KR100399542B1 - 플라즈마처리방법및장치 - Google Patents
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Abstract
플라즈마처리가스가 처리실(10)에 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실과, 상기 처리실에 피처리물을 놓는 시료대(11)와 상기 처리실을 감압배기하는 배기기구(16)를 가지는 처리실내면 벽부에 온도제어장치(34, 35)를 가지는 구성이다.
플라즈마처리시의 반응생성물 또는 가스의 반응생성물의 부착개소를 온도제어하고, 이물발생이 적어 고수율이 가능한 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법을 제공한다.
Description
본 발명은 플라즈마처리방법 및 장치에 관한 것으로 특히 반도체소자기판 등의 시료를 플라즈마처리하는 데 적합한 플라즈마처리방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체소자기판 등의 시료를 플라즈마처리하는 기술로서 종래, 예를 들면, 일본국 특개평 3-167825호 공보에 기재된 바와 같은 기술이 알려져 있다. 상기 공보에는 플라즈마가 발생하는 처리실의 온도제어를 측벽부만으로 한정하고, 또한 에칭후의 반응생성물에 관해서만 기재되어 있다.
상기 종래기술은 처리실 내측벽부에만 부착하는 반응생성물에 관해서만 유효하며, 전극, 즉 시료대의 하부, 처리실내저면부, 배기배관 등에 플라즈마처리시에 부착하는 반응생성물 또는 가스의 반응생성물에 관해서는 아무런 고려되어 있지 앓다.
결국 반응생성물은 시료대의 하부, 처리실내저면부, 배기배관 등에도 부착하며 플라즈마처리시 그것들에 대한 퇴적과 함께 박리가 생기고 이물의 원인이 되어 시료의 수율에도 크게 영향을 미친다.
본 발명의 목적은 플라즈마처리시의 반응생성물 또는 가스의 반응생성물(이하 반응생성물이라 약칭함함)의 부착개소를 온도제어하여 이물발생이 적어 고수율이 가능한 플라즈마처리방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 시료보다 상부개소에는 반응생성물이 고체화하지 않는 온도로 온도제어하고, 다시 시료보다 하부개소(시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등)에는 고체화하는 온도로 온도제어함으로써 달성된다.
본 발명은 예를 들면, 플라즈마가 발생하는 처리실내측면(플라즈마 발생부)의 시료상부개소에는 일정온도, 즉 반응생성물이 승화하는 온도로 설정하고, 시료 대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등은 반응생성물이 고체화하는 온도로 설정한다. 이로서 시료보다 상부개소에 대한 반응생성물의 부착이 없어져 시료의 피처리 면상에 대한 이물낙하가 억제된다. 또 반응생성물 및 처리실내에서 부유하고 있는 이물(이하 부유이물이라 약칭함)은 시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등에 흡착ㆍ보충되고, 진공을 유지하고 있는 동안은 항시 반응생성물이 고체화하는 온도로 설정되어 있기 때문에 이물의 박리, 박리된 이물의 부유를 억제할 수 있다.
이하 본 발명의 일실시예를 도면을 이용하여 설명한다.
제 1도는 본 발명의 일시예가 되는 마이크로파 플라즈마처리장치의 개략구성을 나타낸 그 주요부의 종단면도이다.
제 1도에서 처리실(10)은 그 상부구성요소로서 석영제의 방전관(14)을 구비하고 있다. 처리실(10)에는 처리실(10)내에 에칭용 가스를 공급하는 가스공급원(도시생략)에 연결되는 가스공급구(15)가 설치되어 있고, 또 진공배기장치(도시생략)에 연결되는 배기구(16)가 설치되어 있다. 또 처리실(10)에는 시료, 예를 들면, 반도체소자기판(웨이퍼)(13)을 배치하는 시료대(11)가 설치되어 있다. 시료대(11)에는 고주파전원(12)이 접속되어 있고, 시료대(11)에는 고주파전력을 인가할 수 있다. 방전관(14)의 외측에는 방전관(14)을 둘러싸는 도파관(17)이 설치되어 있고, 그 외측에는 방전관(14)내에 자계를 발생시키는 솔레노이드코일(19)이 설치되어 있다. 여기에서 처리실(10)의 방전관(14)에는 온도제어장치(Ⅰ34)가 설치되어 있다. 도파관(17)의 단부에는 마이크로파를 발진하는 마그네트론(18)이 설치되어 있다. 또 처리실(10)내의 시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등에도 온도제어장치(Ⅱ35)가 구비되어 있다.
온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)는 처리실내측면 또는 벽내에 부착된 온도센서(36, 37)에 의해 처리실내측면의 온도를 소망의 온도로 관리, 콘트롤할 수 있음과 동시에 또한 온도의 콘트롤개소를 복수설치하여 가열, 냉각영역을 임의로 설정할 수 있다.
이와 같은 구성에 의한 플라즈마처리장치에서는 가스공급구(15)로부터 처리실(10)내로 에칭용 처리가스를 공급함과 동시에 처리실(10)내를 소정의 압력으로 감압, 배기한다. 그리고, 도파관(17)에 의해 마그네트론(18)으로부터의 마이크로파를 방전관(14)내로 도입함과 동시에 솔레노이드코일(19)에 의해 자계를 형성하고, 마이크로파의 전계와 솔레노이드코일(19)에 의한 자계와의 상호작용에 의하여 방전관(14)내의 처리가스를 플라즈마화한다. 또한 고주파전원(12)에 의하여 시료대(11)에 고주파전력을 인가하고 바이어스전압을 생성하여 플라즈마 속의 이온을 웨이퍼(13)측으로 끌어들여 웨이퍼(13)를 이방성기공한다. 이때, 에칭에 의하여 생긴 반응생성물은 시료대측면, 하부, 처리실내저면부, 배기배관의 경로로 배기된다.
다음에 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)의 온도제어영역을 표 1에 나타낸다. 표 1에 있어서 처리실(10)의 플라즈마발생부에 대응하는 측벽부는 100℃이상 400℃이하로 승온되고, 그것이외의 시료대측면, 시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관부 등은 -200℃이상 100℃미만으로 냉각되어 소망의 온도영역으로 온도제어된다. 여기에서 -200℃이상으로 냉각하게 된 이유는 -200℃까지는 액체질소를 사용함으로써 실용적으로 냉각할 수 있기 때문이다.
표1
이하 이 온도제어를 제 2도에 의하여 설명한다. 제 2도는 에칭가스와 반응 생성물의 증기압곡선으로서, Al배선재료에서의 일실시예를 나타낸다.
제 2도에 있어서 Al배선을 가스BCl3와 Cl2로 처리한 경우, 반응생성물은 AlCl3로서 휘발, 배기된다.
예를 들면, 반응생성물(AlCl3)은 에칭압력이 1Torr일 때, 100℃미만에서 고체가 된다. 즉 제 1도의 플라즈마처리장치에서 처리실내측면이 100℃미만일 때, 반응생성물이 퇴적하는 것을 알 수 있다.
따라서 이 조건으로 연속하여 플라즈마처리를 행한 경우, 퇴적물이 박리되어처리실내의 이물이 된다. 그러나 본 실시예에서는 처리실내측면을 100℃이상으로 설정하고, 시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등을 100℃미만으로 설정함으로써 처리실내측면에 대한 반응생성물의 부착이 없고, 반응생성물을 시료대하부, 처리실내저면부, 배기배관 등에 선택적으로 부착시킬 수 있어 웨이퍼의 피에칭면상에의 이물낙하, 처리실저면으로부터의 이물부유를 억제할 수 있다.
또 그외의 배선재료에 대해서도 처리실, 시료대측면, 하부, 처리실내저면부, 배기배관 등을 적정한 온도조건으로 설정함으로써 마찬가지의 효과가 얻어진다.
제 3도에 제 1도에 나타낸 플라즈마처리장치의 제어시퀀스를 나타낸다.
제 3도에서 웨이퍼반입전부터 온도제어장치(Ⅰ34)는 처리실내측벽부를 온도 제어하고, 또 온도제어장치(Ⅱ35)는 시료대측면, 하부, 처리실내저면부, 배기배관 등을 온도제어한다. 그리고, 웨이퍼반입후 통상의 에칭시퀀스를 실시한다. 플라즈마처리후 장치를 대기개방하고, 크리닝을 행할 때는 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)를 각각 오프 함으로써 통상의 청소가 가능하게 된다.
즉, 온도제어장치(Ⅰ34)의 작동이 개시되어 처리실(10)은 가열된다. 상기 가열로 처리실(10)의 온도는 상승하고, 그리고 상기 소정온도로 제어된다. 한편, 온도제어장치(Ⅱ35)의 작동이 개시되어 시료대(11)하부, 처리실(10)내저면부, 배기 배관 등은 냉각된다. 상기 냉각으로 시료대(11)하부, 처리실(10)내저면부, 배기배관 등의 온도는 하강하고, 그리고 상기 소정온도로 제어된다.
다음에 도시생략한 웨이퍼반송장치에 의하여 웨이퍼(13)가 이 경우 1개처리실(10)내로 반입된다(g). 반입된 웨이퍼(13)는 시료대(11)의 시료가 놓인 면에 피에칭면을 위로 향하게하고 상기 시료가 놓인 면에 웨이퍼반송장치로부터 인도되어 놓여진다. 시료가 놓인 면에 놓여진 웨이퍼(13)는 상기 상태에서 시료대(11)에 유지된다.
또한 상기 조작후, 또는 조작이전에 처리실(10)내의 감압배기가 실시된다. 진공배기장치를 작동시킴으로써 처리실(10)내는 배기밸브, 가변저항밸브(도시생략)가 설치된 배기배관을 통하여 진공배기된다. 진공배기되는 처리실(10)내의 압력은 가변저항밸브를 조절함으로써 소정의 압력으로 감압된다.
다음에 소정의 에칭용가스가 가스공급원으로부터 가스공급구(15)를 거쳐 처리실(10)내로 공급된다. 처리실(10)내의 에칭용가스의 공급량은 예를 들면, 가스 유량제어장치(도시생략)에 의하여 소정유량으로 제어된다(c).
다음에 처리실(10)내에 공급된 에칭용가스의 일부는 진공배기장치에 의하여 처리실(10)밖으로 배기되고, 이로서 처리실(10)내의 압력은 소정의 에칭처리압력으로 제어된다(d).
다음에 마그네트론(18), 솔레노이드코일(19)이 작동개시된다. 이로서 처리실(10)내의 에칭용가스는 플라즈마화된다. 그리고, 시료대(11)에 유지되어 있는 웨이퍼(13)의 피에칭면은 상기 플라즈마에 의하여 에칭처리된다. 한편, 고주파전원(12)이 작동되어 시료대(11)에는 고주파전력이 인가된다. 이로서 웨이퍼(13)에는 바이어스가 인가된다. 상기 바이어스인가상태에서 웨이퍼(13)의 피에칭면은 에칭처리된다.
이와 같이하여 웨이퍼(13)의 에칭처리가 완료된 시점에서 처리실(10)내로의에칭용가스의 공급, 고주파전원(12), 마그네트론(18), 솔레노이드코일(19)의 작동, 바이어스의 인가가 각각 정지된다. 상기 상태에서 처리가 끝난 웨이퍼(13)는 시료대(11)의 시료가 놓인 면에서 웨이퍼반송장치로 인도되고, 그리고, 웨이퍼반송장치에 의해 처리실(10)밖으로 반출된다. 이후, 새로운 웨이퍼(13)가 웨이퍼 반송장치에 의해 처리실(10)내로 1개 반입되고, 이어서 상기의 조작이 실시된다. 한편 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)의 작동은 계속되고, 이로서 각 부위의 온도는 상기 소정온도로 계속제어된다. 그러나 경우에 따라서는 웨이퍼-웨이퍼처리 동안에 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)의 작동을 일단 정지하게 하여도 상관없다. 예를 들면, 웨이퍼처리의 중단시간이 장치의 고장 등, 무엇인가의 이유로 장시간이 되는 경우, 그날의 작업이 종료한 경우 등에 상기 정지는 실시된다. 또 처리실(10)내를 대기에 개방하여 처리실(10)내부를 크리닝작업하는 경우에도 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)의 작동이 정지된다. 특히 온도제어장치(Ⅱ35)의 작동을 정지함으로써 처리실(10)내 대기 개방시의 공기중의 수분 등, 불순물의 냉각부위에 대한 흡착을 방지할 수 있어 처리실(10)내의 재배기시의 부적절(배기시간의 장시간화, 압력미달등)을 배제할 수 있다.
또한 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)에서의 각부위의 제어온도는 웨이퍼(13)의 막질, 즉, 배선재료, 에칭용가스종류에 지배된다.
그래서 에칭처리되는 웨이퍼(13)의 정보인 배선재료 및 상기 재료에 따른 에칭용가스종류가 예를 들면, 오퍼레이터에 의해 상위제어장치(도시생략)에 입력된다. 상기 입력에 의하여 상위제어장치로부터 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)에 각각 제어신호가 출력되고, 이로서 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)에서의 각부위의 온도제어가 실시된다.
이와 같은 온도제어는 오퍼레이터가 웨이퍼(13)의 정보를 예를 들면, 터치패널입력함으로써 실시되고, 또 웨이퍼(13)의 정보를 무엇인가의 수단으로 독해하여 상위제어장치 또는 직접으로 온도제어장치(Ⅰ34, Ⅱ35)에 입력함으로써 실시된다.
이와 같이 함으로써 각 부위의 온도는 소정온도로 확실하게 제어되고, 결과로서 웨이퍼수율을 안정, 확실하게 향상시킬 수 있다.
또한 특히 온도제어장치(Ⅱ35)에서 냉각된 부위(냉각부위)의 메인티넌스는 다음과 같이하여 실시된다.
즉, 냉각부위에 대한 반응생성물의 선택적 부착에 의하여 상기 부위에는 부착물이 퇴적한다. 상기 퇴적물의 예를 들면, 두께가 배기저항의 증대, 박리에 의한 이물발생을 일으키는 두께에 이른 시점, 또는 그것이전에 메인티넌스가 실시된다. 이 경우, 온도제어장치(Ⅱ35)에서의 냉각부위의 냉각은 정지된다. 그리고, 상기 냉각부는 가온되어 부착한 퇴적물의 승화온도로 승온시킨다. 상기 승온으로 부착한 퇴적물은 승화하여 진공배기장치를 작동시킴으로써 처리실(10)밖으로 배기된다. 상기 승화작업이 종료한 시점에서 냉각부위의 가온은 정지되고, 온도제어장치(Ⅱ35)로의 냉각, 그리고 온도제어가 실시된다. 냉각부위의 가온은 가온장치(도시생략)를 추가 부설하여 실시하여도 상관없으며, 온도제어장치(Ⅱ35)를 냉각과 가온의 양기능을 가지는 것으로하여 상기 기능을 전환하여 실시하도록 하여도 상관없다.
상기 냉각부위의 메인티넌스는 처리실(10)내를 대기로 개방하여 크리닝하는경우, 처리실(10)내의 대기개방전에 실시되고, 또 처리실(10)내를 대기로 개방하지 않고 플라즈마 등에 의하여 크리닝하는 경우, 크리닝전 또는 크리닝처리중에 실시된다. 상기 크리닝처리중에 메인티넌스를 실시하는 경우에도 또한 부착한 퇴적물을 크리닝으로 냉각부위에서 제거할 수 있는 경우, 냉각부위의 상기 가온을 실시할 필요는 없다.
이와 같은 실시예에 있어서는 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
즉, 처리실내측벽부를 가열하는 기술에 있이서는 에칭처리로 생기는 반응생성물의 상기 측벽부에 대한 부착, 퇴적은 상기와 같이 방지할 수 있다. 또한 상기 기술을 적용하여 시료대하부, 처리실내저면부, 배기관 등을 가열하도록 한 경우, 상기 부위에 대한 반응생성물의 부착, 퇴적을 방지할 수 있다.
그러나 이와 같은 기술로는 처리실내에 부유하는 이물을 제거할 수 없기 때문에 부유이물에 의한 웨이퍼수율의 저하를 방지할 수 없다. 이 결점은 반도체소자의 용량이 65M, 256M으로 대용량화함에 따라 크기 클로즈업된다. 또 반응생성물의 대부분을 처리실외로 진공배기하기 때문에 상기 반응생성물에 의하여 진공배기 장치, 진공배기밸브, 가변저항밸브 등의 진공배기계가 손상을 받는다는 문제가 있다. 상기 문제는, 반응생성물이 부식성물인 경우, 더욱 심각한 것이 된다.
한편, 예를 들면, 시료대하부, 처리실내저면부, 배기관 등을 냉각하여 상기 냉각부위에 반응생성물을 흡착시키는 기술의 채용도 생각할 수 있다.
그러나, 상기 기술에 있어서는 처리실내저면부 등의 냉각에 의해 처리실내 측벽부의 온도가 반응생성물의 기화온도이하의 온도로 저하하고, 그 때문에 처리실내 측벽부에 반응생성물, 부유이물이 부착, 퇴적하게 된다. 처리실내 측벽부는 에칭처리되는 웨이퍼의 피에칭면과 비교하여 상부에 위치하는 관계로, 상기 측벽부에서의 반응생성물의 부착, 퇴적은 웨이퍼수율의 관점에서 극히 부적합한 것이 된다. 즉, 상기 부착, 퇴적물은 처리실내 측벽부로부터 박리하여 이물이 되어 웨이퍼수율 저하를 초래하는 주요인이 된다.
이들에 대하여 본 실시예에서는 처리실내 측벽부를 반응생성물이 부착하지 않는 온도로 가온하고, 이와 동시에 시료대하부, 처리실내 저면부, 배기관 등을 반응생성물이 흡착, 부착하는 온도로 냉각하도록 하고 있기 때문에 결과로서 이물의 발생을 방지할 수 있어 웨이퍼수율을 향상시킬 수 있다.
즉, 본 실시예는 에칭처리되는 웨이퍼의 피에칭면과 비교하여 상부에 위치하는 처리실내 측벽부에서의 반응생성물의 부착을 억제하여, 처리실내 측벽부에서의 부착이 억제된 반응생성물을 포함하는 반응생성물, 부유이물을 웨이퍼의 피에칭면 보다 비교적 하부에 위치하는 시료대하부, 처리실내 저면부, 배기관 등에 적극적으로 흡착, 보충한다는 개념을 가진 것이고, 이물발생의 방지, 그것에 의한 웨이퍼수율향상에 극히 유효하다.
또 시료대하부, 처리실내 저면부, 배기관 등, 특정부위에 반응생성물이 적극적으로 흡착, 보충하도록 하고 있기 때문에 크리닝, 교체, 베이크아웃 등에 의해 부착, 퇴적물을 정기적으로 그리고 용이하게 제거할 수 있고, 처리장치의 메인티넌스성을 향상시킬 수 있다.
또한 반응생성물, 부유이물을 진공배기계에 영향을 미치지 않는 범위에서 흡착, 보충하기 때문에 반응생성물, 부유이물에 의하여 진공배기계가 손상을 받는다는 문제도 없어진다.
또한 본 발명을 적용할 수 있는 장치는 상기 일실시예이외에 제 4도 내지 제 7도에 나타낸 장치구성에 있어서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
제 4도는 본 발명을 평행평판형 플라즈마에칭장치에 적용한 다른 실시예를 나타낸 설명도이다. 제 4도의 장치에 있어서, 온도제어장치(34)를 3분할(34A, 34B, 34C)하여 진공용기(38)의 플라즈마발생영역을 각각의 소망온도로 승온하고, 또한 시료대측면, 하부, 처리실내 저면부, 배기배관 등을 온도제어장치(35)로 소망 온도로 냉각함으로써 제 1도의 실시예와 마찬가지로 처리실내 측면에 대한 반응생성물의 부착이 없이 반응생성물을 시료대하부, 처리실내 저면부, 배기배관 등에 선택적으로 부착시킬 수 있어 피처리물 상에 대한 이물낙하, 처리실저면으로부터의 이물부유를 억제할 수 있는 효과가 있다.
제 5도는 본 발명을 외부에너지공급 방전방식중, 유도결합형 방전방식의 장치에 적용한 다른 실시예를 나타낸 설명도이다. 제 5도의 장치에 있어서, 진공용기(38)의 플라즈마발생 영역부에 온도제어장치(34)를 설치하여 처리실내 측면을 소망온도로 승온하고, 다시 시료대측면, 하부, 처리실내 저면부, 배기배관 등을 온도 제어장치(35)에 의해 소망온도로 냉각함으로써 제 1도의 실시예와 마찬가지의 효과가 있다.
제 6도는 본 발명을 평행평판형 플라즈마에칭장치에 적용한 다른 실시예를 나타낸 설명도이다. 제 6도의 장치에 있어서, 내부에너지공급 방전용의 전극이외는제 4도의 장치와 동일하다. 즉, 제 6도의 장치에 있어서도 온도제어장치(34)를 3분할(34A, 34B, 34C)하여 진공용기(38)의 플라즈마발생영역을 각각의 소망온도로 승온하고, 다시 시료대 측면, 하부, 처리실내 저면부, 배기배관 등을 온도제어장치(35)에 의해 소망온도로 냉각함으로써 제 1도의 실시예와 마찬가지의 효과가 있다.
제 7도의 실시예는 외부에너지공급 방전방식의 플라즈마원으로서 동형상의 방전관(석영)(14)의 주위에 코일(34)을 감아 그 코일(34)에 RF전원(40)을 인가하였을 때의 실시예를 나타낸다. 제 7도의 장치에 있어서는 진공용기(38)의 플라즈마 발생영역부에 코일(34)로 플라즈마가 생성되고, 그 생성플라즈마에 의하여 처리실내 측면은 소망온도로 승온되고, 다시 시료대 측면, 하부, 처리실내 저면부, 배기 배관 등은 온도제어장치(35)에 의해 소망온도로 냉각됨으로써 제 1도의 실시예와 마찬가지의 효과가 있다.
또 상기 각 실시예에는 이물의 전하에 관하여 기술하고 있지 않으나, 부유진애가 전하를 띠고 있는 것은 충분히 고려할 수 있고, 그 대응책으로서 시료대측면, 하부, 처리실내 저면부, 배기배관 등에 소망온도로의 온도제어기능을 가지고, 또한 음전위 또는 양전위로 전위를 제어하는 것이 가능한 판상의 부품을 설치한 구성을 생각할 수 있다.
본 발명에 의하면, 동일처리실내에서 피처리물이 놓여져 있는 개소보다 상부(처리실내 측면, 상부전극)부위에 반응생성물이 부착하는 일 없이 반응생성물이 고체화하는 온도로 제어된 개소에만 부착함으로써 이물발생이 적은 고수율의 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법을 제공할 수 있다.
제 1도는 본 발명의 일실시예인 마이크로파 플라즈마처리장치를 나타낸 종단면도,
제 2도는 본 발명의 일실시예인 에칭가스와 반응생성물의 증기압곡선도,
제 3도는 본 발명의 일실시예인 플라즈마처리장치의 제어시퀀스의 설명도,
제 4도는 본 발명의 다른 실시예인 평행평판형 플라즈마에칭장치를 나타낸 종단면도,
제 5도는 본 발명의 다른 실시예인 유도결합형 방전방식의 장치를 나타낸 종단면도,
제 6도는 본 발명의 다른 실시예인 평행평판형 플라즈마에칭장치를 나타낸 종단면도,
제 7도는 본 발명의 다른 실시예인 마이크로파 방전방식의 장치를 나타낸 종단면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 처리실 11 : 시료대
12 : 고주파 전원 14 : 방전관
17 : 도파관 18 : 마그네트론
19 : 솔레노이드 코일 34, 35 : 온도제어장치
36, 37 : 온도센서 38 : 진공용기
40 : RF 전원
Claims (13)
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실과,상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대와,상기 처리실을 감압배기하는 배기수단을 포함하는 플라즈마처리장치를 사용하고,상기 시료의 플라즈마처리 특성의 경시적 변동을 억제하도록, 각각 개별적으로 플라즈마가 발생되는 상기 처리실의 개소의 온도를 제 1온도로 제어하고, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 제어하는 단계들을 포함하는 플라즈마처리방법에 있어서,플라즈마가 발생되는 처리실의 개소의 온도를 제 1온도로 개별적으로 제어하는 단계는 반응물이 승화되는 100℃ 내지 400℃의 온도로 제어하는 것을 포함하고,상기 장치의 다른 개소의 온도를 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 개별적으로 제어하는 단계는 반응물이 고화되는 -200℃ 내지 100℃의 온도로 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실과,상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대와,상기 처리실을 감압배기하는 배기수단을 포함하는 플라즈마처리장치를 사용하고,상기 시료의 플라즈마처리 특성의 경시적 변동을 억제하도록, 각각 개별적으로 플라즈마가 발생되는 상기 처리실의 개소의 온도를 제 1온도로 제어하고, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 제어하는 단계들을 포함하는 플라즈마처리방법에 있어서,제 1온도로 개별적으로 제어하는 단계는 상기 처리실의 측벽을 가열하여 그 온도를 상승시키는 것을 포함하고,제 2온도로 개별적으로 제어하는 단계는 상기 시료대의 표면아래의 처리실의 개소, 처리실의 내부바닥부 및 처리실의 개스 배출 파이프를 포함하는 상기 장치의 다른 개소를 냉각하여 열을 가하지 않고 온도를 낮추는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실과,상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대와,상기 처리실을 감압배기하는 배기수단을 포함하는 플라즈마처리장치를 사용한 플라즈마처리방법에 있어서,적어도 제 1온도로 플라즈마가 발생되는 처리실의 개소의 측벽의 온도를 증가시키는 단계; 및제 1온도보다 낮은 적어도 제 2온도로 상기 장치의 다른 개소의 내벽을 냉각시키는 단계를 포함하여, 상기 시료의 플라즈마처리 특성의 경시적 변동을 억제하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 제 3항에 있어서,적어도 제 1온도로 플라즈마가 발생되는 처리실의 개소의 측벽의 온도를 증가시키는 단계는 반응물이 승화되는 100℃ 내지 400℃의 온도로 가열시키는 것을 포함하고,제 1온도보다 낮은 제 2온도로 상기 장치의 다른 개소의 내벽의 온도를 냉각시키는 단계는 반응물이 고화되는 -200℃ 내지 100℃의 온도로 냉각시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 제 3항에 있어서,제 1온도로 증가시키는 단계는 상기 처리실의 측벽을 가열하고,제 2온도로 냉각시키는 단계는 상기 시료대의 표면아래의 처리실의 개소, 처리실의 내부바닥부 및 처리실의 개스 배출 파이프를 포함하는 상기 장치의 다른 개소를 냉각하여 열을 가하지 않고 온도를 낮추는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대;상기 처리실을 감압배기하는 배기수단; 및플라즈마가 발생하고 있는 상기 처리실의 개소의 온도를 적어도 제 1온도로, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 적어도 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서,상기 온도제어수단은 플라즈마가 발생하고 있는 개소의 온도와 상기 장치의 다른 개소와의 온도를 어느 한쪽의 온도에 링크시켜 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대;상기 처리실을 감압배기하는 배기수단; 및플라즈마가 발생하고 있는 상기 처리실의 개소의 온도를 적어도 제 1온도로, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 적어도 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서,상기 온도제어수단은 플라즈마가 발생하는 처리실의 측벽온도를 증가시키고 측벽외의 처리실의 내벽을 냉각시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대;상기 처리실을 감압배기하는 배기수단; 및플라즈마가 발생하고 있는 상기 처리실의 개소의 온도를 적어도 제 1온도로, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 적어도 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서,상기 온도제어수단은 플라즈마가 발생하는 상기 처리실의 측벽이외의 측벽에서 물질을 제거하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대;상기 처리실을 감압배기하는 배기수단; 및플라즈마가 발생하고 있는 상기 처리실의 개소의 온도를 적어도 제 1온도로, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 적어도 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서,플라즈마가 발생되는 처리실의 개소의 온도를 제 1온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단은 반응물이 승화되는 100℃ 내지 400℃의 온도로 제어하고,상기 장치의 다른 개소의 온도를 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단은 반응물이 고화되는 -200℃ 내지 100℃의 온도로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 시료대;상기 처리실을 감압배기하는 배기수단; 및플라즈마가 발생하고 있는 상기 처리실의 개소의 온도를 적어도 제 1온도로, 상기 장치의 다른 개소의 온도를 적어도 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서,제 1온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단은 상기 처리실의 측벽을 가열하는 수단을 포함하고,제 2온도로 독립적으로 제어하는 온도제어수단은 상기 시료대의 표면아래의 처리실의 개소, 처리실의 내부바닥부 및 처리실의 개스 배출 파이프를 포함하는 상기 장치의 다른 개소를 냉각하여 열을 가하지 않고 온도를 낮추는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 시료를 처리하는 처리가스가 공급됨과 동시에 처리공정동안 소정압력이 유지되는 처리실;상기 처리실에서 피처리물을 놓는 표면을 구비한 시료대;가스 배출파이프를 포함하여 상기 처리실을 감압배기하는 배기수단;반응물이 승화되는 제 1온도로 상기 시료대의 상기 표면위의 처리실의 내측벽을 제어하는 제 1온도 제어기; 및제 1온도보다 낮게 반응물이 고화되는 제 2온도로 피처리물을 놓는 표면아래의 시료대의 일부, 시료대의 상기 표면아래의 플라즈마발생기의 내부바닥부 및 상기 가스 배출파이프중 적어도 하나를 제어하는 제 2온도 제어기를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 11항에 있어서,제 1온도 제어기는 반응물이 승화되는 100℃ 내지 400℃의 온도로 제어하고,제 2온도 제어기는 -200℃ 내지 100℃의 온도로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 11항에 있어서,제 1온도 제어기는 상기 처리실의 측벽을 가열하는 수단을 포함하고,제 2온도 제어기는 상기 시료대의 표면아래의 처리실의 개소, 처리실의 내부 바닥부 및 처리실의 개스 배출 파이프를 포함하는 상기 장치의 다른 개소를 열을 가하지 않고 냉각하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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