짐을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the resonant circuit portion according to the present invention has a larger variable range than the conventional resonant circuit portion.
전술한 바와 같은 본 발명은 휴대폰뿐만 아니라, 무선 송신기 또는 수신기등과 같이, 주파수를 변환하는 장치 또는 시스템에 적용될 수 있다.As described above, the present invention can be applied not only to a mobile phone but also to an apparatus or system for converting frequencies, such as a radio transmitter or a receiver.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 발진회로를 개선하여 가격의 증가 및 사이즈 증가 없이도 튜닝전압에 따라 가변될 수 있는 발진주파수의 범위를 확대시키도록 함으로서, 보다 넓은 사용주파수에 사용될 수 있고, 사용주파수별로 별도의 전압제어발진회로를 설계 및 제작할 필요가 없으며, 가격 및 사이즈의 증가 부담이 없는 특별한 효과가 있다.According to the present invention as described above, by improving the oscillation circuit to expand the range of the oscillation frequency that can be changed according to the tuning voltage without increasing the price and size increases, can be used for a wider use frequency, use frequency There is no need to design and manufacture a separate voltage controlled oscillator circuit, and there is a special effect that there is no burden of price and size increase.
이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.The above description is only a description of specific embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to these specific embodiments, and various changes and modifications of the configuration are possible from the above-described specific embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.
Claims (4)
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR10-2001-0084236A KR100406357B1 (en) | 2001-12-24 | 2001-12-24 | Voltage-controlled oscillation circuit for wide band in cellular phone |
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| KR10-2001-0084236A KR100406357B1 (en) | 2001-12-24 | 2001-12-24 | Voltage-controlled oscillation circuit for wide band in cellular phone |
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2001
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