KR100396694B1 - Method for forming thin film using atomic layer deposition - Google Patents
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Abstract
본 발명은 높은 증착 속도를 나타내는 반응물을 사용한 원자층 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 챔버내 기판상에 알코옥사이드를 흡착시키는 제 1 공정; 상기 챔버내에 불활성 가스를 주입하여 1차 퍼지시키는 제 2 공정; 상기 흡착된 알코옥사이드를 분해시켜 산화지르코늄을 형성하는 제 3 공정; 그리고 상기 챔버내에 불활성 가스를 주입하여 2차 퍼지시키는 제 4 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method for producing a thin film using atomic layer deposition using a reactant exhibiting a high deposition rate, comprising: a first step of adsorbing an alcohol oxide on a substrate in a chamber; A second step of injecting an inert gas into the chamber to purge it first; A third step of decomposing the adsorbed alcohol oxide to form zirconium oxide; And a fourth step of injecting an inert gas into the chamber to purge the secondary gas.
Description
본 발명은 박막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 높은 증착 속도를 나타내는반응물을 사용한 원자층 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a thin film, and more particularly, to a method for manufacturing a thin film using an atomic layer deposition method using a reactant exhibiting a high deposition rate.
일반적으로, 박막(thin film)은 반도체 소자의 유전체(dielectrics), 액정 표시 소자(liquid-crystal display)의 투명한 도전체(transparent conductor) 및 전자 발광 박막 표시 소자(electro luminescent thin film display)의 보호층(protective layer)등으로 다양하게 사용된다.In general, thin films are dielectrics of semiconductor devices, transparent conductors of liquid-crystal displays, and protective layers of electroluminescent thin film displays. It is used in various ways such as (protective layer).
상기 박막은 증기법(evaporation method), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition), 원자층 증착법(atomic layer deposition, 이하 "ALD법"이라고 함)등에 의하여 형성되는데, 특히 최근 반도체 소자의 고집적화에 따라 박막 제조 공정이 나노급(nano-scale) 이하로 미세화되고 있어 원자층의 박막 조절이 가능한 ALD법의 공정개발이 활발히 이루어지고 있다.The thin film is formed by an evaporation method, a chemical vapor deposition method, an atomic layer deposition method (hereinafter, referred to as an "ALD method"), and the like, in particular, in recent years, a thin film is manufactured according to high integration of semiconductor devices. As the process is being miniaturized to nano-scale or less, the development of the ALD process that can control the thin film of the atomic layer is being actively performed.
상기 ALD법은 표면 조절 공정(surface controlled process)으로서 2차원적인 층간 증착을 이용한다.The ALD method uses two-dimensional interlayer deposition as a surface controlled process.
그리고 각 반응물질들을 개별적으로 분리하여 펄스 형태로 챔버에 공급하여 기판표면에 반응물질의 표면 포화 반응(saturated surface reaction)에 의한 화학적 흡착과 탈착을 이용한 박막 증착 기술이다.In addition, the thin film deposition technology using chemical adsorption and desorption by the saturated surface reaction of the reactants on the substrate surface by separating each reactant separately and supplying it to the chamber in the form of a pulse.
이러한 ALD법은 흡착이 항상 표면 운동 영역(surface controlled process)에서 이루어지므로 매우 우수한 단차 피복성(step coverage)을 갖는다.This ALD method has very good step coverage since adsorption always takes place in the surface controlled process.
또한, 열분해(prolysis)가 아닌 각 반응물의 주기적 공급을 통한 화학치환(chemical exchange)으로 반응물(reactant)을 분해하므로 막밀도(film density)가 높고 우수한 화학양론적인(stoichoimetry) 막을 얻을 수 있다.In addition, the decomposition of the reactants (chemical reaction) through the periodic supply of each reactant, not pyrolysis (prolysis) to obtain a high film density and excellent stoichoimetry membrane.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 ALD법을 이용한 박막 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a thin film manufacturing method using the ALD method with reference to the accompanying drawings as follows.
ALD법을 이용한 박막 제조 과정의 전체적인 흐름을 먼저 설명하면, 분리 도입된 제 1 반응물을 기판 상에 흡착시키고, 이 때 흡착되지 못한 제 1 반응물은 제 1 퍼지 과정을 통해 챔버 밖으로 빠져나간다.The overall flow of the thin film manufacturing process using the ALD method will be described first, and the first reactant separated and introduced is adsorbed onto the substrate, and the non-adsorbed first reactant is discharged out of the chamber through the first purge process.
그리고 다시 챔버 안으로 제 2 반응물을 주입하면 제 2 반응물이 기판상에 흡착되어 있던 제 1 반응물과 반응하여 박막을 형성하게 된다. 따라서 반응하지 못한 잉여의 제 2 반응물은 제 2 퍼지 과정을 거쳐 반응기 밖으로 빠져나가게 된다.When the second reactant is injected into the chamber, the second reactant reacts with the first reactant adsorbed on the substrate to form a thin film. Thus, the excess second reactant that failed to react is drawn out of the reactor through a second purge process.
도 1a 내지 1e는 종래의 기술에 따른 ALD법을 이용한 산화지르코늄막(ZrO2)을 제조하는 과정을 나타낸 도면이다.1A to 1E are views illustrating a process of manufacturing a zirconium oxide film (ZrO 2 ) using the ALD method according to the prior art.
도 1a 내지 1c에 도시한 바와 같이, 제 1 반응물인 ZrCl4(1)를 기판(10)이 로딩(loading)되어 있는 챔버(도시되지 않음)내에 주입하여 상기 기판(10)의 표면에 ZrCl4(1)를 화학흡착시킨다.As shown in FIGS. 1A to 1C, ZrCl 4 (1), which is a first reactant, is injected into a chamber (not shown) in which the substrate 10 is loaded, thereby depositing ZrCl 4 on the surface of the substrate 10. Chemosorb (1).
이 때 챔버내의 기판(10)상에는 ZrCl4(1)가 흡착되고, 기판(10)상에 흡착되지 못한 ZrCl4(1)는 불활성 기체(도시되지 않음)를 주입하는 1차 퍼지(purge) 공정을 거쳐 챔버밖으로 빠져나간다.At this time, the substrate (10), ZrCl 4 (1) is not adsorbed, be adsorbed on the substrate (10), ZrCl 4 (1) formed on the chamber is first purged (purge) step of injecting an inert gas (not shown) Pass out of the chamber through.
도 1d 및 1e에 도시한 바와 같이, ZrCl4(1)가 흡착되어 있는 기판(10)이 로딩되어 있는 챔버내에 다시 제 2 반응물인 산화가스인 H2O 기체(2)를 주입하여 상기ZrCl4(1)상에 H2O기체(2)를 화학 흡착시킨다.As shown in Figure 1d and 1e, ZrCl 4 (1) is the ZrCl the substrate 10 inject again the second reactant is an oxidizing gas of H 2 O gas (2) in the chamber is loading in the adsorption 4 The H 2 O gas 2 is chemisorbed on (1).
상기 기판상에 화학 흡착된 ZrCl4(1)와 H2O 기체(2)는 화학치환 방법에 의하여 Zr(지르코늄)(1a)과 O(산소)(2a)로 이루어진 원자층 단위의 두께를 갖는 단일층(monolayer)이 형성되고, 이 때 Cl2(3)나 HCl(4)의 반응 부산물이 만들어진다.ZrCl 4 (1) and H 2 O gas (2) chemisorbed on the substrate have a thickness of atomic layer composed of Zr (zirconium) (1a) and O (oxygen) (2a) by a chemical substitution method. A monolayer is formed, with reaction byproducts of Cl 2 (3) or HCl (4).
이어, 불활성 기체를 챔버내로 주입하여 2차 퍼지공정을 실시하면 반응하지 못한 잉여의 H2O 기체(2)와 상기 반응 부산물(3,4)은 챔버밖으로 빠져나간다.Subsequently, when a second purge process is performed by injecting an inert gas into the chamber, the excess H 2 O gas 2 and the reaction by-products 3 and 4 which fail to react are discharged out of the chamber.
이러한 상기의 단계들을 계속적으로 반복하여 원하는 두께의 ZrO2박막(11)을 형성한다.These above steps are continuously repeated to form a ZrO 2 thin film 11 of a desired thickness.
그러나 상기와 같은 종래의 ALD법을 이용한 박막 제조 방법에 있어서 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described conventional thin film manufacturing method using the ALD method has the following problems.
첫째, 종래의 ALD법을 이용하여 ZrO2박막을 제조 할 때 제 1 반응물로는 ZrCl4를 사용하고, 제 2 반응물로는 H2O 기체를 사용하기 때문에 반응 부산물로서 유독한 HCl이나 Cl2가 생성된다.First, since ZrCl 4 is used as a first reactant and H 2 O gas is used as a second reactant when preparing a ZrO 2 thin film using a conventional ALD method, toxic HCl or Cl 2 is formed as a reaction by-product. Is generated.
둘째, 상기 반응 부산물인 상기 염화가스가 박막내에 남아 박막을 부식시킬 가능성이 있으며, 또한 박막의 순도도 떨어진다.Second, there is a possibility that the chlorine gas, which is the reaction byproduct, remains in the thin film to corrode the thin film, and the purity of the thin film is also reduced.
셋째, 낮은 증착 속도로 인하여 공정 개발 및 양산 도입에 어려움이 있다.Third, due to the low deposition rate, it is difficult to introduce process development and mass production.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 높은 증착 속도를 나타내는 반응물들을 사용한 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 산화지르코늄(ZrO2)박막을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method for producing a zirconium oxide (ZrO 2 ) thin film using the atomic layer deposition method (ALD) using the reactants exhibiting a high deposition rate to solve the above problems.
도 1a 내지 1e는 종래의 기술을 이용한 원자층 증착법을 이용한 박막 제조 방법을 나타낸 도면1a to 1e is a view showing a thin film manufacturing method using the atomic layer deposition method using a conventional technique
도 2는 본 발명에 의한 원자층 증착법을 이용한 ZrO2박막 제조 방법을 나타낸 공정순서도2 is a process flowchart showing a method for preparing a ZrO 2 thin film using the atomic layer deposition method according to the present invention.
도 3은 본 발명에 의한 원자층 증착법을 이용한 ZrO2박막 제조 방법의 공정 시퀀스를 나타낸 도면3 is a view showing a process sequence of a ZrO 2 thin film manufacturing method using the atomic layer deposition method according to the present invention
도 4는 본 발명에 의한 원자층 증착법을 이용한 ZrO2박막의 증착 속도를 나타낸 그래프Figure 4 is a graph showing the deposition rate of the ZrO 2 thin film using the atomic layer deposition method according to the present invention
도 5는 본 발명에 의한 원자층 증착법을 이용한 ZrO2박막의 성분 분석 결과를 나타낸 그래프5 is a graph showing the results of component analysis of the ZrO 2 thin film using the atomic layer deposition method according to the present invention
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 ALD법을 이용한 박막 제조 방법은 산화 지르코늄 박막을 형성하는데 있어서, 기판이 로딩되어 있는 챔버내에 알코옥사이드를 주입하여 기판상에 알코옥사이드를 흡착시키는 단계와, 상기 챔버내에 불활성가스를 주입하여 제 1 차 퍼지공정을 수행하는 단계와, 상기 챔버내에 산화촉매제를 주입하여 기판상에 흡착되어 있는 알코옥사이드를 분해시켜 산화지르코늄을 형성하는 단계와, 그리고 상기 챔버내에 불활성가스를 주입하여 제 2 차 퍼지공정을 수행하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.A thin film manufacturing method using the ALD method according to the present invention for achieving the above object is to form a zirconium oxide thin film, the step of adsorbing an alcohol oxide on the substrate by injecting an alcohol oxide in the chamber in which the substrate is loaded; Injecting an inert gas into the chamber to perform a first purge process, injecting an oxidation catalyst into the chamber to decompose an alcohol oxide adsorbed on a substrate to form zirconium oxide, and And performing a second purge process by injecting an inert gas into the chamber.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 ALD법을 이용한 박막 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a thin film manufacturing method using the ALD method according to the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.
도 2는 본 발명에 의한 ALD법을 이용한 ZrO2(산화 지르코늄)박막 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.2 is a process flowchart for explaining a method for producing a ZrO 2 (zirconium oxide) thin film using the ALD method according to the present invention.
먼저, 챔버(도시되지 않음)에 기판을 로딩시킨 후 챔버를 일정한 공정 온도 및 압력으로 유지한다(S100).First, after loading the substrate in the chamber (not shown), the chamber is maintained at a constant process temperature and pressure (S100).
여기서, 상기 챔버내의 공정 온도는 25∼800℃, 공정 압력은 0.1mTorr∼ 50Torr의 범위에서 항상 일정하게 유지시켜 이후의 모든 공정을 진행한다.Here, the process temperature in the chamber is 25 ~ 800 ℃, the process pressure is always kept constant in the range of 0.1mTorr ~ 50 Torr to proceed all the subsequent processes.
이어, 상기 챔버내에 제 1 반응물로서 알코옥사이드(alkoxide)인 Zr(OBut)4(Zirconium tetra-but oxide)를 주입시킨다(S200).Subsequently, Zr (OBu t ) 4 (Zirconium tetra-but oxide), which is an alcohol, is injected into the chamber as a first reactant (S200).
상기 Zr(OBut)4를 기판의 표면을 충분히 덮을 수 있는 일정시간 동안 주입 하면 기판상에 Zr(OBut)4가 원자 크기 정도로 흡착된다.When Zr (OBu t ) 4 is injected for a predetermined time enough to cover the surface of the substrate, Zr (OBu t ) 4 is adsorbed on the substrate to an atomic size.
여기서, 상기 ZrO2박막을 형성하기 위해 사용한 제 1 반응물로서 Zr(OBut)4대신에 알코옥사이드인 Zr(OPr)4를 이용할 수 있다.Here, Zr (OPr) 4 which is an alcohol may be used instead of Zr (OBu t ) 4 as the first reactant used to form the ZrO 2 thin film.
이어, 상기 Zr(OBut)4가 화학 흡착된 기판이 있는 챔버내로 불활성 가스, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 제 1 차 퍼지(purge) 공정을 실시한다(S300).Subsequently, an inert gas, for example argon (Ar) gas, is injected into the chamber where the Zr (OBu t ) 4 is chemisorbed to perform a first purge process (S300).
상기 불활성 가스는 반응성이 없는 가스로서 아르곤(Ar), 헬륨(He), 텅스텐(W)등을 사용할 수 있지만, 본 발명의 실시예에서는 아르곤(Ar) 가스를 사용한다.Argon (Ar), helium (He), tungsten (W) and the like may be used as the inert gas, but the argon (Ar) gas is used in the embodiment of the present invention.
상기 제 1 차 퍼지 공정을 거치면 기판상에 흡착되지 않고 남은 Zr(OBut)4가 제거된다.The first purge process removes Zr (OBu t ) 4 that is not adsorbed on the substrate.
다시 챔버내로 제 2 반응물로서 산화촉매제인 암모니아(NH3) 가스를 주입하고 상기 기판에 흡착되어 있는 Zr(OBut)4를 분해시켜 ZrO2를 형성한다(S400).Ammonia (NH 3 ) gas, which is an oxidation catalyst, is injected into the chamber as a second reactant, and Zr (OBu t ) 4 adsorbed on the substrate is decomposed to form ZrO 2 (S400).
상기 암모니아 가스는 산화가스로 Zr(OBut)4를 효과적으로 분해하는 역할을 하여 ZrO2를 빠른 속도로 형성할 수 있게 한다.The ammonia gas serves to effectively decompose Zr (OBu t ) 4 into an oxidizing gas, thereby enabling the rapid formation of ZrO 2 .
이어서 다시 불활성 가스인 아르곤 가스를 챔버내로 주입하고 제 2 차 퍼지 공정을 수행하여 반응하지 못한 잉여의 암모니아 가스를 제거한다(S500).Subsequently, an argon gas, which is an inert gas, is injected into the chamber and a second purge process is performed to remove excess ammonia gas that has not been reacted (S500).
그리고 나서, 기판상에 형성된 상기 ZrO2박막의 두께를 측정하여 원하는 적정 두께까지 제 1 반응물인 Zr(OBut)4주입 단계(S200)부터 제 2 차 퍼지 공정 단계(S500)까지를 주기적으로 반복 수행한다(S600).Then, the thickness of the ZrO 2 thin film formed on the substrate is measured to periodically repeat the first reactant Zr (OBu t ) 4 injection step (S200) to the second purge process step (S500) to the desired thickness. Perform (S600).
이 때, 상기의 단계들(S200∼S500)을 한 사이클로 보고 상기 사이클 수를 조절하여 박막의 두께를 아주 정밀하게 제어한다.At this time, the steps (S200 to S500) are regarded as one cycle, and the number of cycles is adjusted to precisely control the thickness of the thin film.
그래서 원하는 두께의 박막이 형성되면 상기 사이클(S200∼S500)을 반복하지 않고 박막 제조 과정을 완료한다.Thus, when a thin film having a desired thickness is formed, the thin film manufacturing process is completed without repeating the cycles S200 to S500.
이 때, 한 사이클(S200∼S500) 타임은 원하는 박막의 두께에 따라서 달리할 수 있고, 보통 각 공정 단계(S200,S300,S400,S500)에 걸리는 시간은 0.001∼60초(sec)이다.At this time, one cycle (S200 to S500) time may vary depending on the desired thickness of the thin film, and the time taken for each process step (S200, S300, S400, S500) is usually 0.001 to 60 seconds (sec).
상기의 단계들을 거쳐 형성되는 ALD법을 이용한 ZrO2박막은 상기 기판상에 이미 흡착되어 있는 반응물과 반응하여 형성되기 때문에 한 사이클당 증착되는 층(layer)이 제한되어 표면 반응 제한(surface reaction limiting) 상태로 박막 증착이 이루어지게 된다.Since the ZrO 2 thin film using the ALD method formed through the above steps is formed by reacting with a reactant that is already adsorbed on the substrate, the layer deposited per cycle is limited, thereby limiting the surface reaction limiting. In this state, thin film deposition is performed.
만약 도프된(doped) 산화막을 형성하고자 할 때는 도핑하고자 하는 반응 기체에 대한 사이클을 기존의 사이클에 삽입하면 된다.If a doped oxide film is to be formed, a cycle for the reaction gas to be doped may be inserted into an existing cycle.
도 3은 본 발명에 의한 ZrO2박막 제조 공정의 공정 시퀀스(process sequence)를 공정시간(process time)에 따른 각 반응물의 반응 압력(reaction pressure)으로 나타낸 것이다.Figure 3 shows the process sequence (process sequence) of the ZrO 2 thin film manufacturing process according to the present invention as the reaction pressure (reaction pressure) of each reactant according to the process time (process time).
도 3에 도시한 바와 같이, ALD법은 각 반응물질들을 개별적으로 분리하여 펄스 형태로 챔버에 공급한다.As shown in FIG. 3, the ALD method separates each reactants individually and supplies them to the chamber in the form of pulses.
즉, 챔버내에 제 1 반응물인 Zr(OBut)4주입, 제 1 차 퍼지 단계를 위한 불활성 기체 주입, 제 2 반응물인 암모니아 가스 주입, 그리고 제 2 차 퍼지 단계를 위한 불활성 기체 주입의 4가지 펄스를 하나의 사이클로서 ALD 공정을 진행하고, 이 시퀀스에 따라 기판표면에서 반응물질의 표면포화반응에 의한 화학적 분해, 흡착 및 탈착이 이루어져 ZrO2박막을 형성하게 된다.That is, four pulses of Zr (OBu t ) 4 injection into the chamber, inert gas injection for the first purge step, ammonia gas injection for the second reactant, and inert gas injection for the second purge step. The ALD process is performed as a cycle, and according to this sequence, chemical decomposition, adsorption, and desorption are performed by surface saturation of the reactants on the substrate surface to form a ZrO 2 thin film.
다음은 본 발명에 따른 ALD법으로 형성된 ZrO2박막을 평가한 결과를 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Next, the results of evaluating the ZrO 2 thin film formed by the ALD method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4는 본 발명에 의한 ALD법을 이용하여 형성된 ZrO2박막의 증착 속도롤 나타낸 것으로 암모니아 가스의 펄스(pulse) 시간에 따른 증착비를 나타낸 그래프이다.Figure 4 is a graph showing the deposition rate of the ZrO 2 thin film formed by using the ALD method according to the present invention according to the pulse time of the ammonia gas.
도 4에 도시한 바와 같이, 암모니아 가스의 펄스 시간이 3초 이상에서 증착비가 포화된다.As shown in Fig. 4, the deposition ratio is saturated when the pulse time of the ammonia gas is 3 seconds or more.
이 때의 포화 증착비(deposition rate)가 약 1.5(Å/사이클) 정도로 상당히 높은 증착 속도를 나타냄을 알 수 있다.It can be seen that the saturation deposition rate (deposition rate) at this time exhibits a considerably high deposition rate of about 1.5 (µs / cycle).
도 5는 본 발명에 의한 ALD법을 이용하여 형성된 ZrO2박막의 성분 분석 결과를 나타낸 것으로 스퍼터링 시간(sputtering time)에 대한 O, Zr, C, N의 원자 농도(atomic concentration)를 나타낸 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing the results of component analysis of the ZrO 2 thin film formed using the ALD method according to the present invention. The graph shows atomic concentrations of O, Zr, C, and N with respect to sputtering time.
도 5에 도시한 바와 같이, 탄소(C)와 질소(N)와 같은 불순물의 양이 AES(Auger Electron Spectroscopy) 검출 한계(detection limit) 이하로 나타남으로서 아주 순수한 ZrO2박막이 얻어짐을 알 수 있다.As shown in FIG. 5, it can be seen that a very pure ZrO 2 thin film is obtained by the amount of impurities such as carbon (C) and nitrogen (N) being below the AES (Auger Electron Spectroscopy) detection limit. .
즉, 박막 내에 잔류 불순물들이 거의 없어 순도가 높은 박막이 형성됨을 알 수 있다.That is, it can be seen that there is almost no residual impurities in the thin film to form a thin film having high purity.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 ALD법을 이용한 박막 제조 방법 에 있어서 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the thin film manufacturing method using the ALD method according to the present invention has the following effects.
첫째, 제 2 반응물인 암모니아 가스가 제 1 반응물인 Zr(OBut)4를 매우 효과적으로 분해하여 ZrO2를 형성함으로서 매우 높은 증착 속도로 박막을 형성할 수 있다.First, ammonia gas as the second reactant decomposes the first reactant Zr (OBu t ) 4 very effectively to form ZrO 2 , thereby forming a thin film at a very high deposition rate.
둘째, 높은 증착 속도로 박막이 형성되기 때문에 공정 개발 및 양산에 적용할 수 있다.Second, since the thin film is formed at a high deposition rate, it can be applied to process development and mass production.
셋째, 제 1 반응물로 알코옥사이드인 Zr(OBut)4를 사용하기 때문에 유독한 반응 부산물이 발생하지 않는다.Third, toxic reaction by-products are not generated because Zr (OBu t ) 4 , an alcohol, is used as the first reactant.
넷째, 상기 반응 부산물들이 발생하지 않아 반응 부산물의 박막 내 잔류로 인한 영향이 없어 고순도의 박막을 얻을 수 있으며, 거의 100%의 스텝 커버리지(step coverage)를 갖는 박막을 형성할 수 있다.Fourth, the reaction by-products do not occur, there is no effect due to the remaining in the thin film of the reaction by-products can obtain a high purity thin film, and can form a thin film having a step coverage of almost 100%.
다섯째, 우수한 스텝 커버리지를 가지는 박막을 형성할 수 있어 이것을 비아(via) 또는 콘택(contact) 형성 공정을 적용할 경우 우수한 특성을 갖는 소자를 만들 수 있다.Fifth, a thin film having excellent step coverage can be formed, and when the via or contact forming process is applied, a device having excellent characteristics can be formed.
여섯째, 사이클 수를 조절하여 박막의 두께를 아주 정밀하게 제어할 수 있어 나노급(Nano scale)이하로 미세화되고 있는 소자의 박막조절이 가능하다.Sixth, the thickness of the thin film can be controlled very precisely by controlling the number of cycles, so that the thin film of the device being micronized to the nano scale or less can be controlled.
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